JPS6231120A - Method and device for transporting semiconductor wafer - Google Patents

Method and device for transporting semiconductor wafer

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Publication number
JPS6231120A
JPS6231120A JP16972585A JP16972585A JPS6231120A JP S6231120 A JPS6231120 A JP S6231120A JP 16972585 A JP16972585 A JP 16972585A JP 16972585 A JP16972585 A JP 16972585A JP S6231120 A JPS6231120 A JP S6231120A
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JP
Japan
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wafer
transfer
hot plate
bar
raised
Prior art date
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Pending
Application number
JP16972585A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mikio Shoda
庄田 幹夫
Yoshio Matsumura
松村 吉雄
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPS6231120A publication Critical patent/JPS6231120A/en
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To smoothly peel off a wafer by a method wherein one end section of a lever member for transfer is projected to the surface of a hot plate beforehand, and the whole lever member for transfer is raised up to the specified height at the time of transferring a wafer. CONSTITUTION:After the heating process has been terminated, one of four air-cylinders, for example, only a cylinder 17 is activated to project only the one end of a bar for transfer 21 to the surface of a hot plate 10. Thus, only a one part of the circumference of a wafer 12 is peeled off from the surface of the plate 10. Following that, when the remaining three air-cylinders are activated, with the bar for transfer inclined in this state, to raise the whole bar for transfer 21 in a constant speed, the circumference of the wafer 12 is gradually peeled off from the part where has been peeled off at the first time to the whole circumference so as to be separated from the plate 10. The whole bar for transfer 21 is raised to the specified transfer position to transfer the wafer 12 to the side of discharge with an air-cylinder 23.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体デバイスの製造に際して、素材の薄板
状ウェハを搬送する装置に関し、特にウェハにフォトレ
ジストを塗布し、ホットプレートに載置して乾燥させた
後、該ウェハをホットプレートからスムースに剥離させ
て、次段の処理工程へ搬送するための方法及び装置に関
する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an apparatus for transporting a thin wafer as a raw material during the manufacture of semiconductor devices, and in particular, the present invention relates to an apparatus for transporting a thin wafer as a raw material during the manufacture of semiconductor devices. The present invention relates to a method and apparatus for smoothly peeling a wafer from a hot plate after drying the wafer and transporting the wafer to the next processing step.

[従来の技術] 半導体デバイスの製造において、スピンコータ(回転塗
布機)等によりウェハにフォトレジスト等の液剤を塗布
した後、ウェハをホットプレートの上に移送し、加熱乾
燥させることが行われる。
[Background Art] In the manufacture of semiconductor devices, a liquid agent such as photoresist is applied to a wafer using a spin coater or the like, and then the wafer is transferred onto a hot plate and heated and dried.

この場合、ウェハをホットプレート上に移送し。In this case, the wafer is transferred onto a hot plate.

また、乾燥処理後のウェハをホットプレートから次工程
へ移送するためには、一般にホットプレート面に移送方
向に平行に刻設した一対の溝に、出没自在なバーあるい
はワイヤを嵌装し、移送時にこれらのバーあるいはワイ
ヤを上昇させて、ウェハをホットプレート面から持ち上
げ、該移送用バー等を駆動して移送するようにしている
In addition, in order to transfer the wafer after the drying process from the hot plate to the next process, a retractable bar or wire is generally fitted into a pair of grooves carved on the surface of the hot plate parallel to the transfer direction. At times, these bars or wires are raised to lift the wafer off the hot plate surface and drive the transfer bar or the like to transfer the wafer.

しかし、ウェハに塗布されたフォトレジスト等は、そめ
上面のみならず周縁部にも付着しており。
However, the photoresist etc. applied to the wafer adheres not only to the top surface but also to the periphery.

これが加熱乾燥されて固化した場合、ウェハが周縁部で
ホットプレート面に接着された状態となって、移送用バ
ー等によりウェハを持ち上げる際に、即座にはホットプ
レート面から剥離せず、移送用バー等を下方へ曲げるよ
うに抵抗する。そして、移送用バー等の反発力がフォト
レジスト等の粘着力を上回ると、ウェハは瞬間的にホッ
トプレート面から剥離され、移送用バー等の反発力によ
り上方に弾き上げられる結果となる。このため1時とし
てウェハが移送路から脱落したり、あるいは脱落しない
までも位置ずれを生じて、その後の移送あるいは処理に
不都合を来すことがある。
If this is heated and solidified, the wafer will be glued to the hot plate surface at the periphery, and when the wafer is lifted with a transfer bar, etc., it will not immediately peel off from the hot plate surface, and Resist bending the bar etc. downward. When the repulsive force of the transfer bar or the like exceeds the adhesive force of the photoresist or the like, the wafer is instantly peeled off from the hot plate surface and flipped upward by the repulsive force of the transfer bar or the like. For this reason, the wafer may sometimes fall off from the transfer path, or even if it does not fall off, the wafer may be misaligned, causing inconvenience in subsequent transfer or processing.

この問題を解決するための手段としては、本出願人によ
る特願昭59−25823号(発明の名称「基板の搬送
方法およびその装置」)として特許出願をしたものがあ
る。これは、第3図示の如く。
As a means for solving this problem, there is a patent application filed by the present applicant as Japanese Patent Application No. 59-25823 (title of the invention: "Method and Apparatus for Transporting Substrates"). This is as shown in the third diagram.

ホットプレート(1)に貫通孔を穿設し、適宜の押上杆
(2)をこの孔に挿通しておき、必要時にホットプレー
ト面に突出させてウェハ(3)をプレート面から剥離さ
せるものである。
A through hole is drilled in the hot plate (1), and a suitable push rod (2) is inserted into this hole, and when necessary, the wafer (3) is peeled off from the hot plate surface by protruding from the hot plate surface. be.

[発明が解決しようとする問題点コ 上記先願手段は、ウェハをホットプレート面から剥離さ
せるという目的は、充分達成することができるが、移送
用バー等に加えて、押上杆及びそれを作動させるための
装置を必要とし、また、ホットプレートに押上杆を挿通
するための貫通孔を加工する必要がある等、材料的にも
製造工数の面でも余分なものがかかり、コスト高を招く
難点がある。
[Problems to be Solved by the Invention] The above-mentioned means of the prior application can fully achieve the purpose of peeling the wafer from the hot plate surface, but in addition to the transfer bar etc., it also requires a push-up rod and its actuator. In addition, it is necessary to prepare a through hole for inserting the pusher rod into the hot plate, which requires additional material and manufacturing man-hours, leading to high costs. There is.

本発明は、特別の付加手段を使用することなく、ホット
プレート装置に本来的に付設されている移送手段のみを
使用して、ウェハの剥離をスムースに行う手段を提供す
るものである。
The present invention provides a means for smoothly peeling a wafer using only the transfer means originally attached to the hot plate apparatus without using any special additional means.

[問題点を解決するための手段] ホットプレート面にウェハ移送方向に沿って刻設した少
なくとも一対の溝に、それぞれ出没自在に嵌装され、か
つ、ウェハ移送方向に移動可能な移送用バーあるいはワ
イヤ等を、そのいずれ7>1一方の一端部が他端部より
も先行して上昇できるように構成する。このバーあるい
はワイヤ等は、ホットプレート面の一方から、順次傾斜
した形で上昇するため、ホットプレート面に載置された
ウェハは、その−縁端から順次剥離されることになる。
[Means for solving the problem] A transfer bar or a transfer bar that is retractably fitted into at least a pair of grooves cut in the hot plate surface along the wafer transfer direction and movable in the wafer transfer direction. A wire or the like is configured such that one end of the wire (7>1) can be raised in advance of the other end. Since the bar or wire rises in an inclined manner from one side of the hot plate surface, the wafer placed on the hot plate surface is sequentially peeled off from its edge.

移送用バー等の一端部を他端部に先行させて上昇させる
には、それぞれの端部に配設した上昇手段の作動タイミ
ングを、適宜ずらせることにより行う。
In order to raise one end of the transfer bar or the like before the other end, the activation timing of the lifting means disposed at each end is shifted as appropriate.

[作用] 移送用バー等をホットプレート面に平行姿勢のまま上昇
させる場合のように、ウニへの金縁が一時に剥離されよ
うとして、大きな抵抗を示すことがなくなり、ウェハは
スムースに剥離される。
[Effect] Unlike when a transfer bar or the like is raised parallel to the hot plate surface, the gold edge on the urchin does not try to peel off all at once and exhibits a large resistance, and the wafer is peeled off smoothly. .

[実施例] 第1図は本発明の1実施例装置の概要を示す斜視図、第
2図は同装置の作動を示す説明図である。
[Embodiment] FIG. 1 is a perspective view showing an overview of an apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory view showing the operation of the apparatus.

第1図において、ホットプレート(10)は装置の定位
置に固設されており、その上面にはウェハ移送方向に平
行な一対の溝(11)が刻設されている。
In FIG. 1, a hot plate (10) is fixed at a fixed position in the apparatus, and a pair of grooves (11) parallel to the wafer transfer direction are cut on the top surface of the hot plate (10).

ウェハ(12)は、以下に説明する移送装置により、ホ
ットプレート(10)に搬送載置され、かつ、これから
排出される。
The wafer (12) is transferred to and placed on the hot plate (10) by a transfer device described below, and then discharged therefrom.

基台(13)に、左右それぞれ前後一対の垂直方向のガ
イド(14)を立設し、その上端に左右一対の昇降フレ
ーム(15)を装着する。ガイド(14)と昇降フレー
ム(15)との結合部は、少なくともいずれか一方のフ
レームについては、フレームの長手方向に回動可能なヒ
ンジ構造としておく。
A pair of vertical guides (14) are erected on the base (13) at the front and rear, respectively, and a pair of left and right lifting frames (15) are attached to the upper ends of the guides (14). The connecting portion between the guide (14) and the elevating frame (15) has a hinge structure that allows at least one of the frames to rotate in the longitudinal direction of the frame.

また、基台(13)と昇降フレーム(15)との間に。Also, between the base (13) and the elevating frame (15).

左右それぞれ一対の垂直方向のエアシリンダ(16)(
17)を配設し、これらを作動させることにより、昇降
フレーム(15)を昇降させる。エアシリンダは、ガイ
ド(14)を昇降フレーム(15)にヒンジにて結合し
た側では、図示の如く一対を必要とするが、他のガイド
(14)を昇降フレーム(15)に固設した側では、中
央部に1個だけ設置してもよい。
A pair of vertical air cylinders (16) on the left and right sides (
17), and by operating these, the elevating frame (15) is raised and lowered. A pair of air cylinders is required on the side where the guide (14) is connected to the lifting frame (15) with a hinge, as shown in the figure, but on the side where the other guide (14) is fixed to the lifting frame (15). Then, only one may be installed in the center.

各昇降フレーム(15)に、それぞれ上下一対のウェハ
移送方向のガイド(18)を架設し、移動フレーム(1
9)をこのガイド(■8)に沿って摺動可能に装着する
。各移動フレーム(19)の前後端には、それぞれアー
ム(20)を立設し、これにウェハ移送用のバー (2
1)を架設する。このバー(21)は、昇降フレーム(
15)が下降したときには、ホットプレート(10)に
刻設された溝(11)内に沈下し、昇降フレーム(15
)が上昇したときには、プレート(10)の面より高い
位置まで上昇する。なお、このバー(21)は。
A pair of upper and lower guides (18) in the wafer transfer direction are installed on each lifting frame (15).
9) is slidably attached along this guide (■8). An arm (20) is installed at the front and rear ends of each moving frame (19), and a bar (2
1) Erection. This bar (21) is connected to the lifting frame (
When the lift frame (15) is lowered, it sinks into the groove (11) carved in the hot plate (10) and lifts the lifting frame (15).
) rises to a position higher than the surface of the plate (10). In addition, this bar (21).

必ずしも杆状材である必要はなく、たとえばアーム(2
0)間に張設したワイヤ等であってもよい。
It does not necessarily have to be a rod-shaped member, for example, an arm (2
0) It may be a wire or the like stretched between the two.

一対の移動フレーム(19)の内側適所シ;は、先端部
が垂直方向を向く一対のガイドピン(22)が立設しで
ある。
A pair of guide pins (22) with tips facing vertically are erected at appropriate positions inside the pair of movable frames (19).

一方、ホットプレート(10)の下方に、前後方向のエ
アシリンダ(23)を配設し、そのロンド(24)の先
端にガイド板(25)を装着する。ガイド板(25)に
穿設された一対の孔に、前記ガイドピン(22)が挿通
され、エアシリンダ(23)の作動により、左右一対の
の移動フレーム(19)を前後方向に移動させるととも
に、ガイドピン(22)がガイド板(25)の孔に摺動
可能に挿通されているために、移動フレーム(19)の
昇降を可能にする。
On the other hand, a front-back air cylinder (23) is arranged below the hot plate (10), and a guide plate (25) is attached to the tip of the rond (24). The guide pin (22) is inserted into a pair of holes drilled in the guide plate (25), and the air cylinder (23) is operated to move the pair of left and right moving frames (19) in the front and back direction. Since the guide pin (22) is slidably inserted into the hole of the guide plate (25), the movable frame (19) can be moved up and down.

次に、上述移送装置の作動を、第2図により説明する。Next, the operation of the above transfer device will be explained with reference to FIG.

(A)左右一対のエアシリンダ(16) (17)によ
り、左右の昇降フレーム(15)をともに上昇させ、エ
アシリンダ(23)により、左右の移送用バー(21)
をウェハの送り込み側へ移動させ、図示しない前段処理
装置の搬送手段からウェハ(12)をバー(21)に載
置する。
(A) A pair of left and right air cylinders (16) and (17) are used to raise both the left and right lifting frames (15), and the air cylinders (23) are used to lift the left and right transfer bars (21).
is moved to the wafer feeding side, and the wafer (12) is placed on the bar (21) from a transport means of a pre-processing device (not shown).

(B)エアシリンダ(23)により、ウェハ(1’2)
をホットプレート(10)直上の位置に移送し、左右各
一対のエアシリンダ(16) (17)により、一対の
移送用バー (21)をホットプレート(10)の溝(
11)の中に下降させ、ウェハ(12)をホットプレー
ト面に載置する。
(B) Air cylinder (23) allows wafer (1'2)
is transferred to a position directly above the hot plate (10), and a pair of transfer bars (21) are moved into the grooves (
11) and place the wafer (12) on the hot plate surface.

(C)ウェハ(12)に所要の加熱処理を行う間に、エ
アシリンダ(23)により、移送用バー(21)を原位
置に復帰させる。
(C) While performing the required heat treatment on the wafer (12), the transfer bar (21) is returned to its original position by the air cylinder (23).

(D)加熱処理が終了した後、4本のエアシリンダのう
ちの1個、たとえば(17)のみを作動させて。
(D) After the heat treatment is completed, only one of the four air cylinders, for example (17), is operated.

一方の移送用バーの一端のみを、ホットプレート(10
)の面に突出させる。これにより、ウェハ(12)の周
縁の一部のみが、ホットプレート(10)の面から剥離
される。この場合、この側の昇降フレーム(15)と垂
直ガイド(14)とはヒンジ機構により結合しであるの
で、一端のみを上昇させることが可能である。
Connect only one end of one transfer bar to a hot plate (10
) to protrude from the surface. As a result, only a portion of the periphery of the wafer (12) is peeled off from the surface of the hot plate (10). In this case, since the elevating frame (15) and the vertical guide (14) on this side are connected by a hinge mechanism, it is possible to raise only one end.

続いて、片側のバーをこの状態で傾斜させたまま、残り
3本の昇降用エアシリンダを作動させて。
Next, while keeping one side of the bar tilted in this state, I activated the remaining three lifting air cylinders.

移送用バー全体を等速度で上昇させると、ウェハ(12
)の周縁は、最初に剥離した部分から漸次全周に剥離が
進行し、ホットプレート(10)からゆるやかに分離す
る。
When the entire transfer bar is raised at a constant speed, the wafers (12
), the peeling progresses gradually from the first peeled part to the entire circumference and gently separates from the hot plate (10).

(E)ウェハ(12)の全面がホットプレート(10)
から分離した後、移送用バー(21)全体を所定の搬送
位置に上昇させ、エアシリンダ(23)により、ウェハ
(12)を排出側へ移送する。
(E) The entire surface of the wafer (12) is the hot plate (10)
After separating from the wafer, the entire transfer bar (21) is raised to a predetermined transfer position, and the air cylinder (23) transfers the wafer (12) to the discharge side.

上記は、本発明を図示実施例に基いて説明したが、本発
明は上述内容に限定されるものではなく、各種の応用が
可能である。
Although the present invention has been described above based on the illustrated embodiments, the present invention is not limited to the above-mentioned contents, and various applications are possible.

たとえば上記実施例では、移送用バーの昇降及び前後方
向の移動をエアシリンダによって行うが。
For example, in the above embodiment, the transfer bar is raised and lowered and moved in the front and rear directions by an air cylinder.

ネジによる駆動や歯車等によって駆動するようにしても
よく、また、上下および前後摺動のガイド手段も1図示
に限らず周知のガイド機構を適宜使用することができる
It may be driven by a screw, a gear, or the like, and the guide means for vertical and longitudinal sliding is not limited to the one shown in the figure, but any known guide mechanism can be used as appropriate.

また、上記実施例では、一対の移送用バーの一方につい
て、その一端部を他端部より先行させて上昇させるよう
にしたが、一対の移送用バーの−万全体を他方のバーよ
り先行させて上昇させてもよく、また、一対の移送用バ
ーの各一方の端部を他方の端部より先行させて上昇させ
ても、ウェハの周縁の一部から剥離させるという効果を
得ることができる。なお、一対の移送用バーの一方の全
体を他方より先行させて上昇させる場合は、昇降用エア
シリンダ(16) (17) 、ガイド(14)及びフ
レーム(15)の間にヒンジ機構を必要とせず、一体に
構成することができるので、したがって昇降駆動手段(
第1図示実施例では、エアシリンダ(16) (17)
Further, in the above embodiment, one end of one of the pair of transfer bars was raised before the other end, but the whole of the pair of transfer bars was raised before the other end. Alternatively, one end of each of the pair of transfer bars may be raised in advance of the other end to obtain the effect of separating the wafer from a portion of its periphery. . In addition, if one of the pair of transfer bars is to be lifted in advance of the other, a hinge mechanism is required between the lifting air cylinders (16) (17), the guide (14), and the frame (15). Therefore, the lifting drive means (
In the first illustrated embodiment, air cylinders (16) (17)
.

ガイド(14)など)は、左右について1セツト配設す
ればよい。
One set of guides (14, etc.) may be provided for the left and right sides.

[発明の効果] (1)加熱処理後のウェハをホットプレート面から排出
する際1周縁部のフォトレジストの固化のためウェハが
ホットプレートに粘着していても、スムースに剥離する
ことができ、急激な剥離によるウェハの脱落ないし位置
ずれ等を防止できる。
[Effects of the Invention] (1) Even if the wafer sticks to the hot plate due to the solidification of the photoresist on the periphery when the wafer is discharged from the hot plate surface after heat treatment, it can be peeled off smoothly. It is possible to prevent the wafer from falling off or shifting its position due to sudden peeling.

(2)ウェハ2ホツトプレートから剥離するための、特
別な付加手段を必要とせず、本来、ホットプレート装置
に付設されている搬送装置を一部改造するだけで、実施
できる。
(2) There is no need for any special additional means for separating the wafer 2 from the hot plate, and it can be carried out by simply modifying a part of the transfer device originally attached to the hot plate apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の1実施例装置の概要を示す斜視図、第
2図は同装置の作動を示す説明図、第3図は従来の手段
の概要を示す図である。 (1)・・・・ホットプレート、(2)・・・・押上杆
、(3)・・・・・・ウェハ、 (10)・・・・ホットプレート、(12)・・・・ウ
ェハ、(13)・・・・基台、(14)・・・・昇降ガ
イド、(15)・・・・昇降フレーム、 (16)(1
7)・・・・エアシリンダ、 (18)・・・・移動フ
レーム用ガイド、(19)・・・・移動フレーム、(2
1)・・・・移送用バー、(22)・・・・ガイドピン
。 (23)・・・・エアシリンダ、 (25)・・・・ガ
イド板。 以上 ×Ilカ
FIG. 1 is a perspective view showing an overview of a device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory view showing the operation of the device, and FIG. 3 is a view showing an overview of conventional means. (1) Hot plate, (2) Push rod, (3) Wafer, (10) Hot plate, (12) Wafer, (13)... Base, (14)... Elevating guide, (15)... Elevating frame, (16) (1
7)... Air cylinder, (18)... Guide for moving frame, (19)... Moving frame, (2
1)... Transfer bar, (22)... Guide pin. (23)...Air cylinder, (25)...Guide plate. More than that

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)上面に被処理ウェハを載置して加熱処理をするホ
ットプレート面にウェハの移送方向に沿って刻設した複
数個の溝に、それぞれ出没するように昇降し、かつ、ウ
ェハ移送方向に往復移動する同数個の移送用杆材を設け
てなる半導体ウェハの搬送装置において、所要の加熱処
理後、前記移送用杆材の少なくとも一端部を先行させて
前記ホットプレート面に突出させ、次いで前記移送用杆
材全体を所定のウェハ移送時の高さに上昇させて、処理
済みウェハを排出するようにした半導体ウェハの搬送方
法。
(1) The hot plate surface on which the wafer to be processed is placed and heat-treated has a plurality of grooves carved along the wafer transfer direction, each of which moves up and down in the wafer transfer direction. In a semiconductor wafer transfer device comprising the same number of transfer rods that reciprocate, after a required heat treatment, at least one end of the transfer rods is made to protrude in front of the hot plate surface, and then A semiconductor wafer transport method, wherein the entire transport rod is raised to a predetermined height for transporting the wafer, and the processed wafer is discharged.
(2)一端部の先行上昇を、複数個の移送用杆材の一個
についてのみ行うことを特徴とする特許請求の範囲第(
1)項に記載の半導体ウェハの搬送装置。
(2) Claim 1 (
1) The semiconductor wafer transport device according to item 1).
(3)上面に被処理ウェハの移送方向に平行な複数個の
溝を刻設したホットプレートと、該複数個の溝にそれぞ
れ出没自在に昇降し、かつ、前記移送方向に沿って往復
駆動される同数個の移送用杆材と、前記複数個の移送用
杆材を移送方向に同期的に往復駆動する駆動手段と、前
記複数個の移送用杆材を前記溝内に沈下した位置と前記
ホットプレート面に突出した位置とに昇降させ、かつ、
上昇に際して、該移送用杆材の一端部を他端部より先行
させてホットプレート面に突出させる昇降手段とを備え
てなる半導体ウェハの搬送装置。
(3) A hot plate having a plurality of grooves parallel to the transfer direction of the wafer to be processed carved on its upper surface, and a hot plate that can be moved up and down into and out of the plurality of grooves, and is driven reciprocally along the transfer direction. the same number of transfer rods, a driving means for synchronously reciprocating the plurality of transfer rods in the transfer direction, and a position where the plurality of transfer rods are sunk in the groove and raised and lowered to a position protruding from the hot plate surface, and
1. A semiconductor wafer transfer device comprising: lifting means for causing one end of the transfer rod to protrude onto a hot plate surface in advance of the other end when rising.
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