JPS62298944A - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

Info

Publication number
JPS62298944A
JPS62298944A JP61142167A JP14216786A JPS62298944A JP S62298944 A JPS62298944 A JP S62298944A JP 61142167 A JP61142167 A JP 61142167A JP 14216786 A JP14216786 A JP 14216786A JP S62298944 A JPS62298944 A JP S62298944A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluorocarbon
layer
recording medium
optical recording
recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61142167A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0447382B2 (en
Inventor
Toshihiko Yoshitomi
吉富 敏彦
Yoshimitsu Kobayashi
喜光 小林
Yoshiyuki Shirosaka
欣幸 城阪
Hidemi Yoshida
秀実 吉田
Michikazu Horie
通和 堀江
Takanori Tamura
田村 孝憲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Kasei Corp
Original Assignee
Mitsubishi Kasei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Kasei Corp filed Critical Mitsubishi Kasei Corp
Priority to JP61142167A priority Critical patent/JPS62298944A/en
Priority to CA000529093A priority patent/CA1258974A/en
Priority to EP87301046A priority patent/EP0242942B1/en
Priority to KR1019870000966A priority patent/KR910009072B1/en
Priority to DE8787301046T priority patent/DE3776386D1/en
Publication of JPS62298944A publication Critical patent/JPS62298944A/en
Publication of JPH0447382B2 publication Critical patent/JPH0447382B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To permit not only the improvement of recording sensitivity but also the improvement balanced well in pit shape and shortest pit length and to provide the higher speed, quality and density by subjecting the surface of a fluorocarbon under coat layer to an inert gas plasma treatment. CONSTITUTION:The thin fluorocarbon film is deposited to 20-1,000Angstrom , more preferably 50-300Angstrom on a substrate 1 by a plasma polymn., sputtering or vapor deposition method; thereafter, the surface of the fluorocarbon film is subjected to the inert gas plasma treatment to form the under coat layer 2 and to optimize the adhesive power of various recording layers to the underlying layer. The pit length can be shortened while the high sensitivity is retained when the fluorocarbon under coat layer subjected to the plasma treatment is used.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、高密度、高速記録が可能な光学的記録媒体に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an optical recording medium capable of high-density, high-speed recording.

詳しくは、基材上に形成した記録用薄膜にレーザービー
ムを照射して発生した熱によ)、該薄膜が蒸発あるいは
溶融除去されることを利用した光学的記録用媒体に関す
るものである。
Specifically, the present invention relates to an optical recording medium that utilizes the fact that a thin recording film formed on a base material is evaporated or melted away by heat generated by irradiating the thin film with a laser beam.

(従来の技術) 基板上に形成された薄膜にレーザービームを照射して穴
(ピット)を形成するようにした光学的記録用媒体とし
て、従来よシ、Te、Ei などの金属薄膜を使用する
ことが知られている。
(Prior Art) Conventionally, a thin film of metal such as Te or Ei is used as an optical recording medium in which holes (pits) are formed by irradiating a thin film formed on a substrate with a laser beam. It is known.

さらに経時安定性を増すために、Te、Se  などか
らなるTe系合金薄膜や、これらの金属を含有するプラ
ズマ重合膜を使用することも検討されている。これらの
材料は低融点であるため、記録に要するレーザー光のパ
ワーが小さくて済み、記録感度の点で有利である。
Furthermore, in order to increase the stability over time, the use of Te-based alloy thin films made of Te, Se, etc., and plasma polymerized films containing these metals are also being considered. Since these materials have a low melting point, the power of the laser beam required for recording is small, which is advantageous in terms of recording sensitivity.

一方、これらの記録媒体に用いる基板としては、プラス
チック、ガラス、金属、あるいはこれらの基板上に光硬
化性樹脂を塗布したもの等が挙げられる。
On the other hand, substrates used in these recording media include plastic, glass, metal, and substrates coated with photocurable resin.

一ザー加熱によって溶融した記録層物質が基板との付着
力にうちかつて分離することが必要である。このような
目的のために、記録層と基板との間にフルオロカーボン
薄膜からなる下引層を設けることが検討されている(特
開昭!ター9024LA号公報)基板と記録層物質との
間の付着力を決める要因は基板表面及び記録層物質の表
面張力や、基板表面層の分子量、架橋度等であるが、該
付着力が小さければ、よシ小さなレーザー光パワーで短
時間にビット穴を形成することができる。これは記録感
度の向上を意味し、高速記録を可能とし、しかも安価な
低出力半導体レーザーの使用を可能とする。さらに高品
質の記録を行うためには、形成されたピット形状が明確
な輪郭を有し、かつ、一様であることが要求される。
It is necessary that the recording layer material melted by the single heating be separated by the adhesive force with the substrate. For this purpose, it has been considered to provide an undercoat layer made of a thin fluorocarbon film between the recording layer and the substrate (Japanese Patent Application Laid-open No. 9024LA). The factors that determine the adhesion force are the surface tension of the substrate surface and the recording layer material, the molecular weight of the substrate surface layer, the degree of crosslinking, etc., but if the adhesion force is small, the bit hole can be drilled in a short time with a lower laser beam power. can be formed. This means improved recording sensitivity, enables high-speed recording, and allows the use of inexpensive low-power semiconductor lasers. Furthermore, in order to perform high-quality recording, it is required that the formed pit shape have a clear outline and be uniform.

上記要求を満たすものとして、本発明者らは既に基板と
記録層との間にフルオロカーボンの下引き層を設け、か
つ、該下引き層の記録層に接する側の表面から/ On
m内の層の炭素とフッ素の原子比1EEIIOA法(軟
X線励起光電子分光法)による測定値として炭素/に対
してフッ素へ≠以上とする光学的記録用媒体を見い出し
た。(特願昭乙0−29♂/り7) (発明が解決しようとする問題点) 一方、記録用媒体には、以上のような特性に加えて、記
憶容量が大きいこと、すなわち、高密度記録が可能なこ
とが要求される。穴あけタイプの光学的記録用媒体の記
憶容量を向上させるためには、ピットの大きさをできる
だけ小さくすることが望ましい。円板状ディスクを用い
た、高密度、高速記録は記録再生を行うドライブシステ
ムにおいて、穴あけ用レーザー光の照射1間を短<Lf
cシ、パルスの繰り返し周波数ヲ−高め&D集束された
レーザー光のスポットサイズを小さくしたシ、さらに、
ディスクを高速で回転させることによって達成される。
In order to meet the above requirements, the present inventors have already provided a fluorocarbon undercoat layer between the substrate and the recording layer, and from the surface of the undercoat layer in contact with the recording layer, /On
An optical recording medium has been found in which the atomic ratio of carbon to fluorine in a layer in m is 1 or more as measured by the EEIIOA method (soft X-ray excitation photoelectron spectroscopy): fluorine to carbon/. (Patent Application Sho-Otsu 0-29♂/ri7) (Problems to be Solved by the Invention) On the other hand, in addition to the above-mentioned characteristics, recording media have a large storage capacity, that is, high density. It is required to be able to record. In order to improve the storage capacity of a punch-type optical recording medium, it is desirable to reduce the size of the pits as much as possible. High-density, high-speed recording using a disk-shaped disk requires a drive system that performs recording and reproduction to shorten the duration of irradiation with laser light for drilling to <Lf.
C, the pulse repetition frequency is increased and the spot size of the focused laser beam is reduced, and
This is achieved by rotating the disk at high speed.

円板状ディスクが回転して記録媒体面上をレーザー光の
スポットが相対的に移動するにあたシ、移動方向のピッ
ト長は、記録層と下引き層とからなる記録媒体の特性と
、記録媒体面上に集束されたレーザー光のスポットサイ
ズ、レーザー光照射時間、レーザー光の強度及びレーザ
ー光ビームに対する記録媒体面の相対移動速度等によっ
て決まる。光学記録用に一般に用いられる光学系と半導
体レーザー光の波長♂00 nm前後に対しては、レー
ザー光のスポットサイズは直径7μm程度が限度であシ
、最短ピット長はこのスポットサイズと同程度以上とな
る。記録媒体の熱伝導率が大きく、レーザー光照射によ
って溶融される領域が大きい場合や、記録層と下引き層
の間の付着力か弱過ぎて除去される物質の量が多い場合
には、形成可能な最短ピット長が大きくなりやすい。ま
た、上記の二うな媒体では、レーザー光パワーのわずか
な変動によってもピット長が敏感に変動しやすい傾向が
あり、安定で正確なディジタル信号の記録が困難となる
When the disc-shaped disk rotates and the laser beam spot moves relatively on the surface of the recording medium, the pit length in the moving direction depends on the characteristics of the recording medium consisting of a recording layer and an undercoat layer, It is determined by the spot size of the laser beam focused on the recording medium surface, the laser beam irradiation time, the laser beam intensity, the relative movement speed of the recording medium surface with respect to the laser beam, etc. For optical systems generally used for optical recording and the wavelength of semiconductor laser light around ♂00 nm, the laser light spot size is limited to a diameter of about 7 μm, and the shortest pit length is at least the same size as this spot size. becomes. If the thermal conductivity of the recording medium is high and the area melted by laser beam irradiation is large, or if the adhesion between the recording layer and the undercoat layer is too weak and a large amount of material is removed, formation of The shortest possible pit length tends to be large. Furthermore, in the above two media, the pit length tends to vary sensitively even with slight variations in laser light power, making it difficult to record stable and accurate digital signals.

さらに、上記ピット形状に関する問題点に加えて、短パ
ルス長のレーザー光で記録した沙、ディスクを高速で回
転させる場合、特にディスクの外周においては、媒体面
上の単位面積車)に単位時間に照射されるレーザー光の
エネルギー密度が小さくなるために穴あけに要するレー
ザー光パワーはより大きくなシ、媒体に対する高感度化
の要求は一層厳しいものとなる。
Furthermore, in addition to the above-mentioned problems regarding the pit shape, when the disk is rotated at high speed, when recording with a short pulse length laser beam, the unit area on the medium surface is Since the energy density of the irradiated laser light becomes smaller, the power of the laser light required for drilling becomes greater, and the demand for higher sensitivity of the medium becomes even more severe.

以上のよって要求を満たすためには、記録層とその下地
(基板または下引メ)との組合せが極めて重要な要素と
なる。すなわち、最短ピット長を短かくするためには、
付着力が大きいこ服するために、例えば高付着力を有し
ながら低温ノで分解・昇華するような有機物にトロセル
ロース、グアニン又はフタロタアニン等の色素)を下引
き層として利用して感度を改善する方法(第32回応用
物理学関係連合講演会講演予稿集(/り♂!、春季) 
p//j )が挙げられるが、必ずしも十分な感度及び
安定性が得られていない。また、これら既存の有機物の
物性(分解・昇華温度、付着力)は各々に固有のもので
あり種々の記録層及びドライブシステムとの組合せに対
して、柔軟に最適化を行うことができない。
Therefore, in order to meet the above requirements, the combination of the recording layer and its underlayer (substrate or underlayer) is an extremely important element. In other words, in order to shorten the shortest pit length,
For example, to improve sensitivity by using a dye such as trocellulose, guanine, or phthalotaanine as an undercoat layer on an organic substance that has a high adhesive force but decomposes and sublimates at low temperatures. How to do it (Proceedings of the 32nd Applied Physics Association Conference (/ri♂!, Spring)
p//j), but sufficient sensitivity and stability are not necessarily obtained. Furthermore, the physical properties (decomposition/sublimation temperature, adhesion strength) of these existing organic materials are unique to each one, and cannot be flexibly optimized for combinations with various recording layers and drive systems.

(問題点を解決するための手段) 一方、フルオロカーボンとハイドロカーボンの共重合体
のフィルム上に記録層を成膜し、記録感度を測定した場
合共重合体中のフルオロカーボンの比率を高めることに
よ)、付着力を小さくし記録感度の向上がはかれること
や(D、J。
(Means for solving the problem) On the other hand, when a recording layer was formed on a film of a copolymer of fluorocarbon and hydrocarbon and the recording sensitivity was measured, increasing the ratio of fluorocarbon in the copolymer ), it is possible to reduce the adhesion force and improve recording sensitivity (D, J.

Broer ana L、Vriens appl p
hys Al1 p107(/り1?)  )逆にポリ
テトラフルオロエチレン樹脂の1表面全プラズマ処理す
ることによシ金属/A(i97r) /弘乙夕) 本発明者らは、このようなフルオロカーボン膜における
付着力の制御性の良さに注目し、フルオロカーボン薄膜
からなる下引き層について種々検討した結果、付着力を
向上させ最短ビット長を短くする一方で高感度及びピッ
ト形状の改善をもたらすフルオロカーボン下引き膜を有
する光学的記録用媒体を得、本発明に到達した。
Broer ana L, Vriens appl p
hys Al1 p107(/ri1?)) On the contrary, by plasma-treating the entire surface of polytetrafluoroethylene resin, the present inventors have developed such a fluorocarbon film. Focusing on the good controllability of the adhesion force in the fluorocarbon thin film, we conducted various studies on undercoat layers made of thin fluorocarbon films.We found that a fluorocarbon undercoat that improves adhesion and shortens the minimum bit length while improving sensitivity and pit shape. An optical recording medium having a film was obtained and the present invention was achieved.

すなわち、本発明の要旨は、基板上にフルオロカーボン
膜からなる下引き層を設け、該下引き層上に穴あけタイ
プの記録層を配置した、光にある。
That is, the gist of the present invention resides in light in which an undercoat layer made of a fluorocarbon film is provided on a substrate, and a perforation type recording layer is disposed on the undercoat layer.

以下図面を参照して、本発明の詳細な説明する。第1図
は本発明光学的記鍮用媒体の具体的構造の7例を示す模
式図であって、(1)は基板、(2)は基板(1)上に
配置したフルオロカーボンの下引き膜、(3)は膜(2
)上に形成した記録層、(4)はトラックサーボ用の溝
である。
The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing seven examples of specific structures of the optical recording medium of the present invention, in which (1) is a substrate, and (2) is a fluorocarbon undercoat film disposed on the substrate (1). , (3) is the membrane (2
) and (4) are grooves for track servo.

本発明に係る記録媒体の基板(1)としてはアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック、ガラス又
はアルミニウム等に紫外線硬化樹脂を塗布したもの等が
挙げられる。
Examples of the substrate (1) of the recording medium according to the present invention include plastics such as acrylic resin and polycarbonate resin, glass, or aluminum coated with an ultraviolet curing resin.

本発明においては、この基板上に、プラズマ重合法、ス
パッタ法あるいは蒸着法によってフルオロカーボン薄膜
を、20〜10ool、好適には!O〜300λ堆積さ
せた後、該フルオロカーボン膜の表面を不活性ガスプラ
ズマ処理して下引き層(2)を形成し、種々の記録層(
3)に対して、下地との付着力を最適化する。
In the present invention, a fluorocarbon thin film of 20 to 10 ool is preferably formed on this substrate by plasma polymerization, sputtering, or vapor deposition. After depositing 0~300λ, the surface of the fluorocarbon film is treated with inert gas plasma to form an undercoat layer (2), and various recording layers (
For 3), optimize the adhesion to the base.

基板(1)上にフルオロカーボンのプラズマ重合膜、あ
るいは、ポリフルオロカーボンのスパッカン、at、e
veF2 などのパーフルオロアルケン又ハ、バーフル
オロヘキサン、パーフルオロベンゼン等、常温で気体、
あるいは液体であっても蒸気圧が十分高く、真空容器に
該フルオロカーボンの蒸気を10−” Torr以上満
たし、グロー放電が可能となるもので、フッ素の置換度
が高いものが望ましい。これらフッ化炭素をモノマーと
して容量式あるいは誘導式放電を用いることによ)プラ
ズマ重合膜を形成する。ポリフルオロカーボンとしては
、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、テトラフルオロエ
チレン−へキサフルオロプロピレン共重合樹脂、テトラ
フルオロエチレンーバーフルオロアルコキシエチレン共
重合樹脂などを用い、これらをターゲットとして、Ar
などの不活性ガス、あるいは、不活性ガスと前記モノマ
ーの混合ガスでスパッタすることによシ、スパッタ膜を
形成する。
A fluorocarbon plasma polymerized film or polyfluorocarbon sputtering, at, e, on the substrate (1).
Perfluoroalkenes such as veF2, perfluorohexane, perfluorobenzene, etc., are gases at room temperature,
Alternatively, even if the fluorocarbon is a liquid, it has a sufficiently high vapor pressure to allow glow discharge by filling a vacuum container with the fluorocarbon vapor at 10-'' Torr or more, and preferably has a high degree of fluorine substitution.These fluorocarbons (by using capacitive or inductive discharge as a monomer) to form a plasma polymerized film.Polyfluorocarbons include polytetrafluoroethylene resin, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer resin, and tetrafluoroethylene rubber. Using fluoroalkoxyethylene copolymer resin etc., Ar
A sputtered film is formed by sputtering with an inert gas such as, or a mixed gas of an inert gas and the monomer.

記録層(3)は通常Te系の合金が用いられ、特にTe
−8e系合金が良い、T e −S e 系の記録層を
形成するにはTe又はTeを主成分とする合金ヲターゲ
ットとし、フッ化セレンガスをスパッタ装置内に導入し
てスパッタ漢ヲ形成すれば良い。記録層中Seの含有量
は!〜2よ原子%程度とするのが良い。
For the recording layer (3), a Te-based alloy is usually used, especially a Te-based alloy.
-8e alloy is good. To form a Te-S e type recording layer, use Te or an alloy containing Te as a main component as a target, introduce selenium fluoride gas into the sputtering equipment, and form a sputtering layer. Good. What is the content of Se in the recording layer? It is preferable to set the amount to about 2 to 2 atomic percent.

第2図にポリフルオロカーボンのスパッタ膜あるいはプ
ラズマ重合膜を作製しプラズマ処理した後、スパッタに
よって記録層を成膜する場合の装置の一例を示す。図中
(1)は真空容器であシ、その内部は3室に区切られて
いる。第1室で、例えば、ポリフルオロカーボンのスパ
ッタを行い、引き続き第■室でプラズマ処理を行う。
FIG. 2 shows an example of an apparatus for forming a recording layer by sputtering after a sputtered film or a plasma polymerized film of polyfluorocarbon is prepared and subjected to plasma treatment. In the figure, (1) is a vacuum container, the interior of which is divided into three chambers. For example, sputtering of polyfluorocarbon is performed in the first chamber, and then plasma treatment is performed in the second chamber.

その後第■室において記録層を成膜する。プラズマ処理
は、記録層がTeを含む合金の場合、フルオロカーボン
層の記録層に接する側の表面から/ Onm以内の層の
フッ素と炭素の平均原子数比が炭素/に対してフッ素へ
〇からへλ程度となるように処理するのが良い。
Thereafter, a recording layer is formed in the first chamber. When the recording layer is an alloy containing Te, the plasma treatment is performed so that the average atomic ratio of fluorine to carbon in the layer within /Onm from the surface of the fluorocarbon layer in contact with the recording layer changes from 〇 to fluorine to carbon/. It is better to process it so that it is about λ.

第2図中、(2)、(3)、(4)は高周波を印加する
電極であ)、基本的には同一構造であるが、(2)、(
4)がスパッタされるべき材質からなるターゲラ(5)
は基板(6)がセットされたホルダーであフ、11II
、1室の順に搬送することができる。(7)、(8)、
(9)は放電を生ぜしめるためのガス導入口であ)、成
膜室、I、  l[には(7)、(9)を通して、  
Arま北は反応性ガスとArガスとの混合ガスを導入す
る。プラズマ処理室には、(8)を通して例えばArガ
スを導入する。ここで、1.II、■室の間には各室の
ガスの程類及び圧力を独立に制御するための差動排気室
α■、αηを設けている。また、(2)は排気口、α→
はRF電源である。第1室において、電極(2)の材質
を(3)と同じようにプラズマてよってスパッタされに
くい材質に変え導入口(7)から、フルオロカーボンの
モノマーガスヲ導入すれば、プラズマ重合膜を作製する
ことができる。
In Fig. 2, (2), (3), and (4) are electrodes for applying high frequency waves), and they basically have the same structure.
4) is made of the material to be sputtered (5)
is the holder with the board (6) set, 11II
, one chamber can be transported in this order. (7), (8),
(9) is a gas inlet for generating electric discharge), and through (7) and (9) in the film forming chamber, I, l[,
Arma North introduces a mixed gas of reactive gas and Ar gas. For example, Ar gas is introduced into the plasma processing chamber through (8). Here, 1. Differential exhaust chambers α■ and αη are provided between chambers II and II to independently control the gas level and pressure in each chamber. Also, (2) is the exhaust port, α→
is the RF power source. In the first chamber, if the material of the electrode (2) is changed to a material that is difficult to be sputtered by plasma as in (3) and fluorocarbon monomer gas is introduced from the inlet (7), a plasma polymerized film can be produced. can.

第■室で不活性ガスプラズマ処理を行うためには、基板
ホルダー(5)と電極(3)との間にグロー放電プラズ
マを生せしめ、第1室で基板(6)上に成膜されたフル
オロカーボン膜の表面を該プラズマにさらせば良い。
In order to perform inert gas plasma treatment in the first chamber, glow discharge plasma is generated between the substrate holder (5) and the electrode (3), and a film is formed on the substrate (6) in the first chamber. The surface of the fluorocarbon film may be exposed to the plasma.

プラズマにさらされたフルオロカーボン膜表面からはフ
ッ素原子が抜けて炭素原子どうしが架橋し、架橋度の高
い表面層が形成される。該表面層の厚み及び架橋度はプ
ラズマの放電条件、特に放電パワーとプラズマにさらさ
れた処理時間及び基板(6)と電極(3)との間隔によ
って制御でき、この結果、記録層と下引き層との付着力
を幅広(制御し、各種記録層に対して最適化を行うこと
ができる。すなわち、フッ素原子が抜けることによシ、
フルオロカーボン膜表面の表面張力が大きくなシ、まな
炭素原子が架橋することによシ、上記表面架橋層の密度
及び分子景が増加する。こうした表面層の変化は、いず
れも記録層と下引き層との間の付着力を増加させる効果
がある。
Fluorine atoms are removed from the surface of the fluorocarbon film exposed to plasma, and carbon atoms are crosslinked, forming a highly crosslinked surface layer. The thickness and degree of crosslinking of the surface layer can be controlled by the plasma discharge conditions, in particular the discharge power and the treatment time exposed to the plasma, and the spacing between the substrate (6) and the electrode (3), so that the recording layer and the undercoat are The adhesion force with the layer can be controlled over a wide range and optimized for various recording layers.
When the surface tension of the fluorocarbon film is high, the density and molecular structure of the surface crosslinked layer increase due to the crosslinking of carbon atoms. All of these changes in the surface layer have the effect of increasing the adhesion between the recording layer and the undercoat layer.

上記のようなフルオロカーボン薄膜表面のプラズマ処理
効果は、以下のようにして確認された。−4f、 PT
FE (ポリテトラフルオロエチレン)のスパッタ膜を
作製し、引き続きArガス圧j X 10−” Tor
r 、放電パワーioowにてArプラズマ処理を行い
、水に対する接触角、及びESOA法によって測定した
表面から/ Onm以内の層のフッ素原子炭素原子との
原子比(Flo )の変化を測定した。なお、ESOA
法による測定については特願昭60−29♂/り7に述
べられている通シである。
The effect of plasma treatment on the surface of a fluorocarbon thin film as described above was confirmed as follows. -4f, PT
A sputtered film of FE (polytetrafluoroethylene) was prepared, and then Ar gas pressure was applied to
Ar plasma treatment was performed at a discharge power of ioow, and the contact angle with water and the change in the atomic ratio of fluorine atoms to carbon atoms (Flo) of the layer within /Onm from the surface measured by the ESOA method were measured. In addition, ESOA
The method of measurement according to the method is as described in Japanese Patent Application No. 1987-29/7.

処理時間の増加とともに、接触角及びFloは減少する
ことが確認された。一方、上記プラズマ処理されたフル
オロカーボン下引き層上に、’re−8eF6系記録層
(特願昭60−/7.26≠7に開示のもの)を成膜し
、簡便な引きはがし法によって付着力を測定したところ
、処理時間300秒では、処理前に比べ数倍の増加がみ
られた。
It was confirmed that the contact angle and Flo decreased as the treatment time increased. On the other hand, a 're-8eF6 recording layer (disclosed in Japanese Patent Application No. 1986-/7.26≠7) was formed on the plasma-treated fluorocarbon undercoat layer, and attached by a simple peeling method. When the adhesion strength was measured, it was found that after a treatment time of 300 seconds, it increased several times compared to before treatment.

以上に、付着最適化の具体的な一例を示すが。A specific example of adhesion optimization is shown above.

本発明の要旨はフルオロカーボン下引き層とプラズマ処
理との組合せによシ、簡便な装置によって制御性が良く
、かつ、自由度の高い下引き層を作製できることにあ)
、記録層及び処理条件は必ずしも以下の実施例に制限さ
れないことは言うまでもない。
The gist of the present invention is that by combining a fluorocarbon undercoat layer and plasma treatment, an undercoat layer can be produced with good controllability and a high degree of freedom using a simple device.)
It goes without saying that the recording layer and processing conditions are not necessarily limited to the following examples.

(実施例) Arガス圧/ X 10−” Torr 、放電パワー
200Wにて、PTFE (ポリテトラフルオロエチレ
ン)のスパツンヲ行い、円板状でトラッキング用の溝を
有するポリカーボネート樹脂基板上に、膜厚約200人
の薄膜層を形成した。続いてArガス圧jX#)−3T
orr、放電パワー!OWにて130秒間プラズマ処理
を行った。
(Example) PTFE (polytetrafluoroethylene) was spun with Ar gas pressure/X 10-” Torr and discharge power of 200 W, and a film thickness of approximately A thin film layer of 200 people was formed.Subsequently, Ar gas pressure jX#)-3T
orr, discharge power! Plasma treatment was performed for 130 seconds under OW.

上記被処理下引き層と未処理下引き層、及び下引き、亥
のない基板上にSeF、及びArガスとの混合ガス中で
Teの反応性スパッタリンクラ行い、Te及びSeを含
む膜厚約200人の薄膜を形成し、記録層とした。
On the above-mentioned undercoat layer to be treated, the untreated undercoat layer, and the substrate without undercoat and Pig, a reactive sputtering process of Te is performed in a mixed gas of SeF and Ar gas to form a film containing Te and Se. A thin film of about 200 layers was formed and used as a recording layer.

上記3種類の光学的記録用媒体に対し、以下のような条
件で記録再生特性の評価を行つな。
Do not evaluate the recording and reproducing characteristics of the above three types of optical recording media under the following conditions.

円板状基板は/ I OOrpmで回転させ、回転軸か
らの半径的30tmのトラックに対し、波長?30mm
のGaA15半導体レーザー光で記録、再生を行った。
The disk-shaped substrate was rotated at /IOOrpm, and the wavelength was 30tm from the axis of rotation. 30mm
Recording and reproduction were performed using a GaA15 semiconductor laser beam.

記録は3.t 3 MHz 、デユーティ−30%のパ
ルス光にて行った、第3図にC/N比(Oarriey
 to noise)atlo)  の記録ノくワー依
存性を示す。図中(ハ)〕は未処理下引き層、(6)は
被処理下引き層、(c)は下引き層無しの場合である。
The record is 3. Figure 3 shows the C/N ratio (Oarriey
(to noise) atlo). In the figure, (c)] is an untreated undercoat layer, (6) is a treated undercoat layer, and (c) is a case without an undercoat layer.

(ロ)は(c)よ)も感度が改善される一方で、(a)
よシもO/Nが/〜、2dE増加し、C/N比の記録ノ
くワー依存性が少ない。これは、SF、M観察の結果(
a)においては記録パワーを太き(するにつれ、ビット
長が急激に大きくなるのに対し、(′b)においてはビ
ット長の変化が少ないためであることがわかった。
While (b) and (c) yo) also have improved sensitivity, (a)
In addition, the O/N increases by 2 dE, and the dependence of the C/N ratio on the recording power is reduced. This is the result of SF, M observation (
It was found that this is because in (a) the bit length increases rapidly as the recording power is increased, whereas in ('b) there is little change in the bit length.

さらに、(b)においては(C)に比べてビット内残留
物が小さく、均一なリムが形成された。
Furthermore, in (b), the residue in the bit was smaller than in (C), and a uniform rim was formed.

T6−8eF、  系記録層を有し、(6)のような特
性を有する記録媒体が得られるようなプラズマ処理条件
は、 ESCiA法によって決定できる。すなわち、処
理後の表面から/ Onm以内の層のフッ素と炭素の平
均原子数比が炭素/に対して、フッ素へ〇からハ2であ
るように処理条件、及び処理時間を決定するのが望まし
い。ここで第ψ図に゛示すように、未処理のフルオロカ
ーホンスパッタ膜の表面から約/ Onm以内の層は深
さ方向に対して、はぼ均一の組成を有するのに対し、被
処理膜は、表面から膜の内部に入る程、フッ素原子の比
率が高くなる傾向があることがやはりESC!A法によ
って確認された。従って、上記被処理膜表面の平均原子
数比は、ESOA法によって測定可能な約/ Onm以
内の深さの全フッ素原子と、炭素原子の原子数比である
Plasma processing conditions for obtaining a recording medium having a T6-8eF type recording layer and having the characteristics as shown in (6) can be determined by the ESCiA method. That is, it is desirable to determine the treatment conditions and treatment time so that the average atomic ratio of fluorine to carbon in the layer within / Onm from the surface after treatment is from 0 to 2 for fluorine to carbon /. . Here, as shown in Fig. ESC! is that the ratio of fluorine atoms tends to increase from the surface to the inside of the film. Confirmed by method A. Therefore, the average atomic ratio on the surface of the film to be processed is the atomic ratio of total fluorine atoms to carbon atoms at a depth of about /Onm that can be measured by the ESOA method.

本発明におけるプラズマ処理されたフルオロカーボン下
引き層を用いた場合に、高感度を有しながら、ビット長
を短くできるのは、上記のようなF/Cの深さ方向分布
があるためと考えられる。
The reason why the bit length can be shortened while maintaining high sensitivity when the plasma-treated fluorocarbon undercoat layer of the present invention is used is thought to be due to the F/C depth distribution as described above. .

(発明の効果) 本発明によれば記録感度の向上のみならず、ピット形状
、最短ビット長について、バランスのとれた改善が可能
である。これによシ、高速、高品質、高密度な光学的記
録媒体を得ることができる。1
(Effects of the Invention) According to the present invention, not only the recording sensitivity can be improved, but also the pit shape and the shortest bit length can be improved in a well-balanced manner. As a result, a high-speed, high-quality, and high-density optical recording medium can be obtained. 1

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1@は本発明の光学的記録用媒体の一例の縦断面を模
式的に示す図面、第一図は本発明の光学的記録用媒体を
製造する場合て用いる装置の概略図、第3図は実施例で
得られた記録用媒体のC/N比の記録パワー依存性を示
す図面、第μ図はフルオロカーボンスパッタ膜の表面に
おけるフッ素原子と炭素原子の比率変化を示す図面であ
る。 図中/は基板1.2I′i下引き膜、3は記録層を夫々
示す。
1@ is a drawing schematically showing a longitudinal section of an example of the optical recording medium of the present invention, FIG. 1 is a schematic diagram of an apparatus used for manufacturing the optical recording medium of the present invention, and FIG. 3 1 is a drawing showing the recording power dependence of the C/N ratio of the recording medium obtained in the example, and FIG. In the figure, / indicates the substrate 1.2I'i undercoat film, and 3 indicates the recording layer, respectively.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板上にフルオロカーボン膜からなる下引き層を
設け、該下引き層上に穴あけタイプの記録層を配置した
光学的記録用媒体において、該フルオロカーボン下引き
層の表面を不活性ガスプラズマ処理したことを特徴とす
る光学的記録用媒体。
(1) In an optical recording medium in which an undercoat layer made of a fluorocarbon film is provided on a substrate and a perforated recording layer is arranged on the undercoat layer, the surface of the fluorocarbon undercoat layer is treated with inert gas plasma. An optical recording medium characterized by:
(2)フルオロカーボン下引き層がポリフルオロカーボ
ンのスパッタ膜であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の光学的記録用媒体。
(2) The optical recording medium according to claim 1, wherein the fluorocarbon undercoat layer is a sputtered film of polyfluorocarbon.
(3)フルオロカーボン下引き層の表面をプラズマ処理
するにあたり放電を生ぜしめる不活性ガスが、少なくと
もArを含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の光学的記録用媒体。
(3) The optical recording medium according to claim 1, wherein the inert gas that generates discharge when plasma-treating the surface of the fluorocarbon undercoat layer contains at least Ar.
(4)穴あけタイプの記録層がTeを含む薄膜であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的記録
用媒体。
(4) The optical recording medium according to claim 1, wherein the perforation type recording layer is a thin film containing Te.
(5)穴あけタイプの記録層が、Teを含む金属をター
ゲット材として、フッ化セレンガスとArガスとの混合
ガス中において反応性スパッタリングすることにより形
成した、Te及びSeを含む堆積膜であり、かつ該プラ
ズマ処理後のフルオロカーボン層の記録層に接する側の
表面から10nm以内の層のフッ素と炭素の平均原子数
比が炭素1に対して、フッ素1.0から1.2であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的記録
用媒体。
(5) The drilling type recording layer is a deposited film containing Te and Se formed by reactive sputtering in a mixed gas of selenium fluoride gas and Ar gas using a metal containing Te as a target material, and the average atomic ratio of fluorine to carbon within 10 nm from the surface of the fluorocarbon layer in contact with the recording layer after plasma treatment is 1.0 to 1.2 for fluorine to 1 carbon. An optical recording medium according to claim 1.
JP61142167A 1986-04-24 1986-06-18 Optical recording medium Granted JPS62298944A (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61142167A JPS62298944A (en) 1986-06-18 1986-06-18 Optical recording medium
CA000529093A CA1258974A (en) 1986-04-24 1987-02-05 Optical recording medium and process for producing the same
EP87301046A EP0242942B1 (en) 1986-04-24 1987-02-05 Optical recording medium and process for producing the same
KR1019870000966A KR910009072B1 (en) 1986-04-24 1987-02-05 Optical recording carrier and manufacturing process therefor
DE8787301046T DE3776386D1 (en) 1986-04-24 1987-02-05 OPTICAL RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61142167A JPS62298944A (en) 1986-06-18 1986-06-18 Optical recording medium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62298944A true JPS62298944A (en) 1987-12-26
JPH0447382B2 JPH0447382B2 (en) 1992-08-03

Family

ID=15308912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61142167A Granted JPS62298944A (en) 1986-04-24 1986-06-18 Optical recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62298944A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01317293A (en) * 1988-06-17 1989-12-21 Kyodo Printing Co Ltd Magnetic recording medium and its production and application
JPH02175183A (en) * 1988-12-27 1990-07-06 Toppan Printing Co Ltd Heat sensitive recording medium
JP5407869B2 (en) * 2007-11-19 2014-02-05 コニカミノルタ株式会社 Water-repellent or antifouling articles, architectural window glass, vehicle window glass, display members, optical components constructed using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01317293A (en) * 1988-06-17 1989-12-21 Kyodo Printing Co Ltd Magnetic recording medium and its production and application
JPH02175183A (en) * 1988-12-27 1990-07-06 Toppan Printing Co Ltd Heat sensitive recording medium
JP5407869B2 (en) * 2007-11-19 2014-02-05 コニカミノルタ株式会社 Water-repellent or antifouling articles, architectural window glass, vehicle window glass, display members, optical components constructed using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0447382B2 (en) 1992-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5462701A (en) Sheet-like polyethylene terephthalate materials having slight surface roughness, their preparation and their use
CA1140078A (en) Method and apparatus for pretreating and depositing thin films on substrates
US4839207A (en) Optical recording medium and process for producing the same
US5417896A (en) Preparation of sheet-like polyethylene terephthalate materials having little surface roughness
JPS62298944A (en) Optical recording medium
EP0927995A1 (en) Optical recording medium and method of its manufacture
JPH02171286A (en) Information recording medium
JPH0474784B2 (en)
JPH0379772B2 (en)
JPH0511559B2 (en)
JP2544776B2 (en) Optical recording medium
EP0242942B1 (en) Optical recording medium and process for producing the same
JPS6034896A (en) Thermo-optical information recording method
JPH0312839A (en) Film forming method by sputtering and sputtering device used therein
US5164290A (en) Optical recording medium
JP2004110936A (en) Method of manufacturing optical disk stamper
JPH0298847A (en) Manufacture of information recording medium
JPS60147392A (en) Optical information recording medium
JPS593730A (en) Method for forming recording film on base surface of information recording medium
JPH0449090A (en) Write-once type optical recording member
JP2000149340A (en) Optical information recording medium and its production
JPH09326139A (en) Production of phase transition type optical disk
JPH0355292A (en) Optical recording medium and manufacture thereof
JPS63262286A (en) Optical data recording medium and production thereof
JPH0248990A (en) Optical recording medium and production thereof

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term