JPS62298128A - Probe inspecting device - Google Patents

Probe inspecting device

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Publication number
JPS62298128A
JPS62298128A JP14011386A JP14011386A JPS62298128A JP S62298128 A JPS62298128 A JP S62298128A JP 14011386 A JP14011386 A JP 14011386A JP 14011386 A JP14011386 A JP 14011386A JP S62298128 A JPS62298128 A JP S62298128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
probe card
semiconductor wafer
image
inspection
Prior art date
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Pending
Application number
JP14011386A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Tanaka
智 田中
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP14011386A priority Critical patent/JPS62298128A/en
Publication of JPS62298128A publication Critical patent/JPS62298128A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve the inspection efficiency by a method wherein the positions of an element to be inspected on an inspecting stage and a probe card are identified to control the rotation of probe card in the theta direction making reference to the identification. CONSTITUTION:The specified surface of probe card 3 is image-picked up by an image senser 9 to transfer the image pick-up signal to a controller 8. On the other hand, the specified surface of semiconductor wafer 2 is also image picked up by another image senser 11 to transfer the image pick-up signal to the controller 8. The controller 8 detects any slippage between the probe card 3 and the semiconductor wafer 2 in the theta direction making referennce to the image pick-up signals. Through these procedures, a motor 7 is driving- controlled making reference to the slippage level so that the semiconductor wafer 2 may be controlled to make alignment with the probe card 3.

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プローブ検査に適用して特に有効な技術に関
するもので、たとえば、半導体ウェハの回路を検査する
プローブ検査に利用できるものである。
Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a technique that is particularly effective when applied to probe testing, such as probe testing for testing circuits on semiconductor wafers. It can be used for

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体ウェハのプローブ検査については、たとえば株式
会社工業調査会、昭和58年11月15日発行、198
3年別冊「電子材料1984年版、超LSI製造・試験
装置ガイドブックJ、P195〜P198に記載されて
いる。
For probe inspection of semiconductor wafers, see Kogyo Kenkyukai Co., Ltd., November 15, 1980, 198
It is described in the 3rd year special issue "Electronic Materials 1984 Edition, VLSI Manufacturing/Testing Equipment Guidebook J, P195-P198.

本発明者は、プローブ検査装置の自動位置合わせ技術に
ついて検討した。以下は、公知とされた技術ではないが
、本発明者によって検討された技術であり、その概要は
次の通りである。
The present inventor studied automatic positioning technology for a probe inspection device. Although the following is not a publicly known technique, it is a technique studied by the present inventor, and its outline is as follows.

すなわち、半導体ウェハのプローブ検査に際しては、被
検査物である半4体ウェハとプローブカードとの正確な
位置合わせが必要となる。つまり、半導体ウェハに形成
されたパッドとプローブ針の先端とが正確な位置で当接
されないと、検査が適正に行われないばかりか、半導体
ウェハの表面を損傷することにもなりかねないためであ
る。
That is, when performing a probe test on a semiconductor wafer, it is necessary to accurately align the half-quad wafer, which is the object to be tested, and the probe card. In other words, if the pad formed on the semiconductor wafer and the tip of the probe needle do not come into contact with each other in the correct position, not only will the inspection not be carried out properly, but it may also damage the surface of the semiconductor wafer. be.

上記位置合わせ技術としては、まず半導体ウェハを載置
した状態で検査ステージを所定位置に移動し、さらに検
査ステージ上方のプローブカードを顕微鏡で観察しなが
ら作業者の手作業によりプローブカードをθ方向に所定
量回動させてプローブカードと半導体ウェハとの位置合
わせを行うことが考えられる。
The above positioning technique involves first moving the inspection stage to a predetermined position with the semiconductor wafer placed thereon, and then manually moving the probe card in the θ direction while observing the probe card above the inspection stage with a microscope. It is conceivable to align the probe card and the semiconductor wafer by rotating the probe card by a predetermined amount.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところが、上記位置合わせ技術では作業者の手作業によ
り位置合わせを行うため、検査効率が向上せず、しかも
θ方向のプローブカードの回動量を正確に把握するため
には2執した技術が必要であった。
However, with the above alignment technology, the alignment is performed manually by the operator, which does not improve inspection efficiency, and two different techniques are required to accurately grasp the amount of rotation of the probe card in the θ direction. there were.

本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的は検査効率を向上させることのできるプローブ
検査技術を提供することにある。
The present invention has been made focusing on the above problems,
The purpose is to provide a probe inspection technique that can improve inspection efficiency.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、被検査物とプローブカードとの位置Ey!、
識に基づきプローブカードのθ方向への回転を行うモー
タを自動制御するものである。
In other words, the position Ey between the object to be inspected and the probe card! ,
This system automatically controls the motor that rotates the probe card in the θ direction based on this knowledge.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、位置認識およびθ方向への所定
量の回動を自動制御して被検査物とプローブカードとの
位置合わせを行うことができるため、プローブ検査効率
を向上させることができる。
According to the above-described means, it is possible to automatically control position recognition and rotation by a predetermined amount in the θ direction to align the object to be inspected and the probe card, thereby improving probe inspection efficiency. .

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例であるプローブ検査装置を示
す概略説明図、第2図は半導体ウェハ上のパッドにプロ
ーブ針を当接した状態を示す拡大部分平面図である。
FIG. 1 is a schematic explanatory diagram showing a probe inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged partial plan view showing a state in which a probe needle is in contact with a pad on a semiconductor wafer.

本実施例のプローブ検査装置1は、半導体ウェハ2上に
形成された所定の回路を検査するためのものであり、プ
ローブカード3は図示しないホストコンピュータに接続
され、被検査物である半導体ウェハ2に対して所定の信
号の授受を行う構造となっている。
The probe inspection apparatus 1 of this embodiment is for inspecting a predetermined circuit formed on a semiconductor wafer 2, and the probe card 3 is connected to a host computer (not shown), and the probe inspection apparatus 1 is for inspecting a predetermined circuit formed on a semiconductor wafer 2. The structure is such that a predetermined signal is sent and received to and from.

検査ステージ4はXYテーブル5上に載1されており、
このXYテーブル5の作動により所定の。
The inspection stage 4 is placed on an XY table 5,
The operation of this XY table 5 allows for a predetermined value.

XY方向への微調整が可能となっている。Fine adjustment in the X and Y directions is possible.

XYテーブルS上に載置されている半導体ウェハ2は、
その表面に所定の回路層が形成されており、所定位置に
たとえば第2図に示すようなアルミニウム(A1)等に
よってパフドロが形成されている。
The semiconductor wafer 2 placed on the XY table S is
A predetermined circuit layer is formed on the surface thereof, and puff mud is formed at a predetermined position using aluminum (A1) or the like as shown in FIG. 2, for example.

プローブカード3はモータ7によってθ方向への回動が
なされるようになっている。このモータ7はたとえば直
流パルスモータであり、制御部8からの制御信号により
その回動量が所定値に制御されるようになっている。
The probe card 3 is rotated in the θ direction by a motor 7. This motor 7 is, for example, a DC pulse motor, and its rotation amount is controlled to a predetermined value by a control signal from a control section 8.

プローブカード3の上方には、たとえばCCD(Cha
rge coupled device)等のイメージ
センサ9がプローブカード3の所定表面部位を撮像する
ように取付られており、この撮像信号は制御部8に送ら
れる構造となっている。
Above the probe card 3, for example, a CCD (Cha
An image sensor 9 such as an RGE coupled device is attached to take an image of a predetermined surface area of the probe card 3, and this image pickup signal is sent to the control unit 8.

一方、検査ステージ4上の半導体ウェハ2の上方には反
射鏡10が取付られており、半導体ウェハ2の所定表面
部位をこの反射鏡10を介して、側方に取付られたイメ
ージセンサ11によりI顔像可能な状態となっている。
On the other hand, a reflecting mirror 10 is attached above the semiconductor wafer 2 on the inspection stage 4, and a predetermined surface area of the semiconductor wafer 2 is inspected via the reflecting mirror 10 by an image sensor 11 attached laterally. It is now possible to see the face.

なお、この半導体ウェハ2の憑像信号も制御部8に送ら
れるようになっている。
Note that the image signal of the semiconductor wafer 2 is also sent to the control section 8.

次に、本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.

まず、検査ステージ4上に被検査物である半導体ウェハ
2がi!置されると、半導体ウェハ2側のイメージセン
サ11により半導体ウェハ2の表面の撮像信号が制御部
8に送られ、この撮像信号に基づいて制御部8では当該
半導体ウェハ2の位置検出が行われる。
First, the semiconductor wafer 2, which is an object to be inspected, is placed on the inspection stage 4 on the i! When placed, the image sensor 11 on the semiconductor wafer 2 side sends an imaging signal of the surface of the semiconductor wafer 2 to the control unit 8, and the control unit 8 detects the position of the semiconductor wafer 2 based on this imaging signal. .

次に、制御部8に予め入力されているプローブカード3
の位置情報に基づき、半導体ウェハ2の位置がプローブ
カード3の直下となるよう峠XYテーブル5が制御部8
により作動される。
Next, the probe card 3 that has been input in advance to the control unit 8
Based on the positional information of
activated by

このようにして、XYテーブル50制?卸によりプロー
ブカード3と半導体ウェハ2は直上からみてその中心が
一致した状態となるが、この段階ではまだθ方向にずれ
がある状態となっている。
In this way, XY table 50 system? Although the centers of the probe card 3 and the semiconductor wafer 2 coincide with each other when viewed from directly above, there is still some deviation in the θ direction at this stage.

次に、プローブカード3例のイメージセンサ9により、
プローブカード3の所定表面が撮像され、この撮像信号
が制御部8に送られる。
Next, using the image sensor 9 of the three probe cards,
A predetermined surface of the probe card 3 is imaged, and this image signal is sent to the control section 8.

制御部8では、このプローブカード3からの撮像信号と
前記半導体ウェハ2からの撮像信号に基づいて、プロー
ブカード3と半導体ウェハ2とのθ方向のずれ量が算出
される。そして、この算出値に基づいて制御部8により
モータ7が駆動制御されてプローブカード3をθ方向に
所定量回動させ、半導体ウェハ2に対してプローブカー
ド3が一致する位置となるように制御される。
The control unit 8 calculates the amount of deviation between the probe card 3 and the semiconductor wafer 2 in the θ direction based on the imaging signal from the probe card 3 and the imaging signal from the semiconductor wafer 2. Then, based on this calculated value, the control unit 8 drives and controls the motor 7 to rotate the probe card 3 by a predetermined amount in the θ direction, so that the probe card 3 is in a position that matches the semiconductor wafer 2. be done.

次に、図示しないZ軸駆動機構により検査ステージ4が
所定量上昇する。そして、第2図に示すようにプローブ
カード3の裏面から突出されているプローブ針12の先
端が、半導体ウェハ2上に形成された所定のパッド6に
当接されてプローブ検査が行われる。
Next, the inspection stage 4 is raised by a predetermined amount by a Z-axis drive mechanism (not shown). Then, as shown in FIG. 2, the tip of the probe needle 12 protruding from the back surface of the probe card 3 is brought into contact with a predetermined pad 6 formed on the semiconductor wafer 2 to perform a probe test.

このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.

(1)、イメージセンサ9からの撮像信号により検査ス
テージ4上の半導体ウェハ2とプローブカード3との位
置認識を行い、この認識m報に基づいてモータ7を駆動
して、プローブカード3が半導体ウェハ2と一致するよ
うにθ方向に所定量回動させることによって、半導体ウ
ェハ2とプローブカード3との自動位置合わせが可能と
なり、プローブ検査を高精度かつ効率的に行うことがで
きる。
(1) The position of the semiconductor wafer 2 on the inspection stage 4 and the probe card 3 is recognized by the imaging signal from the image sensor 9, and the motor 7 is driven based on this recognition information, so that the probe card 3 By rotating the semiconductor wafer 2 by a predetermined amount in the θ direction so as to coincide with the wafer 2, automatic alignment between the semiconductor wafer 2 and the probe card 3 becomes possible, and probe inspection can be performed with high precision and efficiency.

(2)、上記(1)により、半導体ウェハ2のパッド6
に対して正確な位置でプローブ針12の先端を当接させ
ることができるため、後続のワイヤボンディング工程に
おけるワイヤとバンドとの接合信転性を向上させること
ができる。
(2) According to (1) above, the pad 6 of the semiconductor wafer 2
Since the tip of the probe needle 12 can be brought into contact with the wire at an accurate position, it is possible to improve the bonding reliability between the wire and the band in the subsequent wire bonding process.

(3)、上記(1)により、パフドロに対して正確な位
置でのプローブ針12の当接が可能となるため、プロー
ブ針12による半導体ウェハ2の表面の損傷を防止する
ことができる。
(3) According to (1) above, it is possible to bring the probe needle 12 into contact with the puff drop at an accurate position, so that damage to the surface of the semiconductor wafer 2 caused by the probe needle 12 can be prevented.

(4)、上記+11〜(3)により、信転性の高い半導
体装置を高効率で製造することが可能となる。
(4) With the above +11 to (3), it becomes possible to manufacture a semiconductor device with high reliability with high efficiency.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、位置認識機構
としてはCOD等のイメージセンサを用いた場合につい
て説明したが、レーザ光を用いてこの反射光をホトトラ
ンジスタ等の受光素子で受光して位置認識を行うもので
あってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, although we have explained the case where an image sensor such as a COD is used as the position recognition mechanism, position recognition is also performed by using a laser beam and receiving this reflected light with a light receiving element such as a phototransistor. You can.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、半導体ウェハのプローブ検査装
置に適用した場合について説明したが、これに限定され
るものではない。
In the above description, the invention made by the present inventor is mainly applied to a probe inspection apparatus for semiconductor wafers, which is the field of use thereof, but the present invention is not limited to this.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、被検査物を載置した状態で水平方向への制御
が可能な検査ステージと、この検査ステージ上の被検査
物とプローブカードとの位置認識機構と、この位置認識
機構にもとづきプローブカードのθ方向への回転を制御
するモータとからなるプローブ検査装置とすることによ
り、位置認識およびθ方向への所定量の回動を自動制御
して被検査物とプローブカードとの位置合わせを行うこ
とができるため、プローブ検査効率を向上させることが
できる。
In other words, there is an inspection stage that can be controlled horizontally with an object to be inspected placed thereon, a mechanism for recognizing the position of the object to be inspected on this inspection stage and the probe card, and a mechanism for recognizing the position of the probe card based on this position recognition mechanism. By using a probe inspection device consisting of a motor that controls rotation in the θ direction, position recognition and automatic control of rotation by a predetermined amount in the θ direction can be performed to align the object to be inspected and the probe card. As a result, probe inspection efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例であるプローブ検査装置を示
す概略説明図、 第2図は上記実施例における半導体ウェハ上のパッドに
プローブ針を当接した状態を示す拡大部分平面図である
。 1・・・プローブ検査装置、2・・・半導体ウェハ、3
・・・プローブカード、4・・・検査ステージ、5・・
・XYテーブル、6・・・パッド、7・・・モータ、8
・・・制御部、9・・・イメ−シセンサ、10・・・反
射鏡、11・・・イメージセンサ、12・・・プローブ
針。 ℃
FIG. 1 is a schematic explanatory diagram showing a probe inspection apparatus which is an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged partial plan view showing a state in which a probe needle is in contact with a pad on a semiconductor wafer in the above embodiment. . 1... Probe inspection device, 2... Semiconductor wafer, 3
...Probe card, 4...Inspection stage, 5...
・XY table, 6...pad, 7...motor, 8
...Control unit, 9...Image sensor, 10...Reflector, 11...Image sensor, 12...Probe needle. ℃

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、被検査物である基板上に形成された所定の回路にプ
ローブカードより突設されたプローブ針を当接させて回
路の良否を検査するプローブ検査装置であって、被検査
物を載置した状態で水平方向への制御が可能な検査ステ
ージと、この検査ステージ上の被検査物とプローブカー
ドとの位置認識機構と、この位置認識機構に基づきプロ
ーブカードのθ方向への回転を制御するモータとからな
ることを特徴とするプローブ検査装置。 2、位置認識機構がプローブカードもしくは被検査物の
表面を撮像するイメージセンサであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のプローブ検査装置。 3、被検査物が半導体ウェハであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項または第2項記載のプローブ検査装
置。
[Scope of Claims] 1. A probe testing device that tests the quality of a circuit by bringing a probe needle protruding from a probe card into contact with a predetermined circuit formed on a substrate as an object to be tested, comprising: An inspection stage that can be controlled in the horizontal direction with an object to be inspected placed on it, a mechanism for recognizing the position of the object to be inspected on this inspection stage and the probe card, and a θ direction of the probe card based on this position recognition mechanism. A probe inspection device comprising: a motor that controls rotation of the probe; 2. The probe inspection apparatus according to claim 1, wherein the position recognition mechanism is a probe card or an image sensor that captures an image of the surface of the object to be inspected. 3. The probe inspection apparatus according to claim 1 or 2, wherein the object to be inspected is a semiconductor wafer.
JP14011386A 1986-06-18 1986-06-18 Probe inspecting device Pending JPS62298128A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63301537A (en) * 1987-05-30 1988-12-08 Tokyo Electron Ltd Wafer prober
JP2010135784A (en) * 2008-11-13 2010-06-17 Dcg Systems Inc Probe tip to device pad alignment in obscured view probing applications

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63301537A (en) * 1987-05-30 1988-12-08 Tokyo Electron Ltd Wafer prober
JP2010135784A (en) * 2008-11-13 2010-06-17 Dcg Systems Inc Probe tip to device pad alignment in obscured view probing applications
JP2015019087A (en) * 2008-11-13 2015-01-29 ディーシージー システムズ インコーポレーテッド Method for aligning probe chip array of probe card to corresponding contact pads, for integrated circuit probing application

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