JPS62295128A - Constant electric current circuit - Google Patents
Constant electric current circuitInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
(り産業上の利用分野
本発明は定電流回路に関し、特に減電圧特性を大幅に改
善した定電流回路に関する。Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a constant current circuit, and more particularly to a constant current circuit with significantly improved voltage reduction characteristics.
(ロ)従来の技術
低1!源電圧で動作する定電流回路として、例えば実願
昭59−193264号に記載の回路がある。(b) Conventional technology low 1! As a constant current circuit that operates with a source voltage, there is, for example, a circuit described in Utility Model Application No. 193264/1983.
第4図は斯る回路を示し、ベース及びエミッタが共通接
続された第1.第2のトランジスタ(1)(2)と、ベ
ース及びエミッタが前記第1及び第2トランジスタ(1
)(2)のベース及びエミッタと共通接読されたダイオ
ード接続型の第3トランジスタ(3)と、第3トランジ
スタ(3)のコレクタに接続された起動抵抗(4)と、
コレクタが第1トランジスタ(1)のコレクタに接続さ
れた第4トランジスタ(5)と、第4トランジスタ(5
)のコレクタ・エミッタ間に並列接続された分流抵抗(
6)と、第4トランジスタ(5)と電流ミラー接続され
ると共に、そのコレクタが第2トランジスタ(2)のコ
レクタに接続された第5トランジスタ(7)と、第2ト
第5トランジスタ<2)(7)とのコレクタ電流の差電
流を取出す電流ミラー回路(β)と、電流ミラー回路(
鞄を構成する第6トランジスタ(9)及びこれとベース
及びエミッタが共通接続され且っコレクタが第1乃至第
3°トランジスタ(1)(2)(3)の共通ベースに接
続された帰還トランジスタ(10)と、第6トランジス
タ(9)と電流ミラー接続きれるとともにそのコレクタ
が出力端子(11)に接続された第7トランジスタ(1
2)とで、構成されている。この回路は、Vs!+Vc
t(但しvll!は第3トランジスタ(3)のベース・
エミッタ間電圧、vc、は帰還トランジスタ(10)の
コレクタ・エミッタ間電圧)の最低電f1.電圧V。C
で動作する定電流回路として有用である。FIG. 4 shows such a circuit, with a first . a second transistor (1) (2), whose base and emitter are the first and second transistors (1);
) (2), a diode-connected third transistor (3) connected in common with the base and emitter of (2), and a starting resistor (4) connected to the collector of the third transistor (3);
a fourth transistor (5) whose collector is connected to the collector of the first transistor (1);
) is connected in parallel between the collector and emitter of the shunt resistor (
6), a fifth transistor (7) that is current mirror connected to the fourth transistor (5) and whose collector is connected to the collector of the second transistor (2); (7) A current mirror circuit (β) that takes out the difference current in the collector current and a current mirror circuit (β)
A sixth transistor (9) constituting the bag, and a feedback transistor (with which the base and emitter are commonly connected and whose collectors are connected to the common base of the first to third transistors (1), (2), and (3)); 10), and the seventh transistor (1
2). This circuit is Vs! +Vc
t (where vll! is the base of the third transistor (3)
The emitter voltage, vc, is the lowest voltage f1. of the collector-emitter voltage of the feedback transistor (10). Voltage V. C
It is useful as a constant current circuit that operates at
そして斯る回路をIC化した場合、NPN型の第4乃至
第6及び帰還トランジスタ(5)(7)(9)及び(1
0)には以下の様なトランジスタを用いていた。When such a circuit is made into an IC, the fourth to sixth NPN type and feedback transistors (5), (7), (9) and (1
0) used the following transistors.
第5図は斯るトランジスタの構造を示し、P型半導体基
板(21)上に積層して形成したN型エピタキシャル層
(22)と、基板(21)表面に形成したN”型埋込層
(23)と、P0型分離領域(24)によりエピタキシ
ャル層(22)を接合分離して形成したコレクタとなる
島領域(25)と、島領域(25)表面に形成したP型
ベース領域(26)、N0型エミツタ領域(27)及び
コレクタコンタクト領域(28)と、酸化膜(29)及
び酸化膜(29)を開孔したコンタクトホールを介して
各領域上に配設した電極(30)とで構成される。FIG. 5 shows the structure of such a transistor, which includes an N-type epitaxial layer (22) laminated on a P-type semiconductor substrate (21), and an N''-type buried layer (22) formed on the surface of the substrate (21). 23), an island region (25) which becomes a collector and is formed by junction-separating the epitaxial layer (22) by a P0 type isolation region (24), and a P type base region (26) formed on the surface of the island region (25). , an N0 type emitter region (27), a collector contact region (28), an oxide film (29), and an electrode (30) disposed on each region via a contact hole formed in the oxide film (29). configured.
(ハ)発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来の定電流回路を使用時間や使用条件
によって電源電圧VCCが低下するような電源で駆動し
た場合、極く低下した電′t1.電圧では正常動作でき
ない、又はその時期が早期に訪れる欠点があった。(c) Problems to be Solved by the Invention However, when a conventional constant current circuit is driven by a power source in which the power supply voltage VCC decreases depending on the usage time and usage conditions, the voltage 't1. There was a drawback that normal operation could not be performed with high voltage, or that the period of operation could not be achieved at an early stage.
例えば電FA電圧VCCが0.8■まで低下したとする
と、第4乃至第6トランジスタ(5)<7>(9)のコ
レクタ・エミッタ間にV CCV Cl′=0.6V
(V ctは第1.第2トランジスタ(1)(2)のコ
レクタ・エミッタ間電圧)が印加きれてこれを高hFt
の状態で動作させることができる。ところが帰還トラン
ジスタ(10)のコレクタ・エミッタ間にはそのコレク
タにダイオード接続型の第3トランジスタ(3)が接続
されているため、V CC−0,65= 0.15V
L、か印加きれず、このトランジスタのh□は極度に低
下してしまう。そして電vffA電圧■。0の低下が進
むにつれて最後には所定のコレクタ電流を引込む能力を
失い、出力端子(11)に出力電流を流せなくなってし
まう。For example, if the electric FA voltage VCC decreases to 0.8■, V CCV Cl' = 0.6V between the collector and emitter of the fourth to sixth transistors (5) <7> (9).
(V ct is the voltage between the collector and emitter of the first and second transistors (1) and (2)) is applied, and this becomes a high hFt.
It can be operated in the following conditions. However, since a diode-connected third transistor (3) is connected to the collector between the collector and emitter of the feedback transistor (10), V CC -0,65 = 0.15V.
L cannot be applied completely, and h□ of this transistor drops extremely. And the electric vffA voltage ■. As the value of 0 continues to decrease, the ability to draw a predetermined collector current is eventually lost, and the output current cannot flow through the output terminal (11).
仮に帰還トランジスタ(10〉のh□が30に低下した
時点でその能力を失うと定義するならば、第5図のトラ
ンジスタでは■。=0.11V、即ち電源電圧Vcoが
0.65+ 0.11 = 0.76Vに低下した時点
で使用限界を迎えてしまう。If we define that the feedback transistor (10〉) loses its ability when its h□ drops to 30, then in the transistor shown in Fig. 5, ■. = 0.11V, that is, the power supply voltage Vco is 0.65 + 0.11 When the voltage drops to = 0.76V, the limit of use is reached.
(ニ)問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、定電流回路を構
成するNPN型トランジスタのうち、少なくとも帰還ト
ランジスタ(10)に、コレクタとなる島領域(35)
表面に形成したP−型活性ベース領域(36)と、活性
ベース領域(36)表面に形成したN1型エミッタ領域
(37)と、活性ベース領域(36)に一部重畳したP
型ベースコンタクト領域(38)とで形成したトランジ
スタを用いることにより、かなり低下した電源電圧VC
Cでも正常動作可能な定電流回路を提供するものである
。。(d) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks. Of the NPN transistors constituting the constant current circuit, at least the feedback transistor (10) has an island region (35 )
A P-type active base region (36) formed on the surface, an N1-type emitter region (37) formed on the surface of the active base region (36), and a P-type active base region (36) partially overlapped with the active base region (36).
By using the transistor formed with the type base contact region (38), the power supply voltage VC is considerably reduced.
This provides a constant current circuit that can operate normally even in C. .
(ホ)作用
本発明に用いたトランジスタは、ベースを低濃度の活性
ベース領域(36)で形成したので、従来のトランジス
タよりエミッタ・ベース接合の電流立上り特性が良く、
シかもベースでのキャリア輸送効率が高い。そのためコ
レクタの電位が不十分でもエミッタから注入された少数
キャリア(電子)がコレクタに到達する確率が高く、V
CI!が極く低い領域でも高いhrtを保つ。(E) Effect The transistor used in the present invention has a base formed of a lightly doped active base region (36), so it has better current rise characteristics at the emitter-base junction than conventional transistors.
Carrier transport efficiency is high on a transport basis. Therefore, even if the collector potential is insufficient, there is a high probability that minority carriers (electrons) injected from the emitter will reach the collector, and V
CI! Maintains high hrt even in extremely low hrt ranges.
従って本発明によれば、このようなトランジスタを帰還
トランジスタ(10)に用いたので、電源電圧vecが
かなり低下した領域まで正常動作きせることができる。Therefore, according to the present invention, since such a transistor is used as the feedback transistor (10), normal operation can be achieved even in a region where the power supply voltage vec is considerably reduced.
(へ)実施例 以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。(f) Example Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.
第2図は本発明による定電流回路を示し、(1)はエミ
ッタが電源に接続されたPNP型の第1トランジスタ、
(2)はベース及びエミッタが第1トランジスタのベー
ス及びエミッタに共通接続されたPNP型の第2トラン
ジスタ、(3)は第1.第2トランジスタ(1)(2)
のベースバイアスを行うダイオード接続型の第3トラン
ジスタ、(4)は第3トランジスタ(3)に起動電流を
流すための起動抵抗、(5)はコレクタが第1トランジ
スタ(1)のコレクタに接続されたNPN型の第4トラ
ンジスタ、(6)は第1トランジスタ(1)のコレクタ
電流を分流する抵抗、(7)は第4トランジスタ(5)
と電流ミラー接続された第5トランジスタ、(旦)は第
2と第5トランジスタ(2)と(7)とのコレクタ電流
の差電流を取り出す電流ミラー回路、(9)は電流ミラ
ー回路(β)の一方を構成するNPN型の第6トランジ
スタ、(10)は電流ミラー回路(旦)の他方を構成し
且つコレクタが第1乃至第3トランジスタ(1)(2)
(3)の共通ベースに接続された帰還トランジスタ、(
11)は第6トランジスタ(9)と電流ミラー接続され
た第7トランジスタ(12)のコレクタに接続された出
力端子である。FIG. 2 shows a constant current circuit according to the present invention, in which (1) is a PNP type first transistor whose emitter is connected to a power supply;
(2) is a PNP type second transistor whose base and emitter are commonly connected to the base and emitter of the first transistor; (3) is the first transistor; Second transistor (1) (2)
(4) is a starting resistor for flowing a starting current to the third transistor (3); (5) has a collector connected to the collector of the first transistor (1); (6) is a resistor that shunts the collector current of the first transistor (1); (7) is the fourth transistor (5);
(9) is a current mirror circuit that extracts the difference current between the collector currents of the second and fifth transistors (2) and (7), and (9) is a current mirror circuit (β). A sixth NPN transistor (10) constitutes one of the current mirror circuits (10), and the collector thereof is connected to the first to third transistors (1) (2).
(3) a feedback transistor connected to the common base of (
11) is an output terminal connected to the collector of the seventh transistor (12) which is connected in a current mirror manner to the sixth transistor (9).
電R(V cc )を投入すると、起動抵抗(4)によ
り第3トランジスタ(3)のコレクタ電流I、が流れ、
それに応じて第1.第2トランジスタ(1)(2)に各
々I、のコレクタ電流が流れる。第1トランジスタ(1
)のコレクタ電流工1は抵抗(6)と第4トランジスタ
(5)のコレクタとに分流して夫々I 3゜工、となり
、第4トランジスタ(5)と電流ミラー接続された第5
トランジスタ(7)のコレクタ電流もI4になる。とこ
ろが第2トランジスタ(2)にはI、のコレクタ電流が
流れているので、電流ミラー回路(旦)にそれらの差電
流It Ia=Isが流れ、帰還トランジスタ(10
)のコレクタ電流及び第7トランジスタ(12)のコレ
クタ電流も夫々工、と等しくなる。When the voltage R (V cc ) is applied, the collector current I of the third transistor (3) flows due to the starting resistor (4).
Accordingly, the first. A collector current of I flows through the second transistors (1) and (2), respectively. First transistor (1
)'s collector current 1 is shunted to the resistor (6) and the collector of the fourth transistor (5), respectively, so that the current flows to the collector of the resistor (6) and the collector of the fourth transistor (5).
The collector current of transistor (7) also becomes I4. However, since the collector current of I is flowing through the second transistor (2), the difference current ItIa=Is flows through the current mirror circuit (Dan), and the feedback transistor (10
) and the collector current of the seventh transistor (12) are also equal to , respectively.
そして、例えば第1.第2トランジスタ(1)(2)と
第3トランジスタ(3)とのミラー比を2=1とし、電
流I、をIoに設定すれば、帰還作用により第3トラン
ジスタ(3)のコレクタ電流(エミッタ電流)が全て帰
還トランジスタ(10)のコレクタ電流1.となり、第
1.第2トランジスタ(1)(2)のコレクタ電流が2
工。になって安定化される。For example, the first. If the mirror ratio of the second transistor (1) (2) and the third transistor (3) is set to 2=1 and the current I is set to Io, the collector current (emitter The collector current of the feedback transistor (10) is 1. So, the first. The collector current of the second transistor (1) (2) is 2
Engineering. becomes stable.
従って第4トランジスタ(5)のコレクタ電流も工。Therefore, the collector current of the fourth transistor (5) is also reduced.
となり、第7トランジスタ(12)のコレクタに接読さ
れた出力端子(11)には■。の安定した出力′w、流
が流れる。Therefore, the output terminal (11) connected to the collector of the seventh transistor (12) has ■. The stable output ′w, the current flows.
斯上した回路において、本発明の最も特徴とする点は、
NPN型の帰還トランジスタ(10)として以下の構造
のトランジスタを用いた点にある。In the circuit described above, the most distinctive feature of the present invention is that
The point is that a transistor having the following structure is used as the NPN type feedback transistor (10).
第1図は断るトランジスタを示し、P型半導体基板(3
1)上に積層して形成したN型エピタキシャル層(32
)と、基板(31)表面に埋込んだN゛型埋込層(33
)と、P4型分離領域(34)によりエピタキシャル層
(32)を接合分離して形成したコレクタとなる島領域
(35)と、島領域(35)表面に形成したP−型活性
ベース領域(36)と、活性ベース領域(36)表面に
形成したN3型エミッタ領域(37)と、活性ベース領
域(36)に一部重畳したベースコンタクト領域(38
〉と、N+型フレクタコンタクト領域(39)と、酸化
膜(40)と、酸化膜(40)に開孔したコンタクトホ
ールを介して各領域とオーミックコンタクトする電極(
41)とで構成している。ベースコンタクト領域(38
)はベース取出し抵抗を下げるためにエミッタ領域(3
7)を囲む様に形成し、活性ベース領域(36)がベー
スコンタクト領域(38)より浅い深いは任意である。Figure 1 shows a transistor with a P-type semiconductor substrate (3
1) N-type epitaxial layer (32
) and an N-type buried layer (33) buried in the surface of the substrate (31).
), an island region (35) serving as a collector formed by junction-separating the epitaxial layer (32) by a P4 type isolation region (34), and a P-type active base region (36) formed on the surface of the island region (35). ), an N3 type emitter region (37) formed on the surface of the active base region (36), and a base contact region (38) partially overlapping the active base region (36).
), an N+ type flexor contact region (39), an oxide film (40), and an electrode (
41). Base contact area (38
) is the emitter region (3) to lower the base extraction resistance.
7), and the active base region (36) may be shallower or deeper than the base contact region (38) as desired.
但しエミッタ領域(37)より深く且つ所定の耐圧が得
られるだけの拡散深さを要するのは言うまでもない。ま
たベースコンタクト領域(38)はNPN l−ランジ
スタのベース拡散工程で、エミッタ領域(37)及びコ
レクタコンタクト領域(39)はNPN)−ランジスタ
のエミック拡散工程で夫々形成する。そして活性ベース
領域(36)の不純物濃度はベースコンタクト領域(3
8)より低く、10”cm“−3程度とする。However, it goes without saying that the diffusion depth must be deeper than the emitter region (37) and sufficient to obtain a predetermined withstand voltage. Further, the base contact region (38) is formed in a base diffusion process of an NPN l-transistor, and the emitter region (37) and collector contact region (39) are formed in an emic diffusion process of an NPN)-transistor. The impurity concentration of the active base region (36) is the same as that of the base contact region (36).
8) Lower, about 10"cm"-3.
この様に形成したトランジスタは、ベースを低濃度の活
性ベース領域(36)で形成したので、従来のトランジ
スタよりエミッタ・ベース接合の電流立上り特性が良く
、しかもベースでのキャリア輸送効率が高い。そのため
コレクタの1位が不十分でもエミッタから注入された少
数キャリア(電子)がコレクタに到達する確率が高く、
飽和領域でh□が高いだけでなくVctが低い非飽和領
域に近い領域でも高いり、を保ち続ける。Since the transistor formed in this manner has a base formed of a lightly doped active base region (36), it has better current rise characteristics at the emitter-base junction than conventional transistors, and also has higher carrier transport efficiency at the base. Therefore, even if the first position of the collector is insufficient, there is a high probability that the minority carriers (electrons) injected from the emitter will reach the collector.
Not only is h□ high in the saturated region, but it continues to be high even in regions close to the non-saturated region where Vct is low.
第3図(イ)(ロ)に夫々第1図のトランジスタと第5
図のトランジスタのVct Ic特性線図を示す。同
図から明らかな如く、第5図のトランジスタテV ct
= 0. IIV テh v*=約30に落込ムノニ対
し、第1図のトランジスタでは電流の立上り特性が急激
なのでVci=0.11Vでまだh Ft=約160を
保つ。Figure 3 (A) and (B) respectively show the transistor shown in Figure 1 and the fifth transistor.
A Vct Ic characteristic diagram of the transistor shown in the figure is shown. As is clear from the figure, the transistor voltage V ct in FIG.
= 0. In contrast, in the transistor shown in FIG. 1, the current rise characteristic is abrupt, so that hFt=about 160 is still maintained at Vci=0.11V.
従って本発明によれば、帰還トランジスタ(10)にこ
のようなトランジスタを用いたので、帰還トランジスタ
(10)のvc、が不足して所定値以上の出力電流I、
が流せなくなる(動作限界)ような電源電圧VCCの最
小値が、従来のものより小となる。例えば、仮に帰還ト
ランジスタ(10)のh□が30に落込んだ時点で前記
動作限界を迎えるとするならば、第5図のトランジスタ
ではVC!=0.11Vが下限であり、最低動作電源電
圧VCCは 0.65+0.11−0.76Vになる。Therefore, according to the present invention, since such a transistor is used as the feedback transistor (10), the output current I, which exceeds a predetermined value due to insufficient vc of the feedback transistor (10),
The minimum value of the power supply voltage VCC at which the current cannot flow (operational limit) is smaller than that of the conventional system. For example, if the operation limit is reached when h□ of the feedback transistor (10) drops to 30, then in the transistor shown in FIG. 5, VC! =0.11V is the lower limit, and the minimum operating power supply voltage VCC is 0.65+0.11-0.76V.
これに対し、第1図のトランジスタテはv、t=o、o
svまテ11rt=30以上を保つので、本発明による
定電流回路は0.65+ 0.05=0.70Vが最低
動作電源電圧VCCとなる。On the other hand, the transistor TE in FIG. 1 is v, t=o, o
Since svmate11rt=30 or more is maintained, the constant current circuit according to the present invention has a minimum operating power supply voltage VCC of 0.65+0.05=0.70V.
尚、上記実施例において、電KEミラー回路(旦)を構
成する双方のトランジスタの特性を等しくするため、第
6.第7トランジスタ(9)(12)にも第1図のトラ
ンジスタを用いた方が好ましく、更には第4.第5トラ
ンジスタ(5)(7)にも用いた方が望ましい。In the above embodiment, in order to equalize the characteristics of both transistors constituting the electric KE mirror circuit (Dan), the sixth. It is preferable to use the transistors shown in FIG. 1 for the seventh transistors (9) and (12). It is preferable to use it also for the fifth transistors (5) and (7).
(ト)発明の詳細
な説明した如く、本発明によれば、少なくとも帰還トラ
ンジスタ(10)にベースを低濃度の活性ベース領域(
36)で形成したトランジスタを用いたので、かなり低
下した電源電圧VCCまで正常に動作させることができ
る利点を有する。しかもIcの立上り特性が良いので、
動作限界点付近まで高bitを保ち続け、良好な特性を
示す利点を有する。さらに第1図のトランジスタは、通
常のNPNトランジスタに活性ベース領域(36)の拡
散工程を追加するだけで済むので、特にチップ面積を増
大させることなく同一チップ上の特定のトランジスタに
ついてのみ効率的に形成できる。従って本発明の定電流
回路は容易にIC化できる利点を有する。(g) As described in detail, according to the present invention, at least the feedback transistor (10) is provided with a base in a low concentration active base region (
Since the transistor formed in 36) is used, it has the advantage of being able to operate normally even at a considerably lower power supply voltage VCC. Moreover, since the rise characteristics of Ic are good,
It has the advantage of maintaining high bit until near the operating limit and exhibiting good characteristics. Furthermore, the transistor shown in Figure 1 requires only the addition of a diffusion process for the active base region (36) to a normal NPN transistor, so it can be used efficiently for specific transistors on the same chip without particularly increasing the chip area. Can be formed. Therefore, the constant current circuit of the present invention has the advantage of being easily integrated into an IC.
第1図及び第2図は夫々本発明を説明するための断面図
及び回路図、第3図(イ)(ロ)はトランジスタのVc
xIc特性線図、第4図及び第5図は夫々従来の技術を
説明するための回路図及び断面図である。
(1)(2)(3)はPNP型の第1.第2.第3トラ
ンジスタ、(4)は分流抵抗、(5)(7)(9)及び
(12)はNPN型の第4.第5.第6及び第7トラン
ジスタ、(10)はNPN型の帰還トランジスタ、(3
1)はP型半導体基板、(35)は島領域、(36)は
P−型活性ベース領域、(38)はP型ベースコンタク
ト領域である。
出願人 三洋電機株式会社外1名
代理人 弁理士 西野卓嗣 外1名
第1 図
第2図
第 3 54 (イノ
VCH(mV’1 and 2 are a cross-sectional view and a circuit diagram, respectively, for explaining the present invention, and FIGS. 3(A) and 3(B) are Vc of the transistor.
The xIc characteristic diagram, FIGS. 4 and 5 are a circuit diagram and a sectional view, respectively, for explaining the conventional technology. (1), (2), and (3) are the first . Second. The third transistor (4) is a shunt resistor, (5), (7), (9) and (12) are NPN type fourth transistors. Fifth. The sixth and seventh transistors (10) are NPN type feedback transistors, (3
1) is a P-type semiconductor substrate, (35) is an island region, (36) is a P-type active base region, and (38) is a P-type base contact region. Applicant Sanyo Electric Co., Ltd. and one other agent Patent attorney Takuji Nishino and one other person Figure 1 Figure 2 Figure 3 54 (Ino VCH (mV')
Claims (1)
2トランジスタと、ベース及びエミッタが前記第1及び
第2トランジスタのベース及びエミッタと共通接続され
たダイオード接続型の第3トランジスタと、コレクタが
前記第1トランジスタのコレクタに接続されたダイオー
ド接続型の第4トランジスタと、該第4トランジスタと
電流ミラー接続されると共に、コレクタが前記第2トラ
ンジスタのコレクタに接続された第5トランジスタと、
前記第4トランジスタのコレクタ・エミッタ間に並列接
続された抵抗と、前記第2及び第5トランジスタのコレ
クタ電流の差電流を取出す電流ミラー回路と、該電流ミ
ラー回路を構成する第6トランジスタとベース及びエミ
ッタが共通接続され且つコレクタが前記第1乃至第3ト
ランジスタの共通ベースに接続された帰還トランジスタ
とを備えた定電流回路において、少なくとも前記帰還ト
ランジスタには、コレクタとなる島領域表面に形成した
一導電型の低濃度の活性ベース領域と、該活性ベース領
域表面に形成した逆導電型のエミッタ領域と、前記活性
ベース領域に一部重畳するベースコンタクト領域とを具
備するトランジスタを用いたことを特徴とする定電流回
路。(1) first and second transistors whose bases and emitters are commonly connected; a diode-connected third transistor whose bases and emitters are commonly connected to the bases and emitters of the first and second transistors; a diode-connected fourth transistor connected to the collector of the first transistor; a fifth transistor connected in a current mirror to the fourth transistor, and whose collector is connected to the collector of the second transistor;
a resistor connected in parallel between the collector and emitter of the fourth transistor; a current mirror circuit for extracting a difference current between the collector currents of the second and fifth transistors; a sixth transistor constituting the current mirror circuit; In a constant current circuit comprising a feedback transistor whose emitters are commonly connected and whose collectors are connected to a common base of the first to third transistors, at least the feedback transistor is provided with a collector formed on the surface of an island region. A transistor comprising a low concentration active base region of a conductivity type, an emitter region of an opposite conductivity type formed on the surface of the active base region, and a base contact region partially overlapping the active base region. constant current circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11411886A JPH0646371B2 (en) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | Constant current circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11411886A JPH0646371B2 (en) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | Constant current circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62295128A true JPS62295128A (en) | 1987-12-22 |
JPH0646371B2 JPH0646371B2 (en) | 1994-06-15 |
Family
ID=14629587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11411886A Expired - Lifetime JPH0646371B2 (en) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | Constant current circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0646371B2 (en) |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP11411886A patent/JPH0646371B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0646371B2 (en) | 1994-06-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |