JPS62291194A - 半導体レ−ザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ素子の製造方法Info
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- JPS62291194A JPS62291194A JP13662286A JP13662286A JPS62291194A JP S62291194 A JPS62291194 A JP S62291194A JP 13662286 A JP13662286 A JP 13662286A JP 13662286 A JP13662286 A JP 13662286A JP S62291194 A JPS62291194 A JP S62291194A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ素子の製造方法に関し、特に＾（
！ ＧａＡｓ系半導体レーザ素子の製造方法に関する。
！ ＧａＡｓ系半導体レーザ素子の製造方法に関する。
従来、ＡｆＧａＡｓ系半導体レーザ素子は、八ｅの酸化
による劣化を押えるために襞間バーを形成した後にその
両臂開面に対しＳｉＯ□あるいは、ｈｅ２０３等の誘電
体保護膜を形成する方法がとられていたく例えば特公開
昭５３−６２４８９、電子通信学会研究会資料ＥＤ８１
−１１＞。
による劣化を押えるために襞間バーを形成した後にその
両臂開面に対しＳｉＯ□あるいは、ｈｅ２０３等の誘電
体保護膜を形成する方法がとられていたく例えば特公開
昭５３−６２４８９、電子通信学会研究会資料ＥＤ８１
−１１＞。
しかしながら、上述した従来の製造方法では、個々の半
導体レーザ素子全数に対して、襞間によりレーザ共振器
面を形成しなければならないこと、並びに個々の襞開面
に対して別々に−１−配係護膜を形成しなければならな
い等のため、製造時間が長くしかもレーザの特性を揃え
られないという問題点がある。
導体レーザ素子全数に対して、襞間によりレーザ共振器
面を形成しなければならないこと、並びに個々の襞開面
に対して別々に−１−配係護膜を形成しなければならな
い等のため、製造時間が長くしかもレーザの特性を揃え
られないという問題点がある。
本発明の目的は、製造時間が短くかつ特性の均一化され
た半導体レーザ素子の製造方法を提供することにある。
た半導体レーザ素子の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体レーザ
結晶ウェーハにレーザ共振器面を形成する第１の溝と該
第１の溝に交差する分離用の第２の溝を形成する工程と
、前記第１及び第２の溝が形成された半導体レーザ結晶
ウェーハ上の少くともレーザ共振器面上にレーザ光の光
子エネルギーよりバンドギャップの大きな高抵抗半導体
結晶膜を形成する工程とを含んで構成される。
結晶ウェーハにレーザ共振器面を形成する第１の溝と該
第１の溝に交差する分離用の第２の溝を形成する工程と
、前記第１及び第２の溝が形成された半導体レーザ結晶
ウェーハ上の少くともレーザ共振器面上にレーザ光の光
子エネルギーよりバンドギャップの大きな高抵抗半導体
結晶膜を形成する工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照し乍ら説明す
る。
る。
第１図及び第２図、（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例
を説明するための工程順に示した半導体レーザ結晶片の
斜視図及びＡ−Ａ′′線断面図ある。
を説明するための工程順に示した半導体レーザ結晶片の
斜視図及びＡ−Ａ′′線断面図ある。
まず、第１図に示すように、ＧａＡｓ基板１上に発振モ
ード制御用のストライプ状の満２と、ダブルへテロ接合
層とを持った半導体レーザ結晶ウェーハ表面に、Ｃｅ２
ガスを用いるＲＩＥ法又は硫酸と過酸化水素溶液を用い
る化学エツチング法により共振器面３を形成する共振器
面形成用溝５及びペレット分離用溝４を形成する。
ード制御用のストライプ状の満２と、ダブルへテロ接合
層とを持った半導体レーザ結晶ウェーハ表面に、Ｃｅ２
ガスを用いるＲＩＥ法又は硫酸と過酸化水素溶液を用い
る化学エツチング法により共振器面３を形成する共振器
面形成用溝５及びペレット分離用溝４を形成する。
次に、第２図（ａ）に示す様に、ＭＯＣＶＤ法により活
性層より１？混晶比の高い、すなわちバンドギャップの
広い、厚さ０．５μｍのアンドープ＾ｅ ＧａＡｓ膜６
をエピタキシャル成長させる。この際装置中の酸素や水
分がとり込まれて＾（！ ＧａＡｓ膜６は半絶縁性の高
抵抗層となり、ダブルへテロ接合の電気的短絡を回避す
ることができる。また高バンドギャップ層が薄いから非
点収差も生ぜず反射損失も少ない。
性層より１？混晶比の高い、すなわちバンドギャップの
広い、厚さ０．５μｍのアンドープ＾ｅ ＧａＡｓ膜６
をエピタキシャル成長させる。この際装置中の酸素や水
分がとり込まれて＾（！ ＧａＡｓ膜６は半絶縁性の高
抵抗層となり、ダブルへテロ接合の電気的短絡を回避す
ることができる。また高バンドギャップ層が薄いから非
点収差も生ぜず反射損失も少ない。
次に、通常のフォトレジスト法を用いストライプ構造に
応じて必要な部分にコンタクト窓を形成した後、第２図
（ｂ）に示すように、フォトレジストを用いたリフト法
によりオーミック電極７及び８を形成して半導体レーザ
素子を有するウェーハが完成させる。
応じて必要な部分にコンタクト窓を形成した後、第２図
（ｂ）に示すように、フォトレジストを用いたリフト法
によりオーミック電極７及び８を形成して半導体レーザ
素子を有するウェーハが完成させる。
このように本実施例によればレーザ共振器面をエツチン
グ法により形成するためレーザ素子の特性は均一となり
、更に製造時間は短縮されたものとなる。
グ法により形成するためレーザ素子の特性は均一となり
、更に製造時間は短縮されたものとなる。
次に、ペレット分離用溝４を通してスクライブ法または
ダイシング法によってＧａＡｓ基板１を切断すれば、特
性の均一な半導体レーザチップが容易に得られる。一方
、個々に切断せずに２個続きの状態でレーザ及び受光ダ
イオードあるいはレーザダイオード同志のペアで使用す
ることも可能である。更にＣ３（Ｃ１ｅａｖｅｄ Ｃｏ
ｕｐｌｅｄ Ｃａｖｉｔｙ） Ｌ Ｄのように使用すれ
ば論理回路を形成することもできる。
ダイシング法によってＧａＡｓ基板１を切断すれば、特
性の均一な半導体レーザチップが容易に得られる。一方
、個々に切断せずに２個続きの状態でレーザ及び受光ダ
イオードあるいはレーザダイオード同志のペアで使用す
ることも可能である。更にＣ３（Ｃ１ｅａｖｅｄ Ｃｏ
ｕｐｌｅｄ Ｃａｖｉｔｙ） Ｌ Ｄのように使用すれ
ば論理回路を形成することもできる。
以上説明したように本発明は、半導体レーザ結晶ウェー
ハ上にレーザ共振器面を形成する溝と分離用の溝を形成
したのち、レーザ共振器面上に保護膜としてレーザ光の
光子エネルギーよりバンドギャップの大きな高抵抗半導
体結晶膜を形成することにより、製造時間が短く、かつ
特性の均一化された半導体レーザ素子の製造方法が得ら
れる。
ハ上にレーザ共振器面を形成する溝と分離用の溝を形成
したのち、レーザ共振器面上に保護膜としてレーザ光の
光子エネルギーよりバンドギャップの大きな高抵抗半導
体結晶膜を形成することにより、製造時間が短く、かつ
特性の均一化された半導体レーザ素子の製造方法が得ら
れる。
第１図及び第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の一５一
実施例を説明するための工程順に示した半導体レーザ結
晶片の斜視図及びＡ−Ａ ′線断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、２・・・ストライプ状溝、３・
・・共振面、４・・・分離用溝、５・・・共振器面形成
用溝、６・・・ＡＪ？ ＧａＡｓ膜、７，８・・・オー
ミック電極、９・・・活性層。 −６＝
晶片の斜視図及びＡ−Ａ ′線断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、２・・・ストライプ状溝、３・
・・共振面、４・・・分離用溝、５・・・共振器面形成
用溝、６・・・ＡＪ？ ＧａＡｓ膜、７，８・・・オー
ミック電極、９・・・活性層。 −６＝
Claims (1)
- 半導体レーザ結晶ウェーハにレーザ共振器面を形成する
第１の溝と該第１の溝に交差する分離用の第２の溝を形
成する工程と、前記第１及び第２の溝が形成された半導
体レーザ結晶ウェーハ上の少くともレーザ共振器面上に
レーザ光の光子エネルギーよりバンドギャップの大きな
高抵抗半導体結晶膜を形成する工程とを含むことを特徴
とする半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13662286A JPS62291194A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13662286A JPS62291194A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291194A true JPS62291194A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15179605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13662286A Pending JPS62291194A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291194A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0450902A2 (en) * | 1990-04-02 | 1991-10-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for the production of a semiconductor laser device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058692A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Nec Corp | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP13662286A patent/JPS62291194A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058692A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Nec Corp | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0450902A2 (en) * | 1990-04-02 | 1991-10-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for the production of a semiconductor laser device |
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