JPS62281488A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS62281488A JPS62281488A JP61125467A JP12546786A JPS62281488A JP S62281488 A JPS62281488 A JP S62281488A JP 61125467 A JP61125467 A JP 61125467A JP 12546786 A JP12546786 A JP 12546786A JP S62281488 A JPS62281488 A JP S62281488A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明は光通信あるいは光計測器用の光源として用いら
れる半導体レーザに関する。
れる半導体レーザに関する。
（従来の技術と発明が解決しようとする問題点）単一軸
モードで動作する分布帰還形半導体レーザ（Ｄｉｓｔｒ
ｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｌａ５ｅｒ Ｄｉｏ
ｄｅ；以後ＤＦＢ ＬＤと略記する）は、高速および
長距離の光フアイバ通信用光源、あるいは単一波長動作
に優れることからコヒーレントな光学系を組んだ光計測
器の光源として期待され、急速な研究・開発が進められ
ている。ところで現在、ＤＦＢＬＤはほとんどの場合、
液相エピタキシャル成長法を用いて作製されている。基
板表面に、０．２から０．３μｍ程度の回折格子を形成
し、その上に工ｎＧａＡｓＰ あるいはＩｎＰ等の半導
体層を成長させるが、その時、液相成長では、基板温度
を６００°Ｃから６５０°Ｃ程度まで上昇させ数１０分
から１〜２時間、高温の雰囲気に待機させその後、結晶
を成長させる。この場合基板表面に形成された回折格子
が熱解離により消失あるいはその形状が非常に小さくな
ってしまうという傾向にある。これを防止するために、
ＧａＡｓ結晶基板を保護基板として、成長開始直前まで
回折格子が形成された基板を覆って、高速雰囲気中に待
機させる等の手法を用いている。しかしこの場合、成長
時雰囲気の汚れや、ＧａＡｓ保護基板と回折格子基板と
の間の隙間の程度などにより、回折格子が消失したり、
あるいは、その形が変形したり、再現性がとれない傾向
にあった。一方、結晶成長に際し、基板の昇温から、成
長開始まで３分から５分程度と非常に短い時間しか必要
としない、有機金属原料ガスを用いたメタル・オーガニ
ック・ケミカル・ヴエーパーｅデポジツ’７ Ｅ ン（
ＭｓｔａｌＯｒｙａｎｉｃＣｈｓｍｉｃａｌＶａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ； Ｍ Ｏ−ＣｖＤと略記す
る）法を用いると、回折格子の変形がほとんど生じない
ことは既にウェスト・ブルーフ等により、エレクトロニ
クス・レターズ（Ｋｚｅｃ−ｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｓｔｔ
ｓｒｓ ）誌、第１９巻、１１号の４２３頁から４２４
頁に報告されている。従って、この様な回折格子の変形
が生じない結晶成長を用いて、良好なりＦＢ ＬＤを
形成することが特性及び再現性を向上させる上で重要で
あり、又この様な結晶成長に見合う半導体レーザ構造を
作製することも必要となって来ている。しかしこの様な
結晶成長法に適合した半導体レーザ構造は報告されてい
ない。
モードで動作する分布帰還形半導体レーザ（Ｄｉｓｔｒ
ｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｌａ５ｅｒ Ｄｉｏ
ｄｅ；以後ＤＦＢ ＬＤと略記する）は、高速および
長距離の光フアイバ通信用光源、あるいは単一波長動作
に優れることからコヒーレントな光学系を組んだ光計測
器の光源として期待され、急速な研究・開発が進められ
ている。ところで現在、ＤＦＢＬＤはほとんどの場合、
液相エピタキシャル成長法を用いて作製されている。基
板表面に、０．２から０．３μｍ程度の回折格子を形成
し、その上に工ｎＧａＡｓＰ あるいはＩｎＰ等の半導
体層を成長させるが、その時、液相成長では、基板温度
を６００°Ｃから６５０°Ｃ程度まで上昇させ数１０分
から１〜２時間、高温の雰囲気に待機させその後、結晶
を成長させる。この場合基板表面に形成された回折格子
が熱解離により消失あるいはその形状が非常に小さくな
ってしまうという傾向にある。これを防止するために、
ＧａＡｓ結晶基板を保護基板として、成長開始直前まで
回折格子が形成された基板を覆って、高速雰囲気中に待
機させる等の手法を用いている。しかしこの場合、成長
時雰囲気の汚れや、ＧａＡｓ保護基板と回折格子基板と
の間の隙間の程度などにより、回折格子が消失したり、
あるいは、その形が変形したり、再現性がとれない傾向
にあった。一方、結晶成長に際し、基板の昇温から、成
長開始まで３分から５分程度と非常に短い時間しか必要
としない、有機金属原料ガスを用いたメタル・オーガニ
ック・ケミカル・ヴエーパーｅデポジツ’７ Ｅ ン（
ＭｓｔａｌＯｒｙａｎｉｃＣｈｓｍｉｃａｌＶａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ； Ｍ Ｏ−ＣｖＤと略記す
る）法を用いると、回折格子の変形がほとんど生じない
ことは既にウェスト・ブルーフ等により、エレクトロニ
クス・レターズ（Ｋｚｅｃ−ｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｓｔｔ
ｓｒｓ ）誌、第１９巻、１１号の４２３頁から４２４
頁に報告されている。従って、この様な回折格子の変形
が生じない結晶成長を用いて、良好なりＦＢ ＬＤを
形成することが特性及び再現性を向上させる上で重要で
あり、又この様な結晶成長に見合う半導体レーザ構造を
作製することも必要となって来ている。しかしこの様な
結晶成長法に適合した半導体レーザ構造は報告されてい
ない。
そこで、本発明の目的は、気相成長に適し、又高性能の
特性を有する単一軸モード形の半導体レーザを提供する
ことに６る。
特性を有する単一軸モード形の半導体レーザを提供する
ことに６る。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明によれば、表面に回折格子が形成された第１導電
形の半導体基板に、前記半導体基板よりも屈折率の大き
な第１導電形の光ガイド層並びに前記光ガイド層よりも
屈折率の小さな第２導電形の電流閉じ込め層及び第１導
電形の電流ブロック層が積層された多層膜基板を有し、
この多層膜基板の一部に前記光ガイド層に達する深さの
溝が形成してあり、この溝を含み前記多層膜基板表面全
体を覆って前記光ガイド層よりも屈折率の小さい第１導
電形のクラッド層、前記光ガイド層よりも屈折率の大き
い活性層および前記光ガイド層よりも屈折率の小さい第
２導電形のクラッド層が積層されていることを特徴とす
る半導体レーザが得られる。
形の半導体基板に、前記半導体基板よりも屈折率の大き
な第１導電形の光ガイド層並びに前記光ガイド層よりも
屈折率の小さな第２導電形の電流閉じ込め層及び第１導
電形の電流ブロック層が積層された多層膜基板を有し、
この多層膜基板の一部に前記光ガイド層に達する深さの
溝が形成してあり、この溝を含み前記多層膜基板表面全
体を覆って前記光ガイド層よりも屈折率の小さい第１導
電形のクラッド層、前記光ガイド層よりも屈折率の大き
い活性層および前記光ガイド層よりも屈折率の小さい第
２導電形のクラッド層が積層されていることを特徴とす
る半導体レーザが得られる。
（作用）
本発明は、有機金属化合物を原料として用いる気相成長
等においては、基板に段差がある場合に、エピタキシャ
ル層の形状が基板表面の形状をそのまま受は継ぐ形で積
層されることを利用するものである。従来用いられて来
た液相成長では基板表面に段差があると、一般にこの段
差を埋め込む形で成長した。従って局部的に膜厚の大き
な部分を形成することができこの部分を光導波路として
用いることができた。しかし、気相成長ではこの様な手
法を用いることが難しいので、どの様にして光導波路を
構成するかが、素子構造を考える上での鍵となる。本発
明では、最初に平らな屈折率の高いガイド層を設けてお
き、後から成長する活性層を局所的に、このガイド層に
近接させることで光導波路を形成するという手法を用い
ている。
等においては、基板に段差がある場合に、エピタキシャ
ル層の形状が基板表面の形状をそのまま受は継ぐ形で積
層されることを利用するものである。従来用いられて来
た液相成長では基板表面に段差があると、一般にこの段
差を埋め込む形で成長した。従って局部的に膜厚の大き
な部分を形成することができこの部分を光導波路として
用いることができた。しかし、気相成長ではこの様な手
法を用いることが難しいので、どの様にして光導波路を
構成するかが、素子構造を考える上での鍵となる。本発
明では、最初に平らな屈折率の高いガイド層を設けてお
き、後から成長する活性層を局所的に、このガイド層に
近接させることで光導波路を形成するという手法を用い
ている。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
この構造を第２図の製作法を示す工程図を用いて説明す
る。エピタキシャル成長は、トリメチルガリウム、トリ
メチルインジウム、ＰＨ，、ＡｓＨ２等を用いた有機金
属化合物気相成長法で行なった。
る。エピタキシャル成長は、トリメチルガリウム、トリ
メチルインジウム、ＰＨ，、ＡｓＨ２等を用いた有機金
属化合物気相成長法で行なった。
最初に、第２図（ａ）に示す様Ｋ（００１）面のｐ彫工
ｎＰ基板１（Ｚｎドープ、キャリア濃度２ Ｘ １０”
α′″３）の表面に（１１０）方向に繰り返す、深さ５
００１周期が２５００１の回折格子１０を形成する。回
折格子１０の形成は通常よく用いられるＨｅ −Ｃｄガ
スレーザを光源とする三光束干渉露光法で行なった。次
に第２図（＋））に示す様に、ｐ彫工ｎｐ基板１の上に
、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２（発光波長にして１
．３μｍ組成、Ｚｎドープ、キャリア濃度５ Ｘ １０
”ｃｒｎ−”、膜厚は回折格子１０の山の頂点から０．
１５μ＋！１）、ｎ彫工ｎＰ電流閉じ込め層３（Ｓ１ド
ープ、キャリア濃度２ Ｘ １０”ぼ−３、膜厚０．２
μｍ）およびｐ形電流工ｎＰブロック層４（Ｚｎドープ
、キャリア９度Ｉ Ｘ １０”ｃｙｔ″″３、膜厚０．
３μｍ）を順次積層した。次に、通常のフオ） ＩＪソ
ゲラフイーの技術を用いて、回折格子１０の繰り返し方
向と同じ方向にＨＣｔ系エツチング液を用いてｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層２の上面に達するまでの底部の幅が１．５
μｍの溝２０を形成した。第１図（Ｃ）がこの状態であ
るが第１図（−）および（ｂ）における断面とは９０°
だけ異なる面における断面図を示している。次の第１図
（ｄ）も同方向の断面図である力瓢＠１図（Ｃ）に示す
基板の上にｐ彫工ｎＰクラッド層５（Ｚｎドープ、キャ
リア濃度Ｉ Ｘ １０”α″″３、膜厚０、１ μｍ
）、ノンドーブエｎＧａＡｓＰ活性層６（発光波長にし
て１．５５μｍの組成、膜厚Ｏ，ＯＳμｍ）を基板の形
状を受は継ぐ形で薄く積濁し、更に連続してｎ彫工ｎＰ
クラッド層７（Ｓ１ドープ、ｌＸｌ０”スー３、膜厚３
μｍ）を積層してエピタキシャル成長を終える。次に、
第１図の斜視図に示す様に、全体が１４０μｍ程度の厚
さになるまでｐ彫工ｎＰ基板１側を研磨したのち、ｐ形
１ｎＰ基板１の表面にはＡｕＺｎを用いたｐ側電極３０
を、又、ｎ彫工ｎＰクラッド層７の表面にはＡｕ−Ｇｅ
−Ｎｉを用いたｎ側電極３１を形成する。全体の長さを
２５０μｍにして伸開し、チップ化した。
ｎＰ基板１（Ｚｎドープ、キャリア濃度２ Ｘ １０”
α′″３）の表面に（１１０）方向に繰り返す、深さ５
００１周期が２５００１の回折格子１０を形成する。回
折格子１０の形成は通常よく用いられるＨｅ −Ｃｄガ
スレーザを光源とする三光束干渉露光法で行なった。次
に第２図（＋））に示す様に、ｐ彫工ｎｐ基板１の上に
、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２（発光波長にして１
．３μｍ組成、Ｚｎドープ、キャリア濃度５ Ｘ １０
”ｃｒｎ−”、膜厚は回折格子１０の山の頂点から０．
１５μ＋！１）、ｎ彫工ｎＰ電流閉じ込め層３（Ｓ１ド
ープ、キャリア濃度２ Ｘ １０”ぼ−３、膜厚０．２
μｍ）およびｐ形電流工ｎＰブロック層４（Ｚｎドープ
、キャリア９度Ｉ Ｘ １０”ｃｙｔ″″３、膜厚０．
３μｍ）を順次積層した。次に、通常のフオ） ＩＪソ
ゲラフイーの技術を用いて、回折格子１０の繰り返し方
向と同じ方向にＨＣｔ系エツチング液を用いてｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層２の上面に達するまでの底部の幅が１．５
μｍの溝２０を形成した。第１図（Ｃ）がこの状態であ
るが第１図（−）および（ｂ）における断面とは９０°
だけ異なる面における断面図を示している。次の第１図
（ｄ）も同方向の断面図である力瓢＠１図（Ｃ）に示す
基板の上にｐ彫工ｎＰクラッド層５（Ｚｎドープ、キャ
リア濃度Ｉ Ｘ １０”α″″３、膜厚０、１ μｍ
）、ノンドーブエｎＧａＡｓＰ活性層６（発光波長にし
て１．５５μｍの組成、膜厚Ｏ，ＯＳμｍ）を基板の形
状を受は継ぐ形で薄く積濁し、更に連続してｎ彫工ｎＰ
クラッド層７（Ｓ１ドープ、ｌＸｌ０”スー３、膜厚３
μｍ）を積層してエピタキシャル成長を終える。次に、
第１図の斜視図に示す様に、全体が１４０μｍ程度の厚
さになるまでｐ彫工ｎＰ基板１側を研磨したのち、ｐ形
１ｎＰ基板１の表面にはＡｕＺｎを用いたｐ側電極３０
を、又、ｎ彫工ｎＰクラッド層７の表面にはＡｕ−Ｇｅ
−Ｎｉを用いたｎ側電極３１を形成する。全体の長さを
２５０μｍにして伸開し、チップ化した。
次に素子特性を測定した。工ｎＧａＡθＰ活性層６とｐ
彫工ｎＧａＡｓＰ光ガイド層２とは溝２０の部分で近接
している。従って、活性層６の膜厚が０．０８μｍと薄
く積層され、活性層６に閉じ込められない光の一部は、
光ガイド層２が近接している部分で、この光ガイド層２
にも閉じ込められることになる。溝部２０以外では活性
層６と光ガイド層は、十分離れておりこの様なことは起
きない。結局等価的に溝部２０のところで、活性層６と
、光ガイド層２とが複合して光導波路を形成することに
なり、安定な発振横モードを維持することが可能となる
。電流は、ｎ彫工ｎＰ電流閉じ込め層３、ｐ彫工ｎｐ電
流ブロック層４によって効果的に溝部２０に集中される
。従ってこの素子の発掘閾値は２０ｍＡと低い値を示し
た。微分量子効率は、前方端面から出射した光に対し２
５％の値を示した。素子をエビ層側を下にしてダイアモ
ンドヒートシ／りに融着して、温度特性を測定したとこ
ろ、最大ｃ’ｔＦ動作温度は１１０℃と良好であった。
彫工ｎＧａＡｓＰ光ガイド層２とは溝２０の部分で近接
している。従って、活性層６の膜厚が０．０８μｍと薄
く積層され、活性層６に閉じ込められない光の一部は、
光ガイド層２が近接している部分で、この光ガイド層２
にも閉じ込められることになる。溝部２０以外では活性
層６と光ガイド層は、十分離れておりこの様なことは起
きない。結局等価的に溝部２０のところで、活性層６と
、光ガイド層２とが複合して光導波路を形成することに
なり、安定な発振横モードを維持することが可能となる
。電流は、ｎ彫工ｎＰ電流閉じ込め層３、ｐ彫工ｎｐ電
流ブロック層４によって効果的に溝部２０に集中される
。従ってこの素子の発掘閾値は２０ｍＡと低い値を示し
た。微分量子効率は、前方端面から出射した光に対し２
５％の値を示した。素子をエビ層側を下にしてダイアモ
ンドヒートシ／りに融着して、温度特性を測定したとこ
ろ、最大ｃ’ｔＦ動作温度は１１０℃と良好であった。
発振横モードは限界出力の３５ ｍＷ＊で安定な基本横
モードであり、垂直方向の放射角は４０°、水平方向の
放射角は２０°であった。発振スペクトルは、波長１．
５５μｍで単一軸モードであった。エピタキシャル成長
における膜厚制御が良好であるから素子特性の再現性は
良好であった。
モードであり、垂直方向の放射角は４０°、水平方向の
放射角は２０°であった。発振スペクトルは、波長１．
５５μｍで単一軸モードであった。エピタキシャル成長
における膜厚制御が良好であるから素子特性の再現性は
良好であった。
（発明の効果）
平坦な光ガイド層２と、折れ曲って積層される活性層６
の一部とを近接させることにより、光導波路を形成し、
安定な横モード発振動作を得た。
の一部とを近接させることにより、光導波路を形成し、
安定な横モード発振動作を得た。
ウニ・・面内での膜厚が均一であるため、素子特性の再
現性が良好であった。
現性が良好であった。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図（ａ）
、 （ｔ））、 （Ｃ）、 （ｄ）は第１図の実施例を
作製する工程を示す図である。 図中、１はｐ形ＩｎＰ基板、２はｐ彫工ｎＧａＡｓＰ光
ガイド層、３はｎ形ｒｎＰ電流閉じ込め層、４はｐ形Ｉ
ｎＰ電流ブロック層、５はｐ彫工ｎＰクラッド層、６は
工ｎＧａＡｓＰ活性層、７はｎ彫工ｎＰクラッド層、１
０は回折格子、２０は溝、３０はｐ側電極、３ ｔＶｉ
ｎ側電極である。
、 （ｔ））、 （Ｃ）、 （ｄ）は第１図の実施例を
作製する工程を示す図である。 図中、１はｐ形ＩｎＰ基板、２はｐ彫工ｎＧａＡｓＰ光
ガイド層、３はｎ形ｒｎＰ電流閉じ込め層、４はｐ形Ｉ
ｎＰ電流ブロック層、５はｐ彫工ｎＰクラッド層、６は
工ｎＧａＡｓＰ活性層、７はｎ彫工ｎＰクラッド層、１
０は回折格子、２０は溝、３０はｐ側電極、３ ｔＶｉ
ｎ側電極である。
Claims (1)
- 表面に回折格子が形成された第１導電形の半導体基板に
、前記半導体基板よりも屈折率の大きな第１導電形の光
ガイド層並びに前記光ガイド層よりも屈折率の小さな第
２導電形の電流閉じ込め層及び第１導電形の電流ブロッ
ク層が積層された多層膜基板を有し、この多層膜基板の
一部に前記光ガイド層に達する溝が形成してあり、この
溝を含み前記多層膜基板表面全体を覆つて前記光ガイド
層よりも屈折率の小さい第１導電形のクラッド層、前記
光ガイド層より屈折率の大きい活性層および前記光ガイ
ド層より屈折率の小さい第２導電形のクラッド層が積層
されていることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61125467A JPS62281488A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 半導体レ−ザ |
| US07/056,011 US4799226A (en) | 1986-05-30 | 1987-06-01 | Distributed feedback laser diode comprising an active layer partly adjacent to a waveguide layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61125467A JPS62281488A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281488A true JPS62281488A (ja) | 1987-12-07 |
| JPH055390B2 JPH055390B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=14910807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61125467A Granted JPS62281488A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 半導体レ−ザ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4799226A (ja) |
| JP (1) | JPS62281488A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2804502B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1998-09-30 | 沖電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| CN210605074U (zh) * | 2019-11-27 | 2020-05-22 | 苏州旭创科技有限公司 | 一种光学组件 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60192380A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS616886A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Fujikura Ltd | 分布帰還形半導体レ−ザ |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61125467A patent/JPS62281488A/ja active Granted
-
1987
- 1987-06-01 US US07/056,011 patent/US4799226A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH055390B2 (ja) | 1993-01-22 |
| US4799226A (en) | 1989-01-17 |
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