JPS62275323A - 光メモリカ−ドの装着位置測定方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、記録密度の増加により多様な応用が期待され
る光メモリカードの情報入出力装置に係り、特に光メモ
リカードとカード用端末装置間の情報伝達誤差を軽減す
るのに好適な光メモリカードの高精度装着位Ｗｌ測定方
式に関する。

〔従来の技術〕

従来実用となった光メモリは、画像電子学会誌第１４巻
、第２号（１９８５年）第７０頁から第７６頁に記載さ
れているように、円形板タンプが多く、データピックア
ップ方式は、情報記録媒体が回転しピックアップ系は、
直径方向のみのサーチで円形に並んだ情報の読み書きを
行っていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、２次元直交座標方向に並び、かつ、回
転運動に向かない光メモリカードのように長方形上に並
んだ記録媒体の読み書きについて配慮がされておらず１
次のような問題がある。

光メモリカードが端末装置に装着された時、装置位置誤
差が生じ、その誤差が光メモリカード上へのデータ書き
込みおよび読み取り誤差になる。

本発明の目的は、光カード端末装置の正規位置に光メモ
リカードが精度よく装着されない場合でもその位置精度
を高精度に測定し光メモリカード上に読み書きする装置
（以後、ピックアップ装置と呼ぶ）にその変位量をフィ
ードバックし高信頼で光メモリカード上の情報を読み書
きすることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、光メモリカード上に複数個の位置認識パタ
ーンを設け、この位置認識パターンの変位を画像処理に
より高精度に測定し、光メモリカードの端末装置内での
正しい設定位置との変位を算出し、ピックアップの駆動
系に走査補正量としてフィードバックすることにより達
成できる。

〔作用〕

光メモリカード上の複数点の位置認識パターンは、あら
かじめ登録された正しい位置にある認識パターンと比較
することにより変位量測定の基準となる。また、既知の
所定場所に設定されたパターンであるため５［データは
、最小限で済み処理が容易になる。

端末装置内に装着された光メモリカードの正しい装着位
置からの変位量を算出できれば、ピックアップ系の変位
を補正するように走査させることが可能となり、ピック
アップ系が精度よく所定の位置を示すことができる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図、第２図および第３図
により説明する。

本実施例は、光メモリカードに記録された情報を光学的
に読み取る装置である。光メモリカードには、ディジタ
ル情報が２次元的に拡がり記録されている。光メモリカ
ードの大きさは１１０Ｘ５四方で記録容量は２ＭＢｙｔ
ｅ＋である。つまり、１ビツト情報は約２０μｍの大き
さで記録される。

よって読み取り系の精度は、２０μｍ以上の高精度化が
要求される。

第２図は、読み取り装置に装着された光メモリカードを
示す、装着部分は、機械的あるいは手動で行うため、装
着誤差のない光メモリカード７０に比べＸ方向Ｘ方向と
もズレが生ずる。光メモリカード７０上に情報は、記録
エリア１１０に約２０μｍ間隔でＸ方向Ｘ方向に整列し
記録されている。よって装着誤差は、読み取り精度に影
響を与える。このため光メモリカード上に位置認識パタ
ーンをあらかじめ書き込んでおき５これを検出測定し、
装着誤差のない基準位置とのズレを算出する。

次に処理に従い説明する６ 認識パターン読込み処理２０は、ＣＣＤ　（Ｃｈａｒｇ
ｅＣｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）素子等の撮影装置に
より光メモリカード上の認識パターン１０を読込む。

認識パターンは光メモリカードのあらかじめ決められた
位置に決められたパターンとして２点設定しておく。

パターン相関処理３０は、装着誤差のない光メモリカー
ド７０の認識パターン８０を含む画像を参照認識パター
ン３５　Ａ　（Ｌ−、Ｍ）とする。

ここで、Ｌ：参照画像のライン数９Ｍ：参照画像のピク
セル数。

処理２０で読込んだ画像の部分画像をＢ＋Ｊ（Ｌ。

Ｍ）とするにこでｉ：読込んだ画像を基準とした場合の
部分画像の切り出し開始ライン、同様、ｊは切り出し開
始ピクセル。

相互相関値Ｃ１７が最大となる（ｉ、ｊ）の座標が基準
座標とのズレとなる。

ここで ｂ’ｉ　Ｊ　＝Σ　Σ　（ＢｔＪ（ａ　、ａ＋）−Ｍｔ
Ｊ）　　　（５）Ｌ：１１：ｉ Ｘ方向をライン方向、Ｘ方向をピクセル方向とする。

変位量算出処理４０は、装着誤差のない認識パターンを
撮影し参照認識パターンファイル３５に登繰しておけば
処理３０で算出されたｉ＝１．ｊ＝１となる点が装着位
ｆｆ１ｉ差ゼロと表わせる。

よって第２図の装着誤差のある光メモリカード９０上の
ｉｇｉパターン１００位置は、装着誤差のない光メモリ
カード７０上の認識パターン８０に比らべ、ｉ＝−ΔＸ
＋Ｊ＝Δｙ＋　　（ΔＸ、Δｙ≧０）となる。

ΔＸ、Δｙが基準位置からの変位量となる。

補正量算出処理５０は、処理４０で算出した変位量ΔＸ
、Δｙを読出しビーム走査および受光装置の駆動系の入
力となる変量に変換する。

Δφ８＝ｆ（ΔＸ、Δｙ）　　　　　　　　　（６）Δ
φｙ＝ｇ（ΔＸ、Δｙ）　　　　　　　　　（７）Δφ
２＝ｈ（ΔＸ、Δｙ）　　　　　　　　　（８）（ｆｙ
　ｇ＋　ｈは２次元的変位量を駆動系の回転変位量への
変換関数である） ΔφＸ、Δφｙ、Δφ２は、読み出しビーム走査および
受光装置のそれぞれＸ軸駆動装置１．８０、ｙ軸駆動装
置１９０、およびＺ＠駆動装置の入力データとして、基
準位置からの変位量だけ補正した位置からビーム走査す
る。

つまりレーザ装［１３０からのビームは、可動ミラー１
４０で反射され集光レンズ１６５で光メモリカード１５
０上に集光し、Ｘ＋　ｙ方向に走査１７０を行う、透過
光を受光素子２１０で検知することにより、光メモリカ
ード上に記録された情報を読み取ることができる。

なお本発明は読み出し装置に限らず、書き込み装置およ
び透過型でなく反射型の読み出し装置にも適用可能であ
る。

本実施例によれば、位置認識パターンを複数個、光メモ
リカードに設定することで装着位置の測定が画像処理に
より高精度に行え、装着位置誤差をピックアップ系にフ
ィードバックすることで読み取り位置精度をも向上でき
る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、カード読み取りあるいは書き込み装置
に装着された光メモリカードの位置を高精度に検出でき
るので、光メモリカードの情報の読み取りおよび書き込
み精度を大幅に向上できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光メモリカード情報読み取
り装置の高精度位置測定処理フローを示す図、第２図は
読み取り装置に装着された光メモリカードの概要を示す
図、第３図は読み取り光の走査機構を示す図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、光メモリカードとカード用端末装置において、光メ
   モリカード上に複数個の位置認識パターンとカード用端
   末装置に光メモリカード上の位置認識パターンを読みと
   る処理部と正規位置の認識パターン格納ファイルと正規
   位置の認識パターンとの相関によりカード用端末装置に
   装着された位置を測定する処理部と正規位置からの変位
   量を算出する処理部と変位量をピックアップ駆動系にフ
   ィードバックしピックアップ装置の走査を補正する処理
   部を設けたことを特徴とする光メモリカードの装着位置
   測定方式。