JPS62274696A - Manufacture of multilayer interconnection board - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は多層配線塞板の製造方法に関する。[Detailed description of the invention] 3. Detailed description of the invention [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board.
（従来の技術）
薄膜多層配線基板あるいは薄膜と厚膜との混成多層配線
基板においては、絶縁体として熱硬化性樹脂であるポリ
イミドが多く使用されている。(Prior Art) Polyimide, which is a thermosetting resin, is often used as an insulator in thin film multilayer wiring boards or hybrid multilayer wiring boards of thin films and thick films.
そして、該ポリイミドからなる絶縁体へのコンタクトホ
ールの形成法として、従来より溶剤をエッチャントとし
て用いるウェットエツチングが広く用いられている。し
かし、ウェットエツチングではエツチングに先立ちレジ
ストを形成し、エツチング後それを除去する必要がある
ため、工程が複雑であり、またオーバーエツチングの問
題もある。As a method for forming contact holes in the polyimide insulator, wet etching using a solvent as an etchant has conventionally been widely used. However, in wet etching, it is necessary to form a resist before etching and remove it after etching, so the process is complicated and there is also the problem of over-etching.
一方、ドライプロセスによるコンタクトホールの形成方
法として反応性イオンスパッタリング法等があるが、こ
の方法により形成されるコンタクトホールはエツジ形状
が非常にシャープなものとなるため、エツジ部での導体
層の断線、いわゆる断切れが生じ易い。このためスパッ
タリング後に溶剤処理を行なってエツジ形状を滑らかに
する工程が必要であった。On the other hand, reactive ion sputtering is a method for forming contact holes using a dry process, but the contact holes formed by this method have very sharp edges, so disconnections in the conductor layer at the edges may occur. , so-called disconnection is likely to occur. For this reason, it was necessary to perform a solvent treatment after sputtering to smooth the edge shape.
一方、従来の多層配線基板における配線導体層、特に蒸
着等により形成されたＳ膜配線導体層のパターン形成は
、フォトレジスト塗布・露光・エツチングからなるフォ
トリソグラフィ法が使用されており、やはり多くの工程
を必要とした。On the other hand, patterning of the wiring conductor layer in conventional multilayer wiring boards, especially the S film wiring conductor layer formed by vapor deposition, etc., uses a photolithography method consisting of photoresist coating, exposure, and etching. It required a process.
（発明が解決しようとする問題点）
このように従来技術による多層配置ａ基板の製造方法は
、コンタクトホールの形成及び配線導体層のパターン形
成に多くの工程を必要とし、Ｉｉ造ココスト下げること
が難しいという問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, the conventional method for manufacturing a multilayer A-board requires many steps for forming contact holes and patterning a wiring conductor layer, and it is difficult to reduce the cost of manufacturing Ii. The problem was that it was difficult.
本発明の目的は、コンタクトホール形成および配線導体
層のパターン形成を従来に比較して大幅に簡略化された
工程により突環できる多層配線基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board in which contact hole formation and pattern formation of a wiring conductor layer can be protruded through steps that are significantly simplified compared to conventional methods.
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は絶縁体、すなわち絶縁性基板および／または層
間絶縁層として熱可塑性樹脂を用い、該熱可塑性樹脂か
らなる絶縁体へのコンタクトホールの形成をレーザビー
ムの照射により行ない、ざらに配線導体層のパターン形
成を該配線導体層にフォトマスクを介してレーザ光を選
択照射し、不！ＩＩ％分を蒸発させて除去することによ
り行なうことを特徴とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention uses a thermoplastic resin as an insulator, that is, an insulating substrate and/or an interlayer insulation layer, and a contact hole to the insulator made of the thermoplastic resin. The wiring conductor layer is formed by irradiating it with a laser beam, and the wiring conductor layer is selectively irradiated with laser light through a photomask to roughly form the pattern of the wiring conductor layer. It is characterized in that it is carried out by evaporating and removing II%.
（作用）
一方の面側に第１の配線導体層が形成されている熱可塑
性樹脂からなる絶縁体に他方の面側からレーザビームを
照射すると、照射部分の樹脂が融解して蒸発することに
より、第１の配線導体層に達するすり林状のコンタクト
ホールが形成される。このコンタクトホール形成後、第
２の配線導体層を形成することにより、第２の配線導体
層の導体がコンタクトホールに入り込み、第１の配線導
体層とコンタクトする。(Function) When an insulator made of thermoplastic resin on which the first wiring conductor layer is formed on one side is irradiated with a laser beam from the other side, the resin in the irradiated area melts and evaporates. , a forest-like contact hole reaching the first wiring conductor layer is formed. After forming this contact hole, by forming a second wiring conductor layer, the conductor of the second wiring conductor layer enters the contact hole and contacts the first wiring conductor layer.
一方、導体配線層に適当なレーザ光をフォトマスクを介
して選択的に照射すると、照射部分の導体が蒸発して除
去されることにより、不要部分が除去されたパターンが
形成される。On the other hand, when the conductor wiring layer is selectively irradiated with an appropriate laser beam through a photomask, the conductor in the irradiated portions is evaporated and removed, thereby forming a pattern with unnecessary portions removed.
（実施例）
第１図を参照して本発明の一実施例を説明する。まず、
第１図（ａ＞に示すよう゛に熱可塑性樹脂からなる絶縁
基板１上に配線導体ＷＪ２を形成する。絶縁基板１は例
えば膜厚３０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルムが用いられる。第１の配線導体ＪＩ２とし
ては、例えば膜厚０．５μｍのＡｆｆｉｌｍを真空蒸着
により形成する。(Example) An example of the present invention will be described with reference to FIG. first,
As shown in FIG. 1 (a), a wiring conductor WJ2 is formed on an insulating substrate 1 made of thermoplastic resin.
T) A film is used. As the first wiring conductor JI2, Affilm having a thickness of 0.5 μm is formed by vacuum deposition, for example.
次に、第１図（ｂ）に示すように第１の配′ａ導体１１
２上にフォトマスク３を介して、紫外領域の波長を主成
分とする、例えばピーク波長３０８ｎＩｍのレーザ光４
を３ＱｎＳの間、照射する。このような紫外ＷＡ域のレ
ーザ光源としては、例えばエキシマレーザを用いること
ができる。このフォトマスク３を介してのレーザ光４の
照射により、配８１４体ｌ１２はレーザ光４の照射され
た不要部分が第１図（Ｃ）のように蒸発して除去される
ことにより、所定のパターンが形成される。このよう、
に配線導体層２のパターン形成に紫外領域のレーザ光を
用いる理由は、１パルス当たりのエネルギーが大きく、
また配線導体層である金属に対する吸収率が轟いためで
ある。Next, as shown in FIG. 1(b), the first conductor 11
A laser beam 4 having a wavelength in the ultraviolet region as a main component, for example, with a peak wavelength of 308 nIm is applied onto 2 through a photomask 3.
is irradiated for 3QnS. As such a laser light source in the ultraviolet WA region, for example, an excimer laser can be used. By irradiating the laser beam 4 through the photomask 3, the unnecessary portions of the array 814 112 irradiated with the laser beam 4 are evaporated and removed as shown in FIG. A pattern is formed. like this,
The reason why laser light in the ultraviolet region is used to form the pattern of the wiring conductor layer 2 is that the energy per pulse is large;
This is also because the absorption rate for the metal that is the wiring conductor layer is high.
次に、第１図（ｄ）に示すように絶縁基板１の第１の配
線導体層２が形成された面と反対側の面からレーザビー
ム５をスポット照射し、コンタクトホール６を形成する
。レーザビーム５は、例えばＹＡＧレーザから発生され
る波長１．０６μｍの赤外領域を主成分とするレーザビ
ームを用いる。この場合、レーザビーム５が熱可塑性樹
脂からなる絶縁基板１で良好に吸収されるように、熱可
塑性樹脂中にこの赤外領域の波長での吸収率の高いもの
を混入させておくことが望ましい。また、レーザビーム
５のスポット径は例えば３０μｍ程度とする。このとき
コンタクトホ・−ル６は、開口部の直径が５０μｍのす
り林状に形成された。なお、熱可塑性樹脂に代えて熱硬
化性樹脂を用いた場合には、レーザビームを照射すると
照射部の表面が著しい凹凸形状になってしまい、コンタ
クトホールとして使用できるような形状の孔明けはでき
ない。Next, as shown in FIG. 1(d), a contact hole 6 is formed by spot irradiating a laser beam 5 from the surface of the insulating substrate 1 opposite to the surface on which the first wiring conductor layer 2 is formed. As the laser beam 5, a laser beam whose main component is an infrared region with a wavelength of 1.06 μm, which is generated from, for example, a YAG laser, is used. In this case, in order for the laser beam 5 to be well absorbed by the insulating substrate 1 made of thermoplastic resin, it is desirable to mix in the thermoplastic resin a material that has a high absorption rate at wavelengths in the infrared region. . Further, the spot diameter of the laser beam 5 is, for example, about 30 μm. At this time, the contact hole 6 was formed in the form of a forest with an opening diameter of 50 μm. Note that if a thermosetting resin is used instead of a thermoplastic resin, the surface of the irradiated area will become extremely uneven when irradiated with a laser beam, making it impossible to make a hole in a shape that can be used as a contact hole. .
次に、第１図（ｅ）に示すように絶縁基板１の第１の配
線導体１１２が形成された面と反対側の面上に、第２の
配線導体層７として、第１の配線導体１！２と同様に例
えば膜厚０．５μｍのへλ躾を真空蒸着により形成する
。この第２の配線導体層７はコンタクトホール６内に導
体の一部が入り込むことによって、第１の配線導体層２
と電気的に接続される。Next, as shown in FIG. 1(e), a first wiring conductor is formed as a second wiring conductor layer 7 on the surface of the insulating substrate 1 opposite to the surface on which the first wiring conductor 112 is formed. Similarly to 1 and 2, for example, a 0.5 μm thick film is formed by vacuum deposition. This second wiring conductor layer 7 is formed by a part of the conductor entering into the contact hole 6, thereby forming the second wiring conductor layer 2.
electrically connected to.
次に、第１図（ｆ）に示すように第１図（ｂ）の工程と
全く同様にして、第２の配線導体層７上にフォトマスク
８を介して紫外領域の波長を主成分とするレーザ光９を
照射し、第１図（ｇ＞のように配線導体層７のレーザ光
９が照射された不要部分を蒸発・除去することにより、
所定のパターンを形成する。Next, as shown in FIG. 1(f), in exactly the same manner as in the step of FIG. 1(b), a wavelength in the ultraviolet region is applied as a main component onto the second wiring conductor layer 7 through a photomask 8. By irradiating the laser beam 9 with a
forming a predetermined pattern;
次に、第１図（ｈ）に示すように絶縁基板１の第２の配
線導体層７が形成された面上に、接着層１０を介して熱
可塑性樹脂からなる層間絶縁層１１を塗布・形成する。Next, as shown in FIG. 1(h), an interlayer insulating layer 11 made of thermoplastic resin is coated on the surface of the insulating substrate 1 on which the second wiring conductor layer 7 is formed via an adhesive layer 10. Form.
ここで、接着！１１０は熱可塑性樹脂からなるものが好
ましく、例えばアクリル系接着剤を２０μｍの厚さに塗
布する。居間絶縁層１１は例えば厚さ３０μｍのＰＥＴ
フィルムを用いる。Here, glue! Preferably, the material 110 is made of thermoplastic resin, and for example, an acrylic adhesive is applied to a thickness of 20 μm. The living room insulation layer 11 is made of PET with a thickness of 30 μm, for example.
Use film.
次に、第１図（１）に示すように第１図（ｄ）の工程と
同様にして、居間絶縁１１１１上に赤外領域の波長を主
成分とするレーザビーム１２をスポット照射することに
より、第２の配線導体ＷＩ７に達するコンタクトホール
１２を形成する。Next, as shown in FIG. 1(1), in the same manner as in the step of FIG. 1(d), the living room insulation 1111 is spot-irradiated with a laser beam 12 whose main component is a wavelength in the infrared region. , a contact hole 12 reaching the second wiring conductor WI7 is formed.
最後に、第１図（ｊ）に示すように第３の配線導体層１
４として、例えばポリマー系の厚膜導体ペーストをスク
リーン印刷法により塗布することにより形成する。なお
、第３の配線導体１１４としては真空蒸着等によるｎ膜
でもよく、その場合はパターン形成を第１図（ｔ）＞
（ｆ）と同様に紫外領域の波長を主成分とするレーザ
光の選択照射により行なえばよい。Finally, as shown in FIG. 1(j), a third wiring conductor layer 1 is formed.
4 is formed by applying, for example, a polymer-based thick film conductor paste by a screen printing method. Note that the third wiring conductor 114 may be an n film formed by vacuum evaporation or the like, and in that case, pattern formation is performed as shown in FIG. 1(t)>
As in (f), selective irradiation with a laser beam whose main component is a wavelength in the ultraviolet region may be used.
本実施例による多層配線基板の製造プロセスにおいては
、特にコンタクトホール６．１３の形成工程においてレ
ーザビーム５．１２のスポット照射を用いたことにより
、従来のウェットエツチングによるコンタクトホール形
成におけるようなレジスト形成およびレジスト除去とい
った工程が不要であり、またオーバーエツチングによる
コンタクトホールの形状不良といった問題も生じること
もない。さらに、レーザビームの照射のみでエツジの滑
らかな、すり鉢形状のコンタクトホールが形成されるた
め、従来の反応性イオンスパッタリング法等によるコン
タクトホール形成で必要としたような、シャープなエツ
ジ形状を滑らかにするための溶剤による後処理が不要と
なる。In the manufacturing process of the multilayer wiring board according to this embodiment, spot irradiation of the laser beam 5.12 is used especially in the step of forming the contact hole 6.13, so that the resist is formed as in the conventional wet etching contact hole formation. There is no need for processes such as resist removal and resist removal, and problems such as poor contact hole shape due to over-etching do not occur. Furthermore, since cone-shaped contact holes with smooth edges can be formed using only laser beam irradiation, sharp edge shapes that are required when forming contact holes using conventional reactive ion sputtering methods can be smoothed out. No post-treatment with solvent is required.
また、本実施例では配線導体層２．７のパターン形成を
、フォトマスク３，８を介して紫外ｍ域の波長を含むレ
ーザ光４．９を照射することにより行なっているため、
従来のフォトレジスト塗布。Furthermore, in this embodiment, the patterning of the wiring conductor layer 2.7 is performed by irradiating laser light 4.9 containing wavelengths in the ultraviolet m range through the photomasks 3 and 8.
Conventional photoresist application.
露光およびエツチング工程からなるフォトリソグラフィ
法に比べて、工程が非常に簡単であるという利点を有す
る。It has the advantage that the process is very simple compared to photolithography, which consists of exposure and etching steps.
さらに、上記実施例における例えば第１図（１））の配
線導体１２のパターン形成工程において、第２図の如く
フォトマスク３と第２の導体層２との間にパターン縮小
用光学レンズ１５を挿入すれば、より微細なパターン形
成が可能となる。勿論、第１図（ｆ）における第２の配
線導体層７のパターン形成においても同様の方法を用い
ることができる。Furthermore, in the pattern forming process of the wiring conductor 12 shown in FIG. 1(1) in the above embodiment, an optical lens 15 for pattern reduction is inserted between the photomask 3 and the second conductor layer 2 as shown in FIG. By inserting it, it becomes possible to form a finer pattern. Of course, the same method can be used for patterning the second wiring conductor layer 7 in FIG. 1(f).
なお、上記した実施例では熱可塑性樹脂とじてＰＥＴを
用いたが、他の熱可塑性樹脂でも、特にポリブチレンテ
レフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエー
テルエーテルケトン等の結晶性の高い高分子材料であれ
ば、レーザビームの照射により良好なコンタクトホール
を形成することができ、良好な結果が得られる。In the above examples, PET was used as the thermoplastic resin, but other thermoplastic resins may also be used, especially if they are highly crystalline polymer materials such as polybutylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, etc. A good contact hole can be formed by laser beam irradiation, and good results can be obtained.
また、コンタクトホールの形成のためのレーザビームの
光源としてＹＡＧレーザを使用したが、例えばＣＯ２レ
ーザ（波長１０．６μｍ）等を使用することも可能であ
る。Further, although a YAG laser was used as a light source of a laser beam for forming a contact hole, it is also possible to use, for example, a CO2 laser (wavelength: 10.6 μm).
さらに、配線導体層２．７はＡ℃膜に限定されるもので
はなく、Ａρ、Ｃｕ、ＡＱ、Ａｌ、 Ｃｒ。Further, the wiring conductor layer 2.7 is not limited to the A°C film, but may be Aρ, Cu, AQ, Al, or Cr.
Ｗ、Ｍｏ、Ｔ ｉ、Ｎ ｉから選択した１種または２種
□以゛上の組合せからなる金属膜を用いることかでき・
；′為；１５１声
その他、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。A metal film consisting of one or a combination of two or more selected from W, Mo, Ti, and Ni can be used.
;'For; 151 voices In addition, the present invention can be modified and implemented in various ways without departing from the gist.
本発明によれば、絶縁基板および／または層間絶縁層へ
のコンタクトホール形成にレーザビームのスポット照射
を用い、さらに配線導体層のパターン形成にフォトマス
クを介してのレーザ光の選択照射を使用したことにより
、工程が著しく簡単で、量産性に優れた多層配線基板の
製造方法を提供することができる。According to the present invention, spot irradiation with a laser beam is used to form a contact hole in an insulating substrate and/or an interlayer insulating layer, and selective irradiation with a laser beam through a photomask is used to form a pattern on a wiring conductor layer. As a result, it is possible to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board with extremely simple steps and excellent mass productivity.
第１図は本発明の一実施例に係る多層配線基板の製造方
法を説明するための工程図、第２図は本発明における配
線導体層のパターン形成工程の他の例を説明するための
図である。
１・・・熱可塑性樹脂からなる絶縁基板、２・・・第１
の配線導体層、３・・・フォトマスク、４・・・レーザ
光、５・・・レーザビーム、６・・・コンタクトホール
、７・・・第２の配ｆａ導体層、８・・・フォトマスク
、９・・・レーザ光、１０・・・接着層、１１・・・熱
可塑性樹脂からなる眉間絶縁層、１２・・・レーザビー
ム、１３・・・コンタクトホール、１４・・・第３の配
線導体層、１５・・・パターン縮小用光学レンズ。
出願人代理人 弁理士 鈴江式彦
第 １ 図（１）
第１図（２）
第２図FIG. 1 is a process diagram for explaining a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining another example of the pattern forming process of a wiring conductor layer in the present invention. It is. 1... Insulating substrate made of thermoplastic resin, 2... First
wiring conductor layer, 3... photomask, 4... laser beam, 5... laser beam, 6... contact hole, 7... second fa distribution conductor layer, 8... photo Mask, 9... Laser light, 10... Adhesive layer, 11... Glabellar insulating layer made of thermoplastic resin, 12... Laser beam, 13... Contact hole, 14... Third Wiring conductor layer, 15... optical lens for pattern reduction. Applicant's agent Patent attorney Shikihiko Suzue Figure 1 (1) Figure 1 (2) Figure 2
Claims (5)
ンの配線導体層とを交互に積層し、該コンタクトホール
を通して各層の配線導体膜が電気的に接続される多層配
線基板の製造方法において、前記絶縁体として熱可塑性
樹脂を用い、該熱可塑性樹脂からなる絶縁体へのコンタ
クトホールの形成をレーザビームの照射により行ない、
さらに前記配線導体層のパターン形成を、該配線導体層
にフォトマスクを介してレーザ光を選択照射し、不要部
分を蒸発させて除去することにより行なうことを特徴と
する多層配線基板の製造方法。(1) A method for manufacturing a multilayer wiring board in which an insulator having contact holes and a wiring conductor layer having a predetermined pattern are alternately laminated, and the wiring conductor film of each layer is electrically connected through the contact hole. A thermoplastic resin is used as the body, and a contact hole is formed in the insulator made of the thermoplastic resin by irradiation with a laser beam,
Further, the method for manufacturing a multilayer wiring board is characterized in that pattern formation of the wiring conductor layer is performed by selectively irradiating the wiring conductor layer with laser light through a photomask to evaporate and remove unnecessary portions.
ームとして赤外領域の波長を含むレーザビームを用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層配線
基板の製造方法。(2) The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, characterized in that a laser beam including a wavelength in an infrared region is used as a laser beam for forming the contact hole.
として紫外領域の波長を含むレーザ光を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層配線基板の製
造方法。(3) The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, characterized in that a laser beam having a wavelength in the ultraviolet region is used as the laser beam for patterning the wiring conductor layer.
Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉから選択した１種または２
種以上の組合せからなる金属膜を用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の多層配線基板の製造方法
。(4) As the conductor wiring layer, Al, Cu, Ag, Au,
One or two selected from Cr, W, Mo, Ti, and Ni
2. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, characterized in that a metal film consisting of a combination of more than one type is used.
トマスクと該配線導体層との間にパターン縮小用光学レ
ンズを挿入することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の多層配線基板の製造方法。(5) The multilayer wiring board according to claim 1, wherein an optical lens for pattern reduction is inserted between the photomask and the wiring conductor layer when forming the pattern of the wiring conductor layer. Production method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11796286A JPS62274696A (en) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | Manufacture of multilayer interconnection board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11796286A JPS62274696A (en) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | Manufacture of multilayer interconnection board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274696A true JPS62274696A (en) | 1987-11-28 |
Family
ID=14724566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11796286A Pending JPS62274696A (en) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | Manufacture of multilayer interconnection board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62274696A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03165594A (en) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Ibiden Co Ltd | Manufacture of multilayer printed wiring board |
| JPH04311090A (en) * | 1991-04-09 | 1992-11-02 | Nec Corp | Manufacture of multilayer wiring board |
| JP2011197697A (en) * | 2003-02-04 | 2011-10-06 | Plastic Logic Ltd | Transistor-controlled display device |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP11796286A patent/JPS62274696A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03165594A (en) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Ibiden Co Ltd | Manufacture of multilayer printed wiring board |
| JPH04311090A (en) * | 1991-04-09 | 1992-11-02 | Nec Corp | Manufacture of multilayer wiring board |
| JP2011197697A (en) * | 2003-02-04 | 2011-10-06 | Plastic Logic Ltd | Transistor-controlled display device |
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