JPH10263871A - Manufacture of dielectric mask for laser machining - Google Patents
Manufacture of dielectric mask for laser machiningInfo
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- JPH10263871A JPH10263871A JP9069805A JP6980597A JPH10263871A JP H10263871 A JPH10263871 A JP H10263871A JP 9069805 A JP9069805 A JP 9069805A JP 6980597 A JP6980597 A JP 6980597A JP H10263871 A JPH10263871 A JP H10263871A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はレーザー加工用誘電
体マスクの製造方法に関する。紫外線の波長域のレーザ
ー光（エキシマレーザー等）で、ポリイミドのシート材
等に微細なパターン加工を行う場合、基板面上に誘電体
多層膜から成るマスクパターンが形成されたレーザー加
工用誘電体マスクが用いられる。例えば、図４に示すよ
うに、レーザー加工用誘電体マスク５０に、エキシマレ
ーザー５２を照射し、その誘電体マスク５０によって得
られる像を、レンズ５４によって縮小してポリイミドの
シート材５６に転写する。このとき、所要のマスクパタ
ーンに形成された誘電体多層膜２０が、エキシマレーザ
ー５２の反射材として好適に作用する。これにより、ポ
リイミドのシート材５６は、エキシマレーザー５２の照
射された部分が除去され、所望のパターン（孔５７等）
が形成される。エキシマレーザー５２は、紫外線の波長
域のレーザー光であり、樹脂の結合を効率良く切断で
き、樹脂の微細な加工に好適に利用できる。なお、以上
の工程で孔等のパターンが形成されたポリイミドのシー
ト材５６は、配線パターンが形成され、半導体チップが
搭載されるパッケージを構成する回路基板などとして利
用される。The present invention relates to a method for manufacturing a dielectric mask for laser processing. When performing fine pattern processing on a polyimide sheet material or the like using laser light (excimer laser, etc.) in the ultraviolet wavelength range, a dielectric mask for laser processing in which a mask pattern composed of a dielectric multilayer film is formed on the substrate surface Is used. For example, as shown in FIG. 4, an excimer laser 52 is applied to a laser processing dielectric mask 50, and an image obtained by the dielectric mask 50 is reduced by a lens 54 and transferred to a polyimide sheet material 56. . At this time, the dielectric multilayer film 20 formed in a required mask pattern suitably functions as a reflector of the excimer laser 52. As a result, the portion of the polyimide sheet 56 irradiated with the excimer laser 52 is removed, and the desired pattern (hole 57 or the like) is obtained.
Is formed. The excimer laser 52 is a laser beam in a wavelength range of ultraviolet rays, can efficiently cut the bond of the resin, and can be suitably used for fine processing of the resin. The polyimide sheet material 56 on which the patterns such as holes are formed in the above steps is used as a circuit board or the like forming a package on which a wiring pattern is formed and on which a semiconductor chip is mounted.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、誘電体マスクは、リフトオフ法に
よって製造されていた。リフトオフ法とは、先ず、基板
である合成石英板の表面に所望のパターンとは反転した
パターンを持つリフトオフ層を形成し、次にそのリフト
オフ層が形成された合成石英板の表面全面に誘電体多層
膜を蒸着により形成し、そしてリフトオフ層を除去する
ことによって、リフトオフ層の表面に形成された誘電体
多層膜をも除去し、所望のマスクパターンを有する誘電
体マスクを得る方法である。2. Description of the Related Art Hitherto, a dielectric mask has been manufactured by a lift-off method. In the lift-off method, first, a lift-off layer having a pattern inverted from a desired pattern is formed on the surface of a synthetic quartz plate as a substrate, and then a dielectric material is formed on the entire surface of the synthetic quartz plate on which the lift-off layer is formed. In this method, a dielectric film having a desired mask pattern is obtained by forming a multilayer film by vapor deposition and removing the lift-off layer, thereby removing the dielectric multilayer film formed on the surface of the lift-off layer.
【０００３】リフトオフ法の従来例を、図５に基づいて
以下に説明する。先ず、合成石英板１０の表面に銀等の
金属膜層６０を蒸着により形成し（図５（ｂ））、その
上にフォトレジスト６２を塗布し（図５（ｃ））、フォ
トレジスト用のマスクを使用して露光する。次に現像し
てパターンを形成し（図５（ｄ））、そしてレジストの
開口部の金属膜のみを化学エッチングして金属膜のパタ
ーン６０ａを成形する（図５（ｅ））。次に、金属膜の
パターン６０ａが形成された合成石英板１０の表面全面
に、真空蒸着或いはスパッタリングによって、誘電体多
層膜６４を形成する（図５（ｆ））。例えば、二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ2 ）、二酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）の膜
層を交互に複数層積層することで、誘電体多層膜６４を
形成する。そして、金属膜のパターン６０ａを化学エッ
チングで除去することによって、金属膜のパターン６０
ａの表面に形成された誘電体多層膜６４をも除去し、そ
れにより、誘電体多層膜６４による所望のパターン６４
ａを合成石英板１０の表面に形成し（図５（ｇ））、所
望の誘電体マスクを得ることができる。なお、誘電体膜
はポーラス状に形成されるため、エッチング液はその誘
電体膜へ浸透して金属膜のパターン６０ａまで達し、そ
の金属膜のパターン６０ａを好適に化学エッチングでき
る。A conventional example of the lift-off method will be described below with reference to FIG. First, a metal film layer 60 of silver or the like is formed on the surface of the synthetic quartz plate 10 by vapor deposition (FIG. 5B), and a photoresist 62 is applied thereon (FIG. 5C). Exposure is performed using a mask. Next, a pattern is formed by development (FIG. 5D), and only the metal film in the opening of the resist is chemically etched to form a metal film pattern 60a (FIG. 5E). Next, a dielectric multilayer film 64 is formed by vacuum evaporation or sputtering over the entire surface of the synthetic quartz plate 10 on which the metal film pattern 60a is formed (FIG. 5F). For example, the dielectric multilayer film 64 is formed by alternately laminating a plurality of film layers of silicon dioxide (SiO 2 ) and hafnium dioxide (HfO 2 ). Then, the metal film pattern 60a is removed by chemical etching, so that the metal film pattern 60a is removed.
a, the dielectric multilayer film 64 formed on the surface of the dielectric multilayer film 64 is also removed.
a is formed on the surface of the synthetic quartz plate 10 (FIG. 5 (g)), and a desired dielectric mask can be obtained. Since the dielectric film is formed in a porous shape, the etchant penetrates the dielectric film and reaches the metal film pattern 60a, so that the metal film pattern 60a can be suitably chemically etched.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
リフトオフ法では、フォトレジスト用のマスクを作製す
る工程、金属膜のパターンを形成するための化学エッチ
ング、金属膜のパターンを化学エッチングして誘電体多
層膜による所望のパターンを形成する工程（リフトオフ
工程）等、製造工程が複雑である。従って、製造に時間
がかかって納期を短縮できないと共に、製造コストを低
減できないという課題があった。ところで、エネルギー
密度が高いレーザー光を利用すれば、誘電体膜を直接加
工でき、所望のパターンを形成できる。しかし、誘電体
膜はレーザー光を反射するものであるから、その誘電体
膜をレーザー光によって直接加工することは、効率的で
はないという課題がある。However, in the conventional lift-off method, a process of forming a mask for a photoresist, a chemical etching for forming a pattern of a metal film, and a chemical etching of a pattern of a metal film are performed to obtain a dielectric material. A manufacturing process such as a process of forming a desired pattern by a multilayer film (lift-off process) is complicated. Therefore, there is a problem that it takes a long time to manufacture and the delivery time cannot be shortened, and the manufacturing cost cannot be reduced. By the way, if a laser beam having a high energy density is used, the dielectric film can be directly processed and a desired pattern can be formed. However, since the dielectric film reflects laser light, there is a problem that it is not efficient to directly process the dielectric film with laser light.
【０００５】そこで、本発明の目的は、製造期間を短縮
できると共に、製造コストを低減できるレーザー加工用
誘電体マスクの製造方法を提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a dielectric mask for laser processing, which can shorten the manufacturing period and reduce the manufacturing cost.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次の構成を備える。すなわち、本発明は、
基板の表面に、屈折率の異なる誘電体膜を交互に積層し
て誘電体多層膜を形成し、該誘電体多層膜の表面に、金
属薄膜を形成し、該金属薄膜の所要の部位にレーザー光
を照射することで、レーザー光が照射された部位の金属
薄膜とその下層の誘電体多層膜とを除去して前記金属薄
膜及び前記誘電体多層膜を所望のマスクパターンに形成
した後、前記誘電体多層膜の表面の金属薄膜をエッチン
グによって除去することを特徴とする。The present invention has the following arrangement to achieve the above object. That is, the present invention
Dielectric films having different refractive indices are alternately laminated on the surface of the substrate to form a dielectric multilayer film, a metal thin film is formed on the surface of the dielectric multilayer film, and a laser is applied to a required portion of the metal thin film. By irradiating the light, after forming the metal thin film and the dielectric multilayer film in a desired mask pattern by removing the metal thin film of the portion irradiated with the laser light and the underlying dielectric multilayer film, The metal thin film on the surface of the dielectric multilayer film is removed by etching.
【０００７】また、前記基板は、合成石英を光学研磨し
て形成されたことで、紫外線の波長域のレーザーに好適
に対応できる。Further, since the substrate is formed by optically polishing synthetic quartz, it can suitably cope with a laser in a wavelength region of ultraviolet rays.
【０００８】また、前記誘電体多層膜は、二酸化ケイ素
の膜と二酸化ハフニウムの膜とを交互に積層して形成さ
れることで、紫外線の波長域のレーザーを好適に反射す
るレーザー加工用誘電体マスクを提供できる。The dielectric multilayer film is formed by alternately laminating a silicon dioxide film and a hafnium dioxide film, so that the dielectric material for laser processing preferably reflects a laser in an ultraviolet wavelength region. A mask can be provided.
【０００９】また、前記金属薄膜が鉄から成ることで、
レーザー光を効率良く吸収することができ、前記金属薄
膜及び前記誘電体多層膜を所望のパターン形状に対応さ
せて効率良く除去できる。Further, the metal thin film is made of iron,
Laser light can be efficiently absorbed, and the metal thin film and the dielectric multilayer film can be efficiently removed according to a desired pattern shape.
【００１０】また、前記誘電体膜及び／又は前記金属薄
膜が、真空蒸着法、或いはスパッタリング法によって形
成されることで、従来の膜の形成方法を利用でき、従来
の製造設備で誘電体マスクを容易に製造できる。Further, since the dielectric film and / or the metal thin film is formed by a vacuum evaporation method or a sputtering method, a conventional film forming method can be used, and a dielectric mask can be formed by a conventional manufacturing facility. Can be easily manufactured.
【００１１】また、前記レーザー光は、レンズによって
細く絞られたレーザービームであり、該レーザービーム
を走査することで、微細なパターンの加工を容易に行う
ことができる。The laser beam is a laser beam narrowed down by a lens, and a fine pattern can be easily processed by scanning the laser beam.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる好適な実施
の形態例を添付図面と共に詳細に説明する。図１は本発
明によるレーザー加工用誘電体マスクの製造方法の一例
を示す断面図である。先ず、基板である合成石英板１０
に、誘電体膜を、真空蒸着法などのＰＶＤ法、或いはス
パッタリングなどのＣＶＤ法によって、屈折率の異なる
誘電体膜を交互に積層し、これによって誘電体多層膜２
０を形成する（図１（ｂ））。具体的な実施例は後述す
る。次に、誘電体多層膜２０の上に、真空蒸着法、或い
はＣＶＤ法によって、金属薄膜３０を形成する（図１
（ｃ））。次に、金属薄膜３０へ部分的にレーザー光
（エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー等）を照射するこ
とで、所要の部位の誘電体多層膜２０を除去する。金属
薄膜３０は、レーザー光を吸収し、そのレーザー光が照
射された部分が発熱（加熱）する。そして、その金属薄
膜３０加熱された部分の下層に位置する誘電体多層膜２
０も加熱される。誘電体膜は、熱に弱く、発熱した金属
薄膜３０の部位に対応する部分が破壊されて、その金属
薄膜３０の部位と共に除去される（図１（ｄ））。これ
により、金属薄膜３０及び誘電体多層膜２０を所望のマ
スクパターンに形成できる。なお、レーザー光を細く絞
って、所望のパターン形状に対応させて走査（スキャ
ン）することで、微細なパターン加工を好適且つ容易に
行うことができる。そして、多層誘電体膜２０の表面に
形成されている金属薄膜３０をエッチングして完全に除
去する（図１（ｅ））ことで、レーザー加工用誘電体マ
スクが完成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an example of a method for manufacturing a dielectric mask for laser processing according to the present invention. First, a synthetic quartz plate 10 as a substrate
Next, dielectric films having different refractive indices are alternately laminated by a PVD method such as a vacuum evaporation method or a CVD method such as sputtering, thereby forming a dielectric multilayer film 2.
0 is formed (FIG. 1B). Specific examples will be described later. Next, a metal thin film 30 is formed on the dielectric multilayer film 20 by a vacuum evaporation method or a CVD method.
(C)). Next, the metal thin film 30 is partially irradiated with a laser beam (excimer laser, YAG laser, or the like) to remove the dielectric multilayer film 20 at a desired portion. The metal thin film 30 absorbs a laser beam, and the portion irradiated with the laser beam generates heat (heats). Then, the dielectric multilayer film 2 located under the heated portion of the metal thin film 30
0 is also heated. The dielectric film is weak to heat, and the portion corresponding to the portion of the metal thin film 30 that has generated heat is destroyed, and is removed together with the portion of the metal thin film 30 (FIG. 1D). Thereby, the metal thin film 30 and the dielectric multilayer film 20 can be formed in a desired mask pattern. The laser beam is narrowed down and scanning is performed in accordance with a desired pattern shape, so that fine pattern processing can be suitably and easily performed. Then, the metal thin film 30 formed on the surface of the multilayer dielectric film 20 is completely removed by etching (FIG. 1E), thereby completing the laser processing dielectric mask.
【００１３】[0013]
【実施例】次に、レーザー加工用誘電体マスクの製造方
法にかかる好適な実施例を、図１に基づいて詳細に説明
する。先ず、基板、例えば、板厚５ｍｍ、大きさ４〜６
インチの合成石英板１０を用意する（図１（ａ））。こ
の合成石英板１０の板上に誘電体多層膜２０を形成する
（図１（ｂ））。本実施例では、誘電体膜である二酸化
ケイ素（ＳｉＯ2 ）と二酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）の
膜層を交互に複数層積層する。各膜層の厚さは、数百Å
程度であり、その膜層を２０〜５０層に積層する。従っ
て、全体の膜厚は１〜３μｍ程度になる。誘電体膜を形
成するには、真空蒸着や、スパッタリング法等を利用で
きる。Next, a preferred embodiment of a method of manufacturing a dielectric mask for laser processing will be described in detail with reference to FIG. First, a substrate, for example, a plate thickness of 5 mm and a size of 4 to 6
An inch synthetic quartz plate 10 is prepared (FIG. 1A). A dielectric multilayer film 20 is formed on the synthetic quartz plate 10 (FIG. 1B). In this embodiment, a plurality of film layers of silicon dioxide (SiO 2 ) and hafnium dioxide (HfO 2 ), which are dielectric films, are alternately laminated. The thickness of each film layer is several hundred square meters.
And the film layers are laminated into 20 to 50 layers. Therefore, the overall film thickness is about 1 to 3 μm. In order to form a dielectric film, vacuum deposition, sputtering, or the like can be used.
【００１４】なお、誘電体多層膜２０は、原理的に、高
屈折率誘電体膜と低屈折率誘電体膜とを、光学的膜厚が
レーザー波長の１／４になる厚さで交互に積層すること
で形成できる。従って、反射させるレーザー光の波長、
或いは必要な反射率によって、誘電体多層膜２０の層
数、高屈折率材と低屈折率材の組み合せは選択的に設定
され、全体の膜厚は、一般的には、紫外線域のレーザー
光において０．５μｍ〜３μｍ程度になる。また、この
誘電体材料としては、紫外線域の波長域で透過性の性質
を持つものに限られ、一般に弗化物（例えば、ＬｉＦ、
ＮａＦ、ＭｇＦ2 ）や、酸化物（例えば、ＳｉＯ2 、Ｈ
ｆＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 ）が用いられる。このよ
うに形成された誘電体多層膜２０は、レーザー光を反射
させる干渉フィルタとして好適に作用し、レーザー耐圧
が非常に高く、レーザー加工膜として非常に有効に用い
ることができる。In principle, the dielectric multilayer film 20 is composed of a high-refractive-index dielectric film and a low-refractive-index dielectric film alternately having an optical thickness of に な る of the laser wavelength. It can be formed by stacking. Therefore, the wavelength of the reflected laser light,
Alternatively, the number of layers of the dielectric multilayer film 20 and the combination of the high-refractive-index material and the low-refractive-index material are selectively set depending on the required reflectivity. Is about 0.5 μm to 3 μm. The dielectric material is limited to a material having a property of transmitting light in a wavelength region of an ultraviolet region, and is generally a fluoride (for example, LiF,
NaF, MgF 2 ), oxides (eg, SiO 2 , H
fO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 ) are used. The dielectric multilayer film 20 thus formed suitably acts as an interference filter for reflecting laser light, has a very high laser breakdown voltage, and can be used very effectively as a laser processed film.
【００１５】次に、金属薄膜３０を形成する（図１
（ｃ））。例えば、鉄（Ｆｅ）の薄膜を蒸着法またはス
パッタリング法で０．５〜１μｍの厚さに形成する。鉄
は、エキシマレーザー光を吸収し易く、そのエキシマレ
ーザー光によって加熱され易い。なお、レーザー光（エ
キシマレーザー、ＹＡＧレーザー等）を吸収する性質の
ものであれば、金属の材質は、特に限定されない。例え
ば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、
モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等を選択的
に利用できる。Next, a metal thin film 30 is formed (FIG. 1).
(C)). For example, a thin film of iron (Fe) is formed to a thickness of 0.5 to 1 μm by a vapor deposition method or a sputtering method. Iron easily absorbs excimer laser light and is easily heated by the excimer laser light. Note that the material of the metal is not particularly limited as long as it has a property of absorbing laser light (excimer laser, YAG laser, or the like). For example, copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr),
Molybdenum (Mo), aluminum (Al), or the like can be selectively used.
【００１６】次に、レーザー光を細く絞り、そのレーザ
ービームをスキャンすることによってパターン加工する
（図１（ｄ））。金属薄膜と誘電体膜（多層）が、アブ
レーションによって除去される。例えば、金属薄膜３０
と誘電体多層膜２０とからなる膜層に、直径３０μｍ程
度の孔を形成するには、図２に示すようにレーザー光３
２をレンズ３４で直径１〜１０μｍに絞り、そのレーザ
ービーム３６を図３に示すように一筆書きのようにをス
キャンすればよい。レーザービーム３６を発生させるレ
ーザー光としては、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーの３倍波（３
５５ｎｍ）、または４倍波（２６６ｎｍ）等の紫外線域
のレーザー光を好適に利用できる。なお、エネルギー密
度は、種々の条件によるが、１Ｊ／ｃｍ2 以上程度でよ
い。誘電体多層膜２０が金属薄膜３０と共に除去される
のは、金属薄膜３０がレーザー光を吸収して、熱を発生
し、その熱によって誘電体膜にダメージを与えるためで
ある。通常、金属薄膜３０がないと、誘電体多層膜２０
は、レーザー光の反射率が高いため、１Ｊ／ｃｍ2 程度
のエネルギーではダメージを受けない。Next, the laser beam is narrowed down, and the laser beam is scanned to perform pattern processing (FIG. 1D). The metal thin film and the dielectric film (multilayer) are removed by ablation. For example, the metal thin film 30
In order to form a hole having a diameter of about 30 μm in a film layer composed of
2 may be narrowed down to a diameter of 1 to 10 μm by a lens 34, and the laser beam 36 may be scanned like a single stroke as shown in FIG. The laser beam for generating the laser beam 36 is a third harmonic (3rd harmonic) of an Nd-YAG laser.
Laser light in the ultraviolet region such as 55 nm) or the fourth harmonic (266 nm) can be suitably used. The energy density depends on various conditions, but may be about 1 J / cm 2 or more. The reason why the dielectric multilayer film 20 is removed together with the metal thin film 30 is that the metal thin film 30 absorbs laser light to generate heat, and the heat damages the dielectric film. Usually, without the metal thin film 30, the dielectric multilayer film 20
Is not damaged by energy of about 1 J / cm 2 because of high reflectance of laser light.
【００１７】そして、金属薄膜３０をエッチングして完
全に金属を除去することで、レーザー加工用誘電体マス
クが完成する。エッチング液としては、塩化第２鉄の水
溶液や、過硫酸アンモニウム水溶液（１０％）を用いる
ことができる。Then, by etching the metal thin film 30 to completely remove the metal, a dielectric mask for laser processing is completed. As the etching solution, an aqueous solution of ferric chloride or an aqueous solution of ammonium persulfate (10%) can be used.
【００１８】本発明によれば、誘電体多層膜２０上に、
レーザー光を吸収する金属薄膜３０を形成し、レーザー
光を照射された金属薄膜３０が加熱されることを利用
し、所望の誘電体多層膜２０のマスクパターン２０ａを
得ることができる。このため、リフトオフ法におけるよ
うなフォトレジストの露光工程で使用されるフォトレジ
スト用のマスクを必要としない。従って、そのようなフ
ォトレジスト用のマスクを作製する工程も必要としな
い。また、金属膜のパターンを形成する際の化学エッチ
ング、及び化学エッチングによるリフトオフ工程も必要
ない。このため、製造工程が複雑化せず、製造期間を短
縮でき、コストを低減できる。また、上記のようにウェ
ット工程を省くことができ、レーザー光によるドライ工
程でマスクパターン２０ａを得ることができるから簡単
な装置で対応でき、その保守管理も容易にできる。According to the present invention, on the dielectric multilayer film 20,
By forming the metal thin film 30 that absorbs the laser light and heating the metal thin film 30 irradiated with the laser light, a desired mask pattern 20a of the dielectric multilayer film 20 can be obtained. Therefore, there is no need for a photoresist mask used in the photoresist exposure step as in the lift-off method. Therefore, there is no need for a step of fabricating such a photoresist mask. Also, there is no need for chemical etching for forming the pattern of the metal film and a lift-off step by chemical etching. Therefore, the manufacturing process is not complicated, the manufacturing period can be shortened, and the cost can be reduced. Further, as described above, the wet process can be omitted, and the mask pattern 20a can be obtained by the dry process using the laser beam.
【００１９】また、図２に示すように、レンズ３４によ
って細く絞られたレーザー光のレーザービーム３６を、
走査して金属薄膜３０へ照射し、それによって金属薄膜
３０及び誘電体多層膜２０を所望のパターン形状に対応
させてを除去することで、微細なマスクパターン２０ａ
の加工を容易に行うことができる。このレーザービーム
３６を走査する工程は、レーザービーム３６の走査を制
御する加工データを作成するだけで変更することが可能
である。従って、種類の異なるレーザー加工用誘電体マ
スクの製造に好適に対応できる。これに対し、従来のリ
フトオフ法では、異なるレーザー加工用誘電体マスクの
それぞれに対応して、フォトレジスト用のマスクを作製
することになり、時間がかかる。As shown in FIG. 2, a laser beam 36 of a laser beam narrowed down by a lens 34 is
By scanning and irradiating the metal thin film 30 to remove the metal thin film 30 and the dielectric multilayer film 20 in accordance with a desired pattern shape, the fine mask pattern 20a is formed.
Can be easily processed. The step of scanning the laser beam 36 can be changed only by creating processing data for controlling the scanning of the laser beam 36. Accordingly, it is possible to suitably cope with the manufacture of different types of laser processing dielectric masks. On the other hand, in the conventional lift-off method, a photoresist mask is produced for each of the different dielectric masks for laser processing, which takes time.
【００２０】なお、レーザービーム３６は、金属薄膜３
０に対して相対的に走査すればよい。図２の実施例で
は、レーザービーム３６が固定され、ワークが載せられ
たステージ３８が数値制御によって移動するが、相対的
には金属薄膜３０に対してレーザービーム３６を走査す
る加工装置になっている。また、前記のようにレーザー
光３２をレンズ３４によって集光すれば、エネルギー密
度の低いレーザー光を用いて加工に必要なエネルギー密
度を得ることができる。従って、大型のレーザー装置を
要しない。以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明してきたが、本発明はこの実施例に限定されるも
のではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改
変を施し得るのは勿論のことである。The laser beam 36 is applied to the metal thin film 3.
What is necessary is just to scan relatively to 0. In the embodiment of FIG. 2, the laser beam 36 is fixed, and the stage 38 on which the work is placed moves by numerical control. However, the processing device relatively scans the metal thin film 30 with the laser beam 36. I have. Further, if the laser light 32 is condensed by the lens 34 as described above, it is possible to obtain the energy density necessary for processing using the laser light having a low energy density. Therefore, a large laser device is not required. As described above, the present invention has been described variously with reference to preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments, and it is needless to say that many modifications can be made without departing from the spirit of the invention. That is.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明によれば、基板の表面に形成した
誘電体多層膜の表面に金属薄膜を形成し、その金属薄膜
の所要の部位にレーザー光を照射して加熱することで、
その金属薄膜及びその下層の誘電体多層膜を除去でき、
これによってレーザー加工用誘電体マスクを好適に製造
することができる。従って、従来のリフトオフ法におけ
るような、フォトレジスト用のマスクを作製する工程及
びウェット工程が必要なく、製造期間を短縮できる。こ
れにより、レーザー加工用誘電体マスクにかかる製造コ
ストを低減でき、納期を短縮できるという著効を奏す
る。According to the present invention, a metal thin film is formed on the surface of a dielectric multilayer film formed on a surface of a substrate, and a desired portion of the metal thin film is irradiated with a laser beam and heated.
The metal thin film and the underlying dielectric multilayer film can be removed,
Thereby, a dielectric mask for laser processing can be suitably manufactured. Therefore, there is no need for a step of manufacturing a photoresist mask and a wet step as in the conventional lift-off method, and the manufacturing period can be shortened. As a result, the production cost of the dielectric mask for laser processing can be reduced, and the delivery time can be shortened.
【図１】本発明にかかる製造方法の一実施例を示す工程
図である。FIG. 1 is a process chart showing one embodiment of a manufacturing method according to the present invention.
【図２】本発明にかかるレーザービームの照射工程を説
明する説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating a laser beam irradiation step according to the present invention.
【図３】本発明にかかるレーザービームの走査方法を説
明する説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a laser beam scanning method according to the present invention.
【図４】背景技術を説明する説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a background art.
【図５】従来技術の製造方法の一実施例を示す工程図で
ある。FIG. 5 is a process chart showing one embodiment of a conventional manufacturing method.
１０ 合成石英板 ２０ 誘電体多層膜 ３０ 金属薄膜 ３２ レーザー光 ３４ レンズ ３６ レーザービーム Reference Signs List 10 synthetic quartz plate 20 dielectric multilayer film 30 metal thin film 32 laser beam 34 lens 36 laser beam
Claims (6)
を交互に積層して誘電体多層膜を形成し、 該誘電体多層膜の表面に、金属薄膜を形成し、 該金属薄膜の所要の部位にレーザー光を照射すること
で、レーザー光が照射された部位の金属薄膜とその下層
の誘電体多層膜とを除去して前記金属薄膜及び前記誘電
体多層膜を所望のマスクパターンに形成した後、 前記誘電体多層膜の表面の金属薄膜をエッチングによっ
て除去することを特徴とするレーザー加工用誘電体マス
クの製造方法。1. A dielectric multi-layer film is formed by alternately stacking dielectric films having different refractive indexes on a surface of a substrate, a metal thin film is formed on the surface of the dielectric multi-layer film, By irradiating a laser beam to a required portion, the metal thin film of the portion irradiated with the laser beam and the dielectric multilayer film thereunder are removed to form the metal thin film and the dielectric multilayer film into a desired mask pattern. A method of manufacturing a dielectric mask for laser processing, comprising, after forming, removing a metal thin film on a surface of the dielectric multilayer film by etching.
成されたことを特徴とする請求項１記載のレーザー加工
用誘電体マスクの製造方法。2. The method of claim 1, wherein the substrate is formed by optically polishing synthetic quartz.
と二酸化ハフニウムの膜とを交互に積層して形成される
ことを特徴とする請求項１記載のレーザー加工用誘電体
マスクの製造方法。3. The method according to claim 1, wherein the dielectric multilayer film is formed by alternately laminating a silicon dioxide film and a hafnium dioxide film. .
する請求項１記載のレーザー加工用誘電体マスクの製造
方法。4. The method for manufacturing a dielectric mask for laser processing according to claim 1, wherein said metal thin film is made of iron.
が、真空蒸着法、或いはスパッタリング法によって形成
されることを特徴とする請求項１、３または４記載のレ
ーザー加工用誘電体マスクの製造方法。5. The method of manufacturing a dielectric mask for laser processing according to claim 1, wherein the dielectric film and / or the metal thin film is formed by a vacuum deposition method or a sputtering method. Method.
絞られたレーザービームであり、該レーザービームを走
査することを特徴とする請求項１記載のレーザー加工用
誘電体マスクの製造方法。6. The method for manufacturing a dielectric mask for laser processing according to claim 1, wherein the laser beam is a laser beam narrowed down by a lens, and the laser beam is scanned.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069805A JPH10263871A (en) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Manufacture of dielectric mask for laser machining |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP9069805A JPH10263871A (en) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Manufacture of dielectric mask for laser machining |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10263871A true JPH10263871A (en) | 1998-10-06 |
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ID=13413343
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|---|---|---|---|
| JP9069805A Pending JPH10263871A (en) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Manufacture of dielectric mask for laser machining |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10263871A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2006129126A2 (en) | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Plastic Logic Limited | Layer-selective laser ablation patterning |
| EP2463928A2 (en) | 2005-06-01 | 2012-06-13 | Plastic Logic Limited | Layer-selective laser ablation patterning |
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| JP2020134577A (en) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 大日本印刷株式会社 | Photomask for laser exposure and photomask blanks |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP9069805A patent/JPH10263871A/en active Pending
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