JPS62272711A - Photoelasticity displacement transducer - Google Patents

Photoelasticity displacement transducer

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JPS62272711A
JPS62272711A JP11466286A JP11466286A JPS62272711A JP S62272711 A JPS62272711 A JP S62272711A JP 11466286 A JP11466286 A JP 11466286A JP 11466286 A JP11466286 A JP 11466286A JP S62272711 A JPS62272711 A JP S62272711A
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JP
Japan
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elastic displacement
piezoelectric
piezoelectric medium
medium
semiconductor layer
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Application number
JP11466286A
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Japanese (ja)
Inventor
Takehiko Uno
宇野 武彦
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

PURPOSE:To convert an optical signal into an elastic displacement effectively with simple constitution by mounting both converting functions of the photoelectric conversion and electroacoustic conversion on one and same element. CONSTITUTION:A semiconductor layer 2 is formed while being adhered to a piezoelectric medium 1. The semiconductor layer 2 is formed so as to have the photovolatic effect by means of the pn junction. In receiving an incident light 6, the upper/lower face of the semiconductor layer 2 has a potential difference. since the upper face of the semiconductor layer 2 is connected electrically to an electrode 6 adhered to the lower face of the piezoelectric medium through a transparent electrode 3 and a lead wire 5, the voltage produced between the upper/lower faces of the semiconductor layer 2 is applied to the upper/lower face of the piezoelectric medium 1 and converted into the elastic displacement through the piezoelectric medium and the thickness of the medium 1 is changed slightly. That is, the incident light 6 is converted into the elastic displacement.

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 (発明の技術分野) 本発明は光信号を弾性変位に変換する機能を有する変換
器に関するものである。
Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention (Technical Field of the Invention) The present invention relates to a converter having the function of converting an optical signal into elastic displacement.

(従来技術とその問題点) 各種電子機器においては、ある種の信号を別の種類の信
号に変換する機能を果たす素子即ち変換素子が多用され
ている。例えば、電気信号を弾性波動に変換する圧電ト
ランスジューサ、あるいは光信号を電気信号に変換する
フォトダイオードなどはその代表例である。
(Prior Art and its Problems) In various electronic devices, elements that function to convert one type of signal into another type of signal, that is, conversion elements, are often used. Typical examples include piezoelectric transducers that convert electrical signals into elastic waves, and photodiodes that convert optical signals into electrical signals.

これら各種の変換素子の進歩・発展にもかかわらず、光
信号を弾性変位に変換する効果的な素子は実現されてお
らず、その開発が待たれていた。
Despite the progress and development of these various conversion elements, an effective element for converting optical signals into elastic displacement has not been realized, and its development has been awaited.

(発明の目的) 本発明は光−電気変換および電気−音響変換の両変換機
能を同一素子上に搭載することにより、簡単な構成で光
信号を効果的に弾性変位に変換することのできる光−弾
性変位変換器を提供するものである。
(Objective of the Invention) The present invention provides an optical system that can effectively convert an optical signal into elastic displacement with a simple configuration by mounting both optical-electrical conversion and electro-acoustic conversion functions on the same element. - provides an elastic displacement transducer;

(発明の構成〉 本発明は半導体光起電力素子を圧電媒質に被着して形成
し、前記光起電力素子に光を照射して得られた電圧を前
記圧電媒質に印加することにより、弾性変位に変換する
ことを構成上の第一の特徴とするもので、これにより、
極めて小形の光−弾性変位変換素子が実現される。この
特徴に加え本発明の変換素子では圧電フィルタを素子上
に同時に形成できるという特徴があり、このため、パル
ス状の入力光を照射した場合前記圧電フィルタの通過周
波数に対応した繰返し周期をもつ光パルス系列のみを電
気信号として取り出すという、光−電気変換機能とフィ
ルタ機能とを併せ備えることも可能である。
(Structure of the Invention) The present invention forms a semiconductor photovoltaic element by adhering it to a piezoelectric medium, and applies a voltage obtained by irradiating the photovoltaic element with light to the piezoelectric medium. The first feature of the configuration is that it converts into displacement, and as a result,
An extremely small photo-elastic displacement conversion element is realized. In addition to this feature, the conversion element of the present invention has the feature that a piezoelectric filter can be formed on the element at the same time, so that when pulsed input light is irradiated, a light beam with a repetition period corresponding to the passing frequency of the piezoelectric filter is generated. It is also possible to have both an optical-to-electrical conversion function and a filter function, in which only the pulse sequence is extracted as an electrical signal.

(実施例) 第1図は本発明の第一の実施例を説明する図であり、1
は圧電媒質、2は半導体層、3は透明電極、4は電極、
5は透明電極3と電極4とを電気的に接続するリード線
、6は入射光である。この実施例において、半導体層2
はpn接合などの方法で光起電力効果を有するように形
成しておき、具体的には例えば第2図の如き構成とする
。第2図において、21.22及び23はアモルファス
シリコン薄膜で、それぞれp層、i層およびn層とする
(Example) FIG. 1 is a diagram illustrating a first example of the present invention.
is a piezoelectric medium, 2 is a semiconductor layer, 3 is a transparent electrode, 4 is an electrode,
5 is a lead wire that electrically connects the transparent electrode 3 and the electrode 4, and 6 is incident light. In this embodiment, the semiconductor layer 2
is formed so as to have a photovoltaic effect by a method such as a pn junction, and specifically, the structure is as shown in FIG. 2, for example. In FIG. 2, 21, 22, and 23 are amorphous silicon thin films, which are designated as a p layer, an i layer, and an n layer, respectively.

入射光6が透明電極を通して半導体層2に照射されると
、光起電力効果によりp層21とn層23の間に電位差
が生ずる。同様にして第1図において入射光6が照射さ
れると、半導体層2の上下面に電位差が生じることとな
る。半導体層2の上面は、透明電極3およびリード線5
を通して圧電媒質の下面に付着された電極6に電気的に
接続されているから、半導体層2の上下面に生じた電圧
は圧電媒質1の上下面に印加され、さらに圧電性を通じ
て弾性変位に変換され、圧電媒質1はその厚さが極く僅
か変わる。即ち、入射光6は弾性変位に変換されること
になる。入射光6の強度が一定の場合には変位量も一定
値となり、入射光6の強度が変わればその強度に応じて
変位量も変化する。このような変換機能により、本実施
例の素子は光によって位置を微細に制御するためのアク
チュエータ素子あるいは光から直接音響に変換するスピ
ーカとして利用することができる。
When the semiconductor layer 2 is irradiated with the incident light 6 through the transparent electrode, a potential difference is generated between the p layer 21 and the n layer 23 due to the photovoltaic effect. Similarly, when the incident light 6 is irradiated in FIG. 1, a potential difference is generated between the upper and lower surfaces of the semiconductor layer 2. The upper surface of the semiconductor layer 2 includes a transparent electrode 3 and a lead wire 5.
The voltage generated on the upper and lower surfaces of the semiconductor layer 2 is applied to the upper and lower surfaces of the piezoelectric medium 1, and is further converted into elastic displacement through piezoelectricity. The piezoelectric medium 1 changes its thickness very slightly. That is, the incident light 6 is converted into elastic displacement. If the intensity of the incident light 6 is constant, the amount of displacement will also be a constant value, and if the intensity of the incident light 6 changes, the amount of displacement will also change according to the intensity. With such a conversion function, the element of this embodiment can be used as an actuator element for finely controlling the position using light or as a speaker for directly converting light into sound.

ここで、第1図の実施例の素子では、弾性波についてみ
ると、圧電共振子を形成し得ることば明白である。弾性
変位量は前述の如く入射光強度に応じて変化するので、
周期的に強度変調を受けた入射光に対しては周期的な弾
性歪が生じる。このため入射光の変調周波数fMが圧電
共振周波数frに一致していると、強い弾性共振が起き
るので、この事実を利用してフィルタ作用を併せもたせ
ることが可能となる。
Here, when considering elastic waves, it is clear that the element of the embodiment shown in FIG. 1 can form a piezoelectric resonator. As mentioned above, the amount of elastic displacement changes depending on the intensity of the incident light, so
Periodic elastic strain occurs in incident light that is periodically intensity-modulated. Therefore, if the modulation frequency fM of the incident light matches the piezoelectric resonance frequency fr, strong elastic resonance will occur, and this fact can be utilized to provide a filtering effect as well.

第3図fatばその実施例である。この実施例では、一
枚の圧電板上に第1図と同一構成の光−弾性波変換手段
と、それに隣接して電極4L 42より成る圧電共振子
を構成し、さらに電極41および42に電気的に接続さ
れた出力端子51および52を設ける。
FIG. 3 shows an example of this. In this embodiment, a piezoelectric resonator consisting of a light-acoustic wave conversion means having the same configuration as that shown in FIG. Output terminals 51 and 52 are provided which are connected to each other.

このような構成では、弾性波についてみると、いわゆる
モノリシック・クリスタル・フィルタ(MCF)が形成
されるから、該MCFの圧電板の厚さできまる通過周波
数に一致した周波数で強度変調された入射光に対応した
変換出力を電気的にとり出すことが可能である。
In such a configuration, in terms of elastic waves, a so-called monolithic crystal filter (MCF) is formed, so that the incident light is intensity-modulated at a frequency that matches the passing frequency determined by the thickness of the piezoelectric plate of the MCF. It is possible to electrically extract the conversion output corresponding to .

第3図fblおよび(C1は上述のフィルタ作用を説明
するだめの信号波形側図で、(blは入射光、tc+は
出内端子51.52に現れる電気出力である。入射光は
、周期T、を有するパルス符号列で“0”あるいは“1
″の符号に応じて第3図fblに示すように光パルスが
強度変調されているものとする。このような符号列は基
本周波数fH=1/TI4の周波数成分をもつので、こ
の周波数f、が前記MCFの通過周波数に一致すれば出
力端子51.52には第3図(C1に示すように周波数
f、の電気出力が得られる。
FIG. 3 fbl and (C1 are side views of signal waveforms for explaining the above-mentioned filter action, (bl is the incident light, and tc+ is the electric output appearing at the output and output terminals 51 and 52.The incident light has a period T “0” or “1” in a pulse code string having
It is assumed that the optical pulse is intensity-modulated as shown in FIG. If it matches the passing frequency of the MCF, an electrical output with a frequency f is obtained at the output terminals 51 and 52 as shown in FIG. 3 (C1).

前記MCFは有限のQ値をもつので、入射光符号列に“
0″が若干続いても連続した電気出力が得られる。従っ
て、第3図falの実施例の素子は光通信装置において
、タイミング抽出フィルタとして利用することも可能で
ある。
Since the MCF has a finite Q value, “
Even if 0'' continues for a while, a continuous electrical output can be obtained. Therefore, the element of the embodiment shown in FIG. 3 can also be used as a timing extraction filter in an optical communication device.

第4図は本発明の第3の実施例で、1aは圧電性媒質、
2は半導体層、3は透明電極、4aは電極、5はリード
線、6は入射光、7は石英などより成る弾性波伝ばん媒
体、8は入射光から変換された弾性波を表す。この実施
例においては、光起電力効果および圧電効果を通して変
換された弾性波は、伝ばん媒体7の中を伝ばんするから
、遅延素子として利用することが可能である。また、こ
のようにして生じた弾性波は、伝ばん媒体7の右端に圧
電変換子を設けて電気出力として取り出しても良いし、
あるいは伝ばん媒体7に光弾性効果の大きな材料を用い
てその伝ばん媒体7に別の光ビームを照射して、偏向さ
せることも可能である。
FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention, in which 1a is a piezoelectric medium;
2 is a semiconductor layer, 3 is a transparent electrode, 4a is an electrode, 5 is a lead wire, 6 is incident light, 7 is an elastic wave propagation medium made of quartz or the like, and 8 is an elastic wave converted from the incident light. In this embodiment, the elastic waves converted through the photovoltaic effect and the piezoelectric effect propagate through the propagation medium 7, so that they can be used as delay elements. Further, the elastic waves generated in this way may be extracted as electrical output by providing a piezoelectric transducer at the right end of the propagation medium 7, or
Alternatively, it is also possible to use a material with a large photoelastic effect for the propagation medium 7 and irradiate the propagation medium 7 with another light beam to deflect it.

なお、第1図、第3図、第4図のいずれの実施例におい
ても半導体層2の図示の上面から光を照射する形で説明
したが、半導体層2の図示の下面、即ち圧電媒質1,1
aの側から照射する構成も可能である。この場合、電極
4あるいは4aば透明電極とすれば良い。
In each of the embodiments shown in FIG. 1, FIG. 3, and FIG. ,1
A configuration in which the light is irradiated from the side a is also possible. In this case, the electrode 4 or 4a may be a transparent electrode.

また、圧電媒質1,1aとしてGaAsなどの圧電半導
体を用いれば半導体層2の構成は第2図に依らず、単層
の半導体層にて光起電力効果を与えることが可能なこと
は云うまでもない。
Furthermore, it goes without saying that if a piezoelectric semiconductor such as GaAs is used as the piezoelectric medium 1, 1a, the structure of the semiconductor layer 2 does not depend on that shown in FIG. 2, and it is possible to provide a photovoltaic effect with a single semiconductor layer. Nor.

本発明による光−弾性波変換素子は、バルク弾性波への
変換に限らず表面弾性波を発生させることも可能である
。第5図はその実施例を示す図で、10は圧電媒質、2
0は半導体層、30は透明電極、40は電極、50は各
電極を結ぶリード線、60は入射光、80は変換された
表面弾性波である。この実施例においては、光起電力効
果を有する半導体・透明電極層と電極層とが圧電媒質上
に交互に配置されており、その配列周期をLとする。第
1図の実施例で説明した如く、入射光60を照射するす
ることにより各半導体層20の上下面には光起電力効果
により電位差が生じるが、半導体層の上面に付着した透
明電極30は電極40に接続されているから、圧電媒質
10の表面付近には図中矢印を付した曲線で示すような
電界が印加されるから、圧電媒質表面に周期的な弾性歪
が現れる。即ち、第5図の構成は表面弾性波励振用の交
差指電極トランスジューサ(IDT)と同一の効果をも
有することとなり、その両側に表面弾性波80が送波さ
れる。IDTにおいては一般に電極周期りと圧電媒質の
表面弾性波伝ばん速度V、で決まる周波数f 3−V 
3 / Lに対して弾性波への変換効率が最大となる。
The light-acoustic wave conversion element according to the present invention is capable of generating not only bulk acoustic waves but also surface acoustic waves. FIG. 5 is a diagram showing an example thereof, in which 10 is a piezoelectric medium, 2 is a piezoelectric medium;
0 is a semiconductor layer, 30 is a transparent electrode, 40 is an electrode, 50 is a lead wire connecting each electrode, 60 is incident light, and 80 is a converted surface acoustic wave. In this embodiment, semiconductor/transparent electrode layers and electrode layers having a photovoltaic effect are alternately arranged on a piezoelectric medium, and the arrangement period is L. As explained in the embodiment of FIG. 1, by irradiating the incident light 60, a potential difference is generated between the upper and lower surfaces of each semiconductor layer 20 due to the photovoltaic effect, but the transparent electrode 30 attached to the upper surface of the semiconductor layer Since it is connected to the electrode 40, an electric field as shown by the arrowed curve in the figure is applied near the surface of the piezoelectric medium 10, so that periodic elastic strain appears on the surface of the piezoelectric medium. That is, the configuration shown in FIG. 5 also has the same effect as an interdigital electrode transducer (IDT) for surface acoustic wave excitation, and surface acoustic waves 80 are transmitted to both sides of the interdigital electrode transducer (IDT). In IDT, the frequency f3-V is generally determined by the electrode period and the surface acoustic wave propagation speed V of the piezoelectric medium.
The conversion efficiency to elastic waves is maximum for 3/L.

従って、第5図の構成においても、入射光60が強度変
調を受けている場合、その変調周波数f、が前記の周波
数f、に一致しているとき、最も効率良く表面弾性波8
0に変換される。
Therefore, even in the configuration shown in FIG. 5, when the incident light 60 is intensity-modulated, the surface acoustic wave 8 is most efficient when the modulation frequency f matches the above-mentioned frequency f.
Converted to 0.

表面弾性波に変換する構造においても、第6図に示すよ
うに第5図に示す実施例の変換素子の左右いずれか片側
、あるいは両側に受波用のIDTを設ければ、第3図の
実施例について説明したのと同様にしてフィルタ作用を
付与できることは勿論である。なお、第6図の実施例に
おいて、40aは電極であり、51a、52aは出力端
子である。
In the structure for converting into surface acoustic waves, as shown in FIG. 6, if an IDT for wave reception is provided on either the left or right side of the conversion element of the embodiment shown in FIG. 5, or on both sides, the structure shown in FIG. Of course, a filtering effect can be provided in the same manner as described in the embodiment. In the embodiment shown in FIG. 6, 40a is an electrode, and 51a and 52a are output terminals.

(発明の効果) 以上説明したように、本発明による光−弾性変位変換器
は簡単な構成で光入力を弾性変位に変換できるから、光
によって制御可能なアクチュエータ素子あるいはスピー
カとして利用することができる。さらに、強度変調を受
けた入射光に対しては、その変調周波数におけるフィル
タ作用をし併せ持たせることも容易であるから、光通信
装置等の各種電子機器において信号処理用部品として利
用することが可能である。
(Effects of the Invention) As explained above, since the light-elastic displacement converter according to the present invention can convert optical input into elastic displacement with a simple configuration, it can be used as an actuator element or a speaker that can be controlled by light. . Furthermore, since it is easy to filter the intensity-modulated incident light at its modulation frequency, it can be used as a signal processing component in various electronic devices such as optical communication devices. It is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は第1
図の実施例における光起電力素子部分の一構成例を示す
断面図、第3図1a) (bl (C1はフィルタ機能
をも兼ね備えた本発明の実施例を示す断面図及び波形側
図、第4図は遅延特性を兼ね備えた本発明の実施例を示
す断面図、第5図及び第6図は表面弾性波励振のための
本発明の実施例を示す断面図である。 It la、 10・・・圧電媒体、 2.20・・・
半導体層、3.30・・・透明電極、 4.4a、 4
0.40a、 41゜42・・・電極、 5.50・・
・リード線、51、52.51a、 52a・・・出力
端子、 6.60・・・入射光、 7・・・弾性波伝ば
ん媒体、 8・・・弾性波、80・・・表面弾性波、 
21・・・アモルファス99179層、22・・・アモ
ルファス99171層、23・・・アモルファスシリコ
ンn層。
FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the present invention, and FIG.
A sectional view showing an example of the configuration of the photovoltaic element part in the embodiment shown in the figure, FIG. FIG. 4 is a sectional view showing an embodiment of the present invention having delay characteristics, and FIGS. 5 and 6 are sectional views showing an embodiment of the present invention for surface acoustic wave excitation.・Piezoelectric medium, 2.20...
Semiconductor layer, 3.30...Transparent electrode, 4.4a, 4
0.40a, 41°42...electrode, 5.50...
・Lead wire, 51, 52.51a, 52a... Output terminal, 6.60... Incident light, 7... Elastic wave propagation medium, 8... Elastic wave, 80... Surface acoustic wave ,
21... Amorphous 99179 layer, 22... Amorphous 99171 layer, 23... Amorphous silicon n layer.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)圧電性媒質上に、光起電力素子と、入射光により
前記光起電力素子の両面に生じた電位差を前記圧電性媒
質に印加せしめるための電極とを備えたことを特徴とす
る光・弾性変位変換器。
(1) A light comprising, on a piezoelectric medium, a photovoltaic element and an electrode for applying a potential difference generated on both sides of the photovoltaic element by incident light to the piezoelectric medium.・Elastic displacement transducer.
(2)前記光起電力素子が半導体層からなることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の光−弾性変位変換器
(2) The photo-elastic displacement converter according to claim 1, wherein the photovoltaic element is made of a semiconductor layer.
(3)前記圧電性媒質上に、該光起電力素子と該電極と
が複数個一定の間隔において交互に交差指状と配列され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光
−弾性変位変換器。
(3) A plurality of the photovoltaic elements and the electrodes are alternately arranged in an interdigital pattern at regular intervals on the piezoelectric medium. Optical-elastic displacement converter.
(4)圧電性媒質上に、光起電力素子と、入射光により
前記光起電力素子の両面に生じた電位差を前記圧電性媒
質に印加せしめるための電極とを有する光−弾性変位変
換手段を備えるとともに、前記圧電性媒質上に、前記光
−弾性変位変換手段により励振された弾性波と結合する
圧電共振子をさらに具備することを特徴とする光−弾性
変位変換器。
(4) A photo-elastic displacement conversion means having a photovoltaic element and an electrode for applying a potential difference generated on both sides of the photovoltaic element by incident light to the piezoelectric medium on a piezoelectric medium. A light-elastic displacement converter further comprising: a piezoelectric resonator on the piezoelectric medium that couples with the elastic wave excited by the light-elastic displacement converting means.
(5)圧電性媒質上に、複数個の光起電力素子と、入射
光により前記光起電力素子の両面に生じた電位差を前記
圧電性媒質に印加せしめるための複数個の電極とが一定
の間隔をおいて交互に交差指状に配列される光−弾性変
位変換手段を具備し、前記圧電性媒質上にはさらに、前
記光−弾性変位変換手段により送波された表面弾性波を
受波するための表面弾性波トランスジューサを具備する
ことを特徴とする光−弾性変位変換器。
(5) A plurality of photovoltaic elements and a plurality of electrodes for applying a potential difference generated on both sides of the photovoltaic element by incident light to the piezoelectric medium are arranged on a piezoelectric medium at a constant rate. The piezoelectric medium further includes optical-elastic displacement converting means arranged in an interdigital pattern at intervals, and further receives surface acoustic waves transmitted by the optical-elastic displacement converting means. 1. A light-elastic displacement converter comprising a surface acoustic wave transducer for
JP11466286A 1986-05-21 1986-05-21 Photoelasticity displacement transducer Pending JPS62272711A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056929A (en) * 2008-08-28 2010-03-11 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric component

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010056929A (en) * 2008-08-28 2010-03-11 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric component

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