JPS62272542A - ウエツトエツチング装置 - Google Patents

ウエツトエツチング装置

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JPS62272542A
JPS62272542A JP11593086A JP11593086A JPS62272542A JP S62272542 A JPS62272542 A JP S62272542A JP 11593086 A JP11593086 A JP 11593086A JP 11593086 A JP11593086 A JP 11593086A JP S62272542 A JPS62272542 A JP S62272542A
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etching
chamber
temperature
constant temperature
control means
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Toshitaka Takei
武居 俊孝
Tsuneo Fujii
藤井 恒男
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Daikin Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 (産業上の利用分野) 本発明はウェットエツチング装置、詳しくはレジスト現
像装置が施された後の半導体ウエノ1、半導体マスク、
光ディスク等の被エツチング体におけるレジスト保護膜
以外の部分、例えば酸化膜や金属膜等のエツチングを行
なうウェットエツチング装置に関する。
(従来の技術) 従来、この種のウェットエツチング装置としては、昭和
58年12月10日、(株)オーム社発行rLsIプロ
セス工学」4章5節エツチング技術に記載の如くのもの
、すなわち、エツチング液を封入した容器内に被エツチ
ング体を浸漬せしめてエツチングを行なう所謂浸漬法に
よるものが広く用いられていた。
ところが、上記浸漬法のものでは、前記被エツチング体
を前記エツチング液に浸漬せしめるに際しては、前記エ
ツチング体の端部から順に前記エツチング液に浸漬せし
めること\なるのであるから、最先にエツチング液と接
触する部分と、後にエツチング液と接触する部分とでは
エノチングの程度が異なってしまうという問題が生じる
のであるし、また、エツチング処理に伴なってサイドエ
ツチング或いはアンダーカットと呼ばれるレジスト保護
膜の下側にもエツチングが進行してしまうという問題が
生じるのであり、さらに、エツチング液の疲労によるエ
ツチングのバラつきや処理時間の遅滞等も問題となり、
従って、高精度な微細パターンの形成には限界があった
そこで最近では、LSI等におけるサブミクロン単位の
パターンの微細化に対応すべ(、スピンチャック等によ
る被エツチング体の回転と、スプレーノズル等による前
記被エツチング体へのエツチング液の放出とを組合わせ
、前記被エツチング体に常時均一かつ適正なるエツチン
グ液を作用せしめると共に、被エツチング体の回転とエ
ツチング液の放出とによるエツチング液の被エツチング
体上における物理的な流れによりエツチング処理を促進
させる如くしたスプレ一方式のエツチング装置が用いら
れるようになった。
このスプレ一方式のエツチング装置は、前記スプレーノ
ズル等による放出手段の他に、一般に、該放出手段から
のエツチング液の放出を出停する制御弁、エツチング液
中に含まれる微小なゴミを除去するためのストレーナ等
を備え、これら放出手段、制御弁、ストレーナ及びこれ
らの接続配管等により、エツチング液を封入する容器か
らのエツチング液を前記被エツチング体に供給するため
の制御手段を構成するのであり、この制御手段により前
記被エツチング体に前記容器からのエツチング液を的確
に供給できるようにしているのである。
尚、前記したエツチング液は、前記被エツチング体にお
けるエツチング材を溶解するものであって、この所謂エ
ツチング液の他に、該エツチング液の放出に先立ち前記
被エツチング体の経時変化によるエツチングのバラつき
を除去するための前処理液及び前記エツチング液の放出
後に前記被エツチング体を洗浄するための後処理液等が
用いられる場合もあり、この場合前記エツチング液にこ
れら前処理液及び後処理液等を含めた3種類の液により
、エツチング処理に供される薬液を構成するのであり、
これら各薬液に対応して前記した制御手段が設けられる
のである。
(発明が解決しようとする問題点) 所で、一方で、エツチング速度は、温度により太き(影
響することが知られており、従って、エツチングによる
形成パターンの精度も、温度により大きくバラつきが生
じてしまうこと\なるのであって、パターンの微細化と
その製品歩留とに十分対応するには、エツチング処理の
温度を高精度に温度制御する必要がある。
すなわち、エツチング速度と温度との関係は、昭和58
年8月10日(株)フジ・テクノシステム発行「半導体
工業における化学物質の取扱いとその安全管理技術資料
集成」第4節エツチング技術に記載され、また第8図に
示す如く変化するものであって、温度1℃変化すると、
エツチング速度は約10%程度も変化してしまうこと\
となり、従って、例えば1μのパターンサイズをエツチ
ングする場合で、生産ライン上で設定されるエンチング
時間が10分間であるとすると、1°Cの温度変化があ
れば、0,1μのエツチング誤差が生じてしまい、その
形成パターンの精度が大きくバラついてしまうこと\な
るのである。尚、第8図のものは、熱酸化5iO2L%
におけるエツチング速度の温度依存性を示し、エツチン
グ液として49%フッ酸と40%フッ化アンモニウム水
溶液との混合液(混合比10対1)を用いている。
しかしながら、従来のスプレ一方式のエツチング装置に
あっては、エツチング温度を高精度に制御できるように
したものは未だ提案されておらず、従って、精度のよい
微細パターンを得るという要求に十分に対応できていな
い問題があった。
すなわち、前記スプレ一方式のエツチング装置は、被エ
ツチング体とエツチング液等の薬液を封入する克液容器
との間に、前記制御手段を介在せしめて、該制御手段に
より、被エツチング体へ前記薬液を供給することにより
エツチング処理を行なうためのものであるため、その装
置の構造上、例え前記薬液容器で薬液の温度を正確に調
整する如くしても、前記制御手段の部分において、詳し
くは該制御手段を構成する前記放出手段、制御弁、スト
レーナ等の各制御要素と、該各制御要素を相互に接続す
る配管及び、前記制御要素と前記薬液容器とを接続する
配管等の部分において、外気の影響を顕著に受けてしま
うこと\なるのであり、従って、前記制御手段からの薬
液供給による前記被エツチング体における実際のエツチ
ング温度は高精度に制御できない問題が起こるのである
つまり、前記放出手段、制御弁、ストレーナ等の各制御
要素は熱容量が大きく、シかもエツチング処理に供され
る前記薬液は前記被エツチング体に対し間欠的に供給さ
れるため、前記薬液の供給が停止されている間に前記し
た制御手段を構成する各制御要素が周囲の空気(外気)
と熱交換し、外気に近い温度になってしまうのである。
また、上記各制御要素を相互に接続する配管、及び前記
薬液容器との接続配管等においても、外気の影響を受け
てしまうのは勿論である。
このため、次のステップで薬液を前記被エツチング体に
対して供給しようとすると、前記薬液は外気と熱交換し
た前記各制御要素及び配管部分での熱影響を顕著に受け
て、設定値とは異なる温度に変動してしまうこと\なる
のである。
本発明の目的、上記問題点を解決し、制御手段から供給
されるエツチング処理に供される薬液の温度を任意の設
定温度に高精度に制御できるようにし、もって、被エツ
チング体におけるパターンの微細化とその製品歩留の向
上とを実現したウェットエツチング装置を提供する点に
ある。
(問題点を解決するための手段) そこで本発明は、被エツチング体(W)の保持手段を回
転自由に設けると共に、この保持手段で保持されて回転
する被エツチング体(W)にエツチング処理に供される
薬液、例えばエツチング液、前処理液、後処理液等を供
給するための制御手段(A)、例えばノズル等の放出手
段(2)、制御弁(61)及びストレーナ(62)等の
各制御要素と、接続配管(6)等を設け、この制御手段
(A)を、薬液容器(3)に接続して成るウェットエツ
チング装置であって、恒温熱媒体を発生する恒温熱媒発
生装置(7)を形成すると共に、この発生装置(7)で
発生する恒温熱媒体を収容するチャンバー(30)を形
成して、このチャンバー(30)に、前記制御手段(A
)を熱交換可能に付設したことを特徴とするものである
尚、1rI記薬液としては、前記エツチング液等のうち
何れか一つあればよく、また前記制御手段(A)として
は、前記放出手段(2)等のうち何れか一つあればよい
(作用) 前記制御手段(A)を、前記恒温熱媒発生装置(7)で
発生される恒温熱媒体を収容するチャンバー(30)に
付設することにより、被エツチング体(W)に供給され
る薬液が外気の影響を受けるのをなくすることができ、
前記薬液の温度を設定値に高精度に制御できるのである
(実施例) 第1図において(1)はエツチング槽であって、このエ
ツチング槽(1)は二重壁構造とした胴体(11)と、
底壁(12)及び蓋体(13)とから成り、内部にエツ
チング室(10)を形成すると共に、前記胴体(11)
の二重壁構造により、前記エツチング室(10)を取囲
む熱交換チャンバー(14)を形成するのである。
また、前記底壁(12)には支持筒(15)を立設して
、その内部に、上端に被エツチング体として例えば半導
体ウェハ(W)を固定状に保持するスピンチャック(1
6)をもった回転軸(17)を回転自由に支持するので
あり、また、前記蓋体(13)には、前記チャック(1
6)に保持される前記ウェハ(W)に、エツチング処理
に供される薬液の一つであるエツチング液を放出する例
えばスプレーノズル等の放出手段(2)を配設するので
ある。
この放出手段(2)は、詳しくは後記する温調器(50
0)を介して加圧タンクを構成する薬液容器の一つであ
るエツチング液容器(3)に接続され、前記温調器(5
00)により温度調整されたエツチング液を、送液管(
6)を介して前記放出手段(2)に導き、該放出手段(
2)から前記ウェハ(W)に薬液(エツチング液)を例
えば噴射により放出するようにしている。
更に、送液管(6)には、エツチング槽(1)への薬液
(エツチング液)の出停を制御するための制御弁(61
)及び薬液(エツチング液)中の微小なゴミを除去する
ためのストレーナ(62)を介装しており、これら放出
手段(2)、制御弁(61)及びストレーナ(62)等
により制御手段(A)(これらを接続する送液管(6)
を含む)を構成している。
なお、制御手段(A)としては、送液管(6)を用いず
に放出手段(2)、制御弁(61)及びストレーナ(6
2)等を一体成形したものでもよく、この制御手段(A
)により、エツチング液等の薬液を前記ウェハ(W)に
的確に供給することができるのである。
そして、以上のように構成するウェットエツチング装置
において、恒温熱媒体を発生する恒温熱媒発生glfi
t(7)を形成すると共に、この発生装置(7)で発生
する恒温熱媒体を収容するチャンバー(30)を形成し
て、このチャンバー(30)に、前記制御手段(A)を
熱交換可能に付設したのである。
具体的には、前記チャンバー(30)は、二重壁構造と
するカップ状のジャケット(31)で構成するのであり
、か(構成するチャンバー(30)に、前記恒温熱媒体
の発生装置(7)を、配管(78)(77)をブrして
連結するのである。
そして、前記チャンバー(30)を、前記エツチング槽
(1)の上部に取付けて、前記チャンバー(30)のカ
ップ状の内部空間に恒温槽(35)を形成するのであっ
て、このチャンバー(30)による恒温槽(35)に、
前記制御手段(A)を収納するのである。
また、前記エツチング槽(1)と前記温調器(500)
とが離れているため、前記送液管(6)の一部すなわち
、前記チャンバー(30)と前記温調器(500)との
間は断熱構造とした二重管(40)を用いて接続するの
であって、該二重管(40)の内管(41)に前記薬液
の一つであるエツチング液を、また外管(42)に恒温
熱媒体を通しているのである。尚、前記二重管(40)
は、恒温熱媒体の戻配管(77)及び断熱材(43)と
共に1本の複合管(44)を形成している。
次に恒温熱媒体の発生装置(7)について説明する。尚
、この実施例では、恒温熱媒体とじて恒温水を用いてい
る。
この発生装置(7)は、断熱構造とした恒温槽(70)
に、ヒータ(71)及び冷凍装置の蒸発器(72)を内
装して構成するのであって、熱媒ポンプ(75)により
前記二m管(40)の外管(42)に恒温水(恒温熱媒
体)を供給すると共に、前記戻配管(77)からの恒温
水(恒温熱媒体)を前記恒温槽(70)内に戻すように
している。
また、前記恒温槽(70)内に、前記薬液容器を構成す
るエツチング液容器(3)から延びるフィル状の熱交換
器(550)を配設することにより、前記した薬液の一
つであるエツチング液の温調器(500)を前記発生装
置(7)と一体に構成するのであって、この温調器(5
00’)により前記恒温水(恒温熱媒体)と同じ温度に
設定されるエツチング液を、前記容器(3)の加圧作用
により前記二重管(40)の内管(41)に供給するよ
うにしている。尚、前記熱交F% D (550)の内
部の容積は、1回のエツチングに用いる液ff1llね
200〜400 cc以上にするのが好ましい。
そして前記恒温槽(70)に内装する前記ヒータ(71
)及び蒸発器(72)の運転は、前記チャンバー(30
)内の水温(熱媒温度)などを検出し、予じめ任意に設
定した設定温度との比較を行なうコントローラ(8)に
より制御されるのであって、前記ヒータ(71)及び蒸
発器(72)の運転制御により5℃乃至40℃で誤差士
0.1°Cの一定の恒温水(恒温熱媒体)を形成できる
のである。
さらに、前記蒸発器(72)に対応する冷凍装置におけ
る凝縮器(78)は、圧縮機と共にコンデンシングユニ
ット(9)に設けるのであって、前記蒸発器(72)の
運転制御は前記圧縮機の発停又は容量制御により行なう
のである。
かくして、前記恒温熱媒体の発生袋r11(7)からの
恒温熱媒体は、前記熱交換チャンバー(14)と前記チ
ャンバー(30)とに直列に循環させるのであり、前記
恒温熱媒体は、前記二重管(40)の外管(42)から
第1連絡管(80)を介して前記エツチング槽(1)を
取囲む熱交換チャンバー(14)に一旦開放され、該熱
交換チャンバー(14)から第2連絡管(90)を介し
て前記チャンバー(30)に供給されるのであって、こ
れら一連の通路(42)(80)(14)(90)より
成る送配管(76)及び前記戻配管(77)により、前
記チャンバー(30)に恒温熱媒体を循環させているの
である。
このとき、前記チャンバー(30)内には前記恒温槽(
35)が形成されるのであり、該恒温槽(35)により
覆われる前記放出手段(2)及び該放出手段(2)を接
続する送液管(6)、また前記ストレーナ(61)及び
制御弁(62)は、外気の影響を受けることはないので
ある。従って、前記放出手段(2)から放出するエツチ
ング液の温度は設定値に高精度に制御できるのである。
また、前記熱交換チャンバー(14)にも恒温熱媒体を
循環させているで、前記エツチング室(10)内の温度
も設定温度に保持できるのである。
しかも、この設定温度は、前記コントローラ(8)の入
力器により任意に設定できるし、任意に選択した設定温
度に正確に制御できるのである。
尚、第1図において(20)は、前記エツチング槽(1
)の胴体(11)に設けるウェハ出入口であって、この
出入口(20)にCネ1(21)を開閉自由に取付けて
いる。
また、前記放出手段(2)から噴射するエツチング液は
、前記した如<S、10z12を被エツチング材とする
場合のフッ酸とフッ化アンモニウム水溶液の混合液があ
る他、前記ウエノ (W)の表面に形成する被エツチン
グ材により種々のものが用いられるのである。例えば、
シリコンを被エツチング材とする場合には、フッ酸・硝
酸拳水の混た、アルミニウムを被エツチング材とする場
合には、リン酸・硝酸・酢酸の混合水溶液などが、また
、クロムを被エツチング材とする場合には、第2硝酸セ
リウム・アンモニウムを主成分とする混合水溶液などが
一般に用いられるのであり、それぞれの金属合金に適し
たエツチング液が用いられるのである。
ところで、前記した如くのエツチング液は、非常に腐蝕
性が強く、殆んどの金属を腐蝕させる性質を有している
ため、前記放出手段(2)におけるエツチング液の流通
路や、前記エツチング槽(1)におけるエツチング室(
10)の内壁面などのエツチング液と接触する部分には
、フッ素樹脂や、塩ビ、ポリエチレン、ポリプロピレン
等でコーティングやライニングするなどして、耐腐蝕性
機能をもたせることは云うまでもない。また、前記エツ
チング槽(1)などを上記材質で構成する如くしてもよ
い。
尚、第1図に示した実施例では、前記チャンバー(30
)を、二重g構造とするカップ状のジャケット(31)
で構成し、このチャンバー(30)のカップ状の内部空
間に形成する空気の恒温槽(35)に、前記制御手段(
A)を収容せしめで、該制御手段(A)を前記チャンバ
ー(30)により間接的に温調する如くしたが、第2図
に示す如く、恒温熱媒体が循環するチャンバー(30)
の内部に、制御手段(A)を浸漬せしめて、該制御手段
(A)を直接的に温調する如(してもよい。
この場合には、第2図の如く一重璧構造とするカップ状
のカバー(32)をエツチング槽(1)の上部に取付け
ることにより、前記カバー(32)の内側と前記エツチ
ング槽(1)の蓋体(13)とで形成される空間に、前
記チャンバー(30)を形成するのであり、このチャン
バー(30)の内部に恒温熱媒体の発生装置(7)から
の恒温熱媒体を循環させるのである。この第2図のもの
によれば、前記制御手段(A)に恒温熱媒体が直接接触
することになるのであり、この制御手段(A)への恒温
熱媒体の接触により、前記制御手段(A)が外気の影響
を受けるのをより確実に防止できるのである。
また、第1図及び第2図の実施例では、前記チャンバー
(30)を、前記エツチング槽(1)の上部に構成した
が、第3図の如くエツチング槽(1)と独立に構成して
もよい。
この第3図のものは、チャンバー(30)を箱形本体(
33)で構成し、該本体(33)の内部に、制御手段(
A)のうち放出手段(2)を除く制御弁(61)及びス
トレーナ(62)を収容する如くしたものである。また
、このチャンバー(30)は、エツチング室(10)の
雰囲気温度を調節する熱交換チャンバー(工4)と配管
(7B)(77)により並列に接続され、恒温熱媒発生
装置(7)からの恒温熱媒体を、前記両チャンバー(3
0)(14)に並列に循環させている。
尚、第3図では、温調VS(5)を前記発生装置(7)
と別体に形成しており、また、薬液容器(3)のX液は
ポンプ(P)にて送出するようにしている。さらに蓋体
(13)にファン(22)を取付けて、該ファン(22
)の撹拌により、前記エツチング室(10)の室内を、
前記放出手段(2)から放出される薬液で迅速に飽和さ
せる如くしている。
以上の第1図から第3図の実施例では、エツチング処理
に供される薬液として、エツチング液のみを取上げて説
明したが、前処理液、後処理液等についても前記エツチ
ング液の場合と同様、本発明が適用されるのは云うまで
もない。また、恒温熱媒体を前記チャンバー(30)だ
けでなく、前記熱交換チャンバー(14)にも循環させ
ているが、該熱交換チャンバー(14)は設けずに、゛
 前記チャンバー(30)のみに恒温熱媒体を循環させ
てもよい。
また、第1図から第3図までの実施例では、前記チャン
バー(30)により、前記制御手段(A)を構成する各
制御要素、すなわち、放出手段(2)、制御弁(81)
、ストレーナ(62)を主に温調する如<シ、これら各
制御要素の接続配管となる送液管(6)を付随的に温調
する如くしているが、第4図に示す如く、前記した各制
御要素と共に制御手段(A)を構成する送液管(6)を
積極的に温調する如くしてもよい。
以下第4図の実施例について説明する。
第4図に示すものは、枠組したフレーム(100)の上
部にエツチング槽(1)を支持し、下方に恒温熱媒発生
装置(7)を収納したものである。
前記エツチング槽(1)は二重壁構造としたドーム状の
ケーシング(11)と、底壁(12)及び天井If(1
3)とを備え、内部にエツチング室(10)を形成する
と共に、前記ケーシング(11)の二重壁構造により、
制御手段(A)及び前記エツチング室(10)を温調す
るチャンバー(30)を形成するのである。
そして、前記制御手段(A)を構成する送液管(6)の
一部をコイル状と成して薬液熱交換器(5)を形成し、
該熱交換器(5)を前記チャンバー(30)の円筒内部
に配設するのである。
前記熱交換器(5)の内部容積は、1回の現像に用いら
れる現像液の分量、おおむね200〜400cc程度以
上とするのが好ましい。か(すれば、前記した温調器(
500)を不要とすることができる。
尚、第4図において、(200)は前記フレーム(10
0)の上面に設ける架台(2OL)i: a a する
ウェハカセットであり、又、(M)は前記エツチング槽
(1)に内装するスピンチャック(16)の回転軸(1
7)を駆動させるモータであって、前記回転軸(17)
とはベルト伝動手段(101)により連動している。
尚、第4図の実施例では、エツチング処理に供される薬
液としてエツチング液のみを取上げ、エツチング液の温
調用熱交換器(5)1本を前記チャンバー(30)の内
部に配設したが、第5図に示す如(エツチング液を温調
する熱交換器(5a)と、エツチング液の前に放出され
る前処理液を温調する熱交換器(5b)とを前記チャン
バー(30)の内部に配設してもよいのである。
また、後処理液を温調する熱交換器(図示せず)をも前
記チャンバー(30)の内部に配設してもよいのはもち
ろんである。
さらに、第4図及び第5図の実施例では、エツチング槽
(1)のケーシング(11)を二重壁構造とすることに
より、チャンバー(30)を形成し、該チャンバー(3
0)の円筒状の内部空間にコイル状の薬液熱交換器(5
)を配設したが、第6図に示すように、−重壁構造のエ
ツチング槽(IA)の外壁面又は内壁面の何れか一方に
、パイプ(80)をコイル状に巻付けると共に、該パイ
プ(80)を前記壁面にペーストハンダ或いは接着剤等
を用いて熱伝導密に固着することによりチャンバー(3
0)を形成し、このコイル状のチャンバー(30)の内
部に、該チャンバー(30)を構成する前記パイプ(8
0)よりも小径のパイプ(50)を挿入せしめて前記パ
イプ(80)に沿ったコイル状と成すことにより、薬液
熱交換器(5)を形成する如くしてもよい。
この場・合、前記パイプ(80)の断面形状を例えば扁
平楕円形状にして、前記壁面との接触面積を大きくする
のが好ましい。また、前記パイプ(80)の前記胴体(
IA)への巻付はピッチは密にするのが好ましいが、安
価にするためには、粗にしてもよい。
さらにまた、上記第4図乃至第6図の実施例では、薬液
熱交換器(5)をチャンバー(30)の内部に配設した
が、第7図に示すように、チャンバー(30)外側また
は内側に、薬液熱交換器(5)をコイル状に巻付けても
よい。こノ場合、図示する如く断熱材(90)を添設す
るのが好ましい。
(発明の効果) 以上のように本発明によれば、被エツチング体(W)の
保持手段を回転自由に設けると共に、この保持手段で保
持されて回転する被エツチング体(W)にエツチング処
理に供される薬液を供給するための制御手段(A)を設
け、この制御手段(A)を、薬液容器(3)に接続して
成るウェットエツチング装置であって、恒温熱媒体を発
生する恒温熱媒発生装置(7)を形成すると共に、この
発生装置(7)で発生する恒温熱媒体を収容するチャン
バー(30)を形成して、このチャンバー(30)に、
前記制御手段(A)を熱交換可能に付設したことを特徴
とするものであるから、前記制御手段(A)から供給さ
れる前記薬液の温度を任意に設定できると共に、設定し
た温度に高fa度に保持できるのである。
従って、エツチング温度の変化による形成パターン精度
のバラつきを最小限に抑制でき、半導体ウェハ等の被エ
ツチング体のパターンの微細化とその製品歩留とを向上
できるのである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明エツチング装置の第1実施例を示す概略
説明図、第2図は第2実施例を示す概略説明図、第3図
は第3実施例を示す概略説明図、第4図は第4実施例を
示す概略説明図、第5図は第4実施例の変形を示す要部
のみの説明図、第6図は同じ(第4実施例の他の変形を
示す要部のみの説明図、第7図は同じく第4実施例のそ
の他の変形を示す要部のみの説明図、第8図はエツチン
グ速度と温度の関係を示す特性図である。 (1)・・・・・・エツチング槽 (3)・・・・・・薬液容器 (7)・・・・・・恒温熱媒発生装置 (30)・・・・・・チャンバー (A)・・・・・・制御手段 1、・/1 95図 ハ 第6図 1/T゛に

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被エッチング体(W)の保持手段を回転自由に設
    けると共に、この保持手段で保持されて回転する被エッ
    チング体(W)にエッチング処理に供される薬液を供給
    するための制御手段(A)を設け、この制御手段(A)
    を、薬液容器(3)に接続して成るウェットエッチング
    装置であって、恒温熱媒体を発生する恒温熱媒発生装置
    (7)を形成すると共に、この発生装置(7)で発生す
    る恒温熱媒体を収容するチャンバー(30)を形成して
    、このチャンバー(30)に、前記制御手段(A)を熱
    交換可能に付設したことを特徴とするウェットエッチン
    グ装置。
JP61115930A 1986-05-20 1986-05-20 ウエツトエツチング装置 Expired - Lifetime JPH0783007B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6996479B2 (en) 2000-09-29 2006-02-07 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for measuring and controlling the water content of a water-containing liquid mixture

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62183526A (ja) * 1986-02-07 1987-08-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レジスト現像装置

Patent Citations (1)

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US6996479B2 (en) 2000-09-29 2006-02-07 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for measuring and controlling the water content of a water-containing liquid mixture

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