JPS62260710A - 多結晶シリコン半導体鋳造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） シリコンは太陽電池の材料として工業的生産の面からも
資源的な面からも優れた物質であり、現在、太陽光発電
材料として実用化されているものはほとんどがシリコン
太陽電池である。そして将来のエネルギー源として低価
格化を目ざすためには（特に電力供給用として）、現在
の大半を占めているシリコン華結晶基板よりはシリコン
多結晶基板あるいはアモルファスシリコンによる太陽電
池にたよらざるを得ない。

本発明は結晶物性的に優れた多結晶シリコン半導体の能
率的な連続鋳造法に関する。

（従来の技術） シリコンの鋳造の従来の一般的な方法はシリカ（二酸化
硅素）るつぼにて固体シリコンを加熱炉内で溶解し黒鉛
鋳型に鋳込む方法である。而して最近、真空中、不活性
ガス中で溶解して０□、Ｎ２等のガスのシリコンへの結
合を防止し、品質向上とダスト防止を行うことが知られ
ている。

西ドイツ国ワンカー社の半連続鋳造炉「ケイ素成形体の
半連続的鋳造方法と装置」　（特公昭５７−２１５１５
号）では真空中又は不活性ガス中でシリカるつぼ内で溶
融したシリコンを黒鉛等の鋳型内にるつぼを傾けて注入
する方法、米国クリスタル・システムズ社のＨｅａｔ　
Ｅｘｃｈａｎｇｅ　Ｍｅｔｈｏｄ（ＨＥＭ法、ｕｓ、Ｄ
ＯＥ、Ｒｅｐｏｒｔ　ＮＯ，ＤＯＥ−ＪＰＬ−９５４３
７３−７９−９）では真空中でシリカるつぼ内にシリコ
ンを溶融しそのままその中で固める方法、仏国ＣＧＥ社
のＰＯＬＹＸ法（第１回国際大陽光発電会議録、神戸開
催、１９８４年１１月、Ｐ、２５）では黒鉛るつぼの内
でフラックスを用いてシリコンを溶解してその中で固化
さず方法が知られている。

（発明が解決しようとする問題点） しかし、ワソカー社とクリスタル・シ、ステムズ社の場
合はシリコン原料を溶解する容器がシリカ類であるため
、シリコンと反応してシリカ容器が消耗するため生産性
を上げるのに支障を与えるし、クリスタル・システムズ
社とＣＧＥ社の場合では原料の溶解と凝固を熱源を同じ
くする同一るつぼ内で１テなうので、例えば４０ｋｇの
シリコン原料の熔解のために４〜６時間、凝固のために
は９〜１２時間、冷却のためには１０〜１５時間の合計
２３〜３３時間が１個の鋳塊を製造するために必要とす
ることになるがために、炉当たりの生産性を低下させる
欠点があった。

本発明は真空中において連続的に生産性高く低コストで
多結晶シリコン半導体鋳塊を製造できる大Ｍ住産に適し
た鋳造方法を提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 次の第■法、第■法は上記問題点を解決するもので、実
施例を示す第１図、第２図にてこれを説明する。

口　第Φ法 第１図に示すとおり、扉（１１にて大気より遮断され扉
（２）により真空容器（３）に連結する供給装置０６１
によって固体シリコンαυが真空容器（３）内に連続的
に供給される。固体シリコンがとい（５）の内を滑って
鋳型口に投入され、鋳型（６）底に先づ投入された固体
シリコンを電子ビーム銃（７）にて加’Ｗ？ｆｌ解せし
めシリコンの溶融プールを造った後、固体シリコンが電
子ビーム銃によって加熱されながら追加投入される。同
時に鋳型底に当てられた鋳型支持装置（８）にて溶融し
たシリコンを冷却して鋳型底部より上方；こ一方向凝固
させて多結晶シリコン半導体の鋳塊とし、その追加投入
および鋳塊育成終了後真空容器中の鋳塊入り鋳型を真空
遮断蔽可能な鋳型取出し室（９）に移送させる。

真空容器（３）中は真空又は不活性ガスが使われるもの
であるが、望ましくは１０−　’Ｔｏｒｒ程度の高真空
が適用される。

電子ビーム銃（７）は真空中に高エネルギー密度の電子
線を掃射できるもので５０〜３００ｋｗの能力のものが
使われる。

鋳型（６）は黒鉛製等がくり返して使われる。黒鉛鋳型
内面に窒化珪素、酸化珪素、炭化珪素のうち一つ又は二
つ以上の混合物の粉末を塗布することによって、溶融シ
リコンと鋳型内壁との付着を防止できる。

また第３図に例示するような４枚の側壁（２４）が螺子
（２２）付き金具で組立てられた組立ておよび分解可能
の黒鉛鋳型では、その内面（２５）は溶融シリコンとの
付着がなくこのるつぼを繰返し使用ができる。

鋳型を支持するために上下動する鋳型支持装置は冷却水
による冷却機能をもたせ得る。また鋳型底と水冷の鋳型
支持装置（８）の間に介在する断熱材Ｑ４１の厚みを変
化させて鋳塊の冷却速度を調節させ得る。

鋳型よりの鋳塊の抜出しは鋳型取出室（９）のＭｏ２を
開いて行われる。

口　第■法 第２図に示すとおり、扉（１）にて大気より遮断され扉
（２）により真空容器（３）に連結する供給装置αｅに
よって固体シリコンが真空容器内に連続的に供給される
。供給された固体シリコン（１１）をとい（５）の内を
滑らせて水冷ハースＱ２１の上に移送し、移送された固
体シリコンを電子ビーム銃（７ａ）にて加熱溶融し、水
冷ハースより真空中の鋳型（６）に注入された溶融シリ
コンを電子ビーム銃（７ｂ）にて加熱しな力ゝら鋳型底
に当てられた鋳型支持装置（８）によって鋳型底部より
上方に一方向凝固させて多結晶シリコン半導体の鋳塊と
し、その後真空容器中の鋳塊入り鋳型を真空遮断蔽可能
な鋳型取出し室（９）に移送させる。

水冷ハース（２）は鋼板製で上面に受皿をもち、側部に
注出口をもつ構造で溶融シリコンの熱量に耐え得る。

電子ビーム銃（７ａ）と（７ｂ）はそれぞれ５０〜５０
０ｋｗの能力のものが使われる。

黒鉛鋳型内面に窒化珪素等を塗布すること、組立分解可
能鋳型の使用、鋳型支持装置の水冷機能をもたせ得るこ
とは前記第■法の場合と同様である。

一方向凝固をさせて良好な結晶成長模様の鋳塊を得るた
めには、鋳型底と水冷の鋳型支持装置（８）との間に断
熱材Ｑ４１を介在させること、および鋳型の周囲に鋳型
側壁を最高１２００℃まで加熱可能の電熱線コイルによ
る加熱装置αコを設けて鋳塊の冷却速度を調節させ、か
つ加熱装置の温度を最高１２００℃までに保つことが推
奨される。

前記第■法と第■法とを比較すれば、共に容易に多結晶
シリコン半導体鋳塊を造り得るが、第■法の方が鋳塊の
一方向凝固を精密になし得るので多結晶シリコンの結晶
成長模様を大きくさせることが容易である。また第■法
の方が設備的にも能力が大で生産量を大きくすることが
容易である。

（作　　　用） 高真空中でシリコンを鋳造することによってシリコンの
酸化物、窒化物等の付着物、ダスト等の発生なしに鋳造
作業をなし得る。

第■法では鋳型の中で直接電子ビーム銃で固体シリコン
を直接溶融させ、第■法では無消耗の水冷ハースの上で
電子ビーム銃の熱源によって固体シリコンを溶融させる
ものであるから、固体シリコンを溶融のために従来法の
如くるつぼを消耗しやすいシリカ製にすることを必要と
せず、本発明法では黒鉛等の鋳型水冷ハースの半永久的
くり返し使用を可能にするものである。

従来法ではるつぼを傾動して溶融シリコンを鋳型に注入
して鋳塊としているが、本発明では原料の装入、溶解の
みで鋳塊とするものであるので装置内に傾動部分がなく
傾動させる工数および機構を必要としない。

また、従−乗法のごとく原料の溶解と凝固を同一るつぼ
内で行うのでなく、本発明では鋳型中で鋳型底から凝固
を進行させながら、鋳型（６）上部では同時に原料の装
入と溶融を進行させるものであるから、鋳塊の鋳造サイ
クル時間を一段と減少させる。

更にまた本発明法では固体シリコンが装入開始時より連
続的に装入装置にて供給されるものであるが故に、能率
的な鋳造作業を行うことを可能にする。

従来法ではシリコンの溶解、鋳造、冷却の各工程を同一
炉内で行うのに対し、本発明法では溶解、鋳造を同一炉
内で行い、鋳塊の冷却は鋳型を外に出して行う。それ故
、サイクル時間は従来法は溶解、鋳造、冷却の合計であ
るに対し本発明法では溶解、鋳造の合計となる。それ成
木発明では溶解、鋳造時の能率向上によるサイクル時間
短縮以外に、冷却の除外によるサイクル時間短縮があり
、本発明によるときはさらに大幅なサイクル時間の短縮
ができる。

本発明によるときは上記の各操作を連続的に行い得るも
のであり、シリコン鋳塊の生産量の増加と、作業におけ
る工数、コストの節減とを可能にするものである。

（実　施　例） 口　実施例１ 第１図に第■法の実施例を示す。

真空気密なる容器（３）には、シリコンを加熱溶解、冷
却固化する熱源として２５０に一電子ビーム銃（７）、
外気から真空気密なる容器（３）の中に固体シリコンａ
υを連続的に供給する供給装置Ｏｅを取付け、容器（３
）の内部には固体シリコンを供給装置から鋳型（６）の
上方まで移送可能なとい、（５）、鋳型（６）の下方に
位置し鋳型（６）を支える鋳型支持装置（８）、その下
側部には鋳型（６）を真空気密なる容器（３）から外気
に取出す鋳型移送台車Ｃ１ｏｔに真空遮断可能の鋳型取
出し室（９）を備える。

鋳型支持装置（８）は鋳型（６）の底面を支持する部分
が水冷されており、また鋳型（６）の底面と水冷された
鋳型支持装置（８）の間には鋳型（６）の底部の温度を
制御するために適切な断熱材０４１を挿入している。

鋳塊の製造手順は次の通りである。

組立ておよび分解が可能で内面を窒化珪素の粉末で塗布
した黒鉛製の鋳型（６）を鋳型取出し室（９）の蓋α９
を開放して鋳型移送台車α〔の上に載置した後、Ｍａｓ
を閉鎖して、鋳型取出し室（９）内を真空ポンプによっ
て排気する。鋳型取出し室（９）が高真空に達して真空
気密なる容器（３）と同圧に達した後に、真空遮断弁α
曖をシャフトαψによって上方に移動して開放し、鋳型
移送台車００１をレールαηに沿、って鋳型取出し室（
９）から真空容器（３）内に移動させ、鋳型（６）の中
心が鋳型支持装置（８）の中心と一致するまで鋳型移送
台車（１０１を前進させる。次いでこの位置で、鋳型の
下方において鋳型支持装置（８）および断熱材０滲を上
方に移動させ、鋳型（６）を鋳型移送台車Ｏ１から持ち
上げて鋳型（６）を所定の鋳込み位置に保持させ、その
時にＳｉｒ型移型移送台車α具空容器（３）から鋳型取
出し室（９）に戻す。鋳型移送台車αωは鋳型取出し室
（９）内で、真空容器（３）内でのシリコンの鋳造が終
了するまで待機させる。

鋳型（６）が鋳造時の所定の鋳込み位置に設置された後
、鋳型（６）の中に固体シリコンＯυ原料を供給装置Ｑ
６）からとい（５）を経由させて、鋳型底に厚さ１５ｍ
禦程度のシリコン種結晶を装入した後、該種結晶を電子
ビーム銃（７）にて加熱して深さが５Ｉｌ程度のシリコ
ンの溶融プールを作製し、しかる後に、固体シリコンミ
Ｕ原料を供給装置αｅからとい（５）装置を経由させて
連続的に投入しながら、電子ビーム銃（７）の熱源によ
って鋳型（６）の中のシリコンを加熱溶解するとともに
、鋳型底から順次冷却凝固させながら一方向凝固した多
結晶シリコン半導体鋳塊を製造する。

本実施例によって２５ｋｇ鋳塊を製造するために必要な
時間は約３時間である。

製造された鋳塊は鋳塊上面の表面温度が１０００℃に下
降した時に鋳型移送台車θωを鋳型取出し室（９）から
真空容器（３）の中に移動させ、鋳型（６）の下方に停
止させ、鋳型支持装置（８）および断熱材（１４３を下
降させて鋳型移動台車α〔の上に載せ、該鋳型移動台車
００１を再びレール０ηに沿ってＳ）ｉ型取用し室（９
）の中に１多動させる。

かくして後に、真空遮断弁ａｍをシャフトα匂によって
下降させて閉鎖し、鋳型取出し室（９）を大気圧に戻し
た後に蓋α９を開放して鋳型（６）を鋳型取出し室（９
）から外部に取出し、その後鋳塊を冷却させる。

それと同時に別の鋳型（６）を鋳型取出し室（９）を再
び真空ポンプにて排気する。

このようにして実際に２５ｋｇの多結晶シリコン半導体
鋳塊を製造したが、その鋳塊の結晶模様も優れていた。

また、この２５ｋｇの鋳塊を製造するために要した時間
は鋳型の交換時間を含めて４．０〜４．５時間であった
・ 本実施例による鋳塊を１０口Ｘ　１０ａａ　Ｘ　２０ｃ
ｍの４本のブロックに縦切断し、さらに１０３　Ｘ　ｌ
ｏａｍ　ＸＯ，０４５ａｓＯウェーハにスライシングし
て太陽電池セルを試作したところ、従来法による鋳塊と
同等の光電変換効率が得られた。

口　実施例２ 第２図に第■法の実施例を示す。

真空気密なる容器（３）にはシリコンを加熱溶解、冷却
固化する熱源として２５０に一電子ビーム銃を２個、外
気から真空気密なる容器（３）の中に固体シリコン０υ
を連続的に供給する供給装置０６１を取付け、その内部
には固体シリコンを供給装置から受け、水冷ハースα乃
まで固体シリコンを移送させることが可能なとい（５）
、２つの電子ビーム銃のうちの一つ（７ａ）によって溶
解されたシリコンを受容する水冷ハースａ３該水冷ハー
ス亜の下方に位置し鋳型（６）を支える鋳型支持装置（
８）、鋳型（６）を真空容器（３）から外気に取出す真
空遮断蔽可能な複数の鋳型取出し室（９ａ）　（９ｂ）
を備えている。

更にこの鋳造装置には、鋳型（６）の側面を加熱する加
熱装置ａＪが備えられ、その外部を断熱層（２６）で巻
いている。鋳型支持装置（８）は鋳型（６）の底面を支
持する部分が水冷されており、鋳型（６）の底面と水冷
された鋳型支持装置（８）の間には底部の温度を制御す
るために適切な断熱材Ｑ４１が挿入されている。

この鋳造装置における作業手順を説明すると、先ず、分
解が可能な内面を窒化珪素の粉末で塗布した黒鉛製の鋳
型（６）を右方の鋳型取出し室（９ａ）の蓋α９を開放
して鋳型移送台車αｌの上に載置した後、１ｉＱｓ）を
閉鎖して鋳型取出し室（９ａ）を真空ポンプによって排
気する。該鋳型取出し室（９ａ）が高真空に達して、あ
らかじめ高真空に排気した真空容器（３）と同圧に達し
た後に、真空遮断弁Ｏｌをシャフトα９によって上方に
移動して開放し、鋳型移送台車ｍをレールＧ１に沿って
鋳型取出し室（９ａ）から真空容器（３）内に移動させ
、鋳型（６）の中心が鋳型支持装置（８）の中心と一致
するまで鋳型移送台車Ｏ１を前進させる。次いでこの位
置で、鋳型の下方において鋳型支持装置（８）および断
熱材Ｑ４）を上方に移動させ、鋳型（６）を鋳型移送台
車αψから持ち上げて鋳型（６）を加熱装置αｍ内の所
定位置まで上昇させた後に、鋳型移送台車Ｑｌを真空容
器（３）から鋳型取出し室（９ａ）に戻す。

加熱装置α１内は鉛直方向に沿って中央部で高温領域が
作られており１．中央部から上部および下部に向かうに
従って温度は下降するように作られている。中央部の当
該高温領域は１２００℃に設定される。鉛直方向の等温
領域は±１０℃の範囲内で約３５１１、等温ＨＭから鉛
直方向に沿っては約５０℃／Ｃ１１の温度勾配を有して
いる。

鋳型（６）は最初に鋳型下部が加熱装置Ｑ３１内の高温
等温領域になるように設置され、鋳型内が定常温度にな
るまで放置される。鋳型支持装置（８）の上部回りの加
熱装置１Ｑ３）内に挿入される部分については断熱層（
２７）を備えつけている。

そうして鋳型（６）が鋳造開始時の所定位置および所定
温度に達した時に、原料固体シリコン０υを供給装置Ｏ
１からとい（５）を通過させて銅製の水冷ハース叫の上
に供給し、該水冷ハース０３上で固体シリコンａυを２
つの電子ビーム銃のうち１つ（７ａ）によって溶融し、
溶融したシリコンを水冷ハース０３のくぼみ部から鋳型
（６）の中に供給する。

鋳型（６）の中に溶融原料が供給されると、２つの電子
ビーム銃のうちのもう一方（７ｂ）によって当該溶融シ
リコンを加熱制御し、鋳型底から順次冷却固化させ、同
時に鋳型支持装置（８）を順次下降させて、鋳型（６）
内の溶融シリコン表面が加熱装置Ｑ３１内の高温等領域
内に留まるようにする。このようにして、一方向凝固し
た多結晶シリコン半導体鋳塊を製造し得る。

この場合、鋳型（６）の底にあらかじめ厚さ１５１程度
のシリコンの種結晶を装入し、核種結晶を電子ビーム銃
（７ｂ）によって加熱して、深さが５自虐程度のシリコ
ンの溶融プールを作製した後に、水冷ハース０乃から溶
融シリコンを供給して上記と同様の手順によって鋳塊を
製造することもできる。

本実施例によって２５ｋｇの鋳塊を製造するに要する時
間は約３．０時間である。

凝固後の鋳塊は鋳型移送台車αωによって鋳型取出し室
（９ａ）に戻され、その後冷却される。これと同時に、
別の鋳型取出し室（９ｈ）に待機した鋳型（６）を、直
ちに真空容器（３）の中に鋳造のために設置し、引き続
き鋳塊の製造を行うことができる。

このようにして製造した鋳塊は鋳型底部からの結晶の成
長が完全で、鋳型側壁から別に結晶成長した模様は無か
った。

高’ＩＡｅＭ域の温度１２００℃が適正かどうかを次の
実験で確かめた。

加熱装置α急白の高温等温領域の温度を１２００°Ｃよ
りも高くして鋳塊を製造した場合は、溶解したシリコン
を凝固さすために要した時間が長くなり、例えば１２５
０℃では２５に＋ｒの鋳塊の製造には約４．３時間を必
要とした。逆に高温等温領域を１２００℃よりも低くし
て鋳塊を製造した場合９５０℃までの範囲では、製造さ
れた鋳塊中の結晶の成長模様は１２００℃のときと同様
に鋳型底部からのみ成長しており、完全な一方向凝固が
達成され、一方高温等温領域の温度を９５０℃より低く
して鋳塊を製造した場合には、鋳型底部から成長した柱
状の結晶の他に、鋳型側壁から成長する結晶が出現し、
側壁から成長した結晶は高温等温領域が低くなるに従っ
て鋳塊の内部にまで達するようになった。しかし高温等
温領域の温度を７００℃以下にしても、側壁から成長し
た結晶は、もはや、ある距離以上に鋳塊の内部に成長す
ることはなかった。

以上のように、加熱装置０３によって鋳型側壁を加熱す
る場合には最高１２００℃で加熱可能であればよ＜　、
１２００℃を超える温度では鋳塊を固化するために要す
る時間が長くなり、好ましくない。

重１２５ｋｇの鋳塊を製造するために要する時間は鋳塊
の交換時間を含めて、３．５〜４．０時間であった。

本実施例によって製造した鋳塊を１０（Ｊ　Ｘ　１０ｃ
ｍ　ｘ２０ｃｍの４本のブロックに纒切断し、さらに１
０ａａｘ１０ｃｍＸ　Ｑ、３４５ｃｍのウェーハに薄切
りして太陽電池セルを製作したところ、従来法にょる鋳
塊と同等以上の光電変換効率を得ることができた。（発
明の効果） 以上に説明したとおり、例えば２５ｋｇの鋳塊番製造す
るに要する時間は従来法クリスタル・システムス社（７
）　ＨＥＭ法、ＣＧＥ社（７）　ＰＯＬＹＸ法）では２
３〜３３時間であったのが、本発明法では３．５〜４．
５時間に短縮できる。しかも、本発明法は連続的に鋳塊
を製造することを可能にするもので、鋳型費の節減とも
併せ良質の多結晶シリコン半導体鋳塊の低コスト大量生
産手段となるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す縦断面構成図第２図は
本発明の他の実施例を示す縦断面構成図第３図は分割可
能組立式鋳型の一例を示す斜視図である。 】、２：扉　３；真空容器　５：とい　６：鋳型７．７
ａ、７ｂ；電子ビーム銃　８：鋳型支持装置９．９ａ、
９ｂ＝鋳型取出し室　１０：鋳型移送台車１１：固体シ
リコン　１２：水冷ハース　１３：加熱装置　１４：断
熱材　１５　：　Ｍ　　１６　ｊ供給装置　１７：レー
ル　１８：真空遮断弁　１９：シャフト２２：螺子２４
：側壁　２５：内面　２６．２７：断熱層。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空容器（３）内での多結晶シリコン半導体の鋳
   造において、真空遮蔽可能な供給装置（１６）内の固体
   シリコン（１１）を真空容器内に連続的に供給し、供給
   された固体シリコンをとい（５）を滑らせて鋳型（６）
   口に投入し、鋳型底に投入された固体シリコンを電子ビ
   ーム銃（７）にて加熱溶融させた後、固体シリコンを電
   子ビーム銃にて加熱しながら追加投入し、同時に鋳型底
   部より上方に一方向凝固させ、追加投入および凝固終了
   後真空容器中の鋳塊入り鋳型を真空遮断蔽可能な鋳型取
   り出し室（９）に移送させることを特徴とする多結晶シ
   リコン半導体鋳造法。
2. （２）鋳型（６）材質として黒鉛を用い、当該黒鉛鋳型
   内面に窒化珪素、酸化珪素、炭化珪素のうち一つ又は二
   つ以上の混合物の粉末を塗布することを特徴とする特許
   請求の範囲第（１）項記載の多結晶シリコン半導体鋳造
   法。
3. （３）黒鉛鋳型として組立ておよび分解が可能な組立式
   鋳型を用いることを特徴とする特許請求の範囲（２）項
   記載の多結晶シリコン半導体鋳造法。
4. （４）鋳型（６）の支持装置（８）の鋳型底面を支持す
   る部分が水冷されていることを特徴とする特許請求の範
   囲（１）から第（３）項までのいずれかに記載の多結晶
   シリコン半導体鋳造法。
5. （５）真空容器（３）内での多結晶シリコン鋳造におい
   て、真空遮蔽可能な供給装置（１６）内の固体シリコン
   （１１）を真空容器内に連続的に供給し、供給された固
   体シリコンをとい（５）を滑らせて水冷ハース（１２）
   上に移送し、移送された固体シリコンを電子ビーム銃（
   ７ａ）にて加熱溶融し、水冷ハースより真空中の鋳型に
   注入された溶融シリコンを電子ビーム銃（７ｂ）にて加
   熱しながら鋳型（６）底部より上方に一方向凝固させ、
   その後真空容器中の鋳塊入り鋳型を真空遮蔽可能な鋳型
   取出し室（９）に移送させることを特徴とする多結晶シ
   リコン半導体鋳造法。
6. （６）鋳型（６）材質として黒鉛を用い、当該黒鉛鋳型
   内面に窒化珪素、酸化珪素、炭化珪素のうち一つ又は二
   つ以上の混合物の粉末を塗布することを特徴とする特許
   請求の範囲第（５）項記載の多結晶シリコン半導体鋳造
   法。
7. （７）黒鉛鋳型として組立ておよび分解可能な組立式鋳
   型を用いることを特徴とする特許請求の範囲第（６）項
   記載の多結晶シリコン半導体鋳造法。
8. （８）鋳型（６）の支持装置（８）の鋳型底面を支持す
   る部が水冷されていることを特徴とする特許請求の範囲
   （５）項から第（７）項までのいずれかに記載の多結晶
   シリコン半導体鋳造法。
9. （９）鋳型（６）側壁を最高１２００℃まで加熱可能な
   炉（１３）が備えられることを特徴とする特許請求の範
   囲（５）項から第（８）項までのいずれかに記載の多結
   晶シリコン半導体鋳造法。