JPS62254744A - 物体の1部分の核磁化分布を測定する方法及び装置 - Google Patents
物体の1部分の核磁化分布を測定する方法及び装置Info
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- JPS62254744A JPS62254744A JP62096352A JP9635287A JPS62254744A JP S62254744 A JPS62254744 A JP S62254744A JP 62096352 A JP62096352 A JP 62096352A JP 9635287 A JP9635287 A JP 9635287A JP S62254744 A JPS62254744 A JP S62254744A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は物体の1部分の核磁化分布を測定するに当り、
上記物体の1部分が位置する個所に均質静磁界を発生さ
せ、a)共鳴信号を発生させるために高周波電磁パルス
を発生させ、b)その後準備時間経過後発生した共鳴信
号の測定中多数の信号サンプルをとり、C)上記ステッ
プa)及びb)を数回繰返して1群の信号サンプルを得
、これら信号サンプルから信号変換後核磁化分布の影像
を測定するようにした物体の1部分の核磁化分布を測定
する方法に関するものである。
上記物体の1部分が位置する個所に均質静磁界を発生さ
せ、a)共鳴信号を発生させるために高周波電磁パルス
を発生させ、b)その後準備時間経過後発生した共鳴信
号の測定中多数の信号サンプルをとり、C)上記ステッ
プa)及びb)を数回繰返して1群の信号サンプルを得
、これら信号サンプルから信号変換後核磁化分布の影像
を測定するようにした物体の1部分の核磁化分布を測定
する方法に関するものである。
又、本発明は物体の1部分の核磁化分布を測定するに当
り、a)均質静磁界を発生する手段と、b)磁界の方向
が前記静磁界の方向に対し直交する高周波電磁放射を発
生する手段と、C)傾斜磁界を発生する手段と、d)手
段a)及びb)により発生した共鳴信号をサンプリング
するサンプリング手段と、e)このサンプリング手段に
より供給さる信号を処理して核磁化分布のイメージを形
成する信号処理手段と、f)少なくとも手段b)〜e)
を制御して多数の共鳴信号を発生、条件付け、サンプリ
ング及び処理する制御手段とを具える核磁化分布測定装
置に関するものである。
り、a)均質静磁界を発生する手段と、b)磁界の方向
が前記静磁界の方向に対し直交する高周波電磁放射を発
生する手段と、C)傾斜磁界を発生する手段と、d)手
段a)及びb)により発生した共鳴信号をサンプリング
するサンプリング手段と、e)このサンプリング手段に
より供給さる信号を処理して核磁化分布のイメージを形
成する信号処理手段と、f)少なくとも手段b)〜e)
を制御して多数の共鳴信号を発生、条件付け、サンプリ
ング及び処理する制御手段とを具える核磁化分布測定装
置に関するものである。
同様の方法(フーリエ ジューグマトグラフィとも称さ
れる)及び装置は、米国特許第4.070.611号公
報及びオランダ国特許願82.03519号明細書並び
にヨーロッパ特許願第74022号明細書から既知であ
る。これら明細書の方法では発生した共鳴信号のダイナ
ミック範囲が広くなる。又、いわゆる核スピンエコー技
術もしばしば用いられ、この場合には核スピンの磁化が
特定の瞬時に全て同相となり、その結果1画素内の位相
外れから生ずる信号損失を防止することができる。又、
測定実施前に傾斜磁界を精密に調整することができる。
れる)及び装置は、米国特許第4.070.611号公
報及びオランダ国特許願82.03519号明細書並び
にヨーロッパ特許願第74022号明細書から既知であ
る。これら明細書の方法では発生した共鳴信号のダイナ
ミック範囲が広くなる。又、いわゆる核スピンエコー技
術もしばしば用いられ、この場合には核スピンの磁化が
特定の瞬時に全て同相となり、その結果1画素内の位相
外れから生ずる信号損失を防止することができる。又、
測定実施前に傾斜磁界を精密に調整することができる。
しかし核スピンエコー技術を用いない場合には傾斜磁界
が好適に調整されたか否かが後になって明らかとなり、
従って測定を再び行う必要がある。
が好適に調整されたか否かが後になって明らかとなり、
従って測定を再び行う必要がある。
核スピンエコー技術を用いる場合にはイメージを符号化
するに必要な測定回数をほぼ%に減少し得る他の利点が
ある。しかしこの核スピンエコー技術の欠点は測定中信
号の振幅が著しく変化し得ることである。かかる理由で
、検出装置のダイナミック範囲に極めて高度の要求が課
せられるようになる。例えば、0.5テスラの高磁界強
度で充分な体積(例えば頭部の10cm19[さのスラ
イス)を測定する場合には約20ビツトのダイナミック
範囲を必要とする。
するに必要な測定回数をほぼ%に減少し得る他の利点が
ある。しかしこの核スピンエコー技術の欠点は測定中信
号の振幅が著しく変化し得ることである。かかる理由で
、検出装置のダイナミック範囲に極めて高度の要求が課
せられるようになる。例えば、0.5テスラの高磁界強
度で充分な体積(例えば頭部の10cm19[さのスラ
イス)を測定する場合には約20ビツトのダイナミック
範囲を必要とする。
本発明の目的は、検出装置のダイナミック範囲に充分厳
しい要求を課さないでも核スピンエコー技術及びその他
の測定技術の利点全部を保持し得るようにした上述した
種類の物体の1部分の核磁化分布を測定する方法及び装
置を提供せんとするにある。
しい要求を課さないでも核スピンエコー技術及びその他
の測定技術の利点全部を保持し得るようにした上述した
種類の物体の1部分の核磁化分布を測定する方法及び装
置を提供せんとするにある。
この目的のため、本発明は物体の1部分の核磁化分布を
測定するに当り、上記物体の1部分が位置する個所に均
質静磁界を発生させ、a)共鳴信号を発生させるために
高周波電磁パルスを発生させ、b)その後準備時間経過
後発生した共鳴信号の測定中多数の信号サンプルをとり
、C)上記ステップa)及びb)を数回繰返して1群の
信号サンプルを得、これら信号サンプルから信号変換後
核磁化分布の影像を測定するようにした物体の1部分の
核磁化分布を測定する方法にふいて、核磁化分布内で非
直線性となる励起核磁化の位相外れを磁界により発生さ
せ、核磁化分布のイメージの測定前に上記位置に依存す
る位相外れを補償するようにしたことを特徴とする。
測定するに当り、上記物体の1部分が位置する個所に均
質静磁界を発生させ、a)共鳴信号を発生させるために
高周波電磁パルスを発生させ、b)その後準備時間経過
後発生した共鳴信号の測定中多数の信号サンプルをとり
、C)上記ステップa)及びb)を数回繰返して1群の
信号サンプルを得、これら信号サンプルから信号変換後
核磁化分布の影像を測定するようにした物体の1部分の
核磁化分布を測定する方法にふいて、核磁化分布内で非
直線性となる励起核磁化の位相外れを磁界により発生さ
せ、核磁化分布のイメージの測定前に上記位置に依存す
る位相外れを補償するようにしたことを特徴とする。
又、本発明は物体の1部分の核磁化分布を測定するに当
り、a)均質静磁界を発生する手段と、b)磁界の方向
が前記静磁界の方向に対し直交する高周波電磁放射を発
生する手段と、C)傾斜磁界を発生する手段と、d)手
段a)及びb)により発生した共鳴信号をサンプリング
するサンプリング手段と、e)このサンプリング手段に
より供給さる信号を処理して核磁化分布のイメージを形
成する信号処理手段と、f)少なくとも手段b)〜e)
を制御して多数の共鳴信号を発生、条件付け、サンプリ
ング及び処理する制御手段とを具える核磁化分布測定装
置において、核磁化分布内で非直線性となる励起核磁化
の位相外れを発生する手段と、この位相外れを補償する
手段とを具えることを特徴とする。
り、a)均質静磁界を発生する手段と、b)磁界の方向
が前記静磁界の方向に対し直交する高周波電磁放射を発
生する手段と、C)傾斜磁界を発生する手段と、d)手
段a)及びb)により発生した共鳴信号をサンプリング
するサンプリング手段と、e)このサンプリング手段に
より供給さる信号を処理して核磁化分布のイメージを形
成する信号処理手段と、f)少なくとも手段b)〜e)
を制御して多数の共鳴信号を発生、条件付け、サンプリ
ング及び処理する制御手段とを具える核磁化分布測定装
置において、核磁化分布内で非直線性となる励起核磁化
の位相外れを発生する手段と、この位相外れを補償する
手段とを具えることを特徴とする。
測定すべき核磁化分布が位置に依存する分布(例えば2
次元密度分布〉である場合には非直線性の位相外れは位
置に依存させる必要がある。測定すべき磁化分布が分光
分布である場合には非直線性位相外れはスペクトル内に
導入され従って周波数に依存するようになる。
次元密度分布〉である場合には非直線性の位相外れは位
置に依存させる必要がある。測定すべき磁化分布が分光
分布である場合には非直線性位相外れはスペクトル内に
導入され従って周波数に依存するようになる。
又、これらの位置及び周波数依存性を組合せることもで
きる。
きる。
本発明方法の好適な例では準備時間中不均質で非直線性
の位置に依存する特定の磁界を供給し得るようにする。
の位置に依存する特定の磁界を供給し得るようにする。
励起時間と測定時間との間の準備時間中共鳴信号の検出
を行う上述した方法では所望の不均質磁界を適宜導入し
てこの不均質磁界外に最大の共鳴信号、例えば核スピン
エコー技術のエコー信号が発生する瞬時に画素の磁化が
互いに位相外れとなるようにする。しかしこの際過度に
鋭敏な位相外れが1つの画素内に生じないようにする必
要がある。イメージマトリックスをnxn画素とし、こ
れら画素の磁化方向を任意とする場合には共鳴信号の信
号強度は!=nだけ減少する。
を行う上述した方法では所望の不均質磁界を適宜導入し
てこの不均質磁界外に最大の共鳴信号、例えば核スピン
エコー技術のエコー信号が発生する瞬時に画素の磁化が
互いに位相外れとなるようにする。しかしこの際過度に
鋭敏な位相外れが1つの画素内に生じないようにする必
要がある。イメージマトリックスをnxn画素とし、こ
れら画素の磁化方向を任意とする場合には共鳴信号の信
号強度は!=nだけ減少する。
n = 128 (=2’)とする場合には信号ダイナ
ミック範囲は7ビツトだけ減少するようになる。
ミック範囲は7ビツトだけ減少するようになる。
本発明方法の好適な例では特定の傾斜磁界の強度は、各
々が互いに直交する方向の座標の1つに依存する3つの
部分磁界の少なくとも1つにより発生させるようにする
。この例によれば導入される特定の磁界の不均質性の傾
斜形状が直線性となる(即ちこの不均質性がx、y、z
又はその直線性組合せに比例する)ようにする必要があ
る。その理由は、高信号強度の共鳴信号の発生時点が種
々の瞬時に推移するからである。これがため印加される
磁界の不均質性は高次の成分を有するようになる。又、
既に存在する靜磁界の不均質性を用いることもできる。
々が互いに直交する方向の座標の1つに依存する3つの
部分磁界の少なくとも1つにより発生させるようにする
。この例によれば導入される特定の磁界の不均質性の傾
斜形状が直線性となる(即ちこの不均質性がx、y、z
又はその直線性組合せに比例する)ようにする必要があ
る。その理由は、高信号強度の共鳴信号の発生時点が種
々の瞬時に推移するからである。これがため印加される
磁界の不均質性は高次の成分を有するようになる。又、
既に存在する靜磁界の不均質性を用いることもできる。
しかし、この場合には傾斜磁界の調整が手動操作となる
欠点がある。この目的のだめに導入した特定の手段によ
って発生する特性の不均質性を用いる場合にはこの問題
は生じない。従って非直線性の特定の磁界を発生するコ
イルを附勢しないで傾斜磁界を調整することができる。
欠点がある。この目的のだめに導入した特定の手段によ
って発生する特性の不均質性を用いる場合にはこの問題
は生じない。従って非直線性の特定の磁界を発生するコ
イルを附勢しないで傾斜磁界を調整することができる。
この特定の磁界の不均質性は最後の測定で信号検出をお
こなうためにのみ発生させる。この信号検出中は特定の
手段を不作動状態にしてイメージの歪み又は不鮮明さが
特定の磁界により生じ得ないようにする。
こなうためにのみ発生させる。この信号検出中は特定の
手段を不作動状態にしてイメージの歪み又は不鮮明さが
特定の磁界により生じ得ないようにする。
一般的には、上述した方法により測定回数をフーリエ
ジニーグマトグラフィでほぼAに減少する可能性(オラ
ンダ国特許願82.0351号明細書参照)を適用しな
いようにする。しかしこの方法において位置に依存する
非直線性の特定の磁界を用い、その磁界強度が座標軸方
向にのみ依存するようにする場合にはデータの数をAに
することができる。従って実際上実験により測定回数を
Aに減少させることができた。この例は、測定装置で非
直線性の位相外れを無視して傾斜磁界Gyで励起した後
y座標に比例する位相角に磁化を与え、次いでX方向に
傾斜磁界Gxを存在させてMHI信号を検出することに
よりxy面で物体を結像する2次元フーリエ ジューグ
マトグラフィの実験である。
ジニーグマトグラフィでほぼAに減少する可能性(オラ
ンダ国特許願82.0351号明細書参照)を適用しな
いようにする。しかしこの方法において位置に依存する
非直線性の特定の磁界を用い、その磁界強度が座標軸方
向にのみ依存するようにする場合にはデータの数をAに
することができる。従って実際上実験により測定回数を
Aに減少させることができた。この例は、測定装置で非
直線性の位相外れを無視して傾斜磁界Gyで励起した後
y座標に比例する位相角に磁化を与え、次いでX方向に
傾斜磁界Gxを存在させてMHI信号を検出することに
よりxy面で物体を結像する2次元フーリエ ジューグ
マトグラフィの実験である。
y方向のn部分点の解像度を得るためには一般に上述し
た実験をn回繰返す必要があるがこの場合傾斜磁界GM
の強度は時間と共に絶えず変化している。本発明方法の
1例においてX座標軸にのみ依存する非直線性の特定の
磁界を用いる場合には繰返し回数を、nが偶数の場合−
+1回とし、nn+1 が奇数の場合□回とするだけで充分に完全なイメージを
測定することができる。
た実験をn回繰返す必要があるがこの場合傾斜磁界GM
の強度は時間と共に絶えず変化している。本発明方法の
1例においてX座標軸にのみ依存する非直線性の特定の
磁界を用いる場合には繰返し回数を、nが偶数の場合−
+1回とし、nn+1 が奇数の場合□回とするだけで充分に完全なイメージを
測定することができる。
本発明方法の好適な例では供給される高周波パルスの位
相スペクトルを非直線性とする。
相スペクトルを非直線性とする。
更に本発明方法の好適な例では非直線性位相スペクトル
をゆうする。高周波励起エコーパルス中に存在する傾斜
磁界の傾斜方向を、測定時間中印加すべき傾斜磁界の直
線性傾斜方向に一致させるようにする。この場合には3
次元フーリエ ジューグマトグラフィを既知のように用
いると、測定サイクルの回数をほぼ2に減少させること
ができる。これがため1測定サイクルから信号サンプル
の測定及びフーリエ変換後導入された非直線性の位置に
依存する位相外れを補償することができ、従って位置に
依存する位相外れを導入することなく測定されたスペク
トルと同様のスペクトルを得ることができる。
をゆうする。高周波励起エコーパルス中に存在する傾斜
磁界の傾斜方向を、測定時間中印加すべき傾斜磁界の直
線性傾斜方向に一致させるようにする。この場合には3
次元フーリエ ジューグマトグラフィを既知のように用
いると、測定サイクルの回数をほぼ2に減少させること
ができる。これがため1測定サイクルから信号サンプル
の測定及びフーリエ変換後導入された非直線性の位置に
依存する位相外れを補償することができ、従って位置に
依存する位相外れを導入することなく測定されたスペク
トルと同様のスペクトルを得ることができる。
3次元フーリエ ジューグマトダラフィの場合には核ス
ピンの位置依存性を非直線的に且つ2つの互に直交する
方向に位相外れさせるのが有利である。この目的のため
に90’励起パルス及びこれに続<最初の180 ”エ
コーパルス(離焦パルス)の双方の周波数特性を非直線
性とする。90°励起パルス中に存在する直線性の傾斜
磁界の傾斜方向をエコーパルス中に存在する直線性傾斜
磁界の傾斜方向に対して直交させるようにする。
ピンの位置依存性を非直線的に且つ2つの互に直交する
方向に位相外れさせるのが有利である。この目的のため
に90’励起パルス及びこれに続<最初の180 ”エ
コーパルス(離焦パルス)の双方の周波数特性を非直線
性とする。90°励起パルス中に存在する直線性の傾斜
磁界の傾斜方向をエコーパルス中に存在する直線性傾斜
磁界の傾斜方向に対して直交させるようにする。
本発明方法は次に示すように実施する。第1の測定サイ
クルでは準備傾斜磁界をスイッチオンしない。サンプル
された共鳴信号のフーリエ変換によって位相が核層波数
成分に対して測定される周波数成分の複素スペクトルを
発生させる。この位相は、検出装置の調整が正しくない
場合に生ずる一定の位相誤差ψ0を無視すれば、予め設
定された位置に依存する位相外れによって完全に測定す
ることができる。測定された共鳴信号の計算された位相
角をメモリに記憶する。この後記憶された位相角を2手
段で処理し得るようにする。第1の手段ではフーリエ変
換後メモリに記憶された位相角に従って測定値全体に対
し位相補正を施す。第2の手段では測定値全体のフーリ
エ変換即ち行のフーリエ変換に次いで種々の測定値から
同一の周波数に属さない点のフーリエ変換(即ち列のフ
ーリエ変換)を行い、その後この2次元のフーリエ変換
アルゴリズムを適用して即ち測定された前のイメージに
おける各画素に対し位相補正を施す。
クルでは準備傾斜磁界をスイッチオンしない。サンプル
された共鳴信号のフーリエ変換によって位相が核層波数
成分に対して測定される周波数成分の複素スペクトルを
発生させる。この位相は、検出装置の調整が正しくない
場合に生ずる一定の位相誤差ψ0を無視すれば、予め設
定された位置に依存する位相外れによって完全に測定す
ることができる。測定された共鳴信号の計算された位相
角をメモリに記憶する。この後記憶された位相角を2手
段で処理し得るようにする。第1の手段ではフーリエ変
換後メモリに記憶された位相角に従って測定値全体に対
し位相補正を施す。第2の手段では測定値全体のフーリ
エ変換即ち行のフーリエ変換に次いで種々の測定値から
同一の周波数に属さない点のフーリエ変換(即ち列のフ
ーリエ変換)を行い、その後この2次元のフーリエ変換
アルゴリズムを適用して即ち測定された前のイメージに
おける各画素に対し位相補正を施す。
この位相補正はメモリに記憶された位相角に従って行う
。これがため、補正は各列に対し一定の位相推移となり
、これは補正が例えばX座標にのみ依存することを意味
する。しかし1座標にのみ依存する非直線性の特定の磁
界を用いる場合には信号強度の減少は少なくなる。n、
xnマトリックスの場合には最も好適な例における信号
強度はFマTでなくlWだけ減少するようになる。
。これがため、補正は各列に対し一定の位相推移となり
、これは補正が例えばX座標にのみ依存することを意味
する。しかし1座標にのみ依存する非直線性の特定の磁
界を用いる場合には信号強度の減少は少なくなる。n、
xnマトリックスの場合には最も好適な例における信号
強度はFマTでなくlWだけ減少するようになる。
位置に依存する位相外れがX及びy座標の双方に依存す
る場合には実像及び複素像から再構成した後各画素に対
し位相推移を測定し且つこれに対し補正を施すことがで
きる。所望に応じ位相補正を較正測定で前辺って行い、
これをコンビエータのメモリに記憶することができる。
る場合には実像及び複素像から再構成した後各画素に対
し位相推移を測定し且つこれに対し補正を施すことがで
きる。所望に応じ位相補正を較正測定で前辺って行い、
これをコンビエータのメモリに記憶することができる。
この方法は任意に配向された面に適用でき、位相補正値
を記憶するうえで有効である。3次元像を測定する場合
には本発明方法を次に説明するように実施する。
を記憶するうえで有効である。3次元像を測定する場合
には本発明方法を次に説明するように実施する。
共鳴信号は傾斜磁界GXを存在させて測定するものとす
ると共に傾斜磁界Gy及びGzを準備傾斜磁界として切
換えるようにする。nxxnyxnzマトリックスの測
定に際しては、位置に依存する位相外れにより互に任意
に配向されている磁化の理想的な場合に信号強度を、β
「マフ−πフッ「π]゛分の1に減少する。3次元像を
再構成する場合には導入された位置に依存する位相外れ
及び一定の検出器位相角ψ。に対し体積素子毎の3次元
フーリエ変換後に補正を行う。
ると共に傾斜磁界Gy及びGzを準備傾斜磁界として切
換えるようにする。nxxnyxnzマトリックスの測
定に際しては、位置に依存する位相外れにより互に任意
に配向されている磁化の理想的な場合に信号強度を、β
「マフ−πフッ「π]゛分の1に減少する。3次元像を
再構成する場合には導入された位置に依存する位相外れ
及び一定の検出器位相角ψ。に対し体積素子毎の3次元
フーリエ変換後に補正を行う。
この3次元の場合にも測定回数をほぼ4に減少させるこ
とができる。しかし位置に依存する位相外れは2座標に
のみ依存させる必要がある。例えば位置に依存する位相
外れをX及び2座標にのみ依存させることができ、この
場合の測定サイクルでは傾斜磁界GVをその半分だけ用
いるようにする。
とができる。しかし位置に依存する位相外れは2座標に
のみ依存させる必要がある。例えば位置に依存する位相
外れをX及び2座標にのみ依存させることができ、この
場合の測定サイクルでは傾斜磁界GVをその半分だけ用
いるようにする。
3次元フーリエ変換後X及び2座標にのみ依存する所望
のように導入された位相誤差を補正する。
のように導入された位相誤差を補正する。
この補正は、y座標の関数として供給されるイメージデ
ータを発生するフーリエ変換前に行うこともできる。従
って理想的な場合の信号強度の減少は/「77W了分の
1となり、不均質磁界の3方向に印加される場合よりも
小さくなる。
ータを発生するフーリエ変換前に行うこともできる。従
って理想的な場合の信号強度の減少は/「77W了分の
1となり、不均質磁界の3方向に印加される場合よりも
小さくなる。
上述した所では本発明を既知のフーリエ ジューグマト
グラフィを基として説明したが、本発明は各共鳴信号を
用いる他の像再構成法、例えば投影再構成法(例えばフ
ィリップス テクニカルレビュー第41巻第3号、19
83年第73−89頁参照)及び分光分布の測定にも適
用することができる。
グラフィを基として説明したが、本発明は各共鳴信号を
用いる他の像再構成法、例えば投影再構成法(例えばフ
ィリップス テクニカルレビュー第41巻第3号、19
83年第73−89頁参照)及び分光分布の測定にも適
用することができる。
本発明装置の好適な例では各磁化分布内で非直線性とな
る位相外れを発生する手段が、非直線性で位置に依存す
る特定の磁界を発生する少なくとも1個のコイルを具え
るようにする。。かかる装置によれば、測定すべき各共
鳴信号のダイナミック範囲を縮小させることができる。
る位相外れを発生する手段が、非直線性で位置に依存す
る特定の磁界を発生する少なくとも1個のコイルを具え
るようにする。。かかる装置によれば、測定すべき各共
鳴信号のダイナミック範囲を縮小させることができる。
この装置では非直線性の位相外れを既知のMRI測定に
必要な手段に無関係のコイルによって行うため、上述し
た手段を既知のように調整且つ使用することができる。
必要な手段に無関係のコイルによって行うため、上述し
た手段を既知のように調整且つ使用することができる。
本発明装置の更に好適な例には非直線性位相スペクトル
の高周波パルスを発生する無線周波手段を更に具えるよ
うにする。この場合には高周波手段に単側波帯変調器を
設ける。この場合の装置でも既知のMHI測定に必要な
手段は非直線性で位置又は周波数に依存する位相外れを
行う無線周波手段とは無関係に調整且つ使用することが
できる利点がある。種々の制御信号を無線周波手段に供
給して非直線位相特性を有する、又は有さない種々の所
望のスペクトルを発生させることができる。
の高周波パルスを発生する無線周波手段を更に具えるよ
うにする。この場合には高周波手段に単側波帯変調器を
設ける。この場合の装置でも既知のMHI測定に必要な
手段は非直線性で位置又は周波数に依存する位相外れを
行う無線周波手段とは無関係に調整且つ使用することが
できる利点がある。種々の制御信号を無線周波手段に供
給して非直線位相特性を有する、又は有さない種々の所
望のスペクトルを発生させることができる。
更に本発明装置の好適な例には位相外れを補償する信号
値を記憶するメモリ手段を更に具えるようにする。
値を記憶するメモリ手段を更に具えるようにする。
かかる装置によれば位相外れを補償する信号値を再び計
算する必要はなく、これによりイメージを迅速に処理し
、且つ迅速に得ることができる利点がある。
算する必要はなく、これによりイメージを迅速に処理し
、且つ迅速に得ることができる利点がある。
又、本発明装置の更に他の例では補償信号値を記憶する
メモリ手段は、多次元像の次元方向における画素数に等
しい多数のメモリ位置を具えるようにする。この場合に
は補償信号値に対するメモリの容量を相対的に小さくし
得る利点がある。しかしこれは1方向に位相外れによる
信号減衰が導入される場合である。
メモリ手段は、多次元像の次元方向における画素数に等
しい多数のメモリ位置を具えるようにする。この場合に
は補償信号値に対するメモリの容量を相対的に小さくし
得る利点がある。しかしこれは1方向に位相外れによる
信号減衰が導入される場合である。
更に、単側波帯変調器を用いること自体は本発明に関係
なく有利である。その理由はこれを種々の測定法、例え
ば分光法及び“多重スライス”に有効に用いることがで
きるからである。
なく有利である。その理由はこれを種々の測定法、例え
ば分光法及び“多重スライス”に有効に用いることがで
きるからである。
図面につき本発明の詳細な説明する。
第1図に示す本発明による物体の1部分の各磁化分布を
測定する装置10は1組のコイル20及びコイル制御装
置21を具え、このコイル制御装置には均一な主静磁界
BOを発生するための主コイルを駆動すると共に直線性
傾斜磁界を発生するための傾斜磁気コイルを駆動する電
流発生器を設ける。又、本発明測定装置には高周波コイ
ルを駆動する高周波送受信装置23をも設ける。これら
コイル制御装置21及び高周波送受信装置23は一般に
コンピュータを具える中央制御装置25によって制御す
る。又、この中央制御装置25は、高周波送受信装置2
3を経て測定信号を受ける信号処理兼再生装置27をも
制御する。第1図に示す測定装置の動作を第2図に示す
測定波形によって更に詳細に説明する。
測定する装置10は1組のコイル20及びコイル制御装
置21を具え、このコイル制御装置には均一な主静磁界
BOを発生するための主コイルを駆動すると共に直線性
傾斜磁界を発生するための傾斜磁気コイルを駆動する電
流発生器を設ける。又、本発明測定装置には高周波コイ
ルを駆動する高周波送受信装置23をも設ける。これら
コイル制御装置21及び高周波送受信装置23は一般に
コンピュータを具える中央制御装置25によって制御す
る。又、この中央制御装置25は、高周波送受信装置2
3を経て測定信号を受ける信号処理兼再生装置27をも
制御する。第1図に示す測定装置の動作を第2図に示す
測定波形によって更に詳細に説明する。
第2図に例示する本発明測定方法は多数の測定サイクル
を具えるがそのうちの1測定サイクルのみを示す。この
測定サイクルは高周波数の90°パルスpiによって測
定を開始し、その後待時間tvlが続いて励起核スピン
の磁化を高周波数の180゜パルスp2により反転し、
従って待時間tv2(tv2=tvl)の後エコー信号
F2’を発生する。一般に90゜パルスpi及び180
°パルスp2間の準備時間中直線性傾斜磁界(便宜上図
面には示さない)を用いてサンプリングすべき共鳴信号
P2’を符号化する。しかし傾斜磁界が印加されない場
合には共鳴信号(F2’ )は妨害されず、最大の強度
で発生する。最大強度の共鳴信号が妨害されずに発生す
ることは、共鳴信号が220程度の信号ダイナミック範
囲を有することを意味する。これは高周波送受信装置2
3、特にそのアナログ−ディジタル変換区分に極めて高
い要求が課せられることを意味する。
を具えるがそのうちの1測定サイクルのみを示す。この
測定サイクルは高周波数の90°パルスpiによって測
定を開始し、その後待時間tvlが続いて励起核スピン
の磁化を高周波数の180゜パルスp2により反転し、
従って待時間tv2(tv2=tvl)の後エコー信号
F2’を発生する。一般に90゜パルスpi及び180
°パルスp2間の準備時間中直線性傾斜磁界(便宜上図
面には示さない)を用いてサンプリングすべき共鳴信号
P2’を符号化する。しかし傾斜磁界が印加されない場
合には共鳴信号(F2’ )は妨害されず、最大の強度
で発生する。最大強度の共鳴信号が妨害されずに発生す
ることは、共鳴信号が220程度の信号ダイナミック範
囲を有することを意味する。これは高周波送受信装置2
3、特にそのアナログ−ディジタル変換区分に極めて高
い要求が課せられることを意味する。
本発明方法の1例を以下に示し、これにより上述した大
きな信号ダイナミック範囲を減少し得るようにする。本
例では共鳴信号F1を発生する90゜パルスp1の後の
準備時間tvl中に非直線性の位置に依存する特定の磁
界Eをスイッチオンさせる。
きな信号ダイナミック範囲を減少し得るようにする。本
例では共鳴信号F1を発生する90゜パルスp1の後の
準備時間tvl中に非直線性の位置に依存する特定の磁
界Eをスイッチオンさせる。
この非直線性の特定の磁界Eによって核スピンを特定の
位置に依存して位相外れとする。これがため180°パ
ルスp2の後及び期間tv2(=tvl)の経過後核ス
ピンによってそのエコ一時間の瞬時Tに信号を全部同一
方向に配向しなくなり従って振幅が“妨害されない”信
号F2’よりも著しく小さい共鳴信号F2を発生する。
位置に依存して位相外れとする。これがため180°パ
ルスp2の後及び期間tv2(=tvl)の経過後核ス
ピンによってそのエコ一時間の瞬時Tに信号を全部同一
方向に配向しなくなり従って振幅が“妨害されない”信
号F2’よりも著しく小さい共鳴信号F2を発生する。
この広がりが種々の核スピンの位相に生ずる程度は非直
線性の特定の磁界Eの強度と、この磁界がスイッチオン
される時間とによって決まる。
線性の特定の磁界Eの強度と、この磁界がスイッチオン
される時間とによって決まる。
第2図は本発明方法の1測定サイクルのみを示す。本発
明方法は例えば、ヨーロッパ特許74022号公報に記
載されているような測定サイクルを用いることができる
。このヨーロッパ特許では同様の非直線性の特定の磁界
を高周波数のパルスpi(90°)及びパルスp2 (
180°)間の準備時間中に常時スイッチオンするよう
にしている。本発明方法は米国特許第4.070.61
1号公報又はオランダ国特許願第82.03519号明
細書に記載されている方法に用いることもできる。
明方法は例えば、ヨーロッパ特許74022号公報に記
載されているような測定サイクルを用いることができる
。このヨーロッパ特許では同様の非直線性の特定の磁界
を高周波数のパルスpi(90°)及びパルスp2 (
180°)間の準備時間中に常時スイッチオンするよう
にしている。本発明方法は米国特許第4.070.61
1号公報又はオランダ国特許願第82.03519号明
細書に記載されている方法に用いることもできる。
発生すべき特定の磁界Eの強度の非直線性形状は放物線
状とするのが好適である。磁界Eは特定のコイルにより
発生させ、このコイルは既に設けられている必要なコイ
ル(主磁界コイルBO1調整コイル、傾斜コイル、送受
信コイル)に加えるようにする。特定のコイル(第1図
には個別に示さない)を検査すべき物体に対して配列す
る手段及びこれら特定のコイルの形状は例えば米国特許
第3、199.021号公報から決めることができる。
状とするのが好適である。磁界Eは特定のコイルにより
発生させ、このコイルは既に設けられている必要なコイ
ル(主磁界コイルBO1調整コイル、傾斜コイル、送受
信コイル)に加えるようにする。特定のコイル(第1図
には個別に示さない)を検査すべき物体に対して配列す
る手段及びこれら特定のコイルの形状は例えば米国特許
第3、199.021号公報から決めることができる。
この米国特許では発生すべき均等な静磁界の非直線性を
精密に除去するためにコイルを用いることが記載されて
いるが、これらコイルを用いて所望の非直線性(高次)
の磁界を発生させて補償を行うことに関する情報も米国
特許第3.582.779号公報及びドイツ国特許願1
9.46.059号明細書に記載されている。又、かか
るコイルによって非直線性磁界のほかに直線性磁界(例
えば直線性傾斜磁界)をも発生する場合には、この磁界
を、既設の傾斜コイルによって発生し得る磁界により所
望に応じ再び除去又は補償する必要がある。
精密に除去するためにコイルを用いることが記載されて
いるが、これらコイルを用いて所望の非直線性(高次)
の磁界を発生させて補償を行うことに関する情報も米国
特許第3.582.779号公報及びドイツ国特許願1
9.46.059号明細書に記載されている。又、かか
るコイルによって非直線性磁界のほかに直線性磁界(例
えば直線性傾斜磁界)をも発生する場合には、この磁界
を、既設の傾斜コイルによって発生し得る磁界により所
望に応じ再び除去又は補償する必要がある。
第3a及び3b図は従来の方法による高周波パルス及び
その周波数特性を示す。第3a図に示す高周波パルスの
エンベロープは5inc関数が重畳されているがウス曲
線を示し、従って第3b図に示す周波数スペクトルfは
振幅がSのほぼ長方形状となる。
その周波数特性を示す。第3a図に示す高周波パルスの
エンベロープは5inc関数が重畳されているがウス曲
線を示し、従って第3b図に示す周波数スペクトルfは
振幅がSのほぼ長方形状となる。
これは、かかるパルスと傾斜磁界とを組合せることによ
って物体の比較的鋭敏に画成された体積を選択的に励起
し得ることを意味する。第3図から明らかなように位相
ψはスペクトルの種々の周波数fに対して一定となる(
例えばψ=0)。従って関連する時間信号は実数信号R
Bとなり、関連する虚数部分IMは零となり、これを第
3a図に直線で示す。
って物体の比較的鋭敏に画成された体積を選択的に励起
し得ることを意味する。第3図から明らかなように位相
ψはスペクトルの種々の周波数fに対して一定となる(
例えばψ=0)。従って関連する時間信号は実数信号R
Bとなり、関連する虚数部分IMは零となり、これを第
3a図に直線で示す。
第4a図は本発明による高周波パルスの1例を示す。図
中信号AI(t)は実数信号成分REのエンプローブを
示し、信号A2 (t)は虚数信号成分IMのエンベロ
ープを示す。これら信号A2 (t)及びAI(t)
は次に示すように測定する。周波数特性を適宜選定し
てその振幅周波数特性S(ω)は、励起すべき即ち影響
すべき体積の端縁画成に従って長方形にほぼ等しくなる
ようにし、従って第3b図に示す周波数特性にほぼ等し
くなるようにする。この周波数特性S(ω)において位
相特性ψ(ω)を適宜選定してこれが放物線形状となる
即ち中心角周波数W。と゛上記端縁における″角度wr
との最大位相差が多数倍即ち2π以上となり、且つ画素
に生じる位相外れに依存し得るようにする。これらエン
ベロープAt(t)及びA2 (t) は既知の計算方
法を用い第4b図から選択された特性S(ω)及びψ(
ω)から決め得るようにする。これらエンベロープ 八
1(t)及びA2(t) を高周波発振器と共に用いて
測定すべき分布内で非直線性位相推移された高周波パル
ス(例、tハ90°パルス又は180°パルス)を発生
させるようにする。
中信号AI(t)は実数信号成分REのエンプローブを
示し、信号A2 (t)は虚数信号成分IMのエンベロ
ープを示す。これら信号A2 (t)及びAI(t)
は次に示すように測定する。周波数特性を適宜選定し
てその振幅周波数特性S(ω)は、励起すべき即ち影響
すべき体積の端縁画成に従って長方形にほぼ等しくなる
ようにし、従って第3b図に示す周波数特性にほぼ等し
くなるようにする。この周波数特性S(ω)において位
相特性ψ(ω)を適宜選定してこれが放物線形状となる
即ち中心角周波数W。と゛上記端縁における″角度wr
との最大位相差が多数倍即ち2π以上となり、且つ画素
に生じる位相外れに依存し得るようにする。これらエン
ベロープAt(t)及びA2 (t) は既知の計算方
法を用い第4b図から選択された特性S(ω)及びψ(
ω)から決め得るようにする。これらエンベロープ 八
1(t)及びA2(t) を高周波発振器と共に用いて
測定すべき分布内で非直線性位相推移された高周波パル
ス(例、tハ90°パルス又は180°パルス)を発生
させるようにする。
1画素内の位相外れは大きくし過ぎてはならない。その
理由は大きくし過ぎると極めて大きな信号が生じるから
である。1画素内の位相外れは、この画素で約10%の
信号損失が許容された場合にこの画素内の放物線位相推
移で最大90°とし得ることを計算により確かめた。
理由は大きくし過ぎると極めて大きな信号が生じるから
である。1画素内の位相外れは、この画素で約10%の
信号損失が許容された場合にこの画素内の放物線位相推
移で最大90°とし得ることを計算により確かめた。
第5図は本発明による測定装置10(第1図)に用いる
高周波発振器30の好適な例を示す。この高周波発振器
30は一定周波数発振器31及び直角変調器を具え、こ
の直角変調器は90°位相器33と、2個の振幅変調器
32及び34と、加算回路35とを具える。本例では発
振器31により発生した高周波信号(COSωt)を9
0°位相器33を経て振幅変調器34に供給する。これ
ら振幅変調器32及び34は時間信号AI(1)及びA
2 (t)を夫々受け、この場合、信号Al(t)及び
A2 (t)は、夫々周波数スペクトルで選定された関
数のフーリエ変換の実数及び虚数時間信号とする。本例
では差動増幅器のみを必要とする加算回路35は、2個
の変調器32及び34からの出力信号を受け、これら信
号を共に加算する加算回路35の出力信号は次式で表わ
すことができると共にこの信号をコイル組20(第1図
)の高周波コイルに供給する。
高周波発振器30の好適な例を示す。この高周波発振器
30は一定周波数発振器31及び直角変調器を具え、こ
の直角変調器は90°位相器33と、2個の振幅変調器
32及び34と、加算回路35とを具える。本例では発
振器31により発生した高周波信号(COSωt)を9
0°位相器33を経て振幅変調器34に供給する。これ
ら振幅変調器32及び34は時間信号AI(1)及びA
2 (t)を夫々受け、この場合、信号Al(t)及び
A2 (t)は、夫々周波数スペクトルで選定された関
数のフーリエ変換の実数及び虚数時間信号とする。本例
では差動増幅器のみを必要とする加算回路35は、2個
の変調器32及び34からの出力信号を受け、これら信
号を共に加算する加算回路35の出力信号は次式で表わ
すことができると共にこの信号をコイル組20(第1図
)の高周波コイルに供給する。
5(t)=^l (t) cosψt −A2(t)s
inψt=Re (Al(t)+i八へ(t)eXP
(i a)t))
inψt=Re (Al(t)+i八へ(t)eXP
(i a)t))
第1図は本発明核磁化分布測定装置の1例の構成を示す
ブロック図、 第2図は本発明核磁化分布測定方法を示す説明図、 第3a及び3b図は従来技術による高周波パルス及びそ
の周波数特性を示す波形図、 第4a及び4b図は本発明による高周波パルス及びその
周波数特性を示す波形図、 第5図は非直線性位相スペクトルを有する高周波パルス
を発生する手段を示すブロック回路図である。 lO・・・核磁化分布測定装置 20・・・コイル 21・・・コイル制御装
置23・・・高周波送受信装置 25・・・中央制御装
置27・・・信号処理兼再生装置
ブロック図、 第2図は本発明核磁化分布測定方法を示す説明図、 第3a及び3b図は従来技術による高周波パルス及びそ
の周波数特性を示す波形図、 第4a及び4b図は本発明による高周波パルス及びその
周波数特性を示す波形図、 第5図は非直線性位相スペクトルを有する高周波パルス
を発生する手段を示すブロック回路図である。 lO・・・核磁化分布測定装置 20・・・コイル 21・・・コイル制御装
置23・・・高周波送受信装置 25・・・中央制御装
置27・・・信号処理兼再生装置
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、物体の1部分の核磁化分布を測定するに当り、上記
物体の1部分が位置する個所に均質静磁界を発生させ、
a)共鳴信号を発生させるために高周波電磁パルスを発
生させ、b)その後準備時間経過後発生した共鳴信号の
測定中多数の信号サンプルをとり、c)上記ステップa
)及びb)を数回繰返して1群の信号サンプルを得、こ
れら信号サンプルから信号変換後核磁化分布の影像を測
定するようにした物体の1部分の核磁化分布を測定する
方法において、核磁化分布内で非直線性となる励起核磁
化の位相外れを磁界により発生させ核磁化分布のイメー
ジの測定前に上記位置に依存する位相外れを補償するよ
うにしたことを特徴とする物体の1部分の核磁化分布を
測定する方法。 2、核磁化分布を位置に依存する分布とし、位相外れが
非直線性で位置に依存するようにしたことを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載の物体の1部分の核磁化分
布を測定する方法。 3、核磁化分布を分光分布とし、位相はずれが非直線性
で周波数に依存するようにしたことを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載の物体の1部分の核磁化分布を測
定する方法。 4、準備時間中不均質で非直線性の位置に依存する特定
の磁界を印加するようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第1項又は第2項に記載の物体の1部分の核磁化
分布を測定する方法。 5、特定の傾斜磁界の強度は、各々が互いに直交する方
向の座標の1つに依存する3つの部分磁界の少なくとも
1つにより発生させるようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第2項に記載の物体の1部分の核磁化分布を
測定する方法。 6、各特定の部分磁界の強度を放物線形状としたことを
特徴とする特許請求の範囲第4項又は第5項に記載の物
体の1部分の核磁化分布を測定する方法。 7、供給される高周波パルスの位相スペクトルを非直線
性としたことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第
3項に記載の物体の1部分の核磁化分布を測定する方法
。 8、非直線性位相スペクトルを有する高周波パルスをエ
コーパルスとしたことを特徴とする特許請求の範囲第7
項に記載の物体の1部分の核磁化分布を測定する方法。 9、非直線性位相スペクトルを有する高周波パルスを励
起パルスしたことを特徴とする特許請求の範囲第7項に
記載の物体の1部分の核磁化分布を測定する方法。 10、エコーパルス又は励起パルスの持続時間中傾斜磁
界を印加するようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第8項又は第9項に記載の物体の1部分の核磁化分布
を測定する方法。 11、高周波励起パルス及び/又はエコーパルス中に存
在する傾斜磁界の傾斜方向を、測定時間中印加すべき傾
斜磁界の傾斜方向に一致させるようにしたことを特徴と
する特許請求の範囲第10項に記載の物体の1部分の核
磁化分布を測定する方法。 12、励起パルス及び後続の第1エコーパルスの双方の
位相スペクトルを非直線性とし、この際励起パルス中に
存在する傾斜磁界の傾斜方向をエコーパルス中に存在す
る傾斜磁界の傾斜方向に対し直交させるようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第7、8、9、10又は1
1項に記載の物体の1部分の核磁化分布を測定する方法
。 13、非直線性位相スペクトルを放物線状としたことを
特徴とする特許請求の範囲第7、8、9、10、11又
は12項に記載の物体の1部分の核磁化分布を測定する
方法。 14、物体の1部分の核磁化分布を測定するに当り、a
)均質静磁界を発生する手段と、b)磁界の方向が前記
静磁界の方向に対し直交する高周波電磁放射を発生する
手段と、c)傾斜磁界を発生する手段と、d)手段a)
及びb)により発生した共鳴信号をサンプリングするサ
ンプリング手段と、e)このサンプリング手段により供
給さる信号を処理して核磁化分布のイメージを形成する
信号処理手段と、f)少なくとも手段b)〜e)を制御
して多数の共鳴信号を発生、条件付け、サンプリング及
び処理する制御手段とを具える核磁化分布測定装置にお
いて、核磁化分布内で非直線性となる励起核磁化の位相
外れを発生する手段と、この位相外れを補償する手段と
を具えることを特徴とする物体の1部分の核磁化分布を
測定する装置。 15、核磁化分布内で非直線性となる位相外れを発生す
る手段は、非直線性で位置に依存する特定の磁界を発生
する少なくとも1個のコイルを具えることを特徴とする
特許請求の範囲第14項に記載の物体の1部分の核磁化
分布を測定する装置。 16、非直線性位相スペクトルの高周波パルスを発生す
る無線周波手段を更にそなえることを特徴とする特許請
求の範囲第14項に記載の物体の1部分の核磁化分布を
測定する装置。 17、高周波手段は単側波帯変調器をそなえることを特
徴とする特許請求の範囲第16項に記載の物体の1部分
の核磁化分布を測定する装置。 18、位相外れを補償する信号値を記憶するメモリ手段
を更に具えることを特徴とする特許請求の範囲第14、
15、16又は17項に記載の物体の1部分の核磁化分
布を測定する装置。 19、補償信号値を記憶するメモリ手段は、多次元像の
次元方向における画素数に等しい多数のメモリ位置を具
えることを特徴とする特許請求の範囲第18項に記載の
物体の1部分の核磁化分布を測定する装置。 20、補償信号値を記憶するメモリ手段は、測定すべき
磁化分布のイメージの画素数に等しい多数のメモリ位置
を具えることを特徴とする特許請求の範囲第18項に記
載の物体の1部分の核磁化分布を測定する装置。
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