【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]
【産業上の利用分野】[Industrial application field]
本発明は、特に垂直磁気記録方式に適した磁気記録媒体
に関するものである。The present invention relates to a magnetic recording medium particularly suitable for perpendicular magnetic recording.
【従来技術とその問題点】[Prior art and its problems]
垂直磁気記録方式は高密度磁気記録に適した方式として
注目されており、この方式に適した磁気記録媒体の研究
開発が盛に行なわれている。
この垂直磁気記録方式に用いられる磁気記録媒体は、情
報の記録が膜面に垂直に磁化されて行なわれるものであ
るから、膜面に垂直方向の磁気異方性を持つものでなけ
ればならず、しかもこの垂直方向の磁気異方性が強いも
のでなければならない。
特に、浮上式のリング型ヘッドを用いて記録再生するタ
イプのリジッドディスクの場合にあっては、垂直方向の
磁気異方性の強い条件がより一層必要とされている。
そして、このような垂直磁気異方性を強くして高密度記
録を達成する為には、Ｃ軸分散角Δθ、。
を小さくすることが必須用件であると言われてきている
。
このＣ軸分散角Δθ、。が小さな磁気記録媒体を得るム
、従来より、様々な研究開発が行なわれてきており、そ
の一つの大きな流れとして磁性膜の下地膜に対する研究
がある。
すなわち、磁性膜の垂直磁気異方性は磁性膜の成長具合
によって、大きく左右されると考えられ、そしてこの磁
性膜の成長具合は磁性膜が成長するベースとなる下地膜
の表面形態によって大きく左右されるであろうとの観点
から、磁性膜の下地膜に対する研究が行なわれてきたの
である。
このような研究の成果として、磁性膜の下地膜として、
例えばＴ；膜が提案（小林和雄他、東北大通研シンポジ
ウム「垂直磁気記録Ｊ１９８Ｚ年３月、１７７〜１８７
頁）されたり、Ｔａ膜が提案（１１，ｓ、に口Ｉ Ｃｔ
ｍｌ。
ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭΔＧＮ
ＥＴＩＣＳ、 Ｖｏｌ、Ｍ＾Ｇ−２０゜Ｎｏ、５．５ｃ
ｐＬ、１９８４．７７［３〜７７８頁）されたり、ある
いはＧｃ膜が提案（本多幸雄他、電子通信学会論文誌、
８６／Ｉ Ｖｏｌ、Ｊ ６ＥＩＣＮｏ、１．８５〜９２
頁）されたりしている。
しかし、これらの提案による磁気記録媒体にあっても、
そのＣ軸分散角Δθ、。が充分に小さなものであるとは
言えず、さらなる研究が行なわれている。The perpendicular magnetic recording method is attracting attention as a method suitable for high-density magnetic recording, and research and development of magnetic recording media suitable for this method is actively conducted. Since the magnetic recording medium used in this perpendicular magnetic recording method records information by being magnetized perpendicular to the film surface, it must have magnetic anisotropy in the direction perpendicular to the film surface. , and this perpendicular magnetic anisotropy must be strong. In particular, in the case of a rigid disk of the type in which recording and reproduction are performed using a flying ring type head, conditions of strong magnetic anisotropy in the vertical direction are even more required. In order to strengthen such perpendicular magnetic anisotropy and achieve high-density recording, the C-axis dispersion angle Δθ must be adjusted. It has been said that it is essential to make the size small. This C-axis dispersion angle Δθ,. Various research and developments have been carried out to obtain magnetic recording media with small size, and one of the major trends is research into the underlying film of the magnetic film. In other words, the perpendicular magnetic anisotropy of a magnetic film is thought to be greatly influenced by the growth condition of the magnetic film, and the growth condition of this magnetic film is greatly influenced by the surface morphology of the underlying film, which is the base on which the magnetic film is grown. From the viewpoint that the magnetic film may be used as a base film, research has been conducted on the underlying film of the magnetic film. As a result of such research, as a base film for magnetic films,
For example, the T;
Page), and a Ta film was proposed (11, s, Niguchi I Ct
ml. IEEE TRANSACTIONS ON MΔGN
ETICS, Vol, M^G-20°No, 5.5c
pL, 1984.77 [pp. 3-778], or a Gc film was proposed (Yukio Honda et al., Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers,
86/I Vol, J 6EIC No., 1.85-92
page). However, even with magnetic recording media based on these proposals,
Its C-axis dispersion angle Δθ,. cannot be said to be small enough, and further research is being carried out.
【発明の開示】[Disclosure of the invention]
本発明者は、前述した垂直磁気記録方式に適した磁気記
録媒体の研究開発の大きな流れ、すなわち磁性膜の下地
膜に対する研究を鋭念押し進めていくうちに、例えばＣ
ｏ−Ｃｒ、 Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ。
Ｃｏ−Ｖ、 Ｃｏ−Ｎｏ、 Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｒｕ、
Ｃｏ−Ｃｒ−ＮｂあるいはＣｏ−Ｃｒ −Ｔａ等のｂ
ｅ ｐ ｔｆａ造をしたＣｏ系磁性膜が、スパッタ等の
メッキ手段で設けられる基板の表面が約２０Å以上のエ
ツチングが行なわれたしのであると、この磁気記録媒体
における磁性膜のＣ軸分散角Δθ５゜は非常に小さく、
がっ（００２）面がらのピーク強度（以下、単にピーク
強度という）Ｉ（。。２）は大きく、 しかもこれらの
特性は安定したものであって、高密度記録に適した均質
な磁気記録媒体が製造歩留りよく得られることを見出
したのである。
尚、この基板表面のエツチングは、そのエツチング量が
約２０Å以上のものであれば良く、例えば約５０００人
といった程度のものでも差し支えないものである。
そして、このエツチング量が約２０Å以上のエツチング
は、例えば反応性プラズマエツチング、イオンボンバー
ド、あるいはグロー放電等のプラズマエツチングの手段
を用いれば簡単に行なうことが出来るものである。The present inventor has been diligently pursuing research and development of magnetic recording media suitable for the above-mentioned perpendicular magnetic recording system, that is, research into the underlying film of magnetic films, and discovered that, for example, C.
o-Cr, Co-Ni, Co-Ni-Cr. Co-V, Co-No, Co-W, Co-Ru,
b such as Co-Cr-Nb or Co-Cr-Ta
If the surface of the substrate on which the Co-based magnetic film with e p tfa structure is provided is etched by approximately 20 Å or more by plating means such as sputtering, the C-axis dispersion angle of the magnetic film in this magnetic recording medium will be Δθ5° is very small,
The peak intensity (hereinafter simply referred to as peak intensity) I(.2) of the (002) surface is large, and these characteristics are stable, making it a homogeneous magnetic recording medium suitable for high-density recording. It was found that a good manufacturing yield could be obtained.
That's what I did. It should be noted that the etching amount of the substrate surface may be approximately 20 Å or more, and may be etched by, for example, approximately 5,000 people. Etching with an etching amount of about 20 Å or more can be easily performed by using plasma etching means such as reactive plasma etching, ion bombardment, or glow discharge.
【実施例コ
まず、リジッドディスクの基板となるガラス基板をプラ
ズマエツチング手段により所定深さだけエツチングする
。
このプラズマエツチングは、通常のＲＦ７ラズマエツチ
ング装置を用い、すなわちガラス基板を２５０ｍＩＩｌ
φの電極に取り付け、そしてプラズマエツチングチャン
バ内を真空度が例えばＬＸ １０−’Ｔｏｒｒ以上にな
るまで排気し、そして＾「ガスを導入して八「ガス圧が
約５ｘｌＯ−”Ｔｏｒｒ程度のものとなし、そのｔ！ｔ
ＲＦ電源によってガラス基板が取り付けられた電極に
電圧を印加し、プラズマエツチングチャンバ内にＡ「ガ
スによるプラズマを発生させることによって、ガラス基
板はエツチングされるようになる。
尚、このガラス基板のエツチング量は、エツチング時間
と電力密度とによってコントロールされる。
そして、次に、上記エツチング工程を経て所定量のエツ
チングが行なわれたガラス基板をプラズマエツチングチ
ャンバから大気中に取り出し、そしてＤＣマグネトロン
スパッタ装置に移しかえ、例えば６インチφのＣｏｗｓ
Ｃｒ＋ｓのターゲットを用いて、ターゲットとガラス基
板間の距離が５０１１ＩＩ１１、＾ｒガス圧がｚｘ １
Ｏ−３Ｔｏｒｒ、Ｄ Ｃパワーが３５０ Ｖで１＾、ス
パッタレートが１４００人／ｍｉｎ、ガラス基板温度が
約１５０℃の条件下でＤＣマグネトロンスパッタを行な
い、エツチングされたガラス基板面上に約１μ繭厚のＣ
ｏ−Ｃｒ磁性薄膜を設け、リジッドディスクを得た。
このようにして得たリジッドディスクについて、Ｘ線回
折装置によりピーク強度■（。。２）とＣ軸分散角Δθ
ｓ０とを測定すると、図面のグラフとして示す通りであ
る。
尚、Ｘ線はＣｕにα線、加速電圧が４５にＶ、電流が２
５１＾である。
これによれば、エツチング量全く行なわれなかった場な
、及びエツチングが行なわれていてもこのエツチング量
が小さな場合には、Ｃ軸分散角Δθ５゜の値は大きく、
しがもバラツキが酷く、又、ピーク強度■（。。２）の
値は小さく、しかもバラツキが酷いものであって、垂直
磁気異方性に富んだ高性能な磁気記録媒体とならないば
かりか、均一な磁気記録媒体が得られていないことがわ
かる。
これに対して、エツチング時間Ｘ電力密度が約７ ｓｅ
ｃ、 Ｗ／ｃ＋ｏ”以上の場合であるエツチング量が約
２０Å以上のエツチングが行なわれたものである場合に
は、ピーク強度■（。。２）は大きな値を示しており、
そしてＣ軸分散角 ΔＯ１゜は約３°程度といった小さ
な、バラツキの少ない値におさまっており、垂直磁気異
方性が高くて、高密度記録に適した均質な磁気記録媒体
が得られていることがわかる。
【効果】
本発明に係る磁気記録媒体は、約２０Å以上のエツチン
グが行なわれた基板上にＣｏ系磁性膜を設けたものであ
るから、この磁気記録媒体の磁性膜はと、−り強度Ｉ（
。。２）が大きく、Ｃ軸分散角Δθツ。
が小さく、かつバラツキの少ないものとなり、従って垂
直磁気異方性の強い、高密度記録に適した、しかも均質
な特性の磁気記録媒体を提供できる等の０１モを有する
。[Example 1] First, a glass substrate to be used as a substrate for a rigid disk is etched to a predetermined depth using plasma etching means. This plasma etching was carried out using an ordinary RF7 plasma etching apparatus, that is, the glass substrate was etched at 250 mIIl.
φ electrode, and evacuate the plasma etching chamber until the degree of vacuum reaches, for example, LX 10-' Torr or higher, and then introduce gas until the gas pressure is about 5 x lO-' Torr. None, that t! t
The glass substrate is etched by applying a voltage to the electrode to which the glass substrate is attached using an RF power source and generating plasma using gas A in the plasma etching chamber. is controlled by the etching time and power density.Next, the glass substrate that has been etched by a predetermined amount through the above etching process is taken out of the plasma etching chamber into the atmosphere, and then transferred to a DC magnetron sputtering device. For example, 6 inch φ Cows
Using a Cr+s target, the distance between the target and the glass substrate is 5011II11, and the gas pressure is zx 1
DC magnetron sputtering was performed under the conditions of O-3 Torr, DC power of 350 V, sputter rate of 1400 people/min, and glass substrate temperature of approximately 150°C, and a cocoon of approximately 1μ was formed on the etched glass substrate surface. Thick C
A rigid disk was obtained by providing an o-Cr magnetic thin film. The rigid disk obtained in this way was analyzed using an X-ray diffraction device to determine the peak intensity ■(.2) and the C-axis dispersion angle Δθ.
The measurement of s0 is as shown in the graph of the drawing. In addition, the X-ray is α ray for Cu, the acceleration voltage is 45 V, and the current is 2.
It is 51^. According to this, when no amount of etching is performed at all, and when etching is performed but the amount of etching is small, the value of the C-axis dispersion angle Δθ5° is large;
However, the variation is severe, and the value of the peak intensity ■ (. It can be seen that a uniform magnetic recording medium was not obtained. On the other hand, the etching time x power density is about 7 se
c, W/c+o'' or more, where the etching amount is about 20 Å or more, the peak intensity ■ (...2) shows a large value,
The C-axis dispersion angle ΔO1° is kept to a small value of about 3° with little variation, and a homogeneous magnetic recording medium with high perpendicular magnetic anisotropy and suitable for high-density recording has been obtained. I understand. [Effect] Since the magnetic recording medium according to the present invention has a Co-based magnetic film provided on a substrate that has been etched to a thickness of about 20 Å or more, the magnetic film of this magnetic recording medium has a particularly high strength I. (
. . 2) is large, and the C-axis dispersion angle Δθtsu. It has the following advantages: it has a small magnetic field and has little variation, and therefore can provide a magnetic recording medium that has strong perpendicular magnetic anisotropy, is suitable for high-density recording, and has homogeneous characteristics.
【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]
図面は、ガラス基板表面のエツチングｍ（エツチング時
間Ｘ電力密度）とＣｏ−Ｃｒ磁性薄膜のｘＬＡ回折によ
る（００２）面からのピーク強度”’ＩＣ００２）及び
Ｃ１１１１１分散角Δ０５゜どの関係を示すグラフであ
る。The figure is a graph showing the relationship between the etching m (etching time x power density) of the glass substrate surface, the peak intensity from the (002) plane by xLA diffraction of the Co-Cr magnetic thin film (IC002), and the C11111 dispersion angle Δ05°. be.