JPS62244591A - マルチヘツドレ−ザマ−カ - Google Patents
マルチヘツドレ−ザマ−カInfo
- Publication number
- JPS62244591A JPS62244591A JP61084983A JP8498386A JPS62244591A JP S62244591 A JPS62244591 A JP S62244591A JP 61084983 A JP61084983 A JP 61084983A JP 8498386 A JP8498386 A JP 8498386A JP S62244591 A JPS62244591 A JP S62244591A
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- Japan
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- laser beam
- optical
- marking
- conductive coating
- optical path
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- Pending
Links
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マーキングヘッドに光ファイバで接続されて
なるマーキング光学系を有するレーザマーカに係わり、
詳しくは、レーザビームの光路を光スイッチにより切り
換えて、レーザビームを複数のマーキング光学系のいず
れかに導くようにしたマルチへラドレーザマーカに関す
る。
なるマーキング光学系を有するレーザマーカに係わり、
詳しくは、レーザビームの光路を光スイッチにより切り
換えて、レーザビームを複数のマーキング光学系のいず
れかに導くようにしたマルチへラドレーザマーカに関す
る。
マーキングヘッドに光ファイバで接続されてなるマーキ
ング光学系を複数設け、かつ、レーザビームを、いずれ
かのマーキング光学系に選択的に切り換えて導入する手
段としては、従来、レーザビームの光路に位置する反射
鏡を、モーフにより所定の位置まで回動させたのち、こ
れにレーザビームを発射させて光路を変えるようにした
方法、あるいは、レーザビームの光路に位置するガルバ
ノメータ式の反射鏡を回動させて、レーザビームの光路
を切り換えるようにした光スイッチの方法があった。
ング光学系を複数設け、かつ、レーザビームを、いずれ
かのマーキング光学系に選択的に切り換えて導入する手
段としては、従来、レーザビームの光路に位置する反射
鏡を、モーフにより所定の位置まで回動させたのち、こ
れにレーザビームを発射させて光路を変えるようにした
方法、あるいは、レーザビームの光路に位置するガルバ
ノメータ式の反射鏡を回動させて、レーザビームの光路
を切り換えるようにした光スイッチの方法があった。
レーザビームの光路のさらに別の切り換え手段として次
の方法がある。トリクレンや油等の液体に浸したガラス
基板上に透明導電性被膜を施し、この被膜に通電してジ
ュール加熱することにより液体を気化させてその蒸気で
気泡を作る。高屈折から入射した光が、低屈折率の媒体
との界面に斜入射すると、入射光が全反射されるという
性質を利用し、上記の蒸気の気泡の発生による屈折率の
変化で光スイッチとする方法がある。
の方法がある。トリクレンや油等の液体に浸したガラス
基板上に透明導電性被膜を施し、この被膜に通電してジ
ュール加熱することにより液体を気化させてその蒸気で
気泡を作る。高屈折から入射した光が、低屈折率の媒体
との界面に斜入射すると、入射光が全反射されるという
性質を利用し、上記の蒸気の気泡の発生による屈折率の
変化で光スイッチとする方法がある。
前述のモータにより駆動される反射鏡を利用した方法お
よびガルバノメータ式の反射鏡による方法は、いずれも
メカニカルな部品を用いた光スイッチであるので、部品
の摩擦や取り付けねじの緩み等により、光路を切り換え
るべきレーザビームの位置がずれるという問題がある。
よびガルバノメータ式の反射鏡による方法は、いずれも
メカニカルな部品を用いた光スイッチであるので、部品
の摩擦や取り付けねじの緩み等により、光路を切り換え
るべきレーザビームの位置がずれるという問題がある。
さらに光路を切り換える時の応答時間が50ミリ秒程度
と長くて、レーザビームの光路の高速切り換えが困難で
あった。
と長くて、レーザビームの光路の高速切り換えが困難で
あった。
さらに液体を気化させて気泡を発生させて屈折率を変化
させる方法においては、使用される液体の量が多くて局
部的な温度上昇による熱的および機械的ゆらぎによるレ
ーザビームのゆらぎが生じるという問題がある。
させる方法においては、使用される液体の量が多くて局
部的な温度上昇による熱的および機械的ゆらぎによるレ
ーザビームのゆらぎが生じるという問題がある。
本発明のマルチへラドレーザマーカでは、直角プリズム
の斜辺として用いられる透明の導電性被膜が施された2
枚のガラス基板を、導電性被膜が微小間隙をもって対向
するようにして平行に配置して、両ガラス基板で形成さ
れるスペース内には、導電性被膜の屈折率に近い屈折率
の液体が充填さている。
の斜辺として用いられる透明の導電性被膜が施された2
枚のガラス基板を、導電性被膜が微小間隙をもって対向
するようにして平行に配置して、両ガラス基板で形成さ
れるスペース内には、導電性被膜の屈折率に近い屈折率
の液体が充填さている。
上記両溝電性被膜に通電してこれを加熱し、導電性被膜
に沿った薄い蒸気層が発生および消滅による導電性被膜
における屈折率の変化により、レーザビームの光路は、
所望のマーキング光学系の光ファイバに選択的に導入さ
せることができる。
に沿った薄い蒸気層が発生および消滅による導電性被膜
における屈折率の変化により、レーザビームの光路は、
所望のマーキング光学系の光ファイバに選択的に導入さ
せることができる。
以下、本発明の一実施例を、図面に基づいて説明する。
図において、レーザ光源1から発射されるレーザビーム
2の光路には、板状をなす光スイッチ3がレーザビーム
2に対して45°の角度をなして配置されている。
2の光路には、板状をなす光スイッチ3がレーザビーム
2に対して45°の角度をなして配置されている。
光スイッチ3を構成している2枚のガラス基板4.5の
内面は、透明の導電性樹脂被膜6.7が設けられており
、この導電性被膜6.7が適宜の微小間隙をもって対向
している。両ガラス基板4.5の上下部を導電部材8.
9により、そしてその両側部を適宜の部材によりそれぞ
れ密封することにより、両ガラス基板4.5間には、薄
板状のスペース11が形成されている。上記両導電部材
8.9は、電源10にそれぞれ接続されている。
内面は、透明の導電性樹脂被膜6.7が設けられており
、この導電性被膜6.7が適宜の微小間隙をもって対向
している。両ガラス基板4.5の上下部を導電部材8.
9により、そしてその両側部を適宜の部材によりそれぞ
れ密封することにより、両ガラス基板4.5間には、薄
板状のスペース11が形成されている。上記両導電部材
8.9は、電源10にそれぞれ接続されている。
上記スペース11内には、導電性被膜6.7の屈折率と
同じまたは近い屈折率の液体12が充填されている。
同じまたは近い屈折率の液体12が充填されている。
ガラス基板4側の適所には、光軸がレーザビーム2と直
角をなす凸レンズ13が、そしてガラス基板5側の適所
には、光軸がレーザビーム2と平行の凸レンズ14がそ
れぞれ配置されている。
角をなす凸レンズ13が、そしてガラス基板5側の適所
には、光軸がレーザビーム2と平行の凸レンズ14がそ
れぞれ配置されている。
マーキングヘッド15.16およびこれらに一端がそれ
ぞれ接続している光ファイバ17.18により、複数の
マーキング光学系19.21がそれぞれ構成されている
。光ファイバ17.18の一端は、上記レンズ13.1
4の集光位置にそれぞれ配置されている。上記マーキン
グ光学系19.21は、ウェハや機械部品に品名や口・
ノド番号をレーザビームで印字するものであって、その
印字時間は、例えば10(1’J秒の短い時間内に行わ
れている。
ぞれ接続している光ファイバ17.18により、複数の
マーキング光学系19.21がそれぞれ構成されている
。光ファイバ17.18の一端は、上記レンズ13.1
4の集光位置にそれぞれ配置されている。上記マーキン
グ光学系19.21は、ウェハや機械部品に品名や口・
ノド番号をレーザビームで印字するものであって、その
印字時間は、例えば10(1’J秒の短い時間内に行わ
れている。
導電性被膜6.7に通電されていない状態においては、
レーザ光源1から発射されたレーザビーム2は、45°
の角度でガラス基板4に入射し、さらに導電性被膜6、
液体12、導電性被膜7を通ったのち、ガラス基板5を
出てレンズ14に投光される。レンズ14で収斂された
光は、光ファイバ18を経てマーキングヘッド16に導
入される。
レーザ光源1から発射されたレーザビーム2は、45°
の角度でガラス基板4に入射し、さらに導電性被膜6、
液体12、導電性被膜7を通ったのち、ガラス基板5を
出てレンズ14に投光される。レンズ14で収斂された
光は、光ファイバ18を経てマーキングヘッド16に導
入される。
レーザビーム2の光路の切り換えは、導電性被膜6.7
にそれぞれ通電してこれらを加熱することにより行われ
る。導電性被膜6.7が加熱してその内面に沿う箇所の
液体が蒸発することにより、薄い蒸気層が導電性被膜6
.7に沿って生成する。
にそれぞれ通電してこれらを加熱することにより行われ
る。導電性被膜6.7が加熱してその内面に沿う箇所の
液体が蒸発することにより、薄い蒸気層が導電性被膜6
.7に沿って生成する。
導電性被膜6と液体12間の蒸気層の屈折率がほぼ1で
あって、ガラス基板および導電性被膜の屈折率が約1.
5であることから、ガラス基板4に入射されたレーザビ
ーム2の光路は、上記の蒸気層により反射されて、マー
キング光学系19に接続しているレーザビーム13側に
切り換えられる。
あって、ガラス基板および導電性被膜の屈折率が約1.
5であることから、ガラス基板4に入射されたレーザビ
ーム2の光路は、上記の蒸気層により反射されて、マー
キング光学系19に接続しているレーザビーム13側に
切り換えられる。
上記の電源10を時分割的に作動させて導電性被膜6.
7を加熱させることにより、レーザビーム2の光路はマ
ーキング光学系19.21のいずれかに選択的に切り換
えられて、マーキング作業を効率よく行うことができる
。なお、入射レーザビーム2中には、複数の光スイッチ
3を設けることも可能である。
7を加熱させることにより、レーザビーム2の光路はマ
ーキング光学系19.21のいずれかに選択的に切り換
えられて、マーキング作業を効率よく行うことができる
。なお、入射レーザビーム2中には、複数の光スイッチ
3を設けることも可能である。
上記実施例においては、ガラス基板4側にレーザ光源1
を配置した例について述べたが、他方のガラス基板5側
の適所に、さらに別のレーザ光源22を配設し、そのレ
ーザビーム23をガラス基板5に発射した場合において
も、前述の光スイッチ3の切り換え作用により、両マー
キング光学系19.21のいずれかを選択的に働かすこ
とができる。これにより、両レーザ光源1.22のいず
れ゛かを時分割的に選択して差動させ、かつ、そのレー
ザビーム2.23の光路を光スイッチ3により切り換え
ることにより、レーザによるマーキング作業の効率をさ
らに向上させることができる。
を配置した例について述べたが、他方のガラス基板5側
の適所に、さらに別のレーザ光源22を配設し、そのレ
ーザビーム23をガラス基板5に発射した場合において
も、前述の光スイッチ3の切り換え作用により、両マー
キング光学系19.21のいずれかを選択的に働かすこ
とができる。これにより、両レーザ光源1.22のいず
れ゛かを時分割的に選択して差動させ、かつ、そのレー
ザビーム2.23の光路を光スイッチ3により切り換え
ることにより、レーザによるマーキング作業の効率をさ
らに向上させることができる。
レーザビーム2.23の光路の切り換えは、光スイッチ
3の導電性被膜6.7に対する通電のオン・オフのみに
より行われて、可動する機械部品等が用いられていない
ので、光スイッチ3を長期にわたって使用してもその精
度は低下することなく安定したレーザマーキングを行う
ことができる。
3の導電性被膜6.7に対する通電のオン・オフのみに
より行われて、可動する機械部品等が用いられていない
ので、光スイッチ3を長期にわたって使用してもその精
度は低下することなく安定したレーザマーキングを行う
ことができる。
以上述べたように、本発明によれば、レーザビームの光
路の切り換えが、非メカニカルな光スイツチ手段である
ことから、光路切り換え時における光スイッチの故障が
少なくかつ、液体中を通過する際のレーザビームのゆら
ぎを少なくし、安定してレーザビームの光路を切り換え
ることができる。また、光スイッチの構成部品に可動部
品が含まれでいないので光学調整が簡単であり、かつ、
複数のレーザビームを複数のマーキング光学系に選択的
に切り換えて導入することができる。
路の切り換えが、非メカニカルな光スイツチ手段である
ことから、光路切り換え時における光スイッチの故障が
少なくかつ、液体中を通過する際のレーザビームのゆら
ぎを少なくし、安定してレーザビームの光路を切り換え
ることができる。また、光スイッチの構成部品に可動部
品が含まれでいないので光学調整が簡単であり、かつ、
複数のレーザビームを複数のマーキング光学系に選択的
に切り換えて導入することができる。
図は本発明の一実施例を示すマルチへラドレーザマーカ
の要部を縦断した正面図である。 1122・・・・・・レーザ光源、 2.23・・・・・・レーザビーム、 3・・・・・・光スイッチ、 4.5・・・・・・ガラス基板、 6.7・・・・・・透明な導電性被膜、12・・・・・
・液体、 15.16・・・・・・マーキングヘッド、17.18
・・・・・・光ファイバ、 19.21・・・・・・マーキング光学系。 出 願 人 日本電気株式会社
の要部を縦断した正面図である。 1122・・・・・・レーザ光源、 2.23・・・・・・レーザビーム、 3・・・・・・光スイッチ、 4.5・・・・・・ガラス基板、 6.7・・・・・・透明な導電性被膜、12・・・・・
・液体、 15.16・・・・・・マーキングヘッド、17.18
・・・・・・光ファイバ、 19.21・・・・・・マーキング光学系。 出 願 人 日本電気株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、レーザ光源から発射されたレーザビームを、その光
路中に設けられた光スイッチにより、複数の光路に時分
割的に切り換えて、光ファイバおよびこれに接続してい
るマーキングヘッドよりなる複数のマーキング光学系に
選択的に導くようにしたレーザマーカにおいて、上記光
スイッチが、透明の導電性被膜を内面に有する2枚のガ
ラス基板を、微小間隙をもって平行に対向させると共に
、その周囲を液密に封止してスペースを形成し、屈折率
が透明導電性被膜の屈折率に近い液体を上記スペース内
に充填させ、透明導電性被膜への通電によりこれを加熱
して透明導電性被膜に沿って薄い蒸気層を生成し、この
蒸気層による透明導電性被膜の内面における屈折率の変
化によりレーザビームの光路の切り換えを可能にしてな
ることを特徴とするマルチヘッドレーザマーカ。 2、光スイッチのガラス基板の両側にレーザ光源をそれ
ぞれ配設し、いずれかのレーザ光源から発射されるレー
ザビームを、上記光スイッチの切り換えにより選択され
る複数のマーキング光学系のいずれかに導くことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のマルチヘッドレーザ
マーカ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084983A JPS62244591A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | マルチヘツドレ−ザマ−カ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084983A JPS62244591A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | マルチヘツドレ−ザマ−カ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62244591A true JPS62244591A (ja) | 1987-10-24 |
Family
ID=13845851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61084983A Pending JPS62244591A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | マルチヘツドレ−ザマ−カ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62244591A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986235A (en) * | 1996-01-24 | 1999-11-16 | Micron Electronics, Inc. | Method of efficiently laser marking singulated semiconductor devices |
| US7094618B2 (en) | 2000-08-25 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Methods for marking a packaged semiconductor die including applying tape and subsequently marking the tape |
| US7169685B2 (en) | 2002-02-25 | 2007-01-30 | Micron Technology, Inc. | Wafer back side coating to balance stress from passivation layer on front of wafer and be used as die attach adhesive |
| JP2007167936A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Miyachi Technos Corp | 金メッキ剥離方法及び金メッキ剥離装置 |
| US7361862B2 (en) | 1998-12-21 | 2008-04-22 | Micron Technology, Inc. | Laser marking system for dice carried in trays and method of operation |
| JP2010089161A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | G D Spa | レーザーパケットマーキングユニット |
-
1986
- 1986-04-15 JP JP61084983A patent/JPS62244591A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986235A (en) * | 1996-01-24 | 1999-11-16 | Micron Electronics, Inc. | Method of efficiently laser marking singulated semiconductor devices |
| US7361862B2 (en) | 1998-12-21 | 2008-04-22 | Micron Technology, Inc. | Laser marking system for dice carried in trays and method of operation |
| US7094618B2 (en) | 2000-08-25 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Methods for marking a packaged semiconductor die including applying tape and subsequently marking the tape |
| US7238543B2 (en) | 2000-08-25 | 2007-07-03 | Micron Technology, Inc. | Methods for marking a bare semiconductor die including applying a tape having energy-markable properties |
| US7169685B2 (en) | 2002-02-25 | 2007-01-30 | Micron Technology, Inc. | Wafer back side coating to balance stress from passivation layer on front of wafer and be used as die attach adhesive |
| JP2007167936A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Miyachi Technos Corp | 金メッキ剥離方法及び金メッキ剥離装置 |
| JP2010089161A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | G D Spa | レーザーパケットマーキングユニット |
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