JPS62234857A - 電子ビ−ム源 - Google Patents
電子ビ−ム源Info
- Publication number
- JPS62234857A JPS62234857A JP7846386A JP7846386A JPS62234857A JP S62234857 A JPS62234857 A JP S62234857A JP 7846386 A JP7846386 A JP 7846386A JP 7846386 A JP7846386 A JP 7846386A JP S62234857 A JPS62234857 A JP S62234857A
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- electron beam
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- cathode
- electrode
- elements
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- Granted
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は電子ビームを発生する電子ビーム源に関し、更
に詳細には、大口径電子ビームを形成するのに適した改
良された電子ビーム源に関する。
に詳細には、大口径電子ビームを形成するのに適した改
良された電子ビーム源に関する。
(従来の技術)
カソードから放出された熱電子をアノードにより加速し
て、アノードから電子ビームを放出する電子ビーム源が
種々の分野で広く使用されている。
て、アノードから電子ビームを放出する電子ビーム源が
種々の分野で広く使用されている。
今日にふいては、カソードとアノードとの間で放電を行
い、この放電によって、生じたプラズマの内型子を加速
電極により引き出すタイプの電子ビーム源が更に知られ
ている。このタイプの電子ビーム源は電子ビームの電流
密度と電子の加速電圧を独立に制御できるという特徴を
有している。これら電子ビーム源或いはこれら電子ビー
ム源によって形成された電子ビームを更に気体に照射し
て1辱られるイオンビーム源に於いては、例えば一度の
照射によって、半導体ウエハアーの処理ができるように
、より大口径のビームが生成されることが望まれている
。
い、この放電によって、生じたプラズマの内型子を加速
電極により引き出すタイプの電子ビーム源が更に知られ
ている。このタイプの電子ビーム源は電子ビームの電流
密度と電子の加速電圧を独立に制御できるという特徴を
有している。これら電子ビーム源或いはこれら電子ビー
ム源によって形成された電子ビームを更に気体に照射し
て1辱られるイオンビーム源に於いては、例えば一度の
照射によって、半導体ウエハアーの処理ができるように
、より大口径のビームが生成されることが望まれている
。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、アノードの面積を単に大きくしたのみで
は所望の電子ビーム或いはイオンビームを得ることが出
来ない。換言すると、アノードを大口径化しても、アノ
ードを通過した電子ビームの電流密度分布は中央部のみ
が高くなったものとなり、実質的に大口径の電子ビーム
は形成できない。
は所望の電子ビーム或いはイオンビームを得ることが出
来ない。換言すると、アノードを大口径化しても、アノ
ードを通過した電子ビームの電流密度分布は中央部のみ
が高くなったものとなり、実質的に大口径の電子ビーム
は形成できない。
本発明の目的は、実質的に大口径の電子ビーム源を提供
することにある。
することにある。
(問題点を解決するための手段)
上記目的は、アノードを絶縁分割された複数の電極要素
から構成し、これら複数の電極の各々とカソードとの間
で流れる電流を制御する手・役を設けることによって、
達成される。
から構成し、これら複数の電極の各々とカソードとの間
で流れる電流を制御する手・役を設けることによって、
達成される。
(作 用)
複数のアノード電極要素の各々とカソードとの間に流れ
る各電流値を制御することができるので、大口径のビー
ム全体に沿って所望な例えば均一電流密度が得られる。
る各電流値を制御することができるので、大口径のビー
ム全体に沿って所望な例えば均一電流密度が得られる。
(発明の効果)
本発明によると、所望の電流密度分布を有する大口径電
子ビームを得ることができる。また更にこの電子ビーム
を使用することによって所望の電流密度の大口径イオン
ビームを得ることができる。
子ビームを得ることができる。また更にこの電子ビーム
を使用することによって所望の電流密度の大口径イオン
ビームを得ることができる。
(実施例)
第1図は本発明の一実施例の回路図である。本実施例は
、アノードとカソードとの間の放電によりプラズマを生
成し、このプラズマ中の電子を引き出すタイプの電子ビ
ームの一例である。図示されるように、カソードCは放
電電源Vdの陰極に接続されており、多分割されたアノ
ード、即ち電極要素A+、・・・・・・ A 、はそれ
ぞれ抵抗Rt 、・・・・・・、R,、を介して放電
電源Vdの陽極に接続されている。従って、抵抗R1s
・・・・・・、Rイの抵抗値を適当な値に設定すれば、
電極要素A + +・・・・・・I Arlへ流れる
放電電流の比率を決めることができる。
、アノードとカソードとの間の放電によりプラズマを生
成し、このプラズマ中の電子を引き出すタイプの電子ビ
ームの一例である。図示されるように、カソードCは放
電電源Vdの陰極に接続されており、多分割されたアノ
ード、即ち電極要素A+、・・・・・・ A 、はそれ
ぞれ抵抗Rt 、・・・・・・、R,、を介して放電
電源Vdの陽極に接続されている。従って、抵抗R1s
・・・・・・、Rイの抵抗値を適当な値に設定すれば、
電極要素A + +・・・・・・I Arlへ流れる
放電電流の比率を決めることができる。
例えば、抵抗R1+ ・・・・・・、Rnの各抵抗値
RV、。
RV、。
・・・・・・、RV、が互いに等しい場合には、各抵抗
Rl+・・・・・・R,を流れる電流1,1.・・・・
・・+111値は全て等しくなる。仮に、電流h−のみ
が大きくなっても、抵抗R2による電圧降下RV2 X
i2が他より大きくなり、カソードCと電極要素A2間
の電位差のみが小さくなり、電流12 は減少する方向
に変化する。このように、電流+1+ ・・・・・・
。
Rl+・・・・・・R,を流れる電流1,1.・・・・
・・+111値は全て等しくなる。仮に、電流h−のみ
が大きくなっても、抵抗R2による電圧降下RV2 X
i2が他より大きくなり、カソードCと電極要素A2間
の電位差のみが小さくなり、電流12 は減少する方向
に変化する。このように、電流+1+ ・・・・・・
。
i、、の比率は抵抗RI+・・・・・・、R,、の抵抗
値RV、。
値RV、。
・・・・・・、 RVn比率によって決まる。
第2図は本発明で使用されるアノードの一例であり、第
3図は第2図の一部拡大図である。アノードAは同一平
面上に設置された複数の電極要素A0.・・・・・・、
Aoは電子が引き出されるように、多孔状である。各電
極要素A+、・・・・・・、A、、が直接電気的に接触
しないように、電極要素A5.・・・・・・、A、。
3図は第2図の一部拡大図である。アノードAは同一平
面上に設置された複数の電極要素A0.・・・・・・、
Aoは電子が引き出されるように、多孔状である。各電
極要素A+、・・・・・・、A、、が直接電気的に接触
しないように、電極要素A5.・・・・・・、A、。
間には、絶縁物IN、、 ・・・・・・、IN、、が
介在されている。第3図のrV4/断面図である第4図
に示されるように、ある絶縁物IN+の内部には、銅等
の熱伝導性の良い物質の内部を空洞にして作られた水冷
通路WPが設けられており、電極要素^1・・・・・・
、A、、の温度上昇が押さえられるようになっている。
介在されている。第3図のrV4/断面図である第4図
に示されるように、ある絶縁物IN+の内部には、銅等
の熱伝導性の良い物質の内部を空洞にして作られた水冷
通路WPが設けられており、電極要素^1・・・・・・
、A、、の温度上昇が押さえられるようになっている。
本例においては、フローティング電極Fおよび加速電極
Eが、電気的に接続しないように絶縁物I N3.、・
・・・・・、lN32を介して電極要素A、。
Eが、電気的に接続しないように絶縁物I N3.、・
・・・・・、lN32を介して電極要素A、。
A3 と一体内に設けられている。従って、フローティ
ング電極Fおよび加速電極Eの温度上昇も、水冷通路W
Pを流れる水によって妨げられる。電極要素Δ1.・・
・・・・A7への配線L I +・・・・・・、L、、
は絶縁物IN、、・・・・・・、IN、、に沿って配さ
れる。なお、フローティング電極Fは、特願昭59−2
76738号に記載されるように、プラズマ電位分布の
整形を行うものであり、一般に好ましいものである。
ング電極Fおよび加速電極Eの温度上昇も、水冷通路W
Pを流れる水によって妨げられる。電極要素Δ1.・・
・・・・A7への配線L I +・・・・・・、L、、
は絶縁物IN、、・・・・・・、IN、、に沿って配さ
れる。なお、フローティング電極Fは、特願昭59−2
76738号に記載されるように、プラズマ電位分布の
整形を行うものであり、一般に好ましいものである。
第5図は本発明の別の実施例の回路図である。本実施例
においては、電極要素とカソードとの間の各電流の流れ
を制御する手段として停電流回路B + +・・・・・
・、Boが用いられている。 ゛なお、電子ビーム全
体に沿って均一な電流密度を得たい場合は、電極要素の
面積に比例する電流値の電流が対応する電極要素に流れ
るようにすれば良いことは言うまでもなく、更に必要に
応じて所望の電流密度分布の電子ビームが得られる。
においては、電極要素とカソードとの間の各電流の流れ
を制御する手段として停電流回路B + +・・・・・
・、Boが用いられている。 ゛なお、電子ビーム全
体に沿って均一な電流密度を得たい場合は、電極要素の
面積に比例する電流値の電流が対応する電極要素に流れ
るようにすれば良いことは言うまでもなく、更に必要に
応じて所望の電流密度分布の電子ビームが得られる。
第1図は本発明の一実施例の回路図、
第2図は本発明で使用されるアノードの一例の平面図、
第3図は第2図の一部拡大図、
第4図は第3図のIV−rV断面図、および第5図は本
発明の別の実施例の回路図。 C・・・・・・カソード、A・・・・・・アノード。 A+、・・・・・・ A7・・・・・・電極要素。 R1,・・・・・・+ Rn・・・・・・抵抗。 E・・・・・・加速電橋、IN、、・・・・・・INn
・・・・・・絶縁物。 WP・・・・・・水冷通路、F・・・・・・フローティ
ング電極。 第1図 第2図
発明の別の実施例の回路図。 C・・・・・・カソード、A・・・・・・アノード。 A+、・・・・・・ A7・・・・・・電極要素。 R1,・・・・・・+ Rn・・・・・・抵抗。 E・・・・・・加速電橋、IN、、・・・・・・INn
・・・・・・絶縁物。 WP・・・・・・水冷通路、F・・・・・・フローティ
ング電極。 第1図 第2図
Claims (1)
- アノードとカソードとを備え、アノードを通過して電子
を放出する電子ビーム源において、前記アノードが、複
数の電極要素から構成され、これら電極要素と前記カソ
ードとの間の各電流の流れを制御する手段が設けられて
いることを特徴とする電子ビーム源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61078463A JPH0722008B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 電子ビ−ム源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61078463A JPH0722008B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 電子ビ−ム源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62234857A true JPS62234857A (ja) | 1987-10-15 |
JPH0722008B2 JPH0722008B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=13662717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61078463A Expired - Fee Related JPH0722008B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 電子ビ−ム源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0722008B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57187849A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electron gun |
JPS60107246A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-06-12 | アプライド マテリアルズ インコ−ポレ−テツド | イオン源装置 |
-
1986
- 1986-04-04 JP JP61078463A patent/JPH0722008B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57187849A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electron gun |
JPS60107246A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-06-12 | アプライド マテリアルズ インコ−ポレ−テツド | イオン源装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0722008B2 (ja) | 1995-03-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |