JPS62232118A - 化合物半導体薄膜の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、化合物半導体薄膜製造法のひとつである、気
相熱分解法（ＯＶＤ法）において、膜の均−注を得るた
めの製造法に関する。

〔従来の技術〕

従来のＣＶＤ装置の例として、濱圧ＭＯＣＶＤ（Ｊ、Ｃ
ｒｙｓｔａｌ　　Ｇｒｏｗｔｈ　　（１９８２）１４Ｂ
−１５４）装置概略図を図２に示す。

石英ガラス裏反応管Ｏの中央に、モーター等で力をあた
えることにより回転可能である金属製支柱［相］を設け
（公開公報６Ｏ−６０７１５）％その上にグラファイト
サセプターまたはＳＩＣコートを施したグラファイト裳
サセプター■と基板０を置き、反応管０の側面から高周
波加熱炉、赤外線炉、または抵抗加熱炉などの加熱源Ｏ
により基板加熱を行なう。キャリアーガスで気化した液
体原料またはキャリアーガスで希釈した気体原料ガス導
入管［相］、■より石英ガラス裳反応管０内に導入され
、基板近傍で両者が反応することにより、基板上への薄
膜形成を行なう。基板温度はサセプター〇の中に先端を
埋め込んだ熱電対のによりモニターする。反応後のガス
や未反応のガスは、廃ガス処理管りｐ、排ガス管勾より
糸外に出される。

〔発明が解決しようとする間聰点及び目的〕しかし、前
述の従来装置では、石英反応管内のグラファイト製サセ
プターを、モーター等の装置ｌを用いて力をあたえるこ
とにより回転可能である金属製支柱を設けることによっ
て回転させているため、反応管まわりがモーター等の装
置が取り付けられて複雑になシ、またそれによって反応
管内の真空シールドが難かしぐなるという問題、また金
属を反応雰囲気中に入れるのは好ましくないという問題
を有する。

そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、反応管内において反応甲虫じる
力を利用してサセプターを回転させることにより、反応
管まわりの装置の構造を簡単にすること、また反応管内
の真空シールドを容易にすること、金属を反応管内に入
れないようにすることを提供するところにある。

〔問題点を解決するだめの手段〕

、本発明はキャリアーガスで回転するサセプターホルダ
ーを用いることを特徴とする。

〔実施例〕

以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。

第１図は、第２図に示した一般的なＣＶＤ装置の原理図
にキャリアーガスによって回転するプロペラのついたサ
セプターホルダーを取シ入れたもので、本発明の実施例
におけるｃｖｐ装置ｌの概略図である。

石英ガラス夷反応管■はパルプ■、■を介してそれぞれ
廃ガス処理系及び排気系へと接続されている。キャリア
ーガスで所定濃度に希釈された液体原料、気体原料はそ
れぞれ原料ガス導入管■。

■を通して反応管■へ供給される。石英ガラス展反応管
■の中央に石英ガラス裂支柱■を設け、その上に回転可
能なサセプターホルダー〇があり％グラフアイ）ｆｆサ
セプター■及び基板■がセットされている。

このサセプターホルダー■には、ガスの流れに対して４
０〜５０度程度の＃Ｘきをもったプロペラ０が数枚つい
ている。ホルダー〇の裏側は半球状に穴がおいておシ、
支柱■の先端と点接触をしている。

第６図は上述したサセプターホルダーの概略図である。

反応後のガスや未反応のガスはプロペラ０にあたる。こ
のプロペラはガスの流れに対して４０〜５０度８度の傾
きをもっているため、ガスにより押されて回転する。こ
の時、支柱■とサセプターホルダー〇の間に余分な摩擦
が生じないために、サンプルホルダーの裏側に半球状の
穴０をあけ、また、支柱の先端を半球状０にして、サン
プルホルダーと支柱が点接触するようにしである。

プロペラのガスの流れに対する角度、及びプロペラの枚
数は使用するガスの速度に応じて決めればよい。

第１図にはガス分別導入式の縦型反応炉を示したが、ガ
ス合流導入式の反応炉においても基本的構成は同じであ
る。

本実施例に、サセプターホルダーをキャリアーガスの力
を利用して回転させることを特徴とする。

それによって反応管“まわりの装置が簡単になり、反応
管内の真空シールドも容易になり、薄膜製造におけるコ
ストの低下にもつながる。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、反応中に生じる力、
キャリアーガスの力を利用してサセプターホルダーを回
転させることにより、反応管まわりの装置の構造を簡単
にすることができ、しかも、キャリアーガスの力を有効
に利用できることとなり、薄膜製造におけるコストの低
下にもつながるという効果を有する。

本発明は、比較的容易にサセプターホルダーを回転させ
、大面積にわたって均一な膜厚をもち、膜質も良好な化
合物半導体薄膜を得ることが可能になるため、薄膜製造
への画期的な効果を期待できる。

【図面の簡単な説明】

２８１図は本発明の実施例におけるＣＶＤ装置の概略図
。 １・・・石英ガラス裏反応管　７・・・サセプターホル
ダー２・・・廃ガス処理系パルプ　８・・・サセプター
６・・・排気系パルプ　　　　９・・・基　板４．５・
・・原料ガス導入管　　１０・・・プロペラ６・・・石
英ガラス製支柱 第２図は従来の一般的なｃｖｎ＊ｆｔの概略図。 １６・・・石英ガラス製反応管１４・・・金属製支柱１
５・・・サセプタ−１６・・・基板 １７・・・加熱源　　　　　　１Ｂ、Ｎ’・・原料ガス
導入２０・・・熱電対　　　　　　　　　　管２１・・
・廃ガス処理管　　　２２・・・排ガス管２６・・・回
転機構 第５図は第１図のサセプターホルダーの概略図。 １１・・・半球状の穴　　　　１２・・・支柱の先端以
　　　上 出願人　　セイコーエプソン株式会社 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 石英反応管内へ原料を気体の形で導入し、熱分解させる
   ことにより化合物半導体薄膜を形成する気相熱分解法（
   ＣＶＤ法）において、キャリアーガスで回転するサセプ
   ターホルダーを用いることを特徴とする化合物半導体薄
   膜の製造法。