JPS62229957A - Method for wiring of semiconductor device - Google Patents
Method for wiring of semiconductor deviceInfo
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の表面に配線を付加する方法に係り
、特に試作した半導体装置をに部分的な不良が存在する
場合に不良箇所を特定したり補修するのに好適な配線付
加方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for adding wiring to the surface of a semiconductor device, and in particular, to a method for identifying a defective location when a prototype semiconductor device has a partial defect. This invention relates to a wiring addition method suitable for repairing or repairing.
近年、半導体装置は微細化、高集積化が著しく製作した
半導体装置が設計通りに動作することは少なく、チップ
上の配線を切断したり、キ意の部分を接続することによ
り不良箇所を特定したり、あるいは補修することにより
暫定的に完全な動作が得られる様にして特性を評価する
ことが行なわれている。このうち、任意の箇所を接続す
る方法としてアプライド・フィジックス・レター３９（
１２）（１９８１年）第９５７頁から第９５９頁（Ａｐ
ｐｌｉθｄｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ５９ （１
２） （１９８１） ｐｐ９５７〜９５９ 。In recent years, semiconductor devices have become much smaller and more highly integrated, making it rare for semiconductor devices manufactured to operate as designed. Characteristics are evaluated by temporarily obtaining complete operation by repairing or repairing the device. Among these, Applied Physics Letter 39 (
12) (1981) pp. 957-959 (Ap
pliθdphysics Letter 59 (1
2) (1981) pp957-959.
あるいはエクステント・アブストラクト・オン・ｆ−セ
ブンティーンスーコンファレンス・オン・ソリッド・ス
テート・デバイス・アンド・マテリアルズ（１９８５年
）第１９３頁から第１９６頁（Ｅｘｔｅｎｄ−ｅｄ
Ａ’ｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １７ｔｈ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄＳｔ
ａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉ
ａｌｓ 、 Ｔｏｋｙｏ 、 １９８５ｐｐ１
９３〜１９６などで、レーザＣＶＤにより局所的に配線
を付加形成する技術が論じられている。or Extend-ed Abstracts on Seventeenth Conference on Solid State Devices and Materials (1985), pp. 193-196.
A'bstructs of the 17th
Conference on 5solidSt
ate Devices and Materi
als, Tokyo, 1985pp1
No. 93-196, etc., discuss techniques for locally forming additional wiring by laser CVD.
上記従来技術は、複数の配線が交差する点については配
慮がされておらず、交差させた場合には短絡してしまい
、本来の目的が達成できない。また、交差を避けるため
には適用範囲が限定されてしまうという問題点があった
。The above-mentioned conventional technology does not take into account the points where a plurality of wires intersect, and when they intersect, a short circuit occurs and the original purpose cannot be achieved. Furthermore, there is a problem in that the scope of application is limited in order to avoid intersections.
本発明の目的は、複数の配線が交差しても短絡すること
なくチップ上の任意の箇所を接続できる半導体装置の配
線方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wiring method for a semiconductor device that can connect arbitrary locations on a chip without causing short circuits even when a plurality of wiring lines intersect.
上記目的は、交差する配線の間に局所的に絶縁石を形成
することにより、達成される。The above object is achieved by forming insulating stones locally between the intersecting wires.
〔作用〕
即ち、まず下層となる配線をレーザＣＶＤＫより配線を
形成するため材料ガス雰囲気でレーザ光を照射して形成
し、その後材料ガスを交換して交差する部分を含む周辺
部に、同じくレーザＣＶＤにより絶縁層を形成する。し
かる後に下層配線と交差する配線を絶縁層上に形成する
ことにより、上下配線は互いに絶縁されていて短絡する
ことがない。[Operation] That is, first, the wiring to be the lower layer is formed by irradiating laser light in a material gas atmosphere to form the wiring by laser CVDK, and then the material gas is exchanged and the peripheral area including the crossing portion is irradiated with the same laser. An insulating layer is formed by CVD. Thereafter, by forming a wiring that intersects with the lower layer wiring on the insulating layer, the upper and lower wirings are insulated from each other and will not be short-circuited.
以下、本発明の実施例を図に従い説明する。第１図は本
発明の一実施例の手順を説明するものである。まず第１
図（α）に示す様Ｋ Ｓ、、基板１上に５＝０２膜２を
介して配線層３が形成され、パシベーション膜４が全面
に形成されたチップを、配線形成のためのＣＶＤガス５
雰囲気中に載置する。このチップには、接続を要する部
分に予かじめ窓部６が形成されている。なお図では説明
上不要な部分、例えば拡散層などは省略しである。ここ
で、ＣＶＤガス５を分解して配線材料を析出させるため
のレーザ光７を集光照射しつつ矢印で示す方向へ走査さ
せる。これは、レーザ光７を移動させても、チップを移
動させても良い。接続を要する部分（図中の６αから６
ｂまで）の走査を終了した時点でレーザ光７の照射を停
止することにより、第１図（ｂ）に示す様に付加配線８
が形成され、６αと６ｂの接続が完了する。次に配線材
料を析出するためのＣＶＤガス５を排出し、絶縁材料を
析出させるためのＣＶＤ材料ガス９を導入して第１［１
Ｕ（０）に示す様に付加配線８の交差部分にレーザ光７
を、少なくとも交差部分を覆う様に走査しつつ照射する
。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 explains the procedure of one embodiment of the present invention. First of all
As shown in FIG.
Place it in the atmosphere. This chip has a window 6 formed in advance at a portion where connection is required. Note that in the figure, unnecessary parts such as a diffusion layer are omitted for the sake of explanation. Here, the laser beam 7 for decomposing the CVD gas 5 and depositing the wiring material is focused and irradiated and scanned in the direction shown by the arrow. This may be done by moving the laser beam 7 or by moving the chip. Parts that require connection (6α to 6 in the diagram)
By stopping the irradiation of the laser beam 7 at the time when scanning (up to b) is completed, the additional wiring 8 is removed as shown in FIG. 1(b).
is formed, and the connection between 6α and 6b is completed. Next, the CVD gas 5 for depositing the wiring material is discharged, and the CVD material gas 9 for depositing the insulating material is introduced.
Laser beam 7 is applied to the intersection of additional wiring 8 as shown in U(0).
is scanned and irradiated so as to cover at least the intersection.
これＫより、ＣＶＤガス９が分解され、第１図（ｄ）に
示す様に絶縁層１０が形成される。次に再度、ＣＶＤガ
ス９を排気して配線材料を析出させるためのＣＶＤガス
５を導入する。第１図（θ）に示す様にしかる後にレー
ザ光７を照射しつつ、付加配線８上の絶縁膜１０を介し
て、紙面に垂直方向に走査して付加配置８に交差する付
加配線１１を形成する。Due to this K, the CVD gas 9 is decomposed and an insulating layer 10 is formed as shown in FIG. 1(d). Next, the CVD gas 9 is exhausted again, and the CVD gas 5 for depositing the wiring material is introduced. As shown in FIG. 1 (θ), the additional wiring 11 intersecting the additional arrangement 8 is then scanned in the direction perpendicular to the plane of the paper through the insulating film 10 on the additional wiring 8 while irradiating the laser beam 7. Form.
ここで、どクシペーション膜４の窓あけはりソグラフィ
技術を用いたエツチングの他に、レーザ加工、イオンビ
ーム加工等を適用することにより達成できる。付加配線
８，１１０形成に用いるＣＶＤガス５として５ＬＨ４と
ドーパントガス、例えばＢ。ＡＳ。Here, in addition to etching using a window opening lithography technique in the doxipation film 4, laser processing, ion beam processing, etc. can be applied. 5LH4 and a dopant gas such as B as the CVD gas 5 used for forming the additional wirings 8 and 110. A.S.
Ｂ（ＣＨｉ）ｓなどとの混合ガスを使用することにより
、不純物がドープされた多結晶Ｓ＝配線が、レーザ光７
としてＡｒレーザを照射することにより形成できる。ま
た、絶縁膜１０を形成するＣＶＤガス９として５ＬＨａ
とＮ２０の混合ガスを使用することＫより５ＬＯ２膜が
形成できる。レーザ光としては付加配線の形成と同じ（
Ａｒレーザを使用する。By using a mixed gas with B(CHi)s etc., the polycrystalline S=wiring doped with impurities is exposed to the laser beam 7.
It can be formed by irradiating Ar laser as a method. Furthermore, 5LHa is used as the CVD gas 9 for forming the insulating film 10.
A 5LO2 film can be formed from K by using a mixed gas of K and N20. The laser beam is the same as the formation of additional wiring (
Use Ar laser.
以上の他、配線材料として幻を析出させる場合はＡＪ、
（ＣＨｘ ）ｉとＡｒレーザの第２高調波、ｃｄを析
出させる場合はＣｄ （ＣＨＩ ）２とＡｒレーザの第
２高調波、Ｍａを析出させる場合はＭｏ （ＣＯ） ａ
とＡｒレーザ、Ｗを析出させる場合にはＷ（Ｃｏ）６と
Ａｒレーザ、Ｎ１を析出させる場合にはＮｉ （ＣＯ）
４とにレーザ等の組合せを、また絶縁材料として）ｄ、
２０ｓを析出させる場合には）−Ｌ （ＣＨｓ ） ｓ
とＮ２０の混合ガスとＡｒレーザの第２高調波を、Ｍｏ
Ｏｓを析出させる場合にはＭｅ （Ｃｏ ）４と０２の
混合ガスとＡｒレーザを、ＷＯ２を析出させる場合には
Ｗ（Ｃｏ）６と０２の混合ガスとＡｒレーザ等の組合せ
を使用することができるが、本発明はこれらに限定され
るものではない。In addition to the above, when depositing phantom as a wiring material, AJ,
(CHx )i and the second harmonic of the Ar laser, Cd (CHI)2 and the second harmonic of the Ar laser when depositing CD, and Mo (CO) a when depositing Ma.
and Ar laser, W(Co)6 and Ar laser when depositing W, and Ni (CO) when depositing N1.
4 and a combination of a laser, etc., and as an insulating material) d,
When precipitating 20s)-L (CHs)s
The second harmonic of the Ar laser and the mixed gas of N20 and Mo
When depositing Os, a combination of a mixed gas of Me(Co)4 and 02 and an Ar laser can be used, and when depositing WO2, a combination of a mixed gas of W(Co)6 and 02 and an Ar laser can be used. However, the present invention is not limited thereto.
次に本発明の別な実施例についてその処理手順を第２図
に示す。まず第２図（α）は第１図（α）と同じ＜ＳＬ
Ｌ板１上に５Ｌ（ｈ膜２を介して配線層３が形成され、
バシベーシ目ン膜４が全面に形成されたチップが配線材
料を析出させるためのＣＶＤガス５の雰囲気中に置かれ
る。このチップには配線接続を要する部分に予め窓部６
が形成されている。Next, FIG. 2 shows a processing procedure for another embodiment of the present invention. First, Figure 2 (α) is the same as Figure 1 (α) <SL
A wiring layer 3 is formed on the L plate 1 via the 5L (h film 2),
A chip on which a perforation film 4 is formed on the entire surface is placed in an atmosphere of CVD gas 5 for depositing wiring material. This chip has a window 6 in advance in the area where wiring connection is required.
is formed.
なお図には、説明上不要部分は省略しである。ここで、
ＣＶＤガス５を分解して配線材料を析出させるためのレ
ーザ光７を集光照射１つつ走査する。Note that parts unnecessary for explanation are omitted in the figure. here,
The laser beam 7 for decomposing the CVD gas 5 and depositing the wiring material is scanned with one focused irradiation.
第１図（α）では紙面に垂直方向に走査させている。In FIG. 1 (α), scanning is performed in a direction perpendicular to the plane of the paper.
接続に必要な部分へのレーザ照射が終了した時点でレー
ザ照射を停止することにより、付加配ｆｓ８が形成され
る。次に配線材料を析出させるためのＣＶＤガス５を排
出し、０２ガスあるいは乾燥空気１２を導入して、第２
図（ｂ）に示す様に付加配線８の交差部分にレーザ光７
を少な（とも交差部分な＆５様に走査しつつ照射する。The additional distribution fs8 is formed by stopping the laser irradiation when the laser irradiation to the portion necessary for connection is completed. Next, the CVD gas 5 for depositing the wiring material is discharged, 02 gas or dry air 12 is introduced, and the second
As shown in Figure (b), the laser beam 7 is applied to the intersection of the additional wiring 8.
Irradiate while scanning in a small number (both intersecting parts) in a &5 manner.
これにより、第２図（Ｃ）に示す様にレーザ光７を照射
された付加配線８０表面部分に酸化皮膜１３が形成され
る。次に０２ガスあるいは乾燥空気１２を排出し、配線
材料を析出させるためのＣＶＤガス５を導入する。しか
る後に、第２図（ｄ）に示す様にレーザ光７を集光照射
しつつ矢印で示す方向へ走査させる。これにより、第２
図（θ）に示す様に付加配Ｉ！８と酸化皮膜１３を介し
て交差する付加配線１１を形成することができる。ここ
で、配線材料を析出するためのＣＶＤ材料ガスとレーザ
については前に述べた組合せを用いることができ、また
酸化皮膜を形成するためには０２ガス（あるいは乾燥空
気）と加熱することのできるいかなるレーザとの組合せ
でも可能である。As a result, an oxide film 13 is formed on the surface portion of the additional wiring 80 irradiated with the laser beam 7, as shown in FIG. 2(C). Next, the 02 gas or dry air 12 is discharged, and the CVD gas 5 for depositing wiring material is introduced. Thereafter, as shown in FIG. 2(d), the laser beam 7 is focused and irradiated and scanned in the direction shown by the arrow. This allows the second
As shown in the figure (θ), additional distribution I! Additional wiring 11 can be formed which intersects with 8 through the oxide film 13. Here, the combination mentioned above can be used for the CVD material gas and laser to deposit the wiring material, and to form the oxide film, it can be heated with 02 gas (or dry air). A combination with any laser is possible.
以上、実施例で述べた方法はウエノ・あるいはチップを
ＣＶＤチャンバ内に挿入し一定圧力までＣＶＤガスある
いは酸素を導入した後、レーザを照射して配線あるいは
絶縁膜、酸化皮膜を形成するものであり、ＣＶＤガスあ
るいは酸素の導入、排気を何回か繰返えして必要な配線
（絶縁膜を含む）を形成するものである。The method described in the examples above involves inserting Ueno or a chip into a CVD chamber, introducing CVD gas or oxygen to a certain pressure, and then irradiating it with a laser to form wiring, an insulating film, or an oxide film. , introduction of CVD gas or oxygen, and evacuation are repeated several times to form necessary wiring (including an insulating film).
また、これ以外に、同じくウエノ・あるいはチップをＣ
ＶＤチャンバ内に挿入し、チャンバ内を常圧排気しなが
らノズル等でＣＶＤガスあるいは酸素などを吹き付けな
からレーザを照射して配線。In addition to this, you can also use Ueno or chips.
Insert it into a VD chamber, and while evacuating the chamber to normal pressure, spray CVD gas or oxygen with a nozzle, etc., then irradiate it with laser and wire.
絶縁膜あるいは酸化膜を形成することができる。An insulating film or an oxide film can be formed.
この場合は、バルブ操作により吹き出させるガスの種類
を変えるだけで、配線と絶縁膜の切換えができる。（切
換えに要する時間は短いが、ＣＶＤガスのムダが多い。In this case, the wiring and insulating film can be switched simply by changing the type of gas blown out by operating the valve. (The time required for switching is short, but a lot of CVD gas is wasted.
）当然、時間、ＣＶＤガス滝＊ｉを除けば、得られる効
果は同じである。) Of course, except for time and CVD gas waterfall*i, the obtained effects are the same.
なお、今までＣＶＤガスと述べてきたものは、反応ガス
および必要に応じて使用されるバッファの混合ガスの意
味である。Note that what has been described as CVD gas so far means a mixed gas of a reaction gas and a buffer used as necessary.
また、交差する配線が異なる材料（例えば下層が多結晶
ＳＬ配配線上上層幻配ｍ）の場合でも、さらには交差す
る配線のおのおのおよび絶縁層を形成するのに異なるレ
ーザを使用する場合についても本発明に含まれる。In addition, even when the intersecting wirings are made of different materials (for example, the lower layer is polycrystalline SL wiring and the upper layer phantom wiring), and even when different lasers are used to form each of the intersecting wirings and the insulating layer, Included in the present invention.
本発明によれば、複数の配線を短絡することなく交差さ
せながらＬＳＩチップ上の任意の箇所を接続できるので
、半導体装舒に不良が存在する場合に、不良箇所の特定
が確実に行なえる。また、完全な動作が得られる様に補
修する場合においても、配線上の不良については事実上
制限な（補修が行える効果がある。According to the present invention, it is possible to connect arbitrary locations on an LSI chip while crossing a plurality of wires without short-circuiting them, so that if a defect exists in a semiconductor device, the defective location can be reliably identified. Furthermore, even when repairing to ensure perfect operation, there is virtually no limit to the number of defects in the wiring.
第１図は本発明のレーザ処理方法の手順を説明−する図
、第２図は別な実施例の手順を説明する図である。
１・・・Ｓ＝基板、２・・・５ＬＯ２膜、５・・・配線
層、４・・・パシベーシｌン膜、５・・・配線材料を析
出するためのＣＶＤガス、６・・・窓部、７・・・レー
ザ光、８．１１・・・付加配線、１０・・・絶縁膜、１
３・・・酸化皮膜。
、７＝＞
代理人弁理士 小 川 勝 男−，７′第 １
図
第２ 図FIG. 1 is a diagram for explaining the procedure of the laser processing method of the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining the procedure of another embodiment. 1...S=substrate, 2...5LO2 film, 5...wiring layer, 4...passivation film, 5...CVD gas for depositing wiring material, 6...window Part, 7... Laser light, 8.11... Additional wiring, 10... Insulating film, 1
3... Oxide film. , 7 => Representative Patent Attorney Katsuo Ogawa -, 7' No. 1
Figure 2
Claims (1)
、交差する配線の間に局所的に絶縁膜を形成することを
特徴とする半導体装置の配線方法。 ２、局所的に絶縁膜をレーザＣＶＤにより形成すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の
配線方法。 ３、交差する配線の一方の表面を酸化雰囲気内でレーザ
加熱により酸化させることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置の配線付加方法。Claims: 1. A wiring method for a semiconductor device, characterized in that wiring is formed on the surface of the semiconductor device by laser CVD, and an insulating film is locally formed between the crossing wirings. 2. The wiring method for a semiconductor device according to claim 1, wherein the insulating film is locally formed by laser CVD. 3. The method for adding wires to a semiconductor device according to claim 1, wherein one surface of the intersecting wires is oxidized by laser heating in an oxidizing atmosphere.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61070980A JPH0626236B2 (en) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | Wiring method for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61070980A JPH0626236B2 (en) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | Wiring method for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229957A true JPS62229957A (en) | 1987-10-08 |
| JPH0626236B2 JPH0626236B2 (en) | 1994-04-06 |
Family
ID=13447182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61070980A Expired - Fee Related JPH0626236B2 (en) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | Wiring method for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626236B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5182231A (en) * | 1988-04-07 | 1993-01-26 | Hitachi, Ltd. | Method for modifying wiring of semiconductor device |
| WO2004086487A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
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1986
- 1986-03-31 JP JP61070980A patent/JPH0626236B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| JPH0626236B2 (en) | 1994-04-06 |
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