JPH1032205A - Pattern correction - Google Patents
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- JPH1032205A JPH1032205A JP8789397A JP8789397A JPH1032205A JP H1032205 A JPH1032205 A JP H1032205A JP 8789397 A JP8789397 A JP 8789397A JP 8789397 A JP8789397 A JP 8789397A JP H1032205 A JPH1032205 A JP H1032205A
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- ion beam
- conductive pattern
- gas
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はパターン修正方法、
特にイオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を
生成するガスあるいは絶縁性の被膜を生成するガスを当
該試料面に吹きつけることによって導電性のパターンあ
るいは絶縁性のバタ一ンを生成して接続、補修あるいは
切断するパターン修正方法に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pattern correction method,
In particular, a gas that forms a conductive film or a gas that forms an insulating film is sprayed onto the sample surface while irradiating the sample surface with an ion beam to form a conductive pattern or an insulating pattern. The present invention relates to a method of correcting a pattern for connecting, repairing or disconnecting.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ等の素子を製造した後、微小（ミ
クロンオーダ）な配線パターンを跨ぐ態様で他の配線パ
ターンを相互に電気的に接続する場合には、跨ぐ配線パ
ターン上に絶縁物の薄膜からなるパターンを生成した
後、当該絶縁物の薄膜パターンの上に導電性の薄膜から
なるパターンを鎖交する態様で生成して他の配線パター
ン相互の電気的な接続を行ことが望まれている。また、
シリコン基板あるいは導電性の薄膜パターンの上に絶縁
性の薄膜パターンを形成し、更に当該絶縁性の薄膜パタ
ーンの上に導電性のパターンを形成することにより、微
小な素子例えばコンデンサ、マイクロ・ストリップライ
ンおよび誘電体共振器等の素子を任意の場所かつ任意な
時に形成したり、あるいは特性のバラツキを調整等した
りすることが望まれている。2. Description of the Related Art After an element such as an LSI is manufactured, when other wiring patterns are electrically connected to each other in a manner of straddling a minute (micron-order) wiring pattern, an insulating material is placed on the straddling wiring pattern. It is desired that after forming a pattern made of a thin film, a pattern made of a conductive thin film is formed on the thin film pattern of the insulator in a manner of interlinking to make electrical connection with other wiring patterns. ing. Also,
By forming an insulating thin film pattern on a silicon substrate or a conductive thin film pattern, and further forming a conductive pattern on the insulating thin film pattern, minute elements such as capacitors and micro strip lines can be formed. In addition, it is desired to form an element such as a dielectric resonator at an arbitrary position and at an arbitrary time, or to adjust a variation in characteristics.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来はＬＳＩ
等の如く一旦パターンの完成したものに対して、あるい
はカスタムＩＣの如く完成後に必要に応じて、前述した
目的等のために導電性のパターンと絶縁性のパターンと
を所望の位置に所望の時に迅速かつ簡単に積層する態様
で、しかも例えばミクロンオーダときにはサブミクロン
オーダの寸法で所定領域に正確に形成し難いという問題
点があった。However, the conventional LSI
The conductive pattern and the insulative pattern are placed at desired positions at desired positions for the above-mentioned purposes, etc., for the completed pattern once, as required, or as required after completion, such as a custom IC. There has been a problem that it is difficult to form a layer quickly and easily in a predetermined area with a dimension of the order of submicron in the order of micron, for example.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決するために、イオンビームを試料面に照射しつつ導
電性の被膜を生成するガスあるいは絶縁性の被膜を生成
するガスを当該試料面に吹きつける手段を採用すること
により、微小な導電性のパターンあるいは絶縁性のパタ
ーンを生成して接続、補修あるいは切断するようにして
いる。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method for forming a conductive film or a gas for forming an insulating film while irradiating the sample surface with an ion beam. By employing means for spraying on the sample surface, a minute conductive pattern or insulating pattern is generated to connect, repair or cut.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】以下図面を参照しつつ本発明の実
施例を詳細に説明する。図１は本発明の１実施例構成
図、図２は図１図示本発明の１実施例構成を用いた具体
的応用例を示す。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a specific application example using the configuration of one embodiment of the present invention shown in FIG.
【０００６】図中、１はパターン生成装置、２はイオン
銃、２−１はイオン源、２−２は電極、３は偏向電極
（ＤＥＦ）、４は対物レンズ、５は試料、６は試料台、
７は試料移動機構、８は検出器、９はアシストガスを吹
きつけるガス銃、１０はニードルバルブ、１１はガス
源、１２は真空排気装置、１３−１、１３−３は高電圧
発生装置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１３−４
は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信号増幅
処理部、１６は照射位置制脚部、１７はスパッタ／アシ
スト制御部、１８は試料位置制御部、１９は真空排気系
制御部、２０はアシストガス制御部、２１はディスプレ
イ、２２はキーボード、２３はディスクを表す。In the drawing, 1 is a pattern generation device, 2 is an ion gun, 2-1 is an ion source, 2-2 is an electrode, 3 is a deflection electrode (DEF), 4 is an objective lens, 5 is a sample, 6 is a sample. Table,
7 is a sample moving mechanism, 8 is a detector, 9 is a gas gun for blowing assist gas, 10 is a needle valve, 11 is a gas source, 12 is a vacuum exhaust device, 13-1 and 13-3 are high voltage generators, 13-2 is an ion acceleration voltage controller, 13-4
Is a focusing control unit, 14 is a scanning control unit, 15 is a signal amplification processing unit, 16 is an irradiation position control unit, 17 is a sputtering / assist control unit, 18 is a sample position control unit, 19 is a vacuum exhaust system control unit, Reference numeral 20 denotes an assist gas control unit, 21 denotes a display, 22 denotes a keyboard, and 23 denotes a disk.
【０００７】まず第１に、イオンビームを照射した試料
から放射された荷電粒子例えば２次電子をディスプレ２
１上にＳＩＭ像として表示する場合の構成および動作に
ついて説明する。First, charged particles, for example, secondary electrons emitted from a sample irradiated with an ion beam are displayed on a display 2.
The configuration and operation when a SIM image is displayed on the LCD 1 will be described.
【０００８】図１において、図中イオン銃２は軸上に穴
を有し接地された電極２−２に対して、イオン源２−１
例えは先端が鋭利かつガリウムを含むニードル型のもの
に正の高電圧十ＨＶ1を高電圧発生装置１３−１から印
加すると共に当該イオン源２−１の先端に液体ガリウム
が生じる程度に加熱することによって、ガリウム・イオ
ン・ビームが放射されるものである。該ガリウム・イオ
ン・ビームを加速する加速電圧は、イオン加速電圧制御
部１３−２によって設定される。放射されたガリウム・
イオン・ビームは対物レンズ（ＯＬ）４によって試料台
６上に取りつけられた試料５上に細く絞られる（結像さ
れる）と共に、偏向電極（ＸおよびＹ）３によって当該
試料５上を走査される。該試料５から放射された例えば
２次電子等は検出器８によって検出され、信号増幅処理
部１５に供給される。この際、対物レンズ４には、焦点
合せ制御部１３−４からの信号に基づき高電圧発生装置
１３−３によって発生された高電圧が印加され、試料５
上にガリウム・イオン・ビームが細く絞られる。そし
て、信号増幅処理部１５に供給された信号に対して増幅
および処理等が行われ、ディスプレイ２１上に例えばＳ
ＩＭ像として表示される。該表示されるＳＩＭ像等の倍
率は、走査制御部１４が偏向電極３に印加する走査信号
の大きさによって決定される。また、ディスプレイ２１
上で観察される試料５の位置は、試料位置制御部１８か
らの指示によって試料移動機構７が試料台６を移動させ
ること、あるいは図示されていない手動機構を介して試
料移動機構７が試料台６を移動させることによって行わ
れる。更に、パターン生成装置１を構成する試料室等の
内部およびガリウム・イオン・ビームが通過する領域
は、真空排気系制御部１９からの指示に基づき真空排気
装置１２によって超高真空に排気される。In FIG. 1, an ion gun 2 has an ion source 2-1 with respect to a grounded electrode 2-2 having a hole on the axis.
Example is heated to the extent that liquid gallium occurs at the tip of the ion source 2-1 with tip is applied from the high voltage generator 13-1 a positive high voltage tens HV 1 to those of needle type including sharp and gallium Thus, a gallium ion beam is emitted. The acceleration voltage for accelerating the gallium ion beam is set by the ion acceleration voltage controller 13-2. Gallium radiated
The ion beam is narrowly focused (imaged) on a sample 5 mounted on a sample stage 6 by an objective lens (OL) 4, and is scanned on the sample 5 by deflection electrodes (X and Y) 3. You. For example, secondary electrons and the like emitted from the sample 5 are detected by the detector 8 and supplied to the signal amplification processing unit 15. At this time, the high voltage generated by the high voltage generator 13-3 based on the signal from the focusing control unit 13-4 is applied to the objective lens 4, and the sample 5
A gallium ion beam is narrowed down on top. Then, the signal supplied to the signal amplification processing unit 15 is amplified, processed, and the like.
It is displayed as an IM image. The magnification of the displayed SIM image or the like is determined by the magnitude of the scanning signal applied to the deflection electrode 3 by the scanning control unit 14. The display 21
The position of the sample 5 observed above can be determined by the sample moving mechanism 7 moving the sample stage 6 in accordance with an instruction from the sample position control unit 18 or by the sample moving mechanism 7 via a manual mechanism (not shown). 6 is performed. Further, the inside of the sample chamber and the like constituting the pattern generating apparatus 1 and the area through which the gallium ion beam passes are evacuated to an ultra-high vacuum by the vacuum exhaust unit 12 based on an instruction from the vacuum exhaust system control unit 19.
【０００９】以上の如き構成および動作によって試料５
のＳＩＭ像を観察することができ、後述する導電性のパ
ターンと絶縁性のパターンとを積層する場合に必要な位
置を正確に決定することが可能となる。The sample 5 is constructed by the above configuration and operation.
Can be observed, and it becomes possible to accurately determine a position necessary for laminating a conductive pattern and an insulating pattern described later.
【００１０】第２に、新たな導電性のパターンと新たな
絶縁性のパターンとを積層する態様で生成する場合の構
成および動作について説明する。既述した如くして新た
に生成すべきパターンを含む領域が当該ディスプレイ２
１上にＳＩＭ像として表示されるように試料台６を移動
させ、かつ対物レンズ４の焦点合わせを行う。この際、
試料台６の移動は、試料５である例えばＬＳＩ等上のパ
ターンの位置座標等の情報を予めデータベースとしてデ
ィスク２３中に格納しておき、キーボード２２から新た
なパターンを生成すべき位置情報および寸法等をスパッ
タ／アシスト制御部１７にキー入力して指定することに
よって行ってもよいし、あるいは手動によって行っても
よい。Second, the configuration and operation when a new conductive pattern and a new insulating pattern are generated in a laminated manner will be described. As described above, the area including the pattern to be newly generated is displayed on the display 2.
The sample stage 6 is moved so as to be displayed as a SIM image on 1, and the objective lens 4 is focused. On this occasion,
The movement of the sample table 6 is performed by storing information such as the position coordinates of a pattern on the sample 5 such as an LSI in a disk 23 in advance as a database, and using the keyboard 22 to generate position information and dimensions for generating a new pattern. And the like may be performed by inputting a key to the sputter / assist control unit 17 and specifying it, or may be performed manually.
【００１１】次に、ディスプレイ２１上に表示されたパ
ターン中に新たにパターンを生成すべき領域がガリウム
・イオン・ビームによって正確に所定時間走査されるよ
うに、キーボード２２からスパッタ／アシスト制御部１
７に対してキー入力する。キー入力を行うことによって
当該スパッタ／アシスト制御部１７は照射位置制御部１
６に対して指令を与える。該指令を受けた照射位置制御
部１６は、走査制御部１４に対して制御信号を送出して
偏向電極３に所定電圧の走査電圧を印加する。Next, the sputter / assist control unit 1 is operated from the keyboard 22 so that a region where a new pattern is to be generated in the pattern displayed on the display 21 is scanned by the gallium ion beam accurately for a predetermined time.
Key in 7 By performing key input, the sputtering / assist control unit 17 causes the irradiation position control unit 1
6 is commanded. Upon receiving the command, the irradiation position control unit 16 sends a control signal to the scanning control unit 14 to apply a predetermined scanning voltage to the deflection electrode 3.
【００１２】更に、新たな導電性のパターンあるいは新
たな絶縁性のパターンを生成するために、スパッタ/ア
シスト制御部１７ はアシストガス制御部２０に対して
指令を発して、ガス源１１を加熱等して発生させたガス
例えば導電性の薄膜を生成させるための化合物ガスであ
るピレン（Ｃ16Ｈ10）ガスを、ニードルバルブ１０を介
してガス銃９を構成する複数のノズルのうちの一つから
試料５上のガリウム・イオン・ビームが照射されている
位置に吹きつける。これにより、ガリウム・イオン・ビ
ームを用いてピレンガスを分解した付着力の強い導電性
のカーボン膜が当該ガリウム・イオン・ビームを用いて
走査した領域に生成されることとなる。同様に例えばＳ
ｉＨ4−ＮＨ3ガスをガス銃９を構成する他のノズルから
ガリウム・イオン・ビームが照射されている試料５面に
吹きつけることにより、絶縁性の酸化シリコン（ＳｉＯ
2）膜が当該ガリウム・イオン・ビームを用いて走査し
た領域に生成されることとなる。Further, in order to generate a new conductive pattern or a new insulating pattern, the sputtering / assist control unit 17 issues a command to the assist gas control unit 20 to heat the gas source 11 or the like. For example, pyrene (C 16 H 10 ) gas, which is a compound gas for forming a conductive thin film, is supplied through a needle valve 10 to one of a plurality of nozzles constituting a gas gun 9. To the position on the sample 5 where the gallium ion beam is irradiated. As a result, a conductive carbon film having a strong adhesive force, which is obtained by decomposing pyrene gas using the gallium ion beam, is generated in a region scanned using the gallium ion beam. Similarly, for example, S
An iH 4 —NH 3 gas is blown from another nozzle constituting the gas gun 9 onto the surface of the sample 5 to which the gallium ion beam is irradiated, so that insulating silicon oxide (SiO 2)
2 ) A film will be formed in the area scanned using the gallium ion beam.
【００１３】以上の如くして導薄性のパターンと絶縁性
のパターンとを積層する態様で順次生成することが可能
となる。尚、ガス銃９を構成する複数のノズルに対して
夫々設けられたニードルバルブ１０（図中では１個しか
示してなく他は省略してある)は、夫々のガス源１１か
らガス銃９を構成する複数のノズルに対してアシストガ
スを夫々供給しない場合には、閉状態にされる。一般に
導電性のパターンを生成する場合には、既述した如く例
えばピレンガスのみを供給するようにガス源１１を加熱
等すると共に当該ガス源１１によって発生させたガスを
ガス銃９を構成する所定のノズルからガリウム・イオン
・ビームが照射されている試料５面に吹きつけている。
この際、試料５面にガスを吹きつけるために、所定のニ
ードルバルブ１０例えば１個のみを開状態に制御する。
また、当該ニードルバルブ１０は必要に応じてガスの供
給量を制御するためにも使用し得るものである。また、
導電性のパターンを生成する化合物ガスとして、前記ピ
レンガスの代わりにモリブデン化合物ガス、アルミニウ
ム化合物ガスあるいはクロム化合物ガス等をガス銃９を
構成する所定のノズルからガリウム・イオン・ビームの
照射されている位置に吹きつけることにより、夫々の導
電性物質に対応した新たな導電性のパターンをサブミク
ロン・サイズの寸法で生成することが可能となる。そし
て、当該導電性のパターンと絶縁性のパターンとを積層
する態様で順次積層することにより、既述したコンデン
サ、マイクロ・ストリップ・ライン等の素子を任意の場
所に任意の時に任意の大きさで生成することが可能とな
る。As described above, it is possible to sequentially generate a thin conductive pattern and an insulating pattern in a stacked manner. Needle valves 10 (only one is shown in the figure and others are omitted) provided for a plurality of nozzles constituting the gas gun 9 are used to connect the gas gun 9 from the respective gas sources 11. When the assist gas is not supplied to each of the plurality of nozzles, the nozzle is closed. In general, when a conductive pattern is generated, as described above, for example, the gas source 11 is heated so as to supply only pyrene gas, and the gas generated by the gas source 11 is supplied to the gas gun 9 in a predetermined manner. The gallium ion beam is sprayed from the nozzle onto the surface of the sample 5 which has been irradiated.
At this time, in order to blow gas onto the surface of the sample 5, only a predetermined number of needle valves 10, for example, only one, is controlled to be open.
The needle valve 10 can also be used to control the gas supply amount as required. Also,
A molybdenum compound gas, an aluminum compound gas, a chromium compound gas, or the like, instead of the pyrene gas, is irradiated with a gallium ion beam from a predetermined nozzle constituting the gas gun 9 as a compound gas for generating a conductive pattern. , A new conductive pattern corresponding to each conductive material can be generated with submicron size. Then, by sequentially laminating the conductive pattern and the insulating pattern in a laminating manner, the above-described elements such as the capacitor and the microstrip line can be arranged in any place at any time and in any size. Can be generated.
【００１４】図２を用いて導電性のパターンと絶縁性の
パターンとを積層する態様で生成する場合の動作を詳細
に説明する。図２はＬＳＩを構成する配線パターンＡを
跨ぐ態様で、他の配線パターンＢ1と配線パターンＢ2と
を電気的に接続する場合の絶縁性のパターンＣと導電性
のパターンＤとを生成する例を示す。The operation in the case where the conductive pattern and the insulating pattern are generated in a laminated manner will be described in detail with reference to FIG. FIG. 2 shows an embodiment in which an insulating pattern C and a conductive pattern D for electrically connecting another wiring pattern B 1 and a wiring pattern B 2 are generated in a manner of straddling a wiring pattern A constituting an LSI. Here is an example.
【００１５】第１に、配線パターンＡの上に図中二点鏡
線を用いて示す絶縁性のパターンＣを生成させるため
に、既述した如くして図１図中ディスプレイ２１上に当
該絶縁性のパターンＣを生成させる領域を表示させる。
そして、キーホード２２からスパッタ／アシスト制御部
１７に対して、絶縁性のパターンＣを生成させる領域情
報、絶縁性のパターンＣを生成するためのガスを指定す
るアシストガス情報、当該絶縁性のパターンＣの膜厚情
報等をキー人力する。これにより、スパッタ／アシスト
制御部１７は既述した如く照射位置制御部１６およびア
シストガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオ
ン・ビームが前記指定された絶縁性のパターンＣを生成
すべき領域を走査するように走査信号を制御すると共に
絶縁性のパターンＣを生成させる例えばＳｉＨ4−ＮＨ3
ガスがガリウム・イオン・ビームの照射されている位置
に吹きつけられるように制御する。そして所定時間ガリ
ウム・イオン・ビームを照射することにより、所定膜厚
の絶縁性のパターンＣが図示２点鎖線を用いて示す如く
生成される。First, in order to generate an insulating pattern C indicated by two-point mirror lines on the wiring pattern A, the insulating pattern C is formed on the display 21 in FIG. The region for generating the sexual pattern C is displayed.
Then, the keyhole 22 sends to the sputtering / assist control unit 17 the region information for generating the insulating pattern C, the assist gas information for specifying the gas for generating the insulating pattern C, and the insulating pattern C Key information on film thickness information etc. As a result, the sputter / assist control unit 17 issues a command to the irradiation position control unit 16 and the assist gas control unit 20 as described above, and the gallium ion beam should generate the specified insulating pattern C. For example, SiH 4 —NH 3 that controls a scanning signal to scan an area and generates an insulating pattern C
Control is performed so that the gas is blown to the position irradiated with the gallium ion beam. Then, by irradiating the gallium ion beam for a predetermined time, an insulating pattern C having a predetermined thickness is generated as shown by a two-dot chain line in the figure.
【００１６】第２に、第１のステップによって生成した
絶縁性のパターンＣを跨ぐ態様で、かつ配線パターンＢ
1と配線パターンＢ2を電気的に接続するために、図示点
線を用いて示す如き導電性のパターンＤを生成する。第
１のステップの場合と同様にして、キーボード２２から
導電性のパターンＣを生成するためのガスを指定するア
シストガス情報、当該導竜性のパターンの膜厚情報等を
キー入力する。これにより、スパッタ／アシスト制御部
１７は既述した如く照射位置制御部１６およびアシスト
ガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・ビ
ームが前記指定された導電性のパターンＤを生成すべき
領域を走査するように走査信号を制御すると共に導電性
のパターンＤを生成させる例えばピレンガスがガリウム
・イオン・ビームの照射されている位置に吹きつけられ
るように制御する。そして所定時間ガリウム・イオン・
ビームが照射されることにより、所定膜厚の導電性のパ
ターンＤが図示の如く生成される。Second, the wiring pattern B extends over the insulating pattern C generated in the first step.
In order to electrically connect 1 to the wiring pattern B 2 , a conductive pattern D as shown by using a dotted line is generated. As in the case of the first step, assist gas information for designating a gas for generating the conductive pattern C from the keyboard 22 and film thickness information of the dragon-like pattern are input by keys. Accordingly, the sputter / assist control unit 17 issues a command to the irradiation position control unit 16 and the assist gas control unit 20 as described above, and the gallium ion beam should generate the specified conductive pattern D. The scanning signal is controlled so as to scan the region, and the control is performed such that, for example, pyrene gas for generating the conductive pattern D is blown to the position irradiated with the gallium ion beam. And gallium ion
By irradiating the beam, a conductive pattern D having a predetermined film thickness is generated as shown in the figure.
【００１７】以上の如く絶縁性のパターンＣ上に積層す
る態様で、かつ鎖交する態様で導電性のパターンＤを生
成することにより、すでに完成されたＬＳＩ等の配線パ
ターンＡを跨ぐ態様で容易かつ迅速にしかもサブミクロ
ン・サイズで配線パターンＢ 1と配線パターンＢ2とを電
気的に接続することが可能となる。[0017] As described above, the layer is laminated on the insulating pattern C.
The conductive pattern D is produced in a manner that
By doing so, the wiring patterns of LSIs and the like that have already been completed
Easily and quickly across the turn A and sub-micro
Wiring size B 1And wiring pattern BTwoAnd the
It becomes possible to connect pneumatically.
【００１８】また、同様にして導電性のパターンの上に
絶縁性のパターンを生成し、更に当該絶縁性のパターン
の上に導電性のパターンをいわば順次積層する態様で生
成することにより、コンデンサをサブミクロン・サイズ
で任意の場所に任意の時に任意の大きさに作成すること
が可能となる。更に、ミクロンオーダときとしてサブミ
クロンオーダで生成された各種配線パターンの補修ある
いは欠陥素子を切断して予備の他の素子に接続交換等を
行うことも容易にできる。例えばディスプレイ等として
用いられるドット構成の液晶パネルを駆動する配線パタ
ーンの補修および当該配線パターンに接続された欠陥の
ある駆動素子を切断し、予備の他の駆動素子と接続交換
を行う場合等に、他の配線を跨ぐ態様で電気的な接続を
行うことも可能となる。In the same manner, an insulating pattern is generated on a conductive pattern, and a conductive pattern is generated on the insulating pattern by sequentially laminating the conductive patterns. It is possible to create a submicron size at any place and at any time and in any size. Further, it is also possible to easily repair various wiring patterns generated on the order of submicron, sometimes on the order of micron, or cut defective elements to exchange connection with other spare elements. For example, when repairing a wiring pattern for driving a liquid crystal panel having a dot configuration used as a display or the like, cutting a defective driving element connected to the wiring pattern, and performing connection replacement with another spare driving element, It is also possible to make an electrical connection in a manner of straddling another wiring.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成
する化合物ガスあるいは絶縁性の被膜を生成する化合物
ガスを当該試料面に吹きつける手段を採用しているた
め、微小な導電性のパターンあるいは絶縁性のパターン
を生成することが可能となる。特に、ＬＳＩ等の配線パ
ターンの如く、既に完成された配線パターンを跨ぐ態様
で他の配線パターン間の電気的な接続をミクロン・オー
ダときとしてサブミクロン・オーダで行うことが可能と
なると共に、微小なコンデンサを任意な時に任意の場所
に任意の大きさにミクロン・オーダで作成することが可
能となり、更に、微小な配線パターンを切断、補修する
ことが可能となる。As described above, according to the present invention,
Since a means for spraying a compound gas that generates a conductive film or a compound gas that generates an insulating film while irradiating the sample surface with an ion beam is employed, a minute conductive pattern or It is possible to generate an insulating pattern. In particular, like a wiring pattern of an LSI or the like, electrical connection between other wiring patterns can be performed on a submicron order, sometimes as a micron order, while straddling an already completed wiring pattern. It is possible to produce a simple capacitor at an arbitrary place and an arbitrary size at an arbitrary size in a micron order, and further, it is possible to cut and repair a minute wiring pattern.
【図１】本発明の１実施例構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of one embodiment of the present invention.
【図２】第１図図示本発明の１実施例構成を用いた具体
的応用例である。FIG. 2 is a specific application example using the configuration of one embodiment of the present invention.
１：パターン生成装置 ２：イオン銃 ２−１：イオン源 ２−２：電極 ３：偏向電極（ＤＥＦ） ４：対物レンズ ５：試料 ６：試料台 ７：試料移動機構 ８：検出器 ９：アシストガスを吹きつけるガス銃 １０：ニードルバルブ １１：ガス源 １２：真空排気装置 １３−１、１３−３：高電圧発生装置 １３−２：イオン加速電圧制御部 １３−４：焦点合せ制御部 １４：走査制御部 １５：信号増幅処理部 １６：照射位置制御部 １７：スパッタ／アシスト制御部 １８：試料位置制御部 １９：真空排気系制御部 ２０：アシストガス制御部 ２１：ディスプレイ ２２：キーボード ２３：ディスク 1: Pattern generator 2: Ion gun 2-1: Ion source 2-2: Electrode 3: Deflection electrode (DEF) 4: Objective lens 5: Sample 6: Sample table 7: Sample moving mechanism 8: Detector 9: Assist Gas gun for blowing gas 10: Needle valve 11: Gas source 12: Vacuum exhaust device 13-1, 13-3: High voltage generator 13-2: Ion acceleration voltage control unit 13-4: Focusing control unit 14: Scan control unit 15: Signal amplification processing unit 16: Irradiation position control unit 17: Sputter / assist control unit 18: Sample position control unit 19: Vacuum exhaust system control unit 20: Assist gas control unit 21: Display 22: Keyboard 23: Disk
Claims (2)
ンビームと、該イオンビームを偏向して試料面を走査す
る走査手段と、該走査手段を用いてイオンビームを試料
面に走査することによって当該試料から放射あるいは当
該試料に吸収される荷電粒子に関する情報を検出する荷
電粒子検出器と、該荷電粒子検出器を用いて検出された
荷電粒子によって生成された像を表示する表示装置とを
備えた装置において、 前記イオンビームによって照射されている試料面に対し
て複数個のノズルから夫々異なるガスを必要に応じて吹
きつけ得るよう構成したガス吹きつけ装置と、 前記表示装置上に表示されている表示情報に基づいて新
たに導電性のパターンあるいは新たに絶縁性のパターン
を生成しようとする領域に対して前記イオンビームを照
射しつつ前記ガス吹きつけ装置を用いて分解して導電性
のパターンを生成する化合物ガスあるいは分解して絶縁
性のパターンを生成する無機化合物ガスを吹きつけて新
たな導電性のパターンあるいは新たな絶縁性のパターン
を生成させるスパッタ／アシスト制御部とを備え、 このスパッタ／アシスト制御部によってミクロンオーダ
あるいはサブミクロンオーダで生成された各種配線パタ
ーンを前記導電性のパターンで補修、前記イオンビーム
で欠陥素子を切断、前記導電性のパターンで接続、ある
いは他の配線上に前記絶縁性パターンを生成した上に前
記導電性パターンを生成して跨ぐ態様で電気的に接続を
行うことを特徴とするパターン修正方法。1. An ion beam for irradiating a sample surface in a narrowed manner, a scanning unit for deflecting the ion beam and scanning the sample surface, and using the scanning unit to scan the sample surface with the ion beam. A charged particle detector that detects information on charged particles emitted from the sample or absorbed by the sample, and a display device that displays an image generated by the charged particles detected using the charged particle detector A gas blowing device configured to blow different gases from a plurality of nozzles as necessary to a sample surface irradiated by the ion beam, and a display on the display device. Irradiating the ion beam to a region where a new conductive pattern or a new insulating pattern is to be generated based on the displayed display information A new conductive pattern or a new insulating property is blown by spraying a compound gas that generates a conductive pattern by decomposing using the gas blowing device or an inorganic compound gas that decomposes to generate an insulating pattern. And a sputter / assist control unit for generating a pattern of the above. Various wiring patterns generated on the micron or submicron order by the sputter / assist control unit are repaired with the conductive pattern, and defective elements are formed with the ion beam. A pattern correcting method, comprising cutting, connecting with the conductive pattern, or generating the insulating pattern on another wiring and then generating the conductive pattern and electrically connecting in a manner of straddling the pattern. .
ンビームと、該イオンビームを偏向して試料面を走査す
る走査手段と、該走査手段を用いてイオンビームを試料
面に走査することによって当該試料から放射あるいは当
該試料に吸収される荷電粒子に関する情報を検出する荷
電粒子検出器と、該荷電粒子検出器を用いて検出された
荷電粒子によって生成された像を表示する表示装置とを
備えた装置において、 前記イオンビームによって照射されている試料面に対し
て１個のノズルでバルブを切替えて所望のガスを吹きつ
け得るよう構成したガス吹きつけ装置と、 前記表示装置上に表示されている表示情報に基づいて新
たに導電性のパターンあるいは新たに絶縁性のパターン
を生成しようとする領域に対して前記イオンビームを照
射しつつ前記ガス吹きつけ装置を用いて分解して導電性
のパターンあるいは分解して絶縁性のパターンを生成す
る化合物ガスを吹きつけて新たな導電性のパターンある
いは新たな絶縁性のパターンを生成させるスパッタ／ア
シスト制御部とを備え、 このスパッタ／アシスト制御部によってミクロンオーダ
あるいはサブミクロンオーダで生成された各種配線パタ
ーンを前記導電性のパターンで補修、前記イオンビーム
で欠陥素子を切断、前記導電性のパターンで接続、ある
いは他の配線上に前記絶縁性パターンを生成した上に前
記導電性パターンを生成して跨ぐ態様で電気的に接続を
行うことを特徴とするパターン修正方法。2. An ion beam for irradiating a sample surface in a narrowed manner, scanning means for deflecting the ion beam and scanning the sample surface, and scanning the ion beam on the sample surface using the scanning means. A charged particle detector that detects information on charged particles emitted from the sample or absorbed by the sample, and a display device that displays an image generated by the charged particles detected using the charged particle detector A gas blowing device configured to switch a valve with a single nozzle to blow a desired gas to a sample surface irradiated with the ion beam, and to display on the display device. Irradiating the ion beam to a region where a new conductive pattern or a new insulating pattern is to be generated based on the displayed display information. Sputtering to generate a new conductive pattern or a new insulating pattern by blowing a compound gas that decomposes using the gas blowing device to generate a conductive pattern or decomposes to generate an insulating pattern An assist controller for repairing various wiring patterns generated on the micron or submicron order by the conductive pattern by the sputter / assist controller, cutting defective elements by the ion beam, and removing the conductive pattern. Or a method for correcting the pattern by generating the insulating pattern on another wiring and then generating and electrically connecting the conductive pattern.
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP9087893A JP3013158B2 (en) | 1997-04-07 | 1997-04-07 | Pattern correction method |
Related Parent Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Family Applications (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6653240B2 (en) | 2001-01-12 | 2003-11-25 | International Business Machines Corporation | FIB/RIE method for in-line circuit modification of microelectronic chips containing organic dielectric |
| US9615346B2 (en) | 2012-12-05 | 2017-04-04 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for notifying information change in wireless communication system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245553A (en) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Forming device for pattern |
| JPH0922911A (en) * | 1996-04-22 | 1997-01-21 | Seiko Instr Inc | Pattern generator |
-
1997
- 1997-04-07 JP JP9087893A patent/JP3013158B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JPS61245553A (en) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Forming device for pattern |
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| US9615346B2 (en) | 2012-12-05 | 2017-04-04 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for notifying information change in wireless communication system |
| US10257800B2 (en) | 2012-12-05 | 2019-04-09 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for authenticating access authorization in wireless communication system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3013158B2 (en) | 2000-02-28 |
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