JPS62226880A - 金属化窒化アルミニウム体 - Google Patents

金属化窒化アルミニウム体

Info

Publication number
JPS62226880A
JPS62226880A JP6834186A JP6834186A JPS62226880A JP S62226880 A JPS62226880 A JP S62226880A JP 6834186 A JP6834186 A JP 6834186A JP 6834186 A JP6834186 A JP 6834186A JP S62226880 A JPS62226880 A JP S62226880A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum nitride
layer
oxide
metallized
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6834186A
Other languages
English (en)
Inventor
保敏 栗原
正昭 高橋
井上 広一
沢畠 守
八野 耕明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6834186A priority Critical patent/JPS62226880A/ja
Publication of JPS62226880A publication Critical patent/JPS62226880A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、金属化窒化アルミニウム体及びその製法にI
Aする。特に、熱伝導性、気密性、接合強度を損なう酸
化物を薄くして、金属化層を設けた窒化アルミニウム本
に関するものである。
〔従来の技術〕
窒化アルミニウム焼結体は、近年の焼結技術や精製技術
の向上に伴なって、電子部品用基板材料として注目に値
する好喧しい物性が付与されるに至っている。
Ifllえば、(1)YtOs添加無加圧焼結により窒
化アルミニウム体に熱伝導率40〜100W/m* K
、体積抵抗率10149の以上(室温)、誘電率8.8
 (I MHz )、誘電強度140〜170kV/c
rIt(室温)熱膨張係数4.5 X 10″’/C(
室温〜400C)、曲げ強度40〜50に9/喝2なる
性質を有する。
又、(2)高純度、高密度に精製された窒化アルミニウ
ム粉を加圧焼結して、熱伝導率160W/ m11 K
 (室温)、戒気抵抗率5X10”9口(室温)、誘電
率8.9 (IMHz ) 、屈曲強度5000す/f
12、熱膨張係数4.3X10’/C’(室温〜400
C)なる性質を有する窒化アルミニウム本がある。
上記先行技術fMJ(1)、(2)から、窒化アルミニ
ウム焼結体は、熱伝導率や絶縁耐力が犬で、熱膨張係数
がシリコンのそれに近似し、更に毒性が無い等の特徴を
積極的に活かすことにより、屯子装置の性能向上に資す
ることができると期待される。この期待実現のためには
、窒化アルミニウム体と金属をにじめとする他部材とを
、在来のろう付は法によって接合するための金属化層を
、上記窒化アルミニウム体上に形成する必要がある。
上記先行技術例(1)では、DBC(1)ireetB
onded (:opper)法によって鋼層を窒化ア
ルミニウム本土に設けて金属化を達成している。同法に
よる金属化層は、上述した高温ろう付けに耐え得ること
が期待される。
更に、(3)特開昭50−75208号では窒化アルミ
ニウム焼結体を金属化するにあたり、窒化アルミニウム
表面を酸化させながらMo、W。
M * 、T 1等の金属を焼結する方法を、そして(
4)特開昭53−102310号では焼結窒化アルミニ
ウム系基体と、この基体の所要面に金属酸化物層、例え
ばS tQ2、AIt o、 、Mg0s Cab、 
F etos等を含む酸化物層を介してN1゜、W、M
、−W系、M 0M *系金属層とからなる熱伝導性基
板をそれぞれ開示している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記先行技術例(1)によるDBC法は酸素の存在を前
提に成立する技術であって、窒化アルミニウム体と金属
化層としての銅層との間には、酸化物の生成及び介在が
必須である。この場合の酸化物としては、酸化鋼、酸化
アルミニウムが挙げられる。これらの酸化物の熱伝導4
は、例えば17W/m−K(酸化アルミニウム)と小さ
い。したがって、酸化物の存在は金属化窒化アルミニウ
ム体全体としての熱伝導性を損なう。
又、先行技術列(3)及び(4)による場合も、窒化ア
ルミニウム基体と金属化層との間には熱伝導率の小さい
酸化物層が仔在し、金属化窒化アルミニウム本全体とし
ての熱伝導性能が損なわれやすい。
上記先行技術例は上述の熱伝導性の外に電気絶縁性、金
属化層と窒化アルミニウム体間の接合強度や気密性、信
頼性の点で解決すべき課題が多い。
これらの主たる原因は積極的に酸化性雰囲気で熱処理す
るため、金属化層と窒化アルミニウム体間に多孔質で厚
い酸化物層が形成されやすいことによる。
したがって本発明は、熱伝導機能電気絶縁性、強固な接
合性、気密性、そして信頼性が損なわれず、高温ろう付
けに111itえる新規な金属化窒化アルミニウム本及
びその形成手段を提供することを目的とする。
〔1司−4点全解決するための手段〕 本発明の金属化窒化アルミニウム本は、上記目的を達成
するため、焼結体である上記窒化アルミニウム体の所定
部に焼結して一体化したモリブデン及びマンガンを生成
分とする金属層を有するものにおいて、上記金属層が同
金属層の出発原料に含まれる酸化物を酸素源とする酸化
反応により生成された酸化物層を介して上記窒化アルミ
ニウム体と接合されるようになされる。
又、本発明の金属化窒化アルミニウム本の製法は、モリ
ブデン及びマンガンを生成分とする金属層の出発原料と
なるべき上記金属の酸化物を少くとも一部に含む粉末ペ
ースト材を焼結窒化アルミニウム本に塗布した後、非酸
化性雰囲気下で熱処理する工程を含むことを特徴とする
〔作用〕
本発明においてM。粉末とM、粉末は窒化アルミニウム
本土に焼結されるとともに、粉末相互も焼結され、巨視
的には焼結体窒化アルミニウム体と金属層が一本化され
た状態が具現される。この際本発明においては、(1〕
非暖化性雰囲気下で熱処理することにより窒化アルミニ
ウム体表面の過度の酸化、即ち厚い酸化アルミニウムノ
ーの生成が抑制される点、(2)熱処理の昇温過程で、
少くとも表面に酸化物層を臂するM、粉末が、窒化アル
ミニウム体に金属化層との接着力を維持するのに必要な
適量の酸化物層を形成するための酸化供給源になる点、
(3)少くとも表面に酸化物層を有するM1粉末が、窒
化アルミニウム体との焼結がなされるのに先行して金属
粉末どうしの融着が促進されるのを抑制する点に作用の
新規性を有する。
酸化物層を有するM、粉末が酸素供給源となり得るのは
次の化学反応に基ずくと考えられる。
先ず熱分解反応により M、0.→M、O+0      ・・・・・・・・・
(1)水素ガス存在下の非酸化成雰囲気のもとでは、M
、0+H1→M、+H,O・・・・・・・・・(2)な
る反応を生じ、生成された0、H,Oが窒化アルミニウ
ム体表面をti化するのに供給される。又、これらの0
やHt Oは他の金属粉末、例えばM00粉末面を酸化
疲膜で被覆するための酸化源にもなり得る。尚、ぼ素像
としては上述の酸化マンガンと共にゲルマニウム、シリ
コ・ン、鉄、チタニウム、亜鉛、タングステン等の金属
酸化物を少量添加することは可能である。この際、熱伝
導性を損なわない程度に添加すべきことは勿論である。
〔実施例〕
次に断面図を参照して、本発明の実施列を更に詳細に説
明する。第1図は、本発明実施例におけるM。及びM、
からなる金属層を焼結、一体化した金属化窒化アルはニ
ウム本を説明する図である。
同図を参照するに、10は高純度アルミナ粉と炭素粉と
の混合物を窒素雰囲気下で1600C15時間熱処理し
、引続き過剰の炭素を酸素存在下の加熱によって除去し
て得た高純度は酸窒化アルミニウム粉(粒径1μm以下
)を、窒素雰囲気中で加圧焼結(200に#/cm” 
、2000C,3時間)して得た板である。この焼結体
は数十pplTlのCa。
Mg% Cr、Fe% 8iSNiや1%程度の酸素、
0.06%位の炭素を不純物として含有し、焼結体の粒
径は1〜2μm程匿である。この窒化アルミニウム本1
0上には、M(1及びMoからなる厚さ約8μmの焼結
金属層11 (lla、1lb)が一本化されている。
焼結金属層11の直下には、厚さ約0.1μmの酸化ア
ルミニウムを主体とする酸化物層12(12a、12b
)が介装されている。焼結金属層ll上にぽめつきによ
り形成したニッケル層13 (13a、13b)が投げ
らnlろう材へのぬれ性が付与されている。
以上の金属化窒化アルミニウム本は、次のようにして製
作された。第2図に示すように、焼結本窒化アルミニウ
ム板10上に出発原料としての平均粒径1μmのM0粉
末及び平均粒径1.5μmのM、0.粉末を混錬した金
属ペースト層110(110a、110b)を印刷法に
て選択塗布した形態を表わしている。同ペースト層11
0は50重量%のMo及び50重量%のM −Otから
なる混合粉末をバインダとしてのアクリル樹脂、溶媒と
してのC+oH+sOとともに混錬したもので、厚さ約
15μmに形成されている。ペースト層110は印刷後
70C,1時間の空気中乾燥工程を経た後、窒素、水素
からなる混合ガス雰囲気のもとで1300C,1時間の
熱処理を施される。第1図は上記熱処理を経た後の形態
を示したもので、上述のグロく焼結金属層11とその直
下の酸化物層12が形成される。金属層11の組成を化
学分析した結果、Mo :61[量%、Ma:39重量
%であることが確認された。又、金属層11の厚さのば
らつきは±0.2μm以内で、金属粉末が凝集した場合
に見られるような、局所的に厚くなったり薄くなったり
する現象は見られなかった。
本実施列において、金属化は次の過程を経てなされる。
〔1]昇温過程において約530Cから上述の熱分解反
応(1)が始1り更に昇温するにつれ還元反応(2)が
なされて酸化源が放出される。これにともない、窒化ア
ルミニウム本表面の酸化及びM00粉末面の酸化が促進
される。〔2〕約1000Cを越える昇温過程で、窒化
アルミニウム体上へのMo及びM、粉末の焼結が促進さ
れる。
この場合、上記〔1〕の過程で生じた窒化アルミニウム
本表面の酸化物、Moの酸化物そして完全に還元されず
に残存しているM、の酸化、吻の存在が・焼結を促進し
て強固な接着力を保持するのに仔与する。又、上記M0
及びM、の酸化物の存在は、窒化アルミニウム体への焼
結がなされる前に金属粉末どうしが焼結するのを抑制す
る。〔3〕1300C,1時間の熱処理過程では、残圧
するMo及びM、の酸化物が還元されるとともにMO粉
末、M、粉末どうしの焼結が進行する。当然のことなが
ら、この過程でも窒化アルミニウム本への金属の焼結は
進む。
次に、上記金属層11に燕′屯解めつきによるN i+
ml 3 (3〜5μm )を設けた後、銀ロウ(Ag
−28,1wt%Cu片金、作業温度850C)付けに
てコバール棒を接合(ろう材厚さ100μm)し、接合
面の法、順方向に引張り荷重897鵡2を印加したが、
破断を全く生じなかった。
本実施列では、Mo及びM、からなる金属層t1湿潤算
囲気を経た後還元雰囲気に変更しなから熱処理して充結
、一体化した、比較用金属化窒化アルミニウム本を作成
した。同試料に上述と同様の引張り試!倹を実権したが
、試料の約90%は窒化アルミニウム体と酸化物層との
、Bliの界面あるいはU化$1JI−内における破断
ないし剥離を生じた。尚、比較試料の酸化物層の厚さを
確認した所、金属層直下で約15μm存在していた。
上述のように本発明実施例金属化窒化アルミニウム本は
、強固な接合がなされる点で比較用試料に優っている。
この理由として、次の2点が挙げられる。
(1)限化物1−の生成量が増えるにつれて、アルミナ
を主体とする酸化物層と窒化アルミニウム焼結体との熱
膨張係数の不整合に起因する残留応力の増大を生ずる。
これに対し、実施例金属化窒化アルミニウム体では酸化
物層12の生成が必要最少限に抑制され、熱膨張係数の
不整合による応力の残留も軽微である。
(2)窒化アルミニウム体の酸化にともなって硼素酸化
物気体の生成がきけられない。この窒素酸化物は、生成
過程にある酸化物層を経由して外部に放出される。酸化
物層は気体放出路になるため、酸化物層の生成i−を増
すにつれ多孔質になりやすい。実施例金属化窒化アルミ
ニウム本では、放出気体の量が少量に抑制され、酸化物
層12の多孔質化が軽微にとどめられる。
第3図(a)は、金属層11の接合界面付近の構成成分
の分布を、遂次スパッタリングしなからオージェ分析に
よって確認したものである。金属層11と窒化アルミニ
ウム本10の界面に酸素の存在を示す曲線が描かれてい
る。この曲線は半値幅が極めて狭くシャープなピークを
示している。
酸素の存在する領域にはM。、M、、AIも演出され、
特にAlが同領域の全域に検出されている。
この結果及びX線回折の結果から、未発者らは酸素強度
の強い領域は上記金属の酸化物、特に酸化アルミニウム
を生成分として含んでいると考えられる。
一方、第3図(b)は比較用試料の分析結果であるが、
酸素強度の大きい領域が極端に広い点で本実施列と大き
な相違を示している。又、同領域の金属1脅近傍以外で
はMo及びM、が検出されておらず、大部分の領域が酸
化アルミニウムで構成されている点も実施例と異なる。
第4図は、金属層11aとllbを含む電極間の電圧・
鑞流特性例である。測定試料の金属層11a及びllb
間距離tI′i0.5 m、金属層11a及びllbの
対向長さは5mである。実施例試料の曲線人は印加1圧
3000Vで約104Aなるもれα流を示し、上記比較
用試料(曲線B)の約10−’A (at300 V 
) VC比べて格段に優れた電気絶縁性が認められる。
実施例試料が絶縁性に優れる主因は、金属層11aとl
lbの間に多孔質の酸化物領域が存在しないことである
。即ち、比較用試料でもれ11t流が大きいのは金属層
間に多孔質11!化アルミニウム層が存在し、電気云導
に寄与する物質例えば水分を吸着しやすく、加水分解に
よるイオンを発生しやすいためでちる。
水分による影響は、高温高湿雰囲気(温度70C,1変
90%)下で金属ノー間に電圧(50V)を印加するこ
とにより、実施例試料と比較用試料との間で対照的な結
果が得られている。第5図は上記条件下で得られた電圧
印加時間と金属層11aとllbを含む″電極間の〔も
れ成流/?/7期もれ電流〕比を追跡した結果であり、
曲線Aは実施例試料そして曲線Bは比較用試料に関する
。同図に示す如く、実施例試料は比較用試料に比べ高温
高湿下にあっても優れた電気絶縁性を維持することがで
きる。短時間でもれ電流を増した比較用試料を詳細に調
べた所、電極間に存在する多孔′X酸化アルミニウム層
に金属塩からなる微少尋電路が形成されていた。この金
属塩は、窒化アルミニウム本に含有されていた微量の不
縄物成分が加水分解した後、生成されたものと考えられ
る。一方、実施例試料にはこのような微少導゛1路の形
成は見られていない。この結果は、金属化窒化アルミニ
ウム体を混成集積回路装置やパワーモジュールに代表さ
れる眠気回路構成用基板として開用する場合に、優れた
効果を14シ得ることを示唆するものである。
第6図は、本発明金属化窒化アルミニウム本を絶縁部材
として適用したパワートランジスタ装置の概略断面図で
ある。このパワートランジスタは、銅ステム201(厚
さ3 m )上にq化7kiニクム板2(10mX10
■X O,6vttm )を介してシリコントランジス
タチップ202(8wXa■×0.3圏)をろう付は一
体化し、コレクタ、ペース、エミッタの各端子(図示を
省略)を有する。この際、図示を省略しているが、窒化
アルミニウム板2の両主面には本発明にしたがって、M
O及びM、よりなる金属層11が形成され、ざらに金属
層上にはめつき法によるニッケル層13が形成されてい
る。当然のことながら、金属層11と窒化アルミニウム
板2の界面にばば化吻層12も形成されている。゛雀属
層11X酸化物層12、ニッケル層13の厚さは、いず
れも上述した実施列と同じである。又、鋼ステム201
と窒化アルミニウム板2とは、厚さ150μmの輩ろう
箔203(処理温度800C)を用いてろう付けし、窒
化アルミニウム板2とトランジスタチップ202との間
は、厚さ100μmのpb−5%S n −1,5%A
g(重量%)はんだ箔204を用いてろう付け(灰理温
+1350tl:’)l、ている。
第7図は、上記絶縁型トランジスタチップ202−銅ス
テム201間の過渡熱抵抗特性(曲、線λ)であり、本
発明によらない上記比較用試料と同月に作成した金属化
窒化アルミニウム体を適用した場合(曲線B)と比較し
て示す。曲線が飽和する・碩域で比較すると、曲、腺A
は約0.17C/W、そして曲線Bは約0.2C’/W
を記録しており、本発明金属化窒化アルミニウム体を適
用したトランジスタ装置が放熱性の点で勝っている。こ
のように低熱抵抗になった重要な理由には、窒化アルミ
ニウム本の熱伝導率が高いことの外に、熱伝導路を担う
主要部分に熱伝導性を阻害する厚くて多孔質な酸化アル
ミニウム4が存在しない点が含まれる。
換言すると、金属層11と窒化アルミニウム体2の界面
に緻密で薄い酸化物層12が存在することによる。又 又、上記トランジスタ装置に一55〜+150Cの温度
サイクル(1000サイクル)を与えても熱抵抗の上昇
は認められていない。その後引続いて、更I/C300
0サイクルまで継続した所、銀ろう層203の熱疲労破
壊は認められたものの、他の部分には何等の損傷も認め
られなかった。一方、比較用トランジスタ装置も同様の
試験を実施したが、温度サイクル1000サイクルを経
過すると初期値に対して約9倍の熱抵抗を示した。この
比較用トランジスタ装置を分解調査した所、銀ろう層2
03やはんだ層204には異常は認められなかったが、
金属層と酸化物層界面、酸化物層内、そして酸化物層と
窒化アルミニウム体界面に亀裂が発生していた。
このように、本発明金属化窒化アルミニウム本を適用し
た場合に良好な耐温度サイクル性を示す理由は、生成さ
れる酸化物層12が薄くしかも緻密に形成されているた
め、金属化部の残留応力が小さいこと、そして酸化物層
12自体が強化されていることに加えて金属層11との
界面及び窒化アルミニウム体2との界面が強固に接合さ
れていることに起因する。
第8図は、本発明金属化窒化アルミニウム本を適用した
LSIチップ塔載用ピングリッドアレイパッケージの概
略断面図を示す。これは、LSIチップ202が収納さ
れる部分に貫通孔を設けた三層配線アルミナ基板301
の両面に、貫通孔をふさぐように、チップ202が塔載
される窒化アルミニウム体2を銀ろう付け203すると
ともに、金−錫ろう304によりコバール板305をろ
う付けして気密封止したパッケージである。尚、同図に
おいて306は配線用AIワイヤ、307はコバールピ
ン、308[金−シリコンろうである。
銀ろう付は部は内寸法12mX 12raa、幅1.5
 mであり、窒化アルミニウム仮2及びアルミナ基板3
01の両者の対向面には、同寸法の金属層(図示を省略
)を有している。特に、窒化アルミニウム板2の金属層
は、本発明にしたがいM。及びM。
よりなる金属層11が形成され、さらにこの上にニッケ
ル層が形成され、金属層11と窒化アルミニウム板2の
界面には酸化物層12も形成されている。尚、アルミナ
基板301のろう付は面にはWを焼成して金属化し、こ
の表面にNiめつきを織こした金属層を設けである。
上記パッケージに一55〜+150Cの温度サイクル(
3000サイクル)を与えたが、He IJ −り率は
5 X l O” atmcc / Sec以下であっ
た。
これに対し、本発明によらない金属化窒化アルミニウム
本を適用した比較用試料では、温度サイクル500サイ
クルで既にHe IJ−り率は10−aatm cc 
/ secを越えた。この比較試料を分解調査した所、
金属1−と酸化物層内、そして酸化物層と窒化アルミニ
ウム本界面に亀裂が発生していた。
このように、本活明による金属化窒化アルミニウム本を
適用した場合は、気密性の点でも優れていることが実証
された。高い気密性が維持される理由は、基本的には上
述した低熱抵抗が維持される理由と同様である。
上記実施列において窒化アルミニウム本2は高純度に精
製された焼結体でしかも加圧焼結体であることを開示し
たが、本発明はこの種の1化アルミニウムに限定される
べきものではなく、例えばY t OsやCaOの如き
物質で代表されるような熱伝導性を損なわない添加物と
ともに焼結された窒化アルミニウム本を用いることや、
そして常圧焼結して得た窒化アルミニウム体を1用する
こともできる。又、上述したように金属化窒化アルミニ
ウム本は他部材とろう付けにて一体化されるものであり
、金属層11はろう付は性(ぬれ性)を付与される必要
がある。このために金属層11上にNi−?Cuのグロ
き層をめっき法により形成する。
ぬれ性付与のための金属は、Ant Ag、pt。
zn、pdによっても代替でき、そしてその形成法も蒸
着法、スパッタリング法、厚膜焼成法等在来の方法を適
用できる。尚、本発明金属化窒化アルミニウム本の対象
とされるろう材は銀ろうに限られるものではなく、例え
ばλt−11.7wt%8i  (577tll’)、
Au−12ft%()e  (356C)、Pb−63
wt%Sn (183C)等+7)ヨうに、低温処理で
きるろう材を対象にすることに同等支障を伴なうもので
はない。
本発明において、金属化窒化アルミニウム本を得るに当
り、非酸化性雰囲気、特に好ましくは還元性雰囲気下で
熱処理することを必須とする。非酸化性雰囲気を保つた
めの窒素ガスの代替物はヘリウム、アルゴン、ネオン、
キセノン、二酸化炭素であり、還元性雰囲気を保つため
の水素の代替物は一酸化炭素である。
金属層11の直下に簿い酸化物層12を形成するための
酸素供給源としてM、0.粉末を用いることは好ましい
ことである。しかし、M、0□粉末の代替物として表面
を酸化したM、粉末を用いることも可能である。又、M
 −Oを粉末の代りにM、粉末とM、O,粉末を混錬し
た物やM、粉末と表面を酸化したM、粉末を混錬した物
を用いても良い。
更に、第9図は酸化物層12の厚さの影響を説明する図
である。同図中の曲線人は第8図と同様構造のパッケー
ジに一55〜+150Cの温度サイクルを与え、l(e
リーク率10−’ atm cc /3eC以上を記録
したときの温度サイクル数(寿は)を示す。酸化物層1
2が5μmfでの薄い領域では3000サイクル以上の
寿命を記録しているが、これよシ厚い領域でVi遂次寿
命を減じている。一方、曲線Bは第1図と同様構造の金
属化窒化アルミニウム本の、印加電圧2000Vにおけ
るもれ眩光を示すが、酸化物層12が厚い領域でもれ電
流を増す傾向を示している。又、図示はしていないが、
伝熱性能や接合強健の点でも酸化物層12が厚い場合に
劣ることは勿論である。
伝熱性能、気密性能、絶縁性能、信頼性、強固な接合性
を維持する上で酸化物層12を極力薄くすることが重要
であるが、半導体用パッケージや絶縁基板として実用に
耐え得る諸性能を兼備するには、好1しくは5μmf:
越えない範朋に調整されることが望ましい。厚さ調整を
可能にする因子として、マンガン酸化物の添加量、熱処
理雰囲気中の還元性ガスの添加量、そして熱処理温度並
びにブaヒール等を調整することが挙げられる。
〔発明の効果〕
上述したように、本発明によれば窒化アルミニウム体上
に緻狂かつ薄い酸化物層を生成し、この酸化物層を介し
て金属層を焼結して一体化するため、優nた熱伝導性や
電気絶縁性、高い気密性と強固な接合強度、そして熱的
変化に対しても優れた耐力を付与するのに効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の説明図、第2図は同じく他
の実施例の説明図、第3図は構成成分の分布図、@4図
、第5図は電気特注図、第6図は本発明の一実施例を適
用したパワートランジスタ装置の概略断面図、第7図は
熱抵抗特性図、第8図は本発明を適用したビングリッド
アレイパッケージの概略断面図、第9図は酸化物層の影
響の説明図である。 2・・・9化アルミニウム体、11・・・金属層、12
・・・第 1 口 某Z図 羊B 図 ((L) 金属層/酸4乙物層界、flfJゝらの8丘焔Cuw)
(b) 金−44/!り46物層界面からり巨肉1Cムπ)カL
+−口 rpカロ嘆r圧 (’V) 先50 66 図 某″V 図 時間Cm5) 某80 躬9(¥l 鍛化′#1層厚さくμ包)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、焼結窒化アルミニウム体の所定部に焼結して一体化
    したモリブデン及びマンガンを生成分とする金属層を含
    むものであり、上記金属層が同金属層の出発原料に含ま
    れる酸化物を酸素源とする酸化反応により生成された酸
    化物層を介して上記窒化アルミニウム体と接合されてい
    ることを特徴とする金属化窒化アルミニウム体。
JP6834186A 1986-03-28 1986-03-28 金属化窒化アルミニウム体 Pending JPS62226880A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6834186A JPS62226880A (ja) 1986-03-28 1986-03-28 金属化窒化アルミニウム体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6834186A JPS62226880A (ja) 1986-03-28 1986-03-28 金属化窒化アルミニウム体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62226880A true JPS62226880A (ja) 1987-10-05

Family

ID=13371038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6834186A Pending JPS62226880A (ja) 1986-03-28 1986-03-28 金属化窒化アルミニウム体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62226880A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4663649A (en) SiC sintered body having metallized layer and production method thereof
KR101102214B1 (ko) 금속 표면의 접촉을 위한 방법 및 페이스트
JPH0569797B2 (ja)
US5010388A (en) Connection structure between components for semiconductor apparatus
CN110034090B (zh) 一种纳米金属膜辅助基板及其制备方法
JP2016528134A (ja) セラミック基材上の金属被覆
RU2196683C2 (ru) Подложка, способ ее получения (варианты) и металлическое соединенное изделие
CN111146076B (zh) 一种纳米烧结铜与晶圆结合的制备方法及其连接结构
JP2939444B2 (ja) 多層窒化けい素回路基板
JPH022836B2 (ja)
JP2578283B2 (ja) 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法
JPS62226880A (ja) 金属化窒化アルミニウム体
JPH0323512B2 (ja)
JPH05226515A (ja) メタライズ層を有する窒化アルミニウム基板とそのメタライズ方法
JPH0313190B2 (ja)
US4659406A (en) Method of bonding to ceramic and glass
JPS6236090A (ja) 窒化アルミニウムの金属化方法
JPS62108786A (ja) 金属化窒化アルミニウム体及びその製法
JPH05221759A (ja) メタライズ層を有する窒化アルミニウム基板とそのメタライズ方法
JPS6217091A (ja) 窒化アルミニウム体の金属化方法
JPS6158296A (ja) セラミツク多層配線基板
JPS62278182A (ja) 金属化窒化アルミニウム体及びその製法
JP3850152B2 (ja) 窒化アルミニウム質基板およびその製造方法
JPS61281074A (ja) メタライズ用高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体
JPS62197376A (ja) 窒化アルミニウム基板