JPS62224033A - Tape carrier device - Google Patents

Tape carrier device

Info

Publication number
JPS62224033A
JPS62224033A JP6565686A JP6565686A JPS62224033A JP S62224033 A JPS62224033 A JP S62224033A JP 6565686 A JP6565686 A JP 6565686A JP 6565686 A JP6565686 A JP 6565686A JP S62224033 A JPS62224033 A JP S62224033A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier tape
tape
device hole
carrier
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6565686A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keiji Miyamoto
宮本 圭二
Kazuo Kojima
和夫 小島
Yoshiaki Wakashima
若島 喜昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6565686A priority Critical patent/JPS62224033A/en
Publication of JPS62224033A publication Critical patent/JPS62224033A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve strength of holding circuit chips mounted on a flexible carrier tape, by providing the carrier tape with salient parts which are formed with fixed thickness an in frame shapes so that they surround a device hole. CONSTITUTION:As a means of enhancing bending stiffness of a carrier tape 1 itself, salient parts 15 as reinforcing matters, which are shaped in plane patterns shown in dotted lines 15 and made of resinous films in prescribed thickness and in frame shapes, are formed, around a device hole 3 on the back surface of the carrier tape 1. Particularly enhancing the bending stiffness around the device hole in this way enables the strength of holding a semiconductor chip 4 to be increased against the flexible carrier tape 1, therefore preventing flexibility in the tape carrier device itself from being lost. Hence, cracks in the semiconductor chip 4 can be prevented from occurring caused by bending the carrier tape 1.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はテープキャリア装置に係り、例えば半4体集積
回路が搭載されて成るICカードに適用して有効な技術
に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a tape carrier device, and relates to a technique that is effective when applied to, for example, an IC card on which a semi-quadrilateral integrated circuit is mounted.

〔従来技術〕[Prior art]

半導体集積回路チップの実装技術であるワイヤレスボン
ディング技術の1種として、テープキャリア方式がある
。斯るテープキャリア方式は、例えば、昭和59年11
月30日オーム社発行のrLSIハンドブックJP41
0及びPdI2に記載されるように、ポリイミド樹脂な
どによって映画のフィルム状に形成されたキャリアテー
プの1こま毎に、導電パターンによってリード部が形成
され、そのリード部の先端のリード端子に、半導体集積
回路チップの所定の電極パッドが結合されると共に、そ
のチップが樹脂で封止されて成る。
A tape carrier method is one type of wireless bonding technology that is a mounting technology for semiconductor integrated circuit chips. Such a tape carrier method was developed, for example, in November 1982.
rLSI Handbook JP41 published by Ohmsha on March 30th
As described in 0 and PdI2, a lead part is formed by a conductive pattern for each frame of a carrier tape formed in the shape of a movie film using polyimide resin, etc., and a lead terminal at the tip of the lead part is connected to a semiconductor. Predetermined electrode pads of an integrated circuit chip are bonded together, and the chip is sealed with resin.

本発明者等は、斯るテープキャリア方式によってキャリ
アテープに実装した半導体集積回路をIC(インテグレ
ーテッド・サーキット)カード、即ち、従来の磁気スト
ライプだけを有するIDカードやクレジッ1〜カードの
ようなカードに対して半導体記憶回路及びデータ処理回
路等をそれに搭載して記憶容h1の増大や適用範囲の拡
大を可能とするカード、に適用することを検討した。即
ち、1面に必要な導電パターンが形成されたキャリアテ
ープに、半導体集積回路チップを挿入可能なデバイスホ
ールをそのテープに貫通させ、そのデバイスホールの内
側に突出する導電パターンの先端に、半導体集積回路チ
ップの電極パッドを結合してそのチップを樹脂で封止す
る。そのようにして実装された半導体集積回路チップ及
び導電パターンの1ユニッ1−を所定の形状に打ち抜か
れたキャリアテープと共にカードに埋設する。
The present inventors have developed a semiconductor integrated circuit mounted on a carrier tape using such a tape carrier method into an IC (Integrated Circuit) card, that is, a card such as a conventional ID card or credit card having only a magnetic stripe. In contrast, we have considered applying the present invention to a card that can be equipped with a semiconductor memory circuit, a data processing circuit, etc. to increase the storage capacity h1 and expand the range of application. That is, a device hole into which a semiconductor integrated circuit chip can be inserted is passed through a carrier tape with a necessary conductive pattern formed on one surface, and a semiconductor integrated circuit is inserted at the tip of the conductive pattern that protrudes inside the device hole. The electrode pads of the circuit chip are bonded together and the chip is sealed with resin. The thus mounted semiconductor integrated circuit chip and one unit 1- of the conductive pattern are embedded in a card together with a carrier tape punched into a predetermined shape.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところで、ICカードも従来の磁気ストライプを有する
カードと同様に曲げに対して柔軟性が要求されるため、
本発明者が検討したように、120μm程度のような比
較的薄い厚さのキャリアテープを基体としてそれに半導
体集積回路チップを搭載するようなテープキャリア装置
を適用することが望ましい。しかしながら、半導体集積
回路チップ自体は、その基板材料の性質上キャリアテー
プに比べて曲げに対し比較的脆いので、ICカードに内
蔵された状態で繰り返し曲げを受けると、次第に半導体
集積回路自体に亀裂を生じ、ICカードのズを命が著し
く低下してしまうという問題点が本発明者等によって明
らかにされた。
By the way, like conventional cards with magnetic stripes, IC cards also require flexibility against bending.
As investigated by the present inventor, it is desirable to apply a tape carrier device in which a semiconductor integrated circuit chip is mounted on a carrier tape having a relatively thin thickness of about 120 μm as a base. However, the semiconductor integrated circuit chip itself is relatively brittle against bending compared to the carrier tape due to the nature of its substrate material, so if it is repeatedly bent while built into an IC card, the semiconductor integrated circuit itself will gradually crack. The inventors of the present invention have clarified the problem that the life of the IC card is significantly reduced.

本発明の目的は、曲げに対する全体的な柔軟性を損うこ
となく、可撓性を有するキャリアテープに実装された回
路チップの保持強度を向上させることができるテープキ
ャリア装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a tape carrier device that can improve the holding strength of circuit chips mounted on a flexible carrier tape without impairing the overall flexibility against bending. .

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、デバイスホールの回りを取り囲むように所定
厚さで枠状に形成されて成る突起部をキャリアテープに
設けて、デバイスホール回りの曲げ剛性を向上させるも
のである。
That is, the carrier tape is provided with a frame-shaped protrusion having a predetermined thickness so as to surround the device hole, thereby improving the bending rigidity around the device hole.

〔作 用〕[For production]

上記手段によれば、デバイスホール回りの曲げ剛性が向
上されるから1曲げに対して柔軟なキャリアテープに対
する半導体集積回路チップの支持強度が増大され、テー
プキャリア装置自体の柔軟性を損うことなく、キャリア
テープの曲げによって半導体集積回路チップに過大な応
力が加わってしまうことを防止するものである。
According to the above means, since the bending rigidity around the device hole is improved, the support strength of the semiconductor integrated circuit chip against the carrier tape which is flexible for one bend is increased, without impairing the flexibility of the tape carrier device itself. This prevents excessive stress from being applied to the semiconductor integrated circuit chip due to bending of the carrier tape.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明に係るテープキャリア装置の1実施例を
示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of a tape carrier device according to the present invention.

同図に示されるテープキャリア装置は、特に制限されな
いが、ポリイミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂、もしくは
ポリエステル樹脂などによって映画のフィルム状に形成
された絶縁性旦つ可撓性のキャリアテープ1を基体とし
ている。斯る11体の長手方向の両側縁部には、所定ピ
ッチで複数のスプロケットホール2が穿設されている。
The tape carrier device shown in the figure is based on an insulating and flexible carrier tape 1 made of polyimide resin, glass epoxy resin, polyester resin, etc. in the shape of a movie film, although it is not particularly limited. . A plurality of sprocket holes 2 are bored at a predetermined pitch on both longitudinal edges of the eleven bodies.

第1図には、キャリアテープ1の1こま分に相当する部
位における1ユニツトの構成が示されているが、実際に
は、そのような構成をキャリアテープの長手方向に複数
設けてテープキャリア装置を構成することができる。
Although FIG. 1 shows the configuration of one unit at a portion corresponding to one frame of carrier tape 1, in reality, a plurality of such configurations are provided in the longitudinal direction of the carrier tape to form a tape carrier device. can be configured.

同図に示されるテープキャリア装置は、第1図に示され
るその1ユニツト分がカード鋸板に埋設されてICカー
ドに適用され得るものである。
The tape carrier device shown in the figure can be applied to an IC card by having one unit of the tape carrier device shown in FIG. 1 embedded in a card saw board.

第1図において破線3は、キャリアテープ1に設けられ
たデバイスホールであり、ICカードに必要とされる記
憶回路やデータ処理回路などを含む半導体集積回路チッ
プ(以下単に半導体チップとも記す)4が所定の間隙を
もって挿入可能にされるサイズとされている。斯るデバ
イスホール3は、キャリアテープ1における1ユニツト
分の右側に貫通形成される。ここで、上記半導体チップ
4とデバイスホール3との間隙は、斯る半導体チップ4
をデバイスホール3に挿入してその半導体チップ4の電
極パッドを後述するリード端子にボンディングする場合
の組み立て誤差や半導体チップ4自体の外形寸法誤差に
応じて設定される。
In FIG. 1, the broken line 3 is a device hole provided in the carrier tape 1, where a semiconductor integrated circuit chip (hereinafter simply referred to as a semiconductor chip) 4 containing a memory circuit, a data processing circuit, etc. required for an IC card is inserted. The size is such that it can be inserted with a predetermined gap. The device hole 3 is formed through the carrier tape 1 on the right side of one unit. Here, the gap between the semiconductor chip 4 and the device hole 3 is
It is set according to the assembly error when inserting the semiconductor chip 4 into the device hole 3 and bonding the electrode pads of the semiconductor chip 4 to lead terminals to be described later, and the external dimension error of the semiconductor chip 4 itself.

キャリアテープ1の表面には、図示のような各種パター
ンにされた導電層6A乃至6Fが電気鍍金形成されてい
る。
The surface of the carrier tape 1 is electroplated with conductive layers 6A to 6F in various patterns as shown.

導電層6A乃至6Fは、特に制限されないが、銅箔から
構成されており、夫々の後で説明するような部分に錫メ
ッキ層や金メッキ層が形成されている。このような導電
層6A乃至6Fは、例えば、スプロケットホール2及び
デバイスホール3のような各種の孔が設けられた約12
0μのような厚さのキャリアテープ1の表面に約35μ
のような厚さの銅箔を接着し、次に図示のような残存パ
ターンとなるように斯る銅箔を選択エツチング除去し、
しかる後残っている銅箔、すなわち図示のようなパター
ンにされた銅箔に上記の錫や金を選択メッキすることに
よって形成することができる。
Although the conductive layers 6A to 6F are not particularly limited, they are made of copper foil, and a tin plating layer or a gold plating layer is formed on each portion as will be explained later. Such conductive layers 6A to 6F have approximately 12 holes provided with various holes such as sprocket holes 2 and device holes 3, for example.
Approximately 35μ on the surface of carrier tape 1 with a thickness of 0μ
Glue a piece of copper foil with a thickness like , then selectively etch and remove the copper foil so that the remaining pattern is as shown in the figure.
After that, the remaining copper foil, that is, the patterned copper foil as shown in the figure, can be formed by selectively plating the above-mentioned tin or gold.

この実施例にしたがうと、特に制限されないが、キャリ
アテープ1上に、すなわち、キャリアテープ1における
1ユニット分の左側に、ICカードの直接の外部端子と
して機能する8個の外部端子5A乃至5 Hが各導電層
と一体的に形成されている。なお、外部端子5A乃至5
 Hは、例えば銅メッキのような方法によって、その高
さが必要に応じて高くされる。ここで、通常ICカード
においては、国際標準化fit、W(■s○)における
国際規格(I S)により、当該カードの投入を受けて
それを処理する処理回路に接続可能な8個の外部端子を
有することとされている。これに応じて、特に制限され
ないが1本実施例の場合、外部端子5A乃至5Eは、半
導体チップ4に、基準クロック信号を供給する端子、ク
セ21〜48号を供給する端子、一方の基1!@電位を
供給する端子、他方のJ、lII!A電位を供給する端
子、及び半導体チップ4との間でシリアルデータを入出
力する端子として夫々機能するようにされる。外部端子
5F乃至5Hは予備端子とされる。斯る外部端子5A乃
至5Eは、その耐腐蝕性の向上及び接触抵抗の低減化の
考慮のもとてその表面部分に全鍍金が施される。
According to this embodiment, eight external terminals 5A to 5H, which function as direct external terminals of the IC card, are provided on the carrier tape 1, that is, on the left side of one unit on the carrier tape 1, although this is not particularly limited. are formed integrally with each conductive layer. In addition, external terminals 5A to 5
The height of H is increased as necessary, for example, by a method such as copper plating. Here, in a normal IC card, according to the international standard (IS) in the international standard FIT, W (■s○), there are eight external terminals that can be connected to a processing circuit that receives and processes the card. It is assumed that the Accordingly, although not particularly limited, in the case of this embodiment, the external terminals 5A to 5E include a terminal for supplying a reference clock signal to the semiconductor chip 4, a terminal for supplying quirks No. 21 to 48, and a terminal for supplying quirks Nos. 21 to 48 to the semiconductor chip 4. ! @Terminal that supplies potential, other J, lII! It functions as a terminal for supplying the A potential and as a terminal for inputting and outputting serial data to and from the semiconductor chip 4, respectively. External terminals 5F to 5H are reserved terminals. The surfaces of these external terminals 5A to 5E are fully plated in order to improve their corrosion resistance and reduce their contact resistance.

導電層6A乃至6Fは、デバイスホール3の囲りのキャ
リアテープ1の表面において、そのデバイスホール3を
比較的広い範囲に亘って取り囲み、且つ、全体として概
略方形状を成すように形成されている。キャリアテープ
1の表面の導電層6A乃至6Fが形成されていない部分
は1分離領域7とみなされる。分離領域7の幅は、デバ
イスホール3の囲りの部分において図示のように狭くさ
れている。各導電層6A乃至6Fの一部は、デバイスホ
ール3の内側へ突出されて半導体チップ4の金メツキバ
ンプな極から成るような電極パッド14(第2図参照)
に結合可能なリード端子8及び9とされる。これら導電
層6A乃至6Fは、錫鍍金が施された銅箔から構成され
、夫々同一の膜厚で形成される。リード端子8及び9と
半導体チップ4の複数の電極パッド14とは、適当なボ
ンディングツールの使用によって互いに同時にボンディ
ングされる。すなわち、キャリアテープ1の裏面からそ
のデバイスホール3に半導体チップ4が挿入されボンデ
ィングツールによってリード端子8及び9が半導体ペレ
ット4の電極パッドに押し付は加熱されると、それによ
って形成される金と錫の共晶合金によってそれら両者が
接着される。
The conductive layers 6A to 6F are formed on the surface of the carrier tape 1 around the device hole 3 so as to surround the device hole 3 over a relatively wide range and to form a generally rectangular shape as a whole. . A portion of the surface of the carrier tape 1 where the conductive layers 6A to 6F are not formed is regarded as one isolation region 7. The width of the isolation region 7 is narrowed in the area surrounding the device hole 3 as shown in the figure. A portion of each conductive layer 6A to 6F is an electrode pad 14 (see FIG. 2) that protrudes into the inside of the device hole 3 and consists of a gold-plated bump pole of the semiconductor chip 4.
The lead terminals 8 and 9 are connectable to the lead terminals 8 and 9. These conductive layers 6A to 6F are made of tin-plated copper foil, and are formed to have the same thickness. The lead terminals 8 and 9 and the plurality of electrode pads 14 of the semiconductor chip 4 are simultaneously bonded to each other using a suitable bonding tool. That is, when the semiconductor chip 4 is inserted into the device hole 3 from the back side of the carrier tape 1 and the lead terminals 8 and 9 are pressed against the electrode pads of the semiconductor pellet 4 by a bonding tool and heated, the gold and gold formed thereby are heated. A eutectic alloy of tin bonds the two together.

ここで、導電層6A乃至6Fのうち6A乃至6Eは、そ
れぞれの所望部分が配線層10とされ夫々上記外部端子
5A乃至5Eに結合されている。したがって、それら導
電層6A乃至6Eから突出するリード端子8は、夫々半
導体チップ4の、断る外部端子に対応する電極パッド1
4に結合される。
Here, desired portions of conductive layers 6A to 6E of conductive layers 6A to 6F serve as wiring layers 10, and are coupled to external terminals 5A to 5E, respectively. Therefore, the lead terminals 8 protruding from the conductive layers 6A to 6E are connected to electrode pads 1 corresponding to external terminals of the semiconductor chip 4, respectively.
Combined with 4.

第1図にしたがうと、導電層6Fは、ICカードの外部
端子に結合されていない。それ故に、導電層6Fから突
出するリード端子9は、ICカードの機能上実際のデー
タ処理には使用されない、しかしながら、斯るリード端
子9は、半導体チップ4をキャリアテープ1に支える強
度を増すための力学的な構造上の機能を有し、また、キ
ャリアテープ1上において半導体チップ4をテスティン
グする際にそのリード端子9につながる導電層6Fをテ
スティング用の電極として使用可能にする機能を有する
According to FIG. 1, the conductive layer 6F is not coupled to the external terminals of the IC card. Therefore, the lead terminals 9 protruding from the conductive layer 6F are not used for actual data processing due to the functionality of the IC card.However, such lead terminals 9 are used to increase the strength of supporting the semiconductor chip 4 on the carrier tape 1. It also has a function of enabling the conductive layer 6F connected to the lead terminals 9 to be used as a testing electrode when testing the semiconductor chip 4 on the carrier tape 1. have

上記各導電層6A乃至6Fは、デバイスホール3に隣接
する位置の端縁が、リード端子8及び9に結合される半
導体チップ4の外周縁とデバイスホール3の内周縁との
間隙のほぼ中間まで、そのデバイスホールの内側へその
デバイスホールのほぼ全周に亘って平面的に突出されて
成るテラス状の障壁部11を有する。この障壁部11は
、導電層6A乃至6Fと一体的に形成されることによっ
てその表面は導電層6A乃至6Fと一体的な平面を成す
。よって、リード端子8及び9に接着結合された半導体
チップ4の表面を樹脂でコーティングするとき、半導体
チップ4の外周縁とデバイスホール3の内周縁との間の
上部に位置する流動性のある樹脂は、断る障壁部11に
よって下方への侵入が実質的に度阻止される。コーティ
ングされた樹脂は、その後の加熱処理などによって硬化
される。それによって、その部分の樹脂の表面が局部的
に窪むことばなく、シかもデバイスホール3の回りは極
めて細い分離領域7を除き比較的広い範囲に亘って平坦
な導電層6A乃至6Fが成膜されているから、コーティ
ング用樹脂の表面を全体的に平坦化することができる。
Each of the conductive layers 6A to 6F has an edge adjacent to the device hole 3 extending to approximately the middle of the gap between the outer periphery of the semiconductor chip 4 coupled to the lead terminals 8 and 9 and the inner periphery of the device hole 3. , has a terrace-like barrier portion 11 projecting planarly into the inside of the device hole over substantially the entire circumference of the device hole. This barrier portion 11 is formed integrally with the conductive layers 6A to 6F, so that its surface forms a flat surface integral with the conductive layers 6A to 6F. Therefore, when coating the surface of the semiconductor chip 4 adhesively bonded to the lead terminals 8 and 9 with resin, the fluid resin located above between the outer periphery of the semiconductor chip 4 and the inner periphery of the device hole 3 is coated with resin. is substantially prevented from penetrating downward by the blocking barrier portion 11. The coated resin is then cured by heat treatment or the like. As a result, the surface of the resin in that area is not locally depressed, and flat conductive layers 6A to 6F are formed over a relatively wide area around the device hole 3, except for the extremely thin separation region 7. Therefore, the entire surface of the coating resin can be flattened.

ここで、障壁部11の突出量は、上記のようなコーテイ
ング材のデバイスホール内周縁と半導体チップ外周縁と
の間隙への侵入を少なくさせるために、できるだけ大き
くされる方が望ましい。他方、障壁部11は、それがボ
ンディングツールなどに不所望に接触されてしまった場
合の不所望な応力の発生を防ぐために、半導体チップ4
への不所望な接触を防ぐため、その突出量が制限された
方が望ましい。実施例において対象とされる半導体チッ
プ4は1例えば、第2図のように、その電極パッド14
が銅チップの外周縁近くに配置されている。それに応じ
てボンディングツール13は比較的大きくされる。これ
に応じて1本実施例の障壁部11の突出量(先端部の位
置)は、半導体チップ4の外周縁とデバイスホール3の
内周縁との間隙のほぼ中間に位置するようにされる。
Here, it is preferable that the amount of protrusion of the barrier portion 11 is made as large as possible in order to reduce the amount of the coating material that enters the gap between the inner periphery of the device hole and the outer periphery of the semiconductor chip. On the other hand, the barrier part 11 protects the semiconductor chip 4 from occurring in order to prevent the generation of undesired stress when the barrier part 11 comes into undesired contact with a bonding tool or the like.
It is desirable that the amount of protrusion be limited in order to prevent unwanted contact with the surface. The semiconductor chip 4 targeted in the embodiment is 1, for example, as shown in FIG.
is placed near the outer periphery of the copper chip. The bonding tool 13 is accordingly made relatively large. Accordingly, the amount of protrusion (position of the tip) of the barrier portion 11 in this embodiment is set to be located approximately in the middle of the gap between the outer peripheral edge of the semiconductor chip 4 and the inner peripheral edge of the device hole 3.

特に制限されないが、上記障壁部11は、リード端子8
及び9と一体的に構成されている。この場合、コーテイ
ング材の前述のような間隙への侵入を防ぐため、障壁部
11の広さはできるだけ大きいほうが望ましい。そのた
めに、各リード端子が障壁部11から直接的に突出する
ような構成にされてよい。しかしながら、この実施例に
従うと。
Although not particularly limited, the barrier portion 11 may include the lead terminal 8
and 9. In this case, in order to prevent the coating material from entering the gap as described above, it is desirable that the width of the barrier portion 11 is as large as possible. For this purpose, each lead terminal may be configured to directly protrude from the barrier portion 11. However, according to this example.

次に説明するような理由によって、リード端子8及び9
の側部に切り込み12が設定される。第1図によると、
切り込み12は、その一部が上記分離領域7によって代
替されている。斯る切り込み12は、特に制限されない
が、デバイスホール3の外方まで即ちキャリアテープ1
上まで延在されている。斯る切り込み12は、導電層6
A乃至6ドを形成するときの選択エツチングによって形
成することができる。
For reasons explained below, lead terminals 8 and 9
A notch 12 is set on the side of the. According to Figure 1,
A portion of the notch 12 is replaced by the separation region 7 described above. The cut 12 is not particularly limited, but it extends to the outside of the device hole 3, that is, to the carrier tape 1.
extended to the top. Such a cut 12 is formed in the conductive layer 6
It can be formed by selective etching when forming the holes A to No. 6.

切り込み12は、次の理由によって設けられる。The cut 12 is provided for the following reason.

すなわち、半導体ペレット4の電極パッド14とリード
端子8及び9とを接合させる場合には、先ず、半導体ペ
レッI−4がボンディング装置のボンディングステージ
上に置かれる。ボンディングステージの移動などによっ
て斯る半導体ベレット4我キヤリアテープ1の下方に位
置される。半導体ペレット4とキャリアテープ1とが適
当に離されている状態において、斯る半導体ペレット4
の電極パッド14とリード端子8及び9との位置袷が行
なわれる。その後、キャリアテープ1の下降などによっ
て、半導体ペレット4の電極パッド14のL端とリード
端子8及び9の下端とが一致するようにされる。その後
、第2図に示されるように、内部に加熱ヒータが設けら
れたようなボンディングツール13によってリード端子
8及び9が電tMパッド14に押し付けられ且つ加熱さ
れる。
That is, when bonding the electrode pad 14 of the semiconductor pellet 4 and the lead terminals 8 and 9, the semiconductor pellet I-4 is first placed on the bonding stage of the bonding apparatus. The semiconductor pellet 4 is positioned below the carrier tape 1 by moving the bonding stage or the like. In a state where the semiconductor pellet 4 and the carrier tape 1 are appropriately separated, the semiconductor pellet 4
The electrode pad 14 and the lead terminals 8 and 9 are aligned. Thereafter, by lowering the carrier tape 1 or the like, the L end of the electrode pad 14 of the semiconductor pellet 4 is brought into alignment with the lower ends of the lead terminals 8 and 9. Thereafter, as shown in FIG. 2, the lead terminals 8 and 9 are pressed against the electrical tM pad 14 and heated by a bonding tool 13 having a heater provided therein.

これによって、半導体チップ4の電極パッド14がリー
ド端子8及び9に結合される。このようなボンディング
の際、電極パッド14の上端とリード端子8及び9の上
端との相対的な高さは、半導体チップ4の厚さと電極パ
ッド14の高さの無視し得ないばらつきによって変化さ
れてしまう。そのために、ボンディングの際、夫々の電
極パッド14の上端位置のばらつきに応じてリード端子
8及び9が下方へ撓むことがある。そのようなとき。
As a result, the electrode pads 14 of the semiconductor chip 4 are coupled to the lead terminals 8 and 9. During such bonding, the relative height between the upper end of the electrode pad 14 and the upper ends of the lead terminals 8 and 9 is changed by non-negligible variations in the thickness of the semiconductor chip 4 and the height of the electrode pad 14. I end up. Therefore, during bonding, the lead terminals 8 and 9 may bend downward depending on variations in the upper end positions of the respective electrode pads 14. At times like that.

実施例のように、切り込み12が設けられていると、リ
ード端子8及び9の曲げ応力に基因する曲げモーメン1
〜は、斯る切り込み12の介在によってその両側の障壁
部11に伝達されにくくなり、当該障壁部11がリード
端子8及び9と共に下方へ撓むことはなく、上記障壁部
11の平面状態を良好に維持させることができる。また
、これに応じて、電極パッド14の厚さ寸法などのばら
つきに応じてリード端子8及び9が下方へ撓むことがあ
っても、上記障壁部11によって得られるコーテイング
材の局部的な窪み防止効果を良好に発揮させることがで
きる。
As in the embodiment, when the notch 12 is provided, the bending moment 1 due to the bending stress of the lead terminals 8 and 9 is reduced.
The presence of the notches 12 makes it difficult for ~ to be transmitted to the barrier portions 11 on both sides thereof, and the barrier portions 11 do not bend downward together with the lead terminals 8 and 9, thereby maintaining a good planar state of the barrier portions 11. can be maintained. In addition, even if the lead terminals 8 and 9 may bend downward due to variations in the thickness of the electrode pad 14, local depressions in the coating material obtained by the barrier portion 11 can be prevented. The prevention effect can be exhibited well.

この実施例においては、また、上記キャリアテープ1の
裏面において、デバイスホール3の回りに、キャリアテ
ープ1自体の曲げ剛性を高める手段として、とくに制限
されないが、第1図に破線15によって示された平面パ
ターンとされ且つ第3図に示されるように枠状に成形し
て成る所定厚さの樹脂性フィルムから成る補強体として
の突起部15が設けられている。第3図において、20
は、エポキシ樹脂から成るコーテイング材である。
In this embodiment, on the back surface of the carrier tape 1, around the device hole 3, as a means for increasing the bending rigidity of the carrier tape 1 itself, although not particularly limited, the area indicated by the broken line 15 in FIG. A protrusion 15 is provided as a reinforcing body made of a resin film of a predetermined thickness, which is formed into a planar pattern and formed into a frame shape as shown in FIG. In Figure 3, 20
is a coating material made of epoxy resin.

このように、デバイスホール囲りの曲げ剛性を特に高め
れば、柔軟なキャリアテープ1に対する半導体チップ4
の支持強度を増すことができ、それによって、テープキ
ャリア装置自体の柔軟性を損うことなく、キャリアテー
プ1の曲げによって半導体チップ4に生ずるようなりラ
ックの発生を防止することができる。特に、突起部15
はデバイスホール3を取り囲むように設けられているの
で、任意方向の曲げに対して半導体チップ4のクラック
発生防止効果を有する。
In this way, if the bending rigidity around the device hole is particularly increased, the semiconductor chip 4 against the flexible carrier tape 1 can be
The supporting strength of the carrier tape 1 can be increased, thereby preventing the rack from occurring in the semiconductor chip 4 due to bending of the carrier tape 1, without impairing the flexibility of the tape carrier device itself. In particular, the protrusion 15
Since it is provided so as to surround the device hole 3, it has the effect of preventing the occurrence of cracks in the semiconductor chip 4 against bending in any direction.

上記外部端子5A乃至5H及び導電層6A乃至6F等主
要部分の回りにおけるキャリアテープ1に、それらを概
略4方から囲むような分離用切り込み16が形成されて
、その内側の部分は例えば3点支持されるようになって
おり、同内側部分の4角は円弧形成される。本実施例に
従えば、上記分離用切り込み16によって囲まれた部分
がその3点支持部分から2点鎖線で示される位置で切断
分離されることによって1枚のICカードに搭載される
ことになる。ICカードへの搭載技術は特に制限されな
いが、図示しない樹脂製カード基板の貫通孔に、上記キ
ャリアテープ1から切断分離したものを挿入し、その状
態でカード基板の両面を、外部端子5A乃至5Hを露出
させるようにして樹脂製薄板で覆って、カード基板及び
薄板を一体的に熱接着などによって固定することができ
る。
Separation notches 16 are formed in the carrier tape 1 around the main parts such as the external terminals 5A to 5H and the conductive layers 6A to 6F to surround them from approximately four sides, and the inner part is supported at three points, for example. The four corners of the inner portion are formed into circular arcs. According to this embodiment, the portion surrounded by the separation notch 16 is cut and separated from the three-point support portion at the position indicated by the two-dot chain line, and thereby the IC card is mounted on one IC card. . Although there are no particular restrictions on the technique for mounting the IC card, the carrier tape 1 cut and separated is inserted into a through hole of a resin card board (not shown), and in that state, both sides of the card board are connected to the external terminals 5A to 5H. The card board and the thin plate can be integrally fixed by thermal bonding or the like by covering the card board with a thin resin plate so as to expose the card board.

その場合、上記したように、半導体チップ4に対するモ
ールド樹脂の表面は、導ff156A乃至6F、障壁部
11、及び切り込み12の作用で局部的に窪むことなく
全体的に平坦にされているから、ICカードの表面に局
部的な凹凸を生ずることはなく、また、樹脂モールド部
分の直上の表面に磁気ストライプを設けても、その部分
は平坦であるから、その部分からの磁気読み取りが阻害
されることもない。しかも、厚さが120μm程度の比
較的薄いキャリアテープ1を基体としてそれに半導体チ
ップ4を搭載するようなテープキャリア装置をICカー
ドに適用した場合、従来の磁気ストライプをだけ有する
カードと同様に曲げに対する柔軟性の要求を満足するこ
とができ、しかも、半導体チップ40体はキャリアテー
プ1に比べて曲げに対し脆いが、半導体チップ4回りの
キャリアテープ1は突起部15によって特に曲げ剛性が
高められているので、ICカードに内蔵された状プルで
繰り返し曲げを受でも、容易に半導体チップ4自体に亀
裂を生することはなく、ICカードの寿命向上に寄与す
ることができる。
In that case, as described above, the surface of the molding resin for the semiconductor chip 4 is made flat as a whole without being locally depressed by the action of the guide ffs 156A to 6F, the barrier part 11, and the notch 12. There is no local unevenness on the surface of the IC card, and even if a magnetic stripe is provided on the surface directly above the resin molded part, that part is flat, so magnetic reading from that part will be inhibited. Not at all. Moreover, when a tape carrier device in which a relatively thin carrier tape 1 with a thickness of about 120 μm is used as a base and a semiconductor chip 4 is mounted thereon is applied to an IC card, it is not as resistant to bending as a conventional card having only a magnetic stripe. The flexibility requirements can be satisfied, and although the semiconductor chip 40 is more fragile than the carrier tape 1 when bent, the carrier tape 1 around the semiconductor chip 4 has especially increased bending rigidity due to the projections 15. Therefore, even if the IC card is subjected to repeated bending by the built-in pull, the semiconductor chip 4 itself will not easily crack, which can contribute to extending the life of the IC card.

なお、テープキャリア装置の各ユニットの回りは、導電
層6A乃至6Fと同時に形成された配線層17によって
取り囲まれ、また、その配線層17は、上記分離用切り
込み16が形成される丙において、上記夫々の外部端子
5A乃至5 Hに接続されている。配線層17は、IC
カードに搭載されて機能するものではなく、上記導電層
6A乃至6F、障壁部11、及び切り込み12などを電
気鍍金で形成するときの導電路として機能するものであ
る。
Note that each unit of the tape carrier device is surrounded by a wiring layer 17 formed at the same time as the conductive layers 6A to 6F, and the wiring layer 17 has the above-mentioned It is connected to each external terminal 5A to 5H. The wiring layer 17 is an IC
It does not function by being mounted on a card, but functions as a conductive path when the conductive layers 6A to 6F, barrier portions 11, notches 12, etc. are formed by electroplating.

上記実施例によれば以下の効果を得るものである。According to the above embodiment, the following effects can be obtained.

(1)デバイスホール3の回りにおけるキャリアテープ
1自体の曲げ剛性を高める手段として、枠状に成形して
成る樹脂性フィルムをキャリアテープ1の裏面に接着し
て成る突起部15を有するから、柔軟なキャリアテープ
1に対する半6体チップ4の支持強度を増すことができ
、それによって。
(1) As a means to increase the bending rigidity of the carrier tape 1 itself around the device hole 3, the protrusion 15 is formed by adhering a frame-shaped resin film to the back surface of the carrier tape 1, making it flexible. The supporting strength of the half-six-body chip 4 against the carrier tape 1 can be increased, thereby.

テープキャリア装置自体の柔軟性を損うことなく、キャ
リアテープ1の曲げによって半導体チップ4に生ずるよ
うなりラックの発生を防止することができる。
It is possible to prevent the rack from occurring on the semiconductor chip 4 due to bending of the carrier tape 1 without impairing the flexibility of the tape carrier device itself.

(2)特に、突起部15は、デバイスホール3を取り囲
むように設けられているので、任意方向の曲げに対して
半導体チップ4のクラック発生防止効果を有する。
(2) In particular, since the protrusion 15 is provided so as to surround the device hole 3, it has the effect of preventing cracks in the semiconductor chip 4 against bending in any direction.

(3)上記効果(1)及び(2)より、力学的に使用環
境が劣悪であって厚さ寸法が比較的薄く制限されるよう
なICカードにテープキャリア装置が適用される場合、
カードの柔軟性を維持しつつ曲げによる半導体チップの
損借を防止することができ、ICカードの寿命向上に寄
与することができる。
(3) From the above effects (1) and (2), when the tape carrier device is applied to an IC card that has a mechanically poor usage environment and whose thickness is limited to a relatively thin one,
It is possible to prevent damage to the semiconductor chip due to bending while maintaining the flexibility of the card, and it is possible to contribute to extending the life of the IC card.

(4)デバイスホール3の内周縁と半導体チップ4の外
周縁との間隙のほぼ半分の位置まで障壁部11が突出さ
れているから、リード端子8及び9に接着結合された半
導体チップ4の表面を樹脂でコーティングするとき、半
導体チップ4の外周縁とデバイスホール3の内周縁との
間の上部に位置する流動性のあるコーティング用樹脂は
、断る障壁部11によって下方への侵入がある程度阻止
されて凝固することにより、その部分のコーティング用
樹脂の表面が局部的に窪むことを防止することができる
(4) Since the barrier portion 11 protrudes to approximately half of the gap between the inner peripheral edge of the device hole 3 and the outer peripheral edge of the semiconductor chip 4, the surface of the semiconductor chip 4 adhesively bonded to the lead terminals 8 and 9 When coating with resin, the fluid coating resin located in the upper part between the outer peripheral edge of the semiconductor chip 4 and the inner peripheral edge of the device hole 3 is prevented from penetrating downward to some extent by the blocking barrier part 11. By solidifying the coating resin, it is possible to prevent the surface of the coating resin from being locally depressed in that area.

(5)リード端子8及び9の両側に切り込み12が形成
されているので、リード端子8及び9を半導体チップ4
の電極パッド14に接着するとき、夫々の電極パッド1
4の厚さ寸法のばらつきに応じてリード端子8及び9が
下方へ撓んでも、そのリード端子8及び9の曲げ応力に
基因する曲げモーメントは、斯る切り込み12の介在に
よってその両側の障壁部11に伝達されにくくなり、当
該障壁部11がリード端子8及び9と共に下方へ撓むこ
とはなく、上記障壁部11の平面状態を良好に維持させ
ることができるため、上記障壁部11によって得られる
封止用樹脂の局部的な窪み防止効果を良好に発揮させる
ことができる。
(5) Since the notches 12 are formed on both sides of the lead terminals 8 and 9, the lead terminals 8 and 9 can be connected to the semiconductor chip 4.
When bonding to the electrode pads 14 of the respective electrode pads 1
Even if the lead terminals 8 and 9 bend downward due to variations in the thickness dimensions of the lead terminals 8 and 9, the bending moment due to the bending stress of the lead terminals 8 and 9 is absorbed by the barrier portions on both sides of the lead terminals 8 and 9 due to the intervention of the notches 12. 11, and the barrier portion 11 does not bend downward together with the lead terminals 8 and 9, and the planar state of the barrier portion 11 can be maintained well. The effect of preventing the sealing resin from forming local dents can be effectively exhibited.

(6)特に切り込み12をデバイスホール3の外方まで
延在させると、片持梁を構成するリード端子8及び9と
、片持梁を構成するような障壁部11との間に1片持梁
が一切介在しないことになるので、上記(5)の効果を
最大限に発揮させることができる。
(6) In particular, when the notch 12 is extended to the outside of the device hole 3, one cantilever is formed between the lead terminals 8 and 9 forming the cantilever and the barrier part 11 forming the cantilever. Since no beams are involved, the effect of (5) above can be maximized.

(7)デバイスホール3の回りは極めて細い分離領域7
を除き比較的広い範囲に亘って平坦な導電層6A乃至6
Fが成膜されているから、上記障壁部11及び切り込み
12の作用と共に封止用樹脂の表面を全体的に平坦化す
ることができる。
(7) Extremely thin isolation region 7 around device hole 3
The conductive layers 6A to 6 are flat over a relatively wide range except for
Since F is formed as a film, the surface of the sealing resin can be flattened as a whole along with the effects of the barrier portion 11 and the notches 12.

(8)心電層6A乃至6Fを夫々電気的に分離するため
の分離領域は7は、極めて細く且つ縦横に形成されてい
るので、その分離領域7は、凝固前の流動性あるコーテ
ィング用樹脂の不規則な広がりを阻止することができる
(8) The separation regions 7 for electrically separating the electrocardiogram layers 6A to 6F are extremely thin and are formed vertically and horizontally, so the separation regions 7 are made of fluid coating resin before solidification. can prevent the irregular spread of

(9)上記効果(4)乃至(8)より、キャリアテープ
1から切断分離した主要部をカード基板に挿入し、その
状態でカード基板の両面を樹脂F!薄板で覆って固定す
ることによってテープキャリア装置がICカードに適用
される場合、半導体チップ4に対するモールド樹脂の表
面は局部的に窪むことなく平坦にされているから、IC
カードの表面に局部的な凹凸を生ずることはなく、また
、樹脂モールド部分の直上の表面に磁気ス1〜ライブを
設けても、その部分は平坦であるから、その部分からの
磁気読み取りが阻害されることもない。
(9) From the effects (4) to (8) above, the main part cut and separated from the carrier tape 1 is inserted into the card board, and in that state, both sides of the card board are covered with resin F! When the tape carrier device is applied to an IC card by covering and fixing it with a thin plate, the surface of the molding resin for the semiconductor chip 4 is flat without being locally depressed, so that the IC card
There is no local unevenness on the surface of the card, and even if a magnetic strip is placed on the surface directly above the resin molded part, that part is flat, so magnetic reading from that part will be hindered. It's never done.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づいて
具体的に説明したが1本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々
変更可能である。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described above based on Examples, the present invention is not limited to the above-mentioned Examples, and various modifications can be made without departing from the gist thereof.

例えば、上記実施例において、デバイスホール回りのキ
ャリアテープ自体の曲げ剛性を特に高める手段は、所定
厚さで枠状に成形した樹脂製フィルムをキャリアテープ
に接着して構成したが、それに限定されるものではなく
、キャリアテープと一体成形されて成る突起部であって
もよく、また、デバイスホールの回りを特に高曲げ剛性
とする複合材料によってキャリアテープ自体を構成する
こともできる。その場合、例えば、キャリアテープをガ
ラスエポキシ樹脂で形成するなら、デバイスホールの回
りのガラス繊維を特に太くしたり、また、その回りのガ
ラス繊維の密度を高くすることができる。
For example, in the above embodiment, the means for particularly increasing the bending rigidity of the carrier tape itself around the device hole was constructed by adhering a resin film formed into a frame shape with a predetermined thickness to the carrier tape, but this is not limited to this. Instead, it may be a protrusion formed integrally with the carrier tape, or the carrier tape itself may be made of a composite material that has particularly high bending rigidity around the device hole. In that case, for example, if the carrier tape is made of glass epoxy resin, the glass fibers around the device hole can be made particularly thick, or the density of the glass fibers around the device hole can be made high.

また、上記実施例では、ICカード用の外部端子を備え
たテープキャリア装置について説明したが、それに限定
されるものではなく、外部端子を有しない構成にしても
よい。
Further, in the above embodiment, a tape carrier device including an external terminal for an IC card has been described, but the present invention is not limited thereto, and a configuration without an external terminal may be used.

以上の説明では種として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるICカードに適用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
なく、全体的に曲げに対して柔軟性が要求されるような
テープキャリア装置を搭載可能な種々のものに適用可能
である。本発明は、少なくともデバイスホールに回路チ
ップを挿入してリード端子にボンディングする条件のも
のには適用することができる。
In the above explanation, the invention made by the present inventor is applied to IC cards, which is the background field of application, but the invention is not limited to this, and the invention is generally flexible against bending. The present invention can be applied to various devices that can be equipped with tape carrier devices that require high performance. The present invention can be applied at least to conditions where a circuit chip is inserted into a device hole and bonded to a lead terminal.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、デバイスホールの回りを取り囲むように所定
厚さで枠状に形成されて成る突起部をキャリアテープに
設けて、デバイスホール回りの曲げ剛性を向上させるか
ら、曲げに対して柔軟なキャリアテープに対する半導体
集積回路チップの支持強度が増大され、テープキャリア
装置自体の柔軟性を損うことなく、キャリアテープの曲
げによって半導体集積回路チップに生ずるようなりラッ
クの発生防止を達成することができる。
That is, the carrier tape is provided with a frame-shaped protrusion of a predetermined thickness so as to surround the device hole, and the bending rigidity around the device hole is improved. The supporting strength of the semiconductor integrated circuit chip is increased, and it is possible to prevent the occurrence of racks on the semiconductor integrated circuit chip due to bending of the carrier tape, without impairing the flexibility of the tape carrier device itself.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係るテープキャリア装置の1実施例を
示す平面図、 第2図はリード端子が撓んだ場合における切り込みの作
用説明図、 第3図はデバイスホール回りの横断面図である。 1・・・キャリアテープ、3・・・デバイスホール、4
・・・半導体集積回路チップ、5A乃至5H・・・外部
端子、6A乃至6F・・・導電層、7・・・分離領域、
8及び9・・・リード端子、11・・・障り、を部、1
2・・・切り込み、14・・・電極パッド、15・・・
突起部。 第  2  図 第  3  図
Fig. 1 is a plan view showing one embodiment of the tape carrier device according to the present invention, Fig. 2 is an explanatory diagram of the effect of the notch when the lead terminal is bent, and Fig. 3 is a cross-sectional view around the device hole. be. 1...Carrier tape, 3...Device hole, 4
...Semiconductor integrated circuit chip, 5A to 5H...External terminal, 6A to 6F...Conductive layer, 7...Isolation region,
8 and 9...Lead terminal, 11...Obstruction, part, 1
2... Notch, 14... Electrode pad, 15...
protrusion. Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、回路チップが間隙をもって挿入可能でにされるデバ
イスホールを持つ絶縁性のキャリアテープと、そのデバ
イスホールの内側へ突出するように上記キャリアテープ
の一方の面に設けられ、デバイスホールに挿入された回
路チップの端子に結合されるリード端子と、上記デバイ
スホールの回りにおけるキャリアテープの曲げ剛性を高
める手段とを含むことを特徴とするテープキャリア装置
。 2、上記曲げ剛性を高める手段は、デバイスホールの回
りを取り囲むように所定厚さで枠状に形成されて成る突
起部であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のテープキャリア装置。 3、上記突起部は、キャリアテープにおいてリード端子
につながる導電層が設けられる面とは反対がわの面に接
着されて成ることを特徴とする特許請求の範囲第2項記
載のテープキャリア装置。
[Claims] 1. An insulating carrier tape having a device hole into which a circuit chip can be inserted with a gap, and an insulating carrier tape provided on one surface of the carrier tape so as to protrude inside the device hole. A tape carrier device comprising: a lead terminal coupled to a terminal of a circuit chip inserted into a device hole; and means for increasing the bending rigidity of the carrier tape around the device hole. 2. The tape carrier device according to claim 1, wherein the means for increasing the bending rigidity is a protrusion formed in a frame shape with a predetermined thickness so as to surround the device hole. . 3. The tape carrier device according to claim 2, wherein the protrusion is bonded to a surface of the carrier tape opposite to the surface on which the conductive layer connected to the lead terminal is provided.
JP6565686A 1986-03-26 1986-03-26 Tape carrier device Pending JPS62224033A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6565686A JPS62224033A (en) 1986-03-26 1986-03-26 Tape carrier device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6565686A JPS62224033A (en) 1986-03-26 1986-03-26 Tape carrier device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62224033A true JPS62224033A (en) 1987-10-02

Family

ID=13293264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6565686A Pending JPS62224033A (en) 1986-03-26 1986-03-26 Tape carrier device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62224033A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0368149A (en) * 1989-08-07 1991-03-25 Japan Gore Tex Inc Ic mounting film carrier
US5888849A (en) * 1997-04-07 1999-03-30 International Business Machines Corporation Method for fabricating an electronic package

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0368149A (en) * 1989-08-07 1991-03-25 Japan Gore Tex Inc Ic mounting film carrier
US5888849A (en) * 1997-04-07 1999-03-30 International Business Machines Corporation Method for fabricating an electronic package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3032964B2 (en) Ball grid array semiconductor package and manufacturing method
US5710064A (en) Method for manufacturing a semiconductor package
US6291271B1 (en) Method of making semiconductor chip package
US6489182B2 (en) Method of fabricating a wire arrayed chip size package
US5652461A (en) Semiconductor device with a convex heat sink
KR100551641B1 (en) A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device
US5367124A (en) Compliant lead for surface mounting a chip package to a substrate
JP3238004B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
US20030178708A1 (en) Leadframe and method for manufacturing resin-molded semiconductor device
US6501160B1 (en) Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mount structure
JP2000077596A (en) Lead frame, manufacturing method therefor, and resin sealed semiconductor device and manufacturing method therefor
KR100658120B1 (en) Process for manufacturing semiconductor device using film substrate
KR20010070081A (en) A semiconductor device and a process for producing the same
JPS62224033A (en) Tape carrier device
JPH11260989A (en) Resin-sealed semiconductor device and its manufacture
EP0723293A1 (en) Semiconductor device with a heat sink and method of producing the heat sink
JPS6143438A (en) Semiconductor device
JP2652222B2 (en) Substrate for mounting electronic components
JP3258564B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3457547B2 (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same, and film carrier
JP2505359Y2 (en) Semiconductor mounting board
JP3076302B2 (en) Semiconductor device
JP3288973B2 (en) Semiconductor device, laminate, and module structure
JPH0969586A (en) Semiconductor device and its manufacture
KR100414709B1 (en) Heat sink with semiconductor device and manufacturing method of heat sink