JPS62220004A - 円偏波平面アレイアンテナ - Google Patents
円偏波平面アレイアンテナInfo
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- JPS62220004A JPS62220004A JP61063178A JP6317886A JPS62220004A JP S62220004 A JPS62220004 A JP S62220004A JP 61063178 A JP61063178 A JP 61063178A JP 6317886 A JP6317886 A JP 6317886A JP S62220004 A JPS62220004 A JP S62220004A
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Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば衛星放送を受信する場合等に用いて
好適な円偏波平面アレイアンテナに関する。
好適な円偏波平面アレイアンテナに関する。
この発明は、サスペンデッドライン給電形平面アンテナ
において、放射素子の一部を形成する多数の穴に夫々対
応して互いに直交する一対の励振プローブを共通の平面
上に形成し、一対の励振プローブへの給電信号をサスペ
ンデッドライン内で一対の１／４波長ラインを用いて位
相合成すると共に一対の１／４波長ライン間に印刷抵抗
を施すことにより、軸比を改善すると共に、簡単な構成
で安価な高利得の平面アレイアンテナを得るようにした
ものである。
において、放射素子の一部を形成する多数の穴に夫々対
応して互いに直交する一対の励振プローブを共通の平面
上に形成し、一対の励振プローブへの給電信号をサスペ
ンデッドライン内で一対の１／４波長ラインを用いて位
相合成すると共に一対の１／４波長ライン間に印刷抵抗
を施すことにより、軸比を改善すると共に、簡単な構成
で安価な高利得の平面アレイアンテナを得るようにした
ものである。
放射素子の一部を形成する多数の穴を有する金属又はメ
タライズドプラスチックで基板を挟み込むサスペンデッ
ドライン給電形平面アンテナにおいて、多数の穴に夫々
対応して互いに直交する一対の励振プローブを共通の平
面上に形成し、一対の励振プローブへの給電信号をサス
ペンデッドライン内で位相合成するようにしたことを特
徴とする円偏波平面アレイアンテナが先に本出願人によ
り提案された（特願昭６０−１６２６５０号）。
タライズドプラスチックで基板を挟み込むサスペンデッ
ドライン給電形平面アンテナにおいて、多数の穴に夫々
対応して互いに直交する一対の励振プローブを共通の平
面上に形成し、一対の励振プローブへの給電信号をサス
ペンデッドライン内で位相合成するようにしたことを特
徴とする円偏波平面アレイアンテナが先に本出願人によ
り提案された（特願昭６０−１６２６５０号）。
このアレイアンテナによれば、薄形化が可能となり、機
械的構成も簡略化できる。また、安価で一般的に入手出
来る基板を高周波用に使用しても高価なマイクロストリ
ップライン用基板を用いたものと同等以上のアンテナ利
得が得られる。
械的構成も簡略化できる。また、安価で一般的に入手出
来る基板を高周波用に使用しても高価なマイクロストリ
ップライン用基板を用いたものと同等以上のアンテナ利
得が得られる。
ところで、上記提案されたアレイアンテナにおいて、直
交２偏波をπ／２の位相で合成する際に、各２偏波間の
レベル及び出力の定在波比（ＶＳＷＲ）すなわち反射損
失が良好に揃っていない場合、Ｔ分岐型分配器を合成器
として使用すると、合成２端子間のアイソレーションが
とれていないので、反射波及び透過波と各プローブにお
ける受信レベル差のため、円偏波軸比が悪化する不都合
があった。
交２偏波をπ／２の位相で合成する際に、各２偏波間の
レベル及び出力の定在波比（ＶＳＷＲ）すなわち反射損
失が良好に揃っていない場合、Ｔ分岐型分配器を合成器
として使用すると、合成２端子間のアイソレーションが
とれていないので、反射波及び透過波と各プローブにお
ける受信レベル差のため、円偏波軸比が悪化する不都合
があった。
すなわち、上述の特願昭６０−１６２６５０号の第３図
には円偏波合成器を示しているが、合成部（１１）の部
分はサスペンデッドラインで構成したＴ分岐型分配器の
構成と見ることができ、分配端子間のアイソレージシン
は図の場合１：ｌの２分配器であり、６ ｄＢＬかとれ
ない。これは元来分配器として使用するものである故、
合成器として使用する場合は合成端子間（合成部（１１
）の外部給電線側）からの信号が等振幅１等位相でなけ
れば正常に動。
には円偏波合成器を示しているが、合成部（１１）の部
分はサスペンデッドラインで構成したＴ分岐型分配器の
構成と見ることができ、分配端子間のアイソレージシン
は図の場合１：ｌの２分配器であり、６ ｄＢＬかとれ
ない。これは元来分配器として使用するものである故、
合成器として使用する場合は合成端子間（合成部（１１
）の外部給電線側）からの信号が等振幅１等位相でなけ
れば正常に動。
作せず、合成端子の結合のためバランスがくずれ合成器
が発生する。更に合成端子間に接続されるインピーダン
スが不整合の場合も同様に合成器を発生する。従って円
偏波軸比が悪化することになる。
が発生する。更に合成端子間に接続されるインピーダン
スが不整合の場合も同様に合成器を発生する。従って円
偏波軸比が悪化することになる。
この発明は斯る点に鑑みてなされたもので、簡単な構成
で円偏波軸比を改善することができる円偏波平面アレイ
アンテナを提供するものである。
で円偏波軸比を改善することができる円偏波平面アレイ
アンテナを提供するものである。
この発明による円偏波平面アレイアンテナは、放射素子
の一部を形成する多数の穴（４１、（５）を有する金属
又はメタライズドプラスチック（１） 、 （２）で基
板（３）を挟み込むサスペンデッドライン給電形平面ア
ンテナにおいて、上記多数の穴に夫々対応して互いに直
交する一対の励振プローブ（８１、（９１を共通の平面
上に形成し、上記一対の励振プローブへの給電信号をサ
スペンデッドライン内で一対の１／４波長ライン（４０
） 、 （４１）を用いて位相合成すると共に一対の
１／４波長ライン間に印刷抵抗（４２）を施すように構
成している。
の一部を形成する多数の穴（４１、（５）を有する金属
又はメタライズドプラスチック（１） 、 （２）で基
板（３）を挟み込むサスペンデッドライン給電形平面ア
ンテナにおいて、上記多数の穴に夫々対応して互いに直
交する一対の励振プローブ（８１、（９１を共通の平面
上に形成し、上記一対の励振プローブへの給電信号をサ
スペンデッドライン内で一対の１／４波長ライン（４０
） 、 （４１）を用いて位相合成すると共に一対の
１／４波長ライン間に印刷抵抗（４２）を施すように構
成している。
多数の穴（４）、（５１に夫々対応して互いに直交する
一対の励振プローブＴ８）、（９）を共通の平面上に形
成する。そして、一対の励振プローブへの給電信号をサ
スペンデッドライン内で一対の１／４波長ライン（４０
） 、 （４１）を用いて位相合成する。また、一対
の１／４波長ライン（４０）及び（４１）間に印刷抵抗
（４２）を施す。これにより、アイソレーションが良く
なり、円偏波軸比が改善される。また、一枚の基板で円
偏波受信を出来る回路構成に出来るため、従来に比し薄
形化できると共に機械的構成も簡略化でき、しかも安価
で一般的に入手出来る基板を高周波用に使用しても高価
なマイクロストリップライン用基板を用いたものと同等
以上のアンテナ利得が得られる。
一対の励振プローブＴ８）、（９）を共通の平面上に形
成する。そして、一対の励振プローブへの給電信号をサ
スペンデッドライン内で一対の１／４波長ライン（４０
） 、 （４１）を用いて位相合成する。また、一対
の１／４波長ライン（４０）及び（４１）間に印刷抵抗
（４２）を施す。これにより、アイソレーションが良く
なり、円偏波軸比が改善される。また、一枚の基板で円
偏波受信を出来る回路構成に出来るため、従来に比し薄
形化できると共に機械的構成も簡略化でき、しかも安価
で一般的に入手出来る基板を高周波用に使用しても高価
なマイクロストリップライン用基板を用いたものと同等
以上のアンテナ利得が得られる。
以下、この発明の一実施例を第１図〜第６図に基づいて
詳しく説明する。
詳しく説明する。
第１図は本発明による円偏波放射素子の構成を示すもの
で、第１図Ａはその上面図、第１図Ｂは第１図Ａにおけ
る線１−Ｉで切断して示す断面図である。第１図におい
て、（１）は第１の金属板（又はメタライズドプラスチ
ック＆） 、（２１は第２の金属板（又はメタライズド
プラスチック＆） 、（３）は第１及び第２の金属板（
１）、 （２１で挟持される薄膜の基板（フィルム状の
フレキシブル基板）である。
で、第１図Ａはその上面図、第１図Ｂは第１図Ａにおけ
る線１−Ｉで切断して示す断面図である。第１図におい
て、（１）は第１の金属板（又はメタライズドプラスチ
ック＆） 、（２１は第２の金属板（又はメタライズド
プラスチック＆） 、（３）は第１及び第２の金属板（
１）、 （２１で挟持される薄膜の基板（フィルム状の
フレキシブル基板）である。
第１の金属板（１）は凹部状の穴（４）を有し、第２の
金属Ｆｉ（２）は穴（４）と同じ径で上下に言通し、且
つ上側が円錐状とされた穴（５）を有する。第１及び第
２の金属板（１１，（２）で基板（３）を挟持するとき
に穴（４）と（５）が一致するように位置決めされる。
金属Ｆｉ（２）は穴（４）と同じ径で上下に言通し、且
つ上側が円錐状とされた穴（５）を有する。第１及び第
２の金属板（１１，（２）で基板（３）を挟持するとき
に穴（４）と（５）が一致するように位置決めされる。
また、第１及び第２の金属板＋１１． （２）で基板（
３）を挟持した際に穴（４）、 （５）に連通する空洞
部（６）が形成されるようになされる。
３）を挟持した際に穴（４）、 （５）に連通する空洞
部（６）が形成されるようになされる。
（７）は基板（３）に被着された導体箔であって、この
導体箔（７）は空洞部（６）を介して連結され、サスペ
ンデッドラインを構成する。また、この導体箔（７）は
基板（３）の共通の平面上で、穴（４）、 （５）の中
心方向に直交するように所定長突出され、一対の励振プ
ローブ（８）、 （９）を構成する。斯る構成により、
円偏波は互いに直交する直線偏波を位相をπ／２ずらし
て合成したものであるから、夫々の直線偏波成分に対応
する励振プローブが配されたことになる。
導体箔（７）は空洞部（６）を介して連結され、サスペ
ンデッドラインを構成する。また、この導体箔（７）は
基板（３）の共通の平面上で、穴（４）、 （５）の中
心方向に直交するように所定長突出され、一対の励振プ
ローブ（８）、 （９）を構成する。斯る構成により、
円偏波は互いに直交する直線偏波を位相をπ／２ずらし
て合成したものであるから、夫々の直線偏波成分に対応
する励振プローブが配されたことになる。
第２図は平面アレイを給電するサスペンデッドラインの
構成を示すもので、第１図Ｂにおいて線■−■で切断し
た状態を示している。こ＼では例えば２５〜１００μｍ
程度のプリント基板（３）をエツチングして形成された
導体箔（７）が第１及び第２の金属板（１１，（２）で
囲まれ、中空同軸線路を構成している。この場合、基板
（３）は薄（支持部材としてのみ働くので、低損失基板
でなくても伝送損失の少ない給電線路となる。例えばテ
フロングラス基板を用いたオープンストリップラインの
伝送損失は１２ ＧＨｚで４〜６ｄＢ／ｍであるが、サ
スペンデッドラインの場合、２５μｍフィルム基板で約
２．５〜３ｄＢ／ｍとなる。フィルム状のフレキシブル
基板はテフロングラス基板を比べて安価であるので、構
成面（特性）も含めて利点がある。
構成を示すもので、第１図Ｂにおいて線■−■で切断し
た状態を示している。こ＼では例えば２５〜１００μｍ
程度のプリント基板（３）をエツチングして形成された
導体箔（７）が第１及び第２の金属板（１１，（２）で
囲まれ、中空同軸線路を構成している。この場合、基板
（３）は薄（支持部材としてのみ働くので、低損失基板
でなくても伝送損失の少ない給電線路となる。例えばテ
フロングラス基板を用いたオープンストリップラインの
伝送損失は１２ ＧＨｚで４〜６ｄＢ／ｍであるが、サ
スペンデッドラインの場合、２５μｍフィルム基板で約
２．５〜３ｄＢ／ｍとなる。フィルム状のフレキシブル
基板はテフロングラス基板を比べて安価であるので、構
成面（特性）も含めて利点がある。
第３図は円偏波を合成する具体回路を示すもので、一対
の励振プローブ（８）、 （９）は基板（３）の同一平
面上でサスベンチ・７ドラインである導体箔（７）で結
合されるが、その際にπ／２の位相に相当するλｇ／４
（λｇ：中心周波数における線路波長）の線路（１０）
が進相している片側に挿入されて合成部（１１）で同相
になるようにしている。このようにλｇ／４の線路（１
０）を挿入する方法を変えることにより、右旋又は左旋
の円偏波に対応することができる。因みに第３図は、右
旋円偏波を受信する場合で、電波が図面上表より裏に向
っているものとすると、電界は時計方向に回転しながら
進むので、先ず励振プローブ（９）が受信し、π／２（
９０’ ）遅れて励振プローブ（８）が受信することに
なり、結果として合成部（１１）では同相となることが
わかる。
の励振プローブ（８）、 （９）は基板（３）の同一平
面上でサスベンチ・７ドラインである導体箔（７）で結
合されるが、その際にπ／２の位相に相当するλｇ／４
（λｇ：中心周波数における線路波長）の線路（１０）
が進相している片側に挿入されて合成部（１１）で同相
になるようにしている。このようにλｇ／４の線路（１
０）を挿入する方法を変えることにより、右旋又は左旋
の円偏波に対応することができる。因みに第３図は、右
旋円偏波を受信する場合で、電波が図面上表より裏に向
っているものとすると、電界は時計方向に回転しながら
進むので、先ず励振プローブ（９）が受信し、π／２（
９０’ ）遅れて励振プローブ（８）が受信することに
なり、結果として合成部（１１）では同相となることが
わかる。
第４図は第３図の点線ａで示す円内を拡大して示すもの
で、本実施例ではサスペンデッドライン（給電線）とし
ての導体箔（７）が合成部（１１）と接続される部分を
一対の１／４波長ラインすなわちλｇ／４ライン（４０
） 、 （４１）となし、これ等一対のライン（４０
）及び（４１）間に例えばカーボン印刷による印刷抵抗
（４２）を施す。つまり、本実施例ではサスペンデッド
ライン内にいわゆるウィルキンソン型電力合成器（分配
器を合成器として使用）或いは３ｄ［ｌ・π／２ハイブ
リッドリング型合成器を構成する。こ＼で合成部（１１
）とはライン（４０） 、 （４１）の合成している
部分から印刷抵抗（４２）の施されている部分を云う。
で、本実施例ではサスペンデッドライン（給電線）とし
ての導体箔（７）が合成部（１１）と接続される部分を
一対の１／４波長ラインすなわちλｇ／４ライン（４０
） 、 （４１）となし、これ等一対のライン（４０
）及び（４１）間に例えばカーボン印刷による印刷抵抗
（４２）を施す。つまり、本実施例ではサスペンデッド
ライン内にいわゆるウィルキンソン型電力合成器（分配
器を合成器として使用）或いは３ｄ［ｌ・π／２ハイブ
リッドリング型合成器を構成する。こ＼で合成部（１１
）とはライン（４０） 、 （４１）の合成している
部分から印刷抵抗（４２）の施されている部分を云う。
いま、説明の都合上各端子に■、■、■を付すと、合成
器の場合、端子■は受信機に接続され、端子■は励振プ
ローブ（９）に接続され、端子◎は励振プローブ（８）
に接続される。
器の場合、端子■は受信機に接続され、端子■は励振プ
ローブ（９）に接続され、端子◎は励振プローブ（８）
に接続される。
さて、３つの端子のインピーダンス整合がとれていると
き、端子＠から電力が供給されるものとすると、 １／
４の電力は印刷抵抗（４２）を通り、３／４の電力はラ
イン（４０）を通り、このライン（４０）を通った３／
４の電力は更に２／４の電力が端子■側に供給され、１
／４の電力がライン（４１）を通る。そして、このライ
ン（４１）を通った１／４の電力と印刷抵抗（４２）を
通った１／４の電力とが逆位相、同振幅の関係で合成さ
れて実質的に相殺され、結局端子■には何も電力は伝送
されない。従ってアイソレージジンが実験的には約−２
５ｄＢとなり、良好なアイソレーションが得られ、円偏
波軸比が改善される。
き、端子＠から電力が供給されるものとすると、 １／
４の電力は印刷抵抗（４２）を通り、３／４の電力はラ
イン（４０）を通り、このライン（４０）を通った３／
４の電力は更に２／４の電力が端子■側に供給され、１
／４の電力がライン（４１）を通る。そして、このライ
ン（４１）を通った１／４の電力と印刷抵抗（４２）を
通った１／４の電力とが逆位相、同振幅の関係で合成さ
れて実質的に相殺され、結局端子■には何も電力は伝送
されない。従ってアイソレージジンが実験的には約−２
５ｄＢとなり、良好なアイソレーションが得られ、円偏
波軸比が改善される。
第５図は第４図の等価回路を示すもので、これはウィル
キンソン型電力分配（合成）器の理論（Ｅ、Ｊ、Ｗｉｌ
ｋｉｎｓｏｎ著“Ａｎ Ｎ−ｗａｙ ｈｙｂｒｉｄ ｐ
ｏｗｅｒｄｔｖｉｄｅｒ″、 ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ
、 Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ ＆Ｔｅｃｈ、
、 ＭＴＴ−８，１，Ｐ、１１６ （Ｊａｎ、１９６
０）参照）に基づく。こ＼でＺｏは給電線の特性インピ
ーダンスを示すもので、端子■、■の特性インピーダン
スＺｏは放射素子のインピーダンスと整合がとられる。
キンソン型電力分配（合成）器の理論（Ｅ、Ｊ、Ｗｉｌ
ｋｉｎｓｏｎ著“Ａｎ Ｎ−ｗａｙ ｈｙｂｒｉｄ ｐ
ｏｗｅｒｄｔｖｉｄｅｒ″、 ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ
、 Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ ＆Ｔｅｃｈ、
、 ＭＴＴ−８，１，Ｐ、１１６ （Ｊａｎ、１９６
０）参照）に基づく。こ＼でＺｏは給電線の特性インピ
ーダンスを示すもので、端子■、■の特性インピーダン
スＺｏは放射素子のインピーダンスと整合がとられる。
そして、３つの端子■、■、◎のインピーダンス整合が
とれているとき、端子のからの入力は、ある比率で分配
されて、端子■及び◎へ入出力として現れる。端子■（
◎）からの入力の場合は、その一部が端子■に現われ、
残る電力はすべて抵抗２ＺＯに吸収されて、端子◎（■
）にはその出力は現れてこない。このようにＹ型電力分
配器は、電力の分配と同様に出力端子間のアイソレーシ
ョンがとれるために、電力の合成機能をもっている。
とれているとき、端子のからの入力は、ある比率で分配
されて、端子■及び◎へ入出力として現れる。端子■（
◎）からの入力の場合は、その一部が端子■に現われ、
残る電力はすべて抵抗２ＺＯに吸収されて、端子◎（■
）にはその出力は現れてこない。このようにＹ型電力分
配器は、電力の分配と同様に出力端子間のアイソレーシ
ョンがとれるために、電力の合成機能をもっている。
第６図は円偏波放射素子の特性を示すもので、実線ａは
従来（特願昭６０−１６２６５０号）の軸比測定例で、
実線すはこの発明における軸比測定例であり、例えば１
２Ｇ）ｌｚの周波数で約１ｄＢが許容範囲であるが、こ
の発明による円偏波放射素子はこれを十分に満足し、更
に従来より改−善されていることがわかる。
従来（特願昭６０−１６２６５０号）の軸比測定例で、
実線すはこの発明における軸比測定例であり、例えば１
２Ｇ）ｌｚの周波数で約１ｄＢが許容範囲であるが、こ
の発明による円偏波放射素子はこれを十分に満足し、更
に従来より改−善されていることがわかる。
なお、上述の実施例では放射素子を主体に説明したが、
アンテナの可逆原理により、放射素子（又は放射素子の
アレイにより構成されるアンテナ）が、特性を同等変更
することなく受信素子（受信アンテナ）として作用し得
ることは勿論である。
アンテナの可逆原理により、放射素子（又は放射素子の
アレイにより構成されるアンテナ）が、特性を同等変更
することなく受信素子（受信アンテナ）として作用し得
ることは勿論である。
上述の如くこの発明によれば、多数の穴に夫々対応して
互いに直交する一対の励振プローブを共通の平面上に形
成し、この一対の励振プローブへの給電信号をサスペン
デッドライン内で一対の１／４波長ラインを用いて位相
合成すると共に一対の１／４波長ライン間に印刷抵抗を
施すようにしたので、軸比が改善され、また、印刷抵抗
は製造工程内で実現でき、半田付不要で小型、薄形で実
現されるため、再現性、信頼性が高い。また、薄形化が
可能となり、機械的構成も簡略化できる。
互いに直交する一対の励振プローブを共通の平面上に形
成し、この一対の励振プローブへの給電信号をサスペン
デッドライン内で一対の１／４波長ラインを用いて位相
合成すると共に一対の１／４波長ライン間に印刷抵抗を
施すようにしたので、軸比が改善され、また、印刷抵抗
は製造工程内で実現でき、半田付不要で小型、薄形で実
現されるため、再現性、信頼性が高い。また、薄形化が
可能となり、機械的構成も簡略化できる。
更に、安価で一般的に入手出来る基板を高周波用に使用
しても高価なマイクロストリップライン用基板を用いた
ものと同等以上のアンテナ利得が得られる。
しても高価なマイクロストリップライン用基板を用いた
ものと同等以上のアンテナ利得が得られる。
第１図はこの発明による円偏波放射素子を示す上面図及
び断面図、第２図はこの発明によるサスペンデッドライ
ンの断面図、第３図はこの発明の一実施例を示す構成図
、第４図はこの発明の要部を拡大して示す構成図、第５
図は第４図の等価回路を示す図、第６図はこの発明によ
る円偏波放射素子の特性図である。 （１）は第１の金属板（又はメタライズドプラスチック
板） 、（２）は第２の金属板（又はメタライズドプラ
スチック板） 、（３）は基板、（４１，（５）は穴、
（６）は空洞部、（７）は導体箔、（８１，（９）は励
振プローブ、（４０） 、 （４１）は１／４波長ラ
イン、（４２）は印刷抵抗である。
び断面図、第２図はこの発明によるサスペンデッドライ
ンの断面図、第３図はこの発明の一実施例を示す構成図
、第４図はこの発明の要部を拡大して示す構成図、第５
図は第４図の等価回路を示す図、第６図はこの発明によ
る円偏波放射素子の特性図である。 （１）は第１の金属板（又はメタライズドプラスチック
板） 、（２）は第２の金属板（又はメタライズドプラ
スチック板） 、（３）は基板、（４１，（５）は穴、
（６）は空洞部、（７）は導体箔、（８１，（９）は励
振プローブ、（４０） 、 （４１）は１／４波長ラ
イン、（４２）は印刷抵抗である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 放射素子の一部を形成する多数の穴を有する金属又は
メタライズドプラスチックで基板を挟み込むサスペンデ
ッドライン給電形平面アンテナにおいて、 上記多数の穴に夫々対応して互いに直交する一対の励振
プローブを共通の平面上に形成し、上記一対の励振プロ
ーブへの給電信号をサスペンデッドライン内で一対の１
／４波長ラインを用いて位相合成すると共に上記一対の
１／４波長ライン間に印刷抵抗を施して軸比を改善した
ことを特徴とする円偏波平面アレイアンテナ。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61063178A JPS62220004A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 円偏波平面アレイアンテナ |
| CA000513979A CA1266325A (en) | 1985-07-23 | 1986-07-17 | Microwave antenna |
| AU60335/86A AU603338B2 (en) | 1985-07-23 | 1986-07-18 | Microwave antenna |
| KR1019860005937A KR940001607B1 (ko) | 1985-07-23 | 1986-07-22 | 마이크로웨이브 안테나 |
| US06/888,117 US4792810A (en) | 1985-07-23 | 1986-07-22 | Microwave antenna |
| EP86110153A EP0215240B1 (en) | 1985-07-23 | 1986-07-23 | Planar-array antenna for circularly polarized microwaves |
| CN86105126A CN1011008B (zh) | 1985-07-23 | 1986-07-23 | 微波天线 |
| DE86110153T DE3689397T2 (de) | 1985-07-23 | 1986-07-23 | Planarantennengruppe für zirkular polarisierte Mikrowellen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61063178A JPS62220004A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 円偏波平面アレイアンテナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62220004A true JPS62220004A (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=13221730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61063178A Pending JPS62220004A (ja) | 1985-07-23 | 1986-03-20 | 円偏波平面アレイアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62220004A (ja) |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP61063178A patent/JPS62220004A/ja active Pending
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