JPS62219926A - レジストコ−テイング方法 - Google Patents
レジストコ−テイング方法Info
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- JPS62219926A JPS62219926A JP6298386A JP6298386A JPS62219926A JP S62219926 A JPS62219926 A JP S62219926A JP 6298386 A JP6298386 A JP 6298386A JP 6298386 A JP6298386 A JP 6298386A JP S62219926 A JPS62219926 A JP S62219926A
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- resist
- wafer
- coating method
- diluted
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体つよ−へ等にレジスト膜を形成するレジストコー
ティング方法である。
ティング方法である。
本発明は、リソグラフィー法等に使用されるレジストコ
ーティング方法の改良に関する。特に、レジストのロス
をともなうことなく、薄く均一なレジスト膜を静止方式
をもって形成する方法に関する。
ーティング方法の改良に関する。特に、レジストのロス
をともなうことなく、薄く均一なレジスト膜を静止方式
をもって形成する方法に関する。
半導体装置の製造方法において、レジストをコートして
レジストｎりを形成するには、スピンコーティング法を
使用することが一般である。
レジストｎりを形成するには、スピンコーティング法を
使用することが一般である。
従来広く使用されているレジストの粘度は８ｃｐ〜 ｔ
ｏｏｃｐであり、直径５インチ程度のウェーハにスピン
ニートする場合、２ｃｃ−１０ｃｃのレジストを滴下し
て、３．０００ｒｐ■程度の高速回転を使用して５．Ｇ
ＯＯＡ〜３０，０ＯＯＡの膜厚にスピンコーティング法
をなしていた。
ｏｏｃｐであり、直径５インチ程度のウェーハにスピン
ニートする場合、２ｃｃ−１０ｃｃのレジストを滴下し
て、３．０００ｒｐ■程度の高速回転を使用して５．Ｇ
ＯＯＡ〜３０，０ＯＯＡの膜厚にスピンコーティング法
をなしていた。
上記せる高速スピンコーティング法の場合。
下記のような欠点を免れなかった。
４０滴下するレジストの１０％しか利用しえず、レジス
トのロスが無視しえない。
トのロスが無視しえない。
ロ、利用されなかったレジストの一部は高速回転によっ
て飛散して、スピンコーテイング機の内面に付着するの
で、これを除去するための後処理が必要である。
て飛散して、スピンコーテイング機の内面に付着するの
で、これを除去するための後処理が必要である。
ハ、利用されなかったレジストの一部は霧状になって浮
遊し、塵埃としてウェーハに付着し、断線や不良成膜等
の原因になる。
遊し、塵埃としてウェーハに付着し、断線や不良成膜等
の原因になる。
本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり。
イ１回転する必要のない静止方式であり、口、レジスト
のロスをともなうことなく。
のロスをともなうことなく。
ハ、利用されないレジストが塵埃となることがなく、
二、利用されないレジストが装置内面に付着することが
なく、 ホ、ｉ＜、均一なレジスト膜を形成するレジストコーテ
ィング方法を提供することにある。
なく、 ホ、ｉ＜、均一なレジスト膜を形成するレジストコーテ
ィング方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った手段は、レ
ジストをコーティングするために、ソルベントをもって
稀釈されたレジストをウェーハ上に滴下し、そのウェー
ハに、このウェーハ面に平行な方向に機械的振動を加え
て、前記のレジストを前記のウェーハ全面に薄く展延し
、前記のウェーハの入れられた容器の内圧を低下して前
記のレジストを乾燥させてレジストをコーティングする
ことにある。
ジストをコーティングするために、ソルベントをもって
稀釈されたレジストをウェーハ上に滴下し、そのウェー
ハに、このウェーハ面に平行な方向に機械的振動を加え
て、前記のレジストを前記のウェーハ全面に薄く展延し
、前記のウェーハの入れられた容器の内圧を低下して前
記のレジストを乾燥させてレジストをコーティングする
ことにある。
上記の機械的振動を与えるには、磁歪素子を利用した振
動装置を使用するなり、低周波縦波（超音波）を印加す
るなりすればよい。
動装置を使用するなり、低周波縦波（超音波）を印加す
るなりすればよい。
（作用〕
本発明は、ウェーハ上に滴下したレジストを遠心力をも
って展延するかわりに、振動を加えて展延するという着
想を具体化したものである。
って展延するかわりに、振動を加えて展延するという着
想を具体化したものである。
たＣ、レジストの粘度は必ずしも低くないから、機械的
振動をもって十分展延するように、レジストは、滴下に
先立ち、ソルベントをもって稀釈し、展延の後蒸発させ
ることとしたものである。
振動をもって十分展延するように、レジストは、滴下に
先立ち、ソルベントをもって稀釈し、展延の後蒸発させ
ることとしたものである。
以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係るレジ
ストコーティング方法についてさらに説明する。
ストコーティング方法についてさらに説明する。
東京応化■製ホトレジス）ＯＦＰＲ−８００、または、
シラプレー■製ＡＺ１３５０にソルベントとしてエチル
ソルブアセテートを加えてＩＷ％以下に稀釈する。
シラプレー■製ＡＺ１３５０にソルベントとしてエチル
ソルブアセテートを加えてＩＷ％以下に稀釈する。
第１図参照
ウェーハ１を１図示するレジストコーティング装置に装
着する０図において、２は真空容器であり、３はレジス
トの定量供給装置であり、４はウェーハステージであり
、５は磁歪素子よりなる振動装置であり、６は真空ポン
プである。
着する０図において、２は真空容器であり、３はレジス
トの定量供給装置であり、４はウェーハステージであり
、５は磁歪素子よりなる振動装置であり、６は真空ポン
プである。
レジストコーティング装置の真空容器２はお−むね１気
圧にしたま一１上記の稀釈したレジストを約１ｃｃ、レ
ジストの定量供給装置！３を使用してウェーハ１上に滴
下する。
圧にしたま一１上記の稀釈したレジストを約１ｃｃ、レ
ジストの定量供給装置！３を使用してウェーハ１上に滴
下する。
磁歪素子よりなる振動装置５を動作させて。
レジストをウェーハ１の全面に展延する。このとき、ウ
ェーハｌは回転しないから１滴下されたレジストの一部
が飛散することはない。
ェーハｌは回転しないから１滴下されたレジストの一部
が飛散することはない。
十分レジストが展延した後、真空ポンプ６を動作させて
、レジストコーティング装置の真空容器２の内圧を低下
させて、ソルベントを蒸発させ、レジストを硬化する。
、レジストコーティング装置の真空容器２の内圧を低下
させて、ソルベントを蒸発させ、レジストを硬化する。
以上のレジストコーティング方法においては。
レジストは、所望の厚さに応答して稀釈されており、し
かも、回転をともなうことなく、機械的振動をもって展
延されるので、レジストのロスがなく、所望の厚さに均
一なレジスト膜を形成するコトカでき、しかも、利用さ
れないレジストが飛散して、塵埃となったり、スピンコ
ーテイング機の内面に付着することはない。
かも、回転をともなうことなく、機械的振動をもって展
延されるので、レジストのロスがなく、所望の厚さに均
一なレジスト膜を形成するコトカでき、しかも、利用さ
れないレジストが飛散して、塵埃となったり、スピンコ
ーテイング機の内面に付着することはない。
なお、上記の例にあっては、滴下されたレジストに磁歪
素子よりなる振動装ｆｆ１５を使用して機械的振動を与
えることとされているが、数ＫＨｚ程度の低周波縦波（
超音波）を加えても作用効果は全く同様である。
素子よりなる振動装ｆｆ１５を使用して機械的振動を与
えることとされているが、数ＫＨｚ程度の低周波縦波（
超音波）を加えても作用効果は全く同様である。
以上説明せるとおり、本発明に係るレジストコーティン
グ方法においては、ソルベントをもって稀釈されたレジ
ストをウェーハ上に滴下し、そのウェーハに、このウェ
ーハ面に平行な方向に機械的振動を加えて、前記のレジ
ストを前記のウェーハ全面に薄く展延し、前記のウェー
ハの入れられた容器の内圧を低下して前記のレジストを
乾燥させることとされているので。
グ方法においては、ソルベントをもって稀釈されたレジ
ストをウェーハ上に滴下し、そのウェーハに、このウェ
ーハ面に平行な方向に機械的振動を加えて、前記のレジ
ストを前記のウェーハ全面に薄く展延し、前記のウェー
ハの入れられた容器の内圧を低下して前記のレジストを
乾燥させることとされているので。
イ０回転する必要のない静止方式であり。
口、レジストのロスをともなうことなく。
ハ、利用されないレジストが塵埃となることがなく、
二、利用されないレジストが装置内面に付着することが
なく、 ホ、薄く、均一なレジスト膜を形成するレジストコーテ
ィング方法毫提供することができる。
なく、 ホ、薄く、均一なレジスト膜を形成するレジストコーテ
ィング方法毫提供することができる。
第１図は、本発明の一実施例に係るレジストコーティン
グ方法の工程を説明する図である。 １１φウエーハ、 ２・・・真空容器。 ３・・・レジストの定量供給装置、 ４・・・ウェーハステージ、 ５＠・・振動装置、 ６・・・真空ポンプ。
グ方法の工程を説明する図である。 １１φウエーハ、 ２・・・真空容器。 ３・・・レジストの定量供給装置、 ４・・・ウェーハステージ、 ５＠・・振動装置、 ６・・・真空ポンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ソルベントをもって稀釈されたレジストをウェーハ（１
）上に滴下し、 前記ウェーハ（１）に、該ウェーハ（１）面に平行な方
向に振動を加えて、前記レジストを前記ウェーハ（１）
全面に薄く展延し、 前記ウェーハ（１）の入れられた容器（２）の内圧を低
下して前記レジストを乾燥してなすレジストコーティン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298386A JPS62219926A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | レジストコ−テイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298386A JPS62219926A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | レジストコ−テイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219926A true JPS62219926A (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=13216104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6298386A Pending JPS62219926A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | レジストコ−テイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219926A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100943470B1 (ko) | 2003-08-05 | 2010-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 코팅장치 및 이의 구동방법 |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP6298386A patent/JPS62219926A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100943470B1 (ko) | 2003-08-05 | 2010-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 코팅장치 및 이의 구동방법 |
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