JPS62217543A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
- Publication number
- JPS62217543A JPS62217543A JP61059147A JP5914786A JPS62217543A JP S62217543 A JPS62217543 A JP S62217543A JP 61059147 A JP61059147 A JP 61059147A JP 5914786 A JP5914786 A JP 5914786A JP S62217543 A JPS62217543 A JP S62217543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image pickup
- light
- bias light
- pickup tube
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は撮１象装置に係わり、特に撮像管のフェースプ
レート内面側からバイアスライト光を供給するのに好適
な撮像装置に関するものである。
レート内面側からバイアスライト光を供給するのに好適
な撮像装置に関するものである。
近年、撮像管の光導電ターゲットにノ（イアスライド光
を供給する手段としては、撮像管の内部にバイアスライ
トラ設けてフェースプレートの背面側から光導電ターゲ
ットにバイアスライト光を照射させる手段が例えば特開
昭５３−２０２８号公報 ′などにより提案されている
。
を供給する手段としては、撮像管の内部にバイアスライ
トラ設けてフェースプレートの背面側から光導電ターゲ
ットにバイアスライト光を照射させる手段が例えば特開
昭５３−２０２８号公報 ′などにより提案されている
。
マ几〜撮像管のフェースプレート外にバイアスライトを
配設し、フェースプレートの外面側から光導電ターゲッ
トにバイアスライト光を照射させる手段が例えば実開昭
５２−８５３１８号などにより提案されている。
配設し、フェースプレートの外面側から光導電ターゲッ
トにバイアスライト光を照射させる手段が例えば実開昭
５２−８５３１８号などにより提案されている。
しかしながら、前記第１の従来例の構成によると、バイ
アスライトがＩＲＴｍした場合には撮像２ｇの使用に支
障をき几すとともに、撮像管を交換しなければならない
という問題があつ之。
アスライトがＩＲＴｍした場合には撮像２ｇの使用に支
障をき几すとともに、撮像管を交換しなければならない
という問題があつ之。
ま之前記第２の従来例の構成によると、バイアスライト
光は、被写体入射光方向と同一方向から入射されるので
、映像信号の黒レベルを調整するには被写体入射光を遮
断し、バイアスライト光のみの状態で行なわなければな
らないという問題があった。
光は、被写体入射光方向と同一方向から入射されるので
、映像信号の黒レベルを調整するには被写体入射光を遮
断し、バイアスライト光のみの状態で行なわなければな
らないという問題があった。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は、バイアスライトの断線に
よる撮像管の交換をなくすとともに、映像信号の黒レベ
ルの補正を順次行なうことをができる撮像装置を提供す
ることを目的としてＸ４Ｓる。
れたものであり、その目的は、バイアスライトの断線に
よる撮像管の交換をなくすとともに、映像信号の黒レベ
ルの補正を順次行なうことをができる撮像装置を提供す
ることを目的としてＸ４Ｓる。
上記問題点は、撮像管の外部にバイアスライトを配設す
るとともに、この撮像管の内壁面に形成される静電偏向
ｉｔ極をメツシュ状に形成することにエリ解決きれる。
るとともに、この撮像管の内壁面に形成される静電偏向
ｉｔ極をメツシュ状に形成することにエリ解決きれる。
撮像管の内壁面に形成される静電偏向！極をメツシュ状
に形成する為、撮像管の外側からバイアスライト’１人
射出来るので、バイアスライト光源の配置立置ひ工びバ
イアスライト光清を容易に設定出来る。
に形成する為、撮像管の外側からバイアスライト’１人
射出来るので、バイアスライト光源の配置立置ひ工びバ
イアスライト光清を容易に設定出来る。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に、ｆｆｌ明す
る。
る。
第１図は本発明による撮イま装置の一例を示す要部断面
構成図である。同図において、１は静電偏向電極１’Ｊ
管、２は撮像管１の外面に配置されたバイアスライト、
３は撮像管１の透光性ガラスバルブ・ ４はフェースプ
レート、！ｌｊフェースプレート４の内面に形成され足
元導電ターゲット、６はガラスバルブ３の内面に被着形
成された静電偏向電極、７は偏向電極接触子、８はシ子
銃である。
構成図である。同図において、１は静電偏向電極１’Ｊ
管、２は撮像管１の外面に配置されたバイアスライト、
３は撮像管１の透光性ガラスバルブ・ ４はフェースプ
レート、！ｌｊフェースプレート４の内面に形成され足
元導電ターゲット、６はガラスバルブ３の内面に被着形
成された静電偏向電極、７は偏向電極接触子、８はシ子
銃である。
第２図は前述した静電偏向を極６の展開図？示し之もの
で、同図において、６ａ、６ｂは水平偏向用電極、５ｃ
、６ｄｌ”を垂直口、ｉ向用電轄であり、これらの電極
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは各々一対となり互いに対向し
てガラスパルプ３の内壁面に形成されている。なお、６
ｅは電惨が形成されていないがガラスパルプ３ａの透光
部である。そして、この偏向用を極６、例えば水平用偏
向電４ｔｙｘ ６ ａ、６ｂが○印で囲んだ拡大平面図
で示すように多数個の微小孔９を有するメツシュ状金属
膜１０で形成されている。ここで垂直用偏向＠ ％ ６
ｃ ＊ ６ ｄは図示されないが水平用偏向電極６ａ
、６ｂと同様に多数個の微小孔９を有するメツシュ状金
属膜１０で形成されている。
で、同図において、６ａ、６ｂは水平偏向用電極、５ｃ
、６ｄｌ”を垂直口、ｉ向用電轄であり、これらの電極
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは各々一対となり互いに対向し
てガラスパルプ３の内壁面に形成されている。なお、６
ｅは電惨が形成されていないがガラスパルプ３ａの透光
部である。そして、この偏向用を極６、例えば水平用偏
向電４ｔｙｘ ６ ａ、６ｂが○印で囲んだ拡大平面図
で示すように多数個の微小孔９を有するメツシュ状金属
膜１０で形成されている。ここで垂直用偏向＠ ％ ６
ｃ ＊ ６ ｄは図示されないが水平用偏向電極６ａ
、６ｂと同様に多数個の微小孔９を有するメツシュ状金
属膜１０で形成されている。
このような構成によれば、撮像管１の外面に配置され定
バイアスライト２から放射され几バイアスライト光は、
ガラスパルプ３お工び各偏向電極６ａ〜６ｄの微小孔９
を透過して光導電ターゲット５に照射させることができ
る。ま之、光導電ターゲット５０表面のスキャン領域外
をマスキングし披写体入射光を遮断するマスクを設け、
このマスクにオーバースキャンすることにエリ、バイア
スライト光のみの（ｉ号電流を取り出すことができ、順
次黒レベルの補正が可能となる。さらにバイアスライト
２が外付けであるためにバイアスライト２の設置、父撲
等を自由に行なうことができる。
バイアスライト２から放射され几バイアスライト光は、
ガラスパルプ３お工び各偏向電極６ａ〜６ｄの微小孔９
を透過して光導電ターゲット５に照射させることができ
る。ま之、光導電ターゲット５０表面のスキャン領域外
をマスキングし披写体入射光を遮断するマスクを設け、
このマスクにオーバースキャンすることにエリ、バイア
スライト光のみの（ｉ号電流を取り出すことができ、順
次黒レベルの補正が可能となる。さらにバイアスライト
２が外付けであるためにバイアスライト２の設置、父撲
等を自由に行なうことができる。
本発明によれば、撮像管の外面から光導電ターゲットに
バイアスライト光が入射できるので、バイアスライトの
設置が自由となるとともに黒レベルの、１．１１整が容
易に行なうことができるという極めて侵れｔ効果が得ら
れる。
バイアスライト光が入射できるので、バイアスライトの
設置が自由となるとともに黒レベルの、１．１１整が容
易に行なうことができるという極めて侵れｔ効果が得ら
れる。
第１図は本発明による撮像装置の一例を示す要部断面構
成図、第２図は第１図の静電偏向電極の展開図である。 １・・・・撮像管、２・・・・バイアスライト、３・・
・・ガラスパルプ、４・・・・フェースプレート、５・
・・・光導電ターゲット、６・・・・静電偏向電極、６
ａ、６ｂ・・・・水平用Ｌｌ向篭極、５ｃ 、６ｄ・・
・・垂直用回向電極、６ｅ・・・・透光部、９・・・・
微小孔、１０・・・第１図 ２・バ′イアスデイト ３ ガラスノく゛ルゲ ４．７Ｓ−スフル−ト ５； 又、×Ｅｌｆターゲ°°ット ６ 静電１ち１１砲 ８：ｔケタＬ 第２図 ６：ｉ？さ１し′イ４巳］１イ墾（堵１６ａ、６ｂ ：
水導倫藺田ｆ流 ６Ｃ，６ｄ：坐！１Ｉ１１１＋釦倒逅黛９：懺・ｒ挑
成図、第２図は第１図の静電偏向電極の展開図である。 １・・・・撮像管、２・・・・バイアスライト、３・・
・・ガラスパルプ、４・・・・フェースプレート、５・
・・・光導電ターゲット、６・・・・静電偏向電極、６
ａ、６ｂ・・・・水平用Ｌｌ向篭極、５ｃ 、６ｄ・・
・・垂直用回向電極、６ｅ・・・・透光部、９・・・・
微小孔、１０・・・第１図 ２・バ′イアスデイト ３ ガラスノく゛ルゲ ４．７Ｓ−スフル−ト ５； 又、×Ｅｌｆターゲ°°ット ６ 静電１ち１１砲 ８：ｔケタＬ 第２図 ６：ｉ？さ１し′イ４巳］１イ墾（堵１６ａ、６ｂ ：
水導倫藺田ｆ流 ６Ｃ，６ｄ：坐！１Ｉ１１１＋釦倒逅黛９：懺・ｒ挑
Claims (1)
- １、内壁面に静電偏向電極を形成した撮像管の外面にバ
イアスライトを配置し該バイアスライト光を撮像管の光
導電ターゲットに照射させてなる撮像装置において、前
記静電偏向電極を多数の微小孔を有する金属膜で形成し
たことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61059147A JPS62217543A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61059147A JPS62217543A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62217543A true JPS62217543A (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=13104931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61059147A Pending JPS62217543A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62217543A (ja) |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP61059147A patent/JPS62217543A/ja active Pending
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