JPS62216524A - Clock generator - Google Patents

Clock generator

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Publication number
JPS62216524A
JPS62216524A JP61059919A JP5991986A JPS62216524A JP S62216524 A JPS62216524 A JP S62216524A JP 61059919 A JP61059919 A JP 61059919A JP 5991986 A JP5991986 A JP 5991986A JP S62216524 A JPS62216524 A JP S62216524A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
potential
mos transistor
power supply
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61059919A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Nakayama
博史 中山
Yukihiro Kagenishi
蔭西 幸博
Akira Osawa
彰 大沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP61059919A priority Critical patent/JPS62216524A/en
Publication of JPS62216524A publication Critical patent/JPS62216524A/en
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Abstract

PURPOSE:To keep output impedance lower at H level output even when the leakage of electric charge exists in a gate by connecting a pumping circuit to the gate of an output MOS transistor (TR). CONSTITUTION:In the pumping circuit 18, a drain of a MOS TR 19 is connected to a power supply and a gate is connected in common to a source of a MOS TR 21 and also to a node N1, a gate of a MOS TR 20 is connected to the power supply, the drain and source of the MOS TR 21 are connected in common and one terminal of a capacitor 16 is connected to a common connecting node N2. When the potential of the node N1 reaches a value being the addition of the power potential and a threshold voltage due to the leakage of electric charge or below, the MOS TR 21 is turned on to keep the potential at an output termi nal C to the power supply potential. Thus, even when the leakage of electric charge exists in the node N1, the output impedance at H level output is kept low.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はMOS)ランジスタを用いて構成したクロック
発生器に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a clock generator constructed using MOS transistors.

従来の技術 ダイナεツク−ランダム・アクセス・メモリ(以下DR
AMと称する)の動作においても、長時間に渡って内部
の状態を保持しなければならない場合がある。この目的
を達成するだめには、内部信号の電圧値を安定な値に保
持する必要があり、ボンピング回路カj用いられる。第
3図はDRAM内に作り込まれる内部信号発生回路にポ
ンピング回路を付加した従来の回路例であり、Nチャネ
ルエンハンスメント形MOSトランジスタ1〜14、コ
ンデンサ15.16およびリングオシレータ17とで構
成されている。なお、破線枠18で包囲した回路部がポ
ンピング回路、人はクロック信号φムが印加される端子
、Bはクロック信号φBが印加される端子、Cは出力端
子、そしてN1は節点(ノード)である。
Conventional technology Dynamic random access memory (hereinafter referred to as DR)
(referred to as AM), it may be necessary to maintain the internal state for a long period of time. To achieve this purpose, it is necessary to maintain the voltage value of the internal signal at a stable value, and a pumping circuit is used. FIG. 3 shows an example of a conventional circuit in which a pumping circuit is added to an internal signal generation circuit built into a DRAM, and is composed of N-channel enhancement type MOS transistors 1 to 14, capacitors 15 and 16, and a ring oscillator 17. There is. The circuit section surrounded by the broken line frame 18 is a pumping circuit, B is a terminal to which clock signal φB is applied, B is a terminal to which clock signal φB is applied, C is an output terminal, and N1 is a node. be.

以上のように構成された回路では、端子AとBに第4図
で示すクロック信号φムとφBがそれぞれ印加されるこ
とによって、出力端子Cには第4図で示す信号φGが得
られる。したがって、出力信号φGの論理レベルを、、
4  ″Hnレベルに保持するためには、クロック信号
φムを”1(″レベルK、一方、クロック信号φBをロ
ウ“L”レベルに保つ必要がある。また出力信号φGの
論理レベルを”L ITレベルに保持するためには、ク
ロ、ツク信号φ、を”L、 11レベルに、一方、クロ
ック信号φBをH”レベルに保つ必要がある。
In the circuit configured as described above, by applying the clock signals φM and φB shown in FIG. 4 to the terminals A and B, respectively, the signal φG shown in FIG. 4 is obtained at the output terminal C. Therefore, the logic level of the output signal φG is
4 In order to keep the clock signal φM at the ``1'' level (K), it is necessary to keep the clock signal φB at the low ``L'' level. Also, the logic level of the output signal φG must be kept at the ``L'' level. In order to maintain the IT level, it is necessary to maintain the clock signal φ at the "L" level and the clock signal φB at the "H" level.

ところで、出力端子Cに”H”し、ベルの出力信号が出
力されている時にはMOSトランジスタ1゜4がオン状
態となるのでMOSトランジスタγのゲートの電荷はM
OS)ランジスタロと4を通して引き抜かれ、MOSト
ランジスタ7はオフ状態となる。また、クロック信号φ
Bが”L″レベルのでMOS )ランジスタ8もオフ状
態になる。
By the way, when the output terminal C is "H" and the output signal of Bell is output, the MOS transistor 1.4 is in the on state, so the charge on the gate of the MOS transistor γ is M.
(OS) transistor 4 is pulled out, and the MOS transistor 7 is turned off. Also, the clock signal φ
Since B is at the "L" level, the MOS transistor 8 is also turned off.

したがって、′H”レベル出力時に節点N1 はフロー
ティング状態になる。このとき節点N1 の電位はコン
デンサ15によるブートストラップ効果によって電源電
位よりもさらにしきい値電圧分以上の高い値となり、出
力端子Cの電位を電源電位に保つ。しかしながら、節点
N1 の電荷が何らかの原因で漏洩し、節点N1の電位
が電源電位にしきい値電圧を加えた値よりも低くなると
出力端子Cの電位は電源電位よりも低くなってしまう。
Therefore, when the 'H' level is output, the node N1 is in a floating state. At this time, the potential of the node N1 becomes a value higher than the power supply potential by more than the threshold voltage due to the bootstrap effect of the capacitor 15, The potential is kept at the power supply potential.However, if the charge at node N1 leaks for some reason and the potential at node N1 becomes lower than the sum of the power supply potential and the threshold voltage, the potential at output terminal C becomes lower than the power supply potential. turn into.

この出力電位の低下を補償するためにMOS )ランジ
スタ13.14とコンデンサ16とで構成されるポンピ
ング回路18が用いられる。すなわち、リングオシレー
タ17の出力信号とコンデンサ1θによってMOS)ラ
ンジスタ13のゲートを電源電位よりもしきい値電圧分
以上に高電位にして、出力端子Cの電位を電源電位まで
回復させていた。
In order to compensate for this drop in output potential, a pumping circuit 18 consisting of MOS transistors 13, 14 and a capacitor 16 is used. That is, the output signal of the ring oscillator 17 and the capacitor 1θ make the gate of the MOS transistor 13 higher in potential than the power supply potential by more than the threshold voltage, and the potential of the output terminal C is restored to the power supply potential.

発明が解決しようとする問題点 従来例の回路ではMOS )ランジスタ13のインピー
ダンスを低くすると”L”レベル出力時に出力端子Cの
電位が高くなってしまうので、MOSトランジスタ13
のサイズを充分に小さくしておく必要がある。このため
”H”レベル出力時で、しかも節点N1の電位が電荷漏
洩によって低下している場合には、出力インピーダンス
を低く保持することが不可能となる。この時に他の信号
とのカップリングによって出力端子Cの電位が急激に低
下すると、この電位を電源電位まで回復させるのに長い
時間が必要となる。このため、電位回復期間内に次段以
降が誤動作を起すことがある。
Problems to be Solved by the Invention In the conventional circuit, if the impedance of the MOS transistor 13 is lowered, the potential of the output terminal C becomes higher when the "L" level is output.
It is necessary to keep the size sufficiently small. Therefore, when the "H" level is output and the potential of the node N1 is lowered due to charge leakage, it becomes impossible to maintain the output impedance low. At this time, if the potential of the output terminal C suddenly drops due to coupling with other signals, it will take a long time to restore this potential to the power supply potential. For this reason, the next stage and subsequent stages may malfunction during the potential recovery period.

本発明は”H”レベル出力時にブートストラップ効果に
よってゲート電位が電源電位よりもしきい値電圧分以上
の高い電位に達するNチャネルエンハンスメント形MO
8)ランジスタのゲートにポンピング回路を接続し、こ
のゲートに電荷漏洩が存在する場合でも出力インピーダ
ンスを長時間に渡って低い値保持できるり07り発生器
を提供するものである。
The present invention is an N-channel enhancement type MO in which the gate potential reaches a potential higher than the power supply potential by more than the threshold voltage due to the bootstrap effect when the "H" level is output.
8) A pumping circuit is connected to the gate of the transistor to provide a generator that can maintain the output impedance at a low value for a long time even if there is charge leakage at the gate.

問題点を解決するための手段 本発明のクロック発生器は、第1および第2のクロック
信号の論理レベルがハイレベルおよびロウレベルもしく
はロウレベルおよびハイレベルであることにより出力の
論理レベルが変化するとともに、第1の容量によるブー
トストラップ効果でハイレベル時の電位が電源電位に保
たれるクロック発生回路の、前記第1容量接続節点と電
源端子との間に、エンハンスメント形の第1.第2およ
び第3のMOS トランジスタのドレインソース回路を
縦続に接続し、さらに、前記第1のMOSトランジスタ
のゲートを前記第1容量接続節点にソースが繋る第3の
MOSトランジスタのソースと共通接続し、第2のMO
S )ランジスタのゲートを電源端子に接続し、第3の
MOS)ランジスタのドレインとゲートを共通接続する
とともに、同共通接続点に、一端がリングオシレータの
出力端子に繋る第2の容量の他端を接続した構成を具備
するものである。
Means for Solving the Problems In the clock generator of the present invention, the logic level of the output changes when the logic levels of the first and second clock signals are high level and low level or low level and high level, and A first capacitor of an enhancement type is connected between the first capacitor connection node and the power supply terminal of the clock generation circuit in which the potential at high level is kept at the power supply potential due to the bootstrap effect of the first capacitor. Drain source circuits of the second and third MOS transistors are connected in cascade, and the gate of the first MOS transistor is commonly connected to the source of a third MOS transistor whose source is connected to the first capacitor connection node. and the second MO
S) The gate of the transistor is connected to the power supply terminal, and the drain and gate of the third MOS) transistor are commonly connected, and at the same common connection point, there is a second capacitor whose one end is connected to the output terminal of the ring oscillator. It has a configuration in which the ends are connected.

作用 本発明のクロック発生器では、出力用MOSトランジス
タのゲートに電荷漏洩が存在する場合でも、“HIT 
レベル出力時の出力インピーダンスを長時間に渡って低
く保持することができ、出力信号線の電位が他の信号線
とのカップリングによって急激に低下した場合でも短時
間で元の電位まで回復させることができる。
Operation In the clock generator of the present invention, even if there is charge leakage at the gate of the output MOS transistor, “HIT
The output impedance during level output can be kept low for a long time, and even if the potential of the output signal line suddenly drops due to coupling with other signal lines, it can be restored to the original potential in a short time. I can do it.

実施例 第1図は、本発明のクロック発生器の実施例を示す図で
あり、第3図で示しだ従来のクロック発生器とはボンピ
ング回路18の構成が相違している。なお、従来の回路
要素と同一の回路要素には同一の番号ならびに符号を付
与している。
Embodiment FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the clock generator of the present invention, which is different from the conventional clock generator shown in FIG. 3 in the configuration of the pumping circuit 18. Note that circuit elements that are the same as conventional circuit elements are given the same numbers and symbols.

本発明では、ボンピング回路18が、ドレインソース回
路を縦続接続したNチャネルエンハンスメント形MO8
)ランジスタ19.20および21とコンデンサ16を
有し、さらに、MOSトランジスタ19のドレインを電
源に、ゲートをMOSトランジスタ21のソースと共通
接続するとともに節点N1に接続し、MOSトランジス
タ2oのゲートを電源に接続し、また、MOS )ラン
ジスタ21のドレインとソースを共通接続し、この共通
接続節点N2にコンデンサ16の一端を接続した構成と
なっている。
In the present invention, the bombing circuit 18 is an N-channel enhancement type MO8 in which drain source circuits are connected in cascade.
) transistors 19, 20 and 21, and a capacitor 16; furthermore, the drain of the MOS transistor 19 is connected to the power source, the gate is commonly connected to the source of the MOS transistor 21 and connected to the node N1, and the gate of the MOS transistor 2o is connected to the power source. In addition, the drain and source of the MOS transistor 21 are connected in common, and one end of the capacitor 16 is connected to this common connection node N2.

以上のように構成された本発明のクロック発生器でも、
出力端子Cの出力レベルが”H”レベルの時に節点N1
がフローティング状態となる。したがって、節点N1の
電位はコンデンサ16のブートストラップ効果によって
電源電位よりもさらにしきい値電圧分以上の高い電圧に
保たれる。
Even in the clock generator of the present invention configured as described above,
When the output level of output terminal C is “H” level, node N1
becomes floating. Therefore, the potential of the node N1 is kept at a voltage higher than the power supply potential by the threshold voltage or more due to the bootstrap effect of the capacitor 16.

ところで、ボンピング回路18は、”H”レベル出力時
に以下のような回路動作を実行する。すなわち、リング
オシレータ17の出力がL”レベルであると、ゲートが
節点N1に接続されたMOS トランジスタ19とゲー
トが電源に接続されたMOS )ランジスタ20がオン
状態となり、一方、MOS トランジスタ21がオフ状
態となる。
By the way, the bombing circuit 18 performs the following circuit operation when outputting the "H" level. That is, when the output of the ring oscillator 17 is at L level, the MOS transistor 19 whose gate is connected to the node N1 and the MOS transistor 20 whose gate is connected to the power supply are turned on, while the MOS transistor 21 is turned off. state.

したがって、コンデンサ16はMOS )ランジスタ1
9と20を通して充電される。次に、リングオシレータ
17の出力が″H″レベルになると、節点N2の電位は
電源電位よりもしきい値電圧の2倍以上高い値になり、
MOS )ランジスタ2゜はオフ状態になる。節点N1
の電位が電荷漏洩によって電源電位にしきい値電圧を加
えた値以下になると、MOS トランジスタ21がオン
状態となり、節点N1の電位を回復させて、出力端子C
の電位を電源電位に保つことができる。したがって節点
N1に電荷漏洩が存在する場合でもH”レベル出力時の
出力インピーダンスを低く保つことができる。このため
、出力端子Cの電位が他の信号線とのカップリングの影
響を受けて急激に低下した場合でも、短時間で元の電位
まで回復させることができ、次段以後の回路部の誤動作
を防止することができる。
Therefore, capacitor 16 is MOS) transistor 1
It is charged through 9 and 20. Next, when the output of the ring oscillator 17 becomes "H" level, the potential of the node N2 becomes a value that is more than twice the threshold voltage than the power supply potential.
MOS) transistor 2° is turned off. Node N1
When the potential of the node N1 becomes lower than the value obtained by adding the threshold voltage to the power supply potential due to charge leakage, the MOS transistor 21 turns on, restores the potential of the node N1, and outputs the output terminal C.
can maintain the potential at the power supply potential. Therefore, even if there is charge leakage at node N1, the output impedance during H" level output can be kept low. Therefore, the potential of output terminal C is affected by coupling with other signal lines, and the output impedance can be kept low. Even if the potential drops, it can be restored to the original potential in a short time, and malfunctions of circuit sections in subsequent stages can be prevented.

第2図は、本発明のクロック発生器の他の実施例を示す
図であり、出力用のMOSトランジスタ11をボンピン
グ回路18を構成するMOS )ランジスタとして共用
したものである。この構成では、MOSトランジスタ1
1が第1図で示した回路のMOS)ランジスタ19に相
当するものとして機能する。このように構成されたボン
ピング回路も、その回路動作は第1図のボンピング回路
の動作と同じで今り、出力端子Cの電位が低下する回路
状態が成立しても、短時間に電位を回復させることがで
きる。
FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the clock generator of the present invention, in which the output MOS transistor 11 is also used as a MOS transistor constituting a bombing circuit 18. In this configuration, MOS transistor 1
1 functions as a transistor corresponding to the MOS transistor 19 of the circuit shown in FIG. The circuit operation of the pumping circuit configured in this way is the same as that of the pumping circuit shown in Fig. 1, and even if a circuit state in which the potential of the output terminal C drops is established, the potential can be restored in a short time. can be done.

発明の効果 本発明のクロック発生器は、”H″レベル出力時にブー
トストラップ効果によって電源電位よシもさらにしきい
値電圧分以上の高い電位になる出力用MO8)ランジス
タのゲートにボンピング回路が接続されており、前記出
力用MOSトランジスタのゲートに電荷漏洩が存在する
場合でも”H”レベル出力時の出力インピーダンスを低
く保つことができる。したがって、ダイナミック回路で
はあるもののスタティック動作も可能である。また、他
の信号線とのカップリングによって出力電位が急激に低
下しても、この電位を短時間で回復させて次段以降の誤
動作を誤ぐことかできる。このため、回路動作の安定化
の面で大きな効果が奏される0
Effects of the Invention In the clock generator of the present invention, a pumping circuit is connected to the gate of the output MO8) transistor, which has a potential higher than the power supply potential by the threshold voltage due to the bootstrap effect when outputting the "H" level. Therefore, even if there is charge leakage at the gate of the output MOS transistor, the output impedance at the time of "H" level output can be kept low. Therefore, although it is a dynamic circuit, static operation is also possible. Furthermore, even if the output potential drops suddenly due to coupling with other signal lines, this potential can be recovered in a short time to prevent malfunctions in the next stage and subsequent stages. Therefore, the 0

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は本発明の一実施例におけるクロッ
ク発生器の構成を示す回路図、第3図は従来のクロック
発生器の構成を示す回路図、第4図は入出力パルスの波
形とタイミングを示すタイミングチャートである。 人、B・・・・・・クロック信号印加端子、C・・・・
・・出力端子、1〜14.19〜21・・・・・・Nチ
ャネルエンハンスメント形MOSトランジスタ、15.
16・・・・・・コンデンサ、17・・・・・・リング
オシレータ、18・・・・・・ボンピング回路、N1.
N2・・・・・・節点。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名C・
−−を刀痛チ N+、It−・−詐A。 IJ 2 図
1 and 2 are circuit diagrams showing the configuration of a clock generator in an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional clock generator, and FIG. 4 is a waveform of input/output pulses. This is a timing chart showing the timing. Person, B...Clock signal application terminal, C...
...Output terminal, 1-14.19-21...N-channel enhancement type MOS transistor, 15.
16... Capacitor, 17... Ring oscillator, 18... Bumping circuit, N1.
N2...Node. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and one other person C.
--totoachechi N+, It-・-Sho A. IJ2 diagram

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)第1および第2のクロック信号の論理レベルがハ
イレベルおよびロウレベルもしくはロウレベルおよびハ
イレベルであることにより出力の論理レベルが変化する
とともに、第1の容量によるブートストラップ効果でハ
イレベル時の電位が電源電位に保たれるクロック発生回
路の、前記第1容量接続節点と電源端子との間に、エン
ハンスメント形の第1、第2および第3のMOSトラン
ジスタのドレインソース回路を縦続に接続し、さらに、
前記第1のMOSトランジスタのゲートを前記第1容量
接続節点にソースが繋る第3のMOSトランジスタのソ
ースと共通接続し、第2のMOSトランジスタのゲート
を電源端子に接続し、第3のMOSトランジスタのドレ
インとゲートを共通接続するとともに、同共通接続点に
、一端がリングオシレータの出力端子に繋る第2の容量
の他端を接続したことを特徴とするクロック発生器。
(1) The logic level of the output changes due to the logic levels of the first and second clock signals being high level and low level or low level and high level, and the bootstrap effect due to the first capacitance causes the output to change at high level. Drain-source circuits of first, second, and third enhancement-type MOS transistors are connected in cascade between the first capacitor connection node and the power supply terminal of a clock generation circuit whose potential is maintained at the power supply potential. ,moreover,
The gate of the first MOS transistor is commonly connected to the source of a third MOS transistor whose source is connected to the first capacitor connection node, the gate of the second MOS transistor is connected to a power supply terminal, and the third MOS transistor A clock generator characterized in that the drains and gates of the transistors are commonly connected, and the other end of a second capacitor, one end of which is connected to the output terminal of a ring oscillator, is connected to the common connection point.
(2)第1のMOSトランジスタをクロック発生回路内
の出力用MOSトランジスタが兼ねることを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載のクロック発生器。
(2) The clock generator according to claim 1, wherein an output MOS transistor in the clock generation circuit also serves as the first MOS transistor.
JP61059919A 1986-03-18 1986-03-18 Clock generator Pending JPS62216524A (en)

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