JPS62214451A - Storage device control system - Google Patents

Storage device control system

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Publication number
JPS62214451A
JPS62214451A JP61058740A JP5874086A JPS62214451A JP S62214451 A JPS62214451 A JP S62214451A JP 61058740 A JP61058740 A JP 61058740A JP 5874086 A JP5874086 A JP 5874086A JP S62214451 A JPS62214451 A JP S62214451A
Authority
JP
Japan
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storage device
simultaneous
write
storage devices
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP61058740A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hironori Yamamoto
浩憲 山本
Hideki Sugiyama
秀樹 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP61058740A priority Critical patent/JPS62214451A/en
Publication of JPS62214451A publication Critical patent/JPS62214451A/en
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Abstract

PURPOSE:To shorten the processing time by selecting plural storage devices simultaneously when a simultaneous designation mode signal is sent and writing the same information in all storage devices simultaneously by one write instruction from a host device. CONSTITUTION:A mode designating part 4 consists of an AND circuit 41 and an FF 42, and the circuit 41 operates AND between a write designation signal from a CPU 2 and a simultaneous selection mode indicating signal from a storage device control part 3. The FF 42 sets the output terminal Q to '1' if simultaneous write designation is indicated, and the FF 42 sets the terminal Q to '0' if this designation is released, and a simultaneous selecting part 5 selects storages devices 1(0)-1(n) simultaneously when receiving the simultaneous selection mode signal from the designating part 4.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 複数の記憶装置を有するデータ処理システムにおける記
憶装置制御方式であって、前記複数の記憶装置の書込み
処理を各記憶装置に対してシリアルに処理していたのに
対して、同時指定モード信号が送出されている時は前記
複数の記憶装置を同時選択して、上位装置からの1回の
書込み命令で全ての記憶装置に同一情報を同時に書込み
するように構成することにより、同一情報の書込み処理
動作の時間短縮が可能となる。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] A storage device control method in a data processing system having a plurality of storage devices, in which write processing for the plurality of storage devices is serially processed for each storage device. On the other hand, when a simultaneous designation mode signal is sent, the plurality of storage devices are simultaneously selected, and the same information is simultaneously written to all the storage devices with one write command from the host device. By doing so, it becomes possible to shorten the time required for writing the same information.

〔産業正の利用分野〕[Utilization field of industry positive]

本発明は、複数の記憶装置を有するデータ処理システム
における記憶装置制御方式に関する。
The present invention relates to a storage device control method in a data processing system having a plurality of storage devices.

通常、記憶装置を有するデータ処理システムにあっては
、データ処理システムの動作開始時に記憶装置の動作を
確認するための情報の書込み及び記憶内容のクリア処理
が行われる。
Normally, in a data processing system having a storage device, when the data processing system starts operating, information is written to confirm the operation of the storage device and processing to clear the stored contents is performed.

一方、最近の大規模集積回路技術の進歩等により、使用
される記憶装置の記憶容量も大容量となり、それに伴い
情報の書込み及びクリア処理に要する時間も増大して来
ている。
On the other hand, due to recent advances in large-scale integrated circuit technology, the storage capacity of the storage devices used has increased, and the time required for writing and clearing information has accordingly increased.

かかる情報の書込み及びクリア処理が効率的に実施出来
る記憶装置制御方式の実用化が必要とされている。
There is a need to put into practical use a storage device control system that can efficiently perform such information writing and clearing processing.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図は従来例を説明するブロック図を示す。 FIG. 3 shows a block diagram illustrating a conventional example.

第3図に示す記憶装置1(O)〜1(3)は8096語
×8ビットの記憶装置(例えば、メモリ(1?AM))
を4個使用した場合を例としている。
Storage devices 1(O) to 1(3) shown in FIG. 3 are 8096 word x 8 bit storage devices (for example, memory (1?AM)).
The example is the case where four are used.

中央処理装置(以下CPUと称する)2はクロック発生
部6から送出されるクロック信号(端子CLKに入力)
に基づき動作し、端子Aから送出するアドレス信号AO
−A15により複数の記憶装置1(o)〜1(3)を指
定して情報の書込みを命令する。
The central processing unit (hereinafter referred to as CPU) 2 receives a clock signal (input to terminal CLK) sent from the clock generator 6.
The address signal AO is operated based on the address signal AO and sent from terminal A.
-A15 specifies a plurality of storage devices 1(o) to 1(3) and instructs them to write information.

アドレス信号へ〇−A15のうち、上位3桁のアドレス
信号A13〜A15は記憶装置制御部3で変換して各記
憶装置1(0)〜1(3)に対するチップセレクト信号
CSとなり、記憶装置1(O)〜1(3)のうちの1つ
のアクセスを指定する。又、アドレス信号AO−At2
は各記憶装置1(0)〜1(3)内のアドレスを指定す
る。
To address signal 〇-A15, the upper three digits of address signals A13 to A15 are converted by the storage device control unit 3 to become chip select signals CS for each storage device 1(0) to 1(3). Specify one access from (O) to 1(3). Also, the address signal AO-At2
specifies an address within each storage device 1(0) to 1(3).

尚、CPU2の端子Wは書込み指定信号を送出する端子
で、この信号は各記憶装置1(0)〜1(3)側ではラ
イトイネーブル信号WEとなる。又、端子EはCPU2
から出力されるイネーブル信号端子、端子りは書込み情
報Do−07(8ビツトの情fIa)を送出する端子を
意味する。
Note that the terminal W of the CPU 2 is a terminal for sending out a write designation signal, and this signal becomes a write enable signal WE on each of the storage devices 1(0) to 1(3). Also, terminal E is CPU2
The enable signal terminal outputted from the terminal means a terminal for transmitting write information Do-07 (8-bit information fIa).

例えば、各記憶装置1(0)〜1(3)に対する同一情
報の占込みやクリア処理を行う場合は、CPU2がらの
アドレス信号AO〜A15により各記憶装置1(o)〜
1(3)及びそのアドレスが指定され、指定された当該
記憶装置1(0)〜1(3)に対して書込み処理が実行
される。
For example, when performing the same information filling and clearing processing for each storage device 1(0) to 1(3), each storage device 1(o) to
1(3) and its address are specified, and write processing is executed for the specified storage devices 1(0) to 1(3).

即ち、例えば記憶装置1(0)に同一情報の書込みを行
う場合、CPU2はアドレス信号AI3〜A15(記憶
装置制御部3の端子A−Cに入力)を記憶装置制御部3
で変換して、当該記憶装置1(o)を指定する。
That is, for example, when writing the same information to the storage device 1(0), the CPU 2 sends address signals AI3 to A15 (input to terminals A-C of the storage device control section 3) to the storage device control section 3.
to specify the storage device 1(o).

同時に、アドレス信号AO〜A12で当該記憶装置1(
0)内のアドレスを指定し、ライトイネーブル信号畦に
より指定アドレスに同一情報Do −07の書込みを行
う。
At the same time, the memory device 1 (
0), and write the same information Do-07 to the specified address using the write enable signal.

これを各記憶装置1(0)〜1(3)の全てのアドレス
に対して順次繰り返し実施して、各記憶装置1(o)〜
1(3)の同一情報の書込みゃクリア処理を行っていた
。尚、クリア処理とは“oooooooo”の情報を書
込み、記憶装置の内容を全て“0”にすることである。
This is repeated in sequence for all addresses of each storage device 1(0) to 1(3), and each storage device 1(o) to
1(3), if the same information was written, clear processing was performed. Note that the clearing process means writing the information "oooooooo" and setting all the contents of the storage device to "0".

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述のように、クリア処理は例えば情報“111111
11”が書込まれている場合、その情報上に情報“oo
oooooo”を書込むことにより、クリア処理として
いる。
As mentioned above, the clearing process is performed when the information “111111” is cleared, for example.
11” is written, the information “oo
Clearing is performed by writing "oooooo".

しかし、その従来のクリア用書込み処理は各記憶装置1
(0)〜1(3)に対してシリアルに1つ1つクリア処
理を行っているため、システムの記憶容量が増大するに
比例して、その処理時間も増大(処理時間は記憶容量の
総和に比例する)すると言う問題点があった。
However, the conventional write process for clearing is
(0) to 1(3) are serially cleared one by one, so as the system storage capacity increases, the processing time also increases (the processing time is the sum of the storage capacity). There was a problem in that it was proportional to (proportional to).

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

第1図は本発明の詳細な説明するブロック図を示す。 FIG. 1 shows a block diagram illustrating the invention in detail.

第1図に示す本原理ブロック図は、 情報を記憶する複数の記憶装置1(o)〜1(n)から
なる記憶装置群1と、 記憶装置群1に対する情報の書込み/読出しの指示を行
う中央処理装置2と、 中央処理装置2からの命令により記憶装置群1の情報の
占込み/続出し処理動作の実行を制御する記憶装置制御
部3と、 中央処理装置2からの命令により複数の記憶装置1(0
)〜1(n)を同時選択せしめるための同時選択モード
を指定するモード指定手段(モード指定部)4と、 モード指定手段(モード指定部)4から同時選択モード
信号を受けた時は各記憶装置1(0)〜1(n)を同時
選択する同時選択手段(同時選択部)5とから構成され
ている。
The block diagram of this principle shown in FIG. 1 includes a storage device group 1 consisting of a plurality of storage devices 1(o) to 1(n) that store information, and a storage device group 1 that instructs writing/reading of information to the storage device group 1. a central processing unit 2; a storage device control unit 3 that controls execution of information occupancy/continued processing operations of the storage device group 1 according to instructions from the central processing unit 2; Storage device 1 (0
) to 1(n) at the same time. When a simultaneous selection mode signal is received from the mode specifying means (mode specifying section) 4, each memory is It is composed of simultaneous selection means (simultaneous selection section) 5 for simultaneously selecting devices 1(0) to 1(n).

〔作用〕[Effect]

モード指定手段(モード指定部)から同時指定モード信
号が同時選択手段(同時選択部)に送出されている時は
、前記複数の記憶装置を同時選択して、CPUからの1
回の書込み命令で全ての記憶装置に同一情報、例えば“
oooooooo”情報を同時に書込むように構成する
ことにより、同一情報の占込み処理動作の時間短縮が可
能となる。
When a simultaneous designation mode signal is sent from the mode designation means (mode designation section) to the simultaneous selection means (simultaneous selection section), the plurality of storage devices are selected simultaneously, and one
The same information can be written to all storage devices with a single write command, for example “
By writing the "oooooooooo" information at the same time, it is possible to shorten the time required for the input processing operation for the same information.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明の要旨を第2図に示す実施例により具体的に
説明する。
The gist of the present invention will be specifically explained below with reference to an embodiment shown in FIG.

第2図は本発明の詳細な説明するブロック図を示す。尚
、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
FIG. 2 shows a block diagram illustrating the invention in detail. Note that the same reference numerals indicate the same objects throughout the figures.

本実施例も記憶装置群1として、8096語×8ビット
の4つの記憶装置(例えば、メモリ(RAM))1(O
)〜1(3)で構成させた場合を例とする。
In this embodiment as well, four storage devices (for example, memory (RAM)) 1 (O
) to 1(3) will be taken as an example.

本実施例のモード指定部4は、 記憶装置制御部3の°端子6から出力される同時選択モ
ード指示信号と、CPU2の端子Wから出力する書込み
指定信号との論理積条件を取るAND回路41と、 CPU2から同時書込み指定が指示された場合、即ちC
PU2からのデータDoが“1”の状態で同時選択モー
ド指示信号と、書込み指定信号とが同時にオンの時は、
クロック端子CKがオンとなりその出力端子Qを“1”
となるように、又CPU2から同時書込み指定が解除さ
れた場合、即ちCPU2からのデータDoが“0”の状
態で同時選択モード指示信号と、書込み指定信号とが同
時にオンの時は、その出力端子Qを“0”とするように
構成されているフリップフロップ(以下FPと称する)
42とからなっている。
The mode designation unit 4 of this embodiment includes an AND circuit 41 that takes a logical product condition of the simultaneous selection mode designation signal output from the terminal 6 of the storage device control unit 3 and the write designation signal output from the terminal W of the CPU 2. When simultaneous writing is specified from CPU2, that is, C
When the data Do from PU2 is “1” and the simultaneous selection mode instruction signal and the write specification signal are on at the same time,
Clock terminal CK turns on and its output terminal Q becomes “1”
In addition, when the simultaneous write designation is canceled from the CPU 2, that is, when the data Do from the CPU 2 is "0" and the simultaneous selection mode instruction signal and the write designation signal are on at the same time, the output A flip-flop (hereinafter referred to as FP) configured to set the terminal Q to "0"
It consists of 42.

又、同時選択部5は2つのNOT回路51.52.1つ
のNANI)回路53及び各記憶装置1(0)〜1(3
)に対応して設けられているOR回路54 (0)〜5
4 (3) とから構成されている。
Further, the simultaneous selection section 5 includes two NOT circuits 51, 52, one NANI) circuit 53 and each storage device 1(0) to 1(3).
) OR circuits 54 (0) to 5 provided corresponding to
4 (3).

記憶装置制御部3はデコーダからなっており、CPU2
から出力されるアドレス信号^13〜A15の組合わせ
をデコードして、CPU2からのイネーブル信号量に同
期したパルスを出力端子O〜7に出力する。
The storage device control unit 3 consists of a decoder, and the CPU 2
It decodes the combination of address signals ^13 to A15 output from the CPU 2 and outputs pulses synchronized with the enable signal amount from the CPU 2 to the output terminals O to 7.

尚、出力端子θ〜3の出力はそれぞれの記憶装置1(0
)〜1(3)の選択に使用され、端子6は同時書込みを
行うか否かの指定を行うFF42の選択に使用され、端
子4.5及び7は本実施では未使用となる。
Note that the outputs of the output terminals θ~3 are connected to the respective storage devices 1 (0
) to 1(3), terminal 6 is used to select FF 42 for specifying whether or not to perform simultaneous writing, and terminals 4, 5 and 7 are unused in this embodiment.

通常、FF42の出力端子Qは“0” (即ち、“ロウ
レベル”)となっているため、NAND回路53の出力
は1″ (即ち、′ハイレベル”)となる。
Normally, the output terminal Q of the FF 42 is "0" (ie, "low level"), so the output of the NAND circuit 53 is 1" (ie, 'high level').

従って、例えばアドレス信号A15 =A14 =AI
3=″0”の時は記憶装置1(0)、アドレス信号A1
5=^14=“O”、 A13 =“1″の時は記憶装
置1(1)が選択され、それぞれに情報DO〜D7の書
込みを行う。
Therefore, for example, address signal A15 = A14 = AI
When 3=“0”, storage device 1 (0), address signal A1
When 5=^14="O" and A13="1", storage device 1 (1) is selected, and information DO to D7 is written to each.

次に、CPU2から同時書込み指定がなされると、デー
タDOが“1”となると同時に記憶装置制御部3のデコ
ードにより出力端子6も“1”となり、FF42の出力
端子Qは1”となる。
Next, when simultaneous writing is designated by the CPU 2, the data DO becomes "1" and at the same time, the output terminal 6 also becomes "1" due to decoding by the storage device control unit 3, and the output terminal Q of the FF 42 becomes "1".

この状態で、例えば記憶装置1(0)への情報Do〜D
7の書込みが指定されると、記憶装置制御部3の出力端
子0と同じタイミングでNAND回路53の出力は“0
”となる。
In this state, for example, the information Do to D to the storage device 1(0)
7 is specified, the output of the NAND circuit 53 becomes “0” at the same timing as the output terminal 0 of the storage device control unit 3.
” becomes.

このNAND回路53の出力は、OR回路54 (0)
〜54(3)を通して記憶装置1(0)〜1(3)のチ
ップセレクト端子C8に接続され、ライトイネーブル信
号量とあいまって記憶装置1(0)への情報DO〜D7
の書込みと同時に、他の記憶袋H1(1)〜1(3)の
全てへ同一の情報Do〜D7が書込まれる。
The output of this NAND circuit 53 is the OR circuit 54 (0)
~54(3) to the chip select terminals C8 of the storage devices 1(0) to 1(3), and together with the write enable signal amount, the information DO to D7 to the storage devices 1(0)
At the same time as writing, the same information Do to D7 is written to all of the other memory bags H1(1) to H1(3).

従って、記憶装置1(0)〜1(3)をクリアするため
には、FF42の出力端子Qを“1”にした後、記憶装
置1(0)へのオール“0”情報の書込み処理を行うだ
けで良く、クリア処理時間の大幅短縮が可能となる。
Therefore, in order to clear the memory devices 1(0) to 1(3), after setting the output terminal Q of the FF 42 to "1", write all "0" information to the memory device 1(0). All you have to do is to do this, and the clear processing time can be significantly shortened.

尚、本実施例の上記説明ではクリア処理について説明し
たが、記憶装置1(0)に吉込む情報Do −07はな
んでも良< 、 CPU2のリセット解除時に一般に行
われている書込み試験においても大きな効果が得られる
In the above description of this embodiment, the clearing process was explained, but the information Do-07 that enters the storage device 1(0) may be of any kind.It is also very effective in the write test that is generally performed when the CPU 2 is released from reset. is obtained.

又、本実施例では8096語×8ビットの記憶装置°4
個を使用した例を説明したが、記憶容量、ビット構成及
び個数には何等制限が無く、同時に書込む個数が多けれ
ば多い程、その効果は一層大きなものとなる。
In addition, in this embodiment, a storage device of 8096 words x 8 bits is used.
Although an example using a number of bits has been described, there is no limit to the storage capacity, bit configuration, or number of bits, and the larger the number of bits written at the same time, the greater the effect will be.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のような本発明によれば、CPUからの1回の書込
み命令で全ての記憶装置に同一情報を同時に書込むこと
が可能なため、同一情報を複数の記憶装置に書込む場合
、情報書込み処理動作の時間が短縮出来ると言う効果が
ある。
According to the present invention as described above, it is possible to simultaneously write the same information to all storage devices with a single write command from the CPU, so when writing the same information to multiple storage devices, the information write This has the effect of shortening the processing time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の詳細な説明するブロック図、第2図は
本発明の詳細な説明するブロック図、第3図は従来例を
説明するブロック図、をそれぞれ示す。 図において、 1は記憶装置群、 1(0)〜1(n)は記憶装置、 2はCPU、      3は記憶装置制御部、4はモ
ード指定部、  5は同時選択部、6はクロック発生部
、 41はAND回路、42はFF151,52 ハN
OT 回m、53はNAND回路、 54 (0)〜54 (3)はOR回路、をそれぞれ示
す。
FIG. 1 is a block diagram explaining the present invention in detail, FIG. 2 is a block diagram explaining the present invention in detail, and FIG. 3 is a block diagram explaining a conventional example. In the figure, 1 is a storage device group, 1(0) to 1(n) are storage devices, 2 is a CPU, 3 is a storage device control unit, 4 is a mode specifying unit, 5 is a simultaneous selection unit, and 6 is a clock generation unit , 41 is an AND circuit, 42 is FF151, 52 cN
OT times m, 53 indicates a NAND circuit, and 54 (0) to 54 (3) indicate an OR circuit, respectively.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 複数の記憶装置(1(0)〜1(n))から構成される
記憶装置群(1)と、前記記憶装置群(1)に対して情
報の書込み/読出しを指示する中央処理装置(2)と、
前記中央処理装置(2)からの命令により前記記憶装置
群(1)の情報書込み/読出し動作を制御する記憶装置
制御部(3)とを具備するデータ処理システムにおいて
、 前記中央処理装置(2)からの命令により前記複数の記
憶装置(1(0)〜1(n))を同時選択せしめる同時
選択モードを指定するモード指定手段(4)と、前記モ
ード指定手段(4)から同時選択モード信号を受けた時
は前記複数の記憶装置(1(0)〜1(n))を同時選
択する同時選択手段(5)とを設け、前記中央処理装置
(2)からの指示により前記モード指定手段(4)から
該同時選択モード信号が前記同時選択手段(5)に送出
された場合、前記中央処理装置(2)からの1回の書込
み命令により、前記複数の記憶装置(1(0)〜1(n
))は同時書込み動作を行うことを特徴とする記憶装置
制御方式。
[Claims] A storage device group (1) consisting of a plurality of storage devices (1(0) to 1(n)), and instructions to write/read information to the storage device group (1). a central processing unit (2) that
A data processing system comprising: a storage device control unit (3) that controls information writing/reading operations of the storage device group (1) according to instructions from the central processing unit (2); a mode specifying means (4) for specifying a simultaneous selection mode in which the plurality of storage devices (1(0) to 1(n)) are selected simultaneously according to a command from the mode specifying means (4); and a simultaneous selection mode signal from the mode specifying means (4). simultaneous selection means (5) for simultaneously selecting the plurality of storage devices (1(0) to 1(n)) when receiving a message; When the simultaneous selection mode signal from (4) is sent to the simultaneous selection means (5), one write command from the central processing unit (2) causes the plurality of storage devices (1(0) to 1(n
)) is a storage device control method characterized by performing simultaneous write operations.
JP61058740A 1986-03-17 1986-03-17 Storage device control system Pending JPS62214451A (en)

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JP (1) JPS62214451A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01169557A (en) * 1987-12-24 1989-07-04 Fujitsu Ltd Storage control system for computer

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01169557A (en) * 1987-12-24 1989-07-04 Fujitsu Ltd Storage control system for computer

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