JPS622100A - 超高純度ガス供給装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はガス滞留部をもたない超高純度ガス供給装置に
関する。

〔従来の技術〕

近時、超ＬＳＩ（大規模集積回路）等の半導体デバイス
製造技術の進歩はきわめて急速であり、研究段階では既
に１−以下の微細なパターンを用いたＬＳＩが作られて
おり、ごく近い将来１ｇ！！ｔｉ！下の微細なパターン
を備えたＬＳＩが実用化および量産レベルに達するもの
と予想される。

このように１−以下または１ｕＩＬに近いサブミクロン
レベルの超ＬＳＩを製造するには、半導体内における不
純物の再拡散を押え、高精度な不純物分布を実現しなけ
ればならず、このためには、これを製造する環°境、す
なわち反応雰囲気の超清浄化が不可欠である。

反応雰囲気を超清浄化（クリーン）にするには、反応室
そのものが清浄であることはもちろん、原料ガスボンベ
あるいは液化ガス容器（以下ガスボンベと称する）から
供給されるガス自体も高純度であることは言うまでもな
く、さらに、ガスボンベから反応室に至るガス通路、す
なわち管路もりリーンであることが要求される。

反応室およｄ供給ガスのクリーン化は、種々の改良、工
夫により改善され、特に外部リークに関する改善は急速
に進歩しつつあるものの、管路におけるクリーン化には
未だ充分な配慮がなされておらず、特にガス供給装置全
体系のクリーン化の視点は全く欠けている。

管路におけるクリーン化の条件を列挙すれば、（ａ）　
　外部リーク量が極限まで低減されて大気汚染が無いこ
と。

（ｂ）　　管路の内面から、管壁に吸蔵された不純物ガ
ス成分の放出がないこと。

（Ｃ）　　ガスの沸留するデッドゾーンが存在しないこ
と。

（ＣＩ）　　管路を構成する材料の接ガス面からの微粒
子発生がないこと。

が要求される。

管路においては、第２２図に酸化炉のガス供給ラインを
例示するように、ガスボンベ１と反応炉２の間に、開閉
バルブ３・・・、レギュレータ４・・・、フィルタ５、
逆止弁６、流山針７、精製塔８、マスフローコントロー
ラ９・・・などの各種管路部材が、パイプ１０・・・に
より結ばれて使用されている。

最近では、超高純度ガス供給用として、上記各種管路部
材の改良、工夫が進む傾向にあり、例えば、上記各種管
路部材における接ガス面は表面処理を施し、接ガス面を
平坦に仕上げることによって凹凸面に吸蔵される不純物
ガスを減少する、あるいは管路部材構成材料の剥がれを
防止して微粒子の発生を無くする、さらには接ガス面か
ら摺動面を排除して摺動による微粒子の発生を防止する
などの対策がなされている。また、シール材として、不
純物含有量が多くかつガスとの反応に過敏なゴム系を無
くし、メタル系に変更するなどの手段も採用されている
。

しかしながら、上記各種曹路部材において高純度ガスへ
の適用化が進んでいるものの、これら管路部材を結ぶ管
路に対する配慮が不足している。

すなわち、管路において分岐される部分は、■字形管継
手、Ｙ字形管継手あるいは十字形管継手などにより各パ
イプを接続しており、１本の上流側パイプと、１本の下
流側パイプを使用して高純度ガスを流す場合、残りのパ
イプがこの流通路に連通しているため、この残りのパイ
プ内がデッドゾーンとなり、該デッドゾーンに残留して
いる他種類のガス、あるいは不純物を含んだガスが、上
記高純度ガスの流通路に引出されて高純度ガスが汚染さ
れるなどの不具合があった。

従来の管路における問題点を、さらに図面にもとづき説
明すれば、第２２図において１１・・・はパイプを曲げ
た曲げパイプ、１２・・・は丁字形管継手、１３・・・
は十字形管継手である。

反応炉２に、例えばＨ２＋ＨＣＩガスを供給したい場合
には、ガスボンベ１からＨＣＩガスを供給し、このＨＣ
ＩガスはＨＣＩガス供給ライン２０内の、レギュレータ
４、十字形管継手１３、フィルタ５、精製塔８、マスフ
ローコントローラ９を経て反応炉２に送られ、その途中
でＮ２ガス供給うイン２１から供給されるＮ２ガスと混
合されるようになっている。

また、反応炉２に、例えばＡｒ＋０２ガスを供給する場
合には、Ａｒガス供給ライン２２がら供給される７６１
ｒガスはマスフローコントローラ９を経て反応炉２に送
られ、その途中で０２ガス供給ライン２３から供給され
る０２ガスと混合されるようになっている。

Ｎ２供給ライン２４は、ガスボンベ１を脱着する場合に
使用する。ガスボンベ１を脱着する場合、大気による汚
染を防止するためにＮ２ガスを吹出しながら行ない、ガ
スボンベの装着後に管路２ｏ内部等に残るＮ２ガスを真
空排気装置により排気する。

また、それぞれマスフローコントローラ９には、管路を
パージする場合に使用されるバイパスライン２５を並列
に接続してあり、精製塔８にも管路をパージする場合に
使用されるバイパスライン２６が並列に接続されている
。

マスフローコントローラ９とバイパスライン２５との接
続箇所について説明すると、従来では第２３図および第
２４図に示すように、開閉弁３１゜３２、３３．３４．
３５および３６と、■字形管継手１２．１２、曲げパイ
プ１１およびストレートパイプ１０により構成しである
。

このような構成では、第２４図から理解されるように、
例えばバイパスライン２５を使用しないときには、開閉
弁３１．３２．３３．３４．を開くとともに、開閉弁３
５および３６を閉じるものであるが、この場合、Ｔ字形
管継手１２．１２から開閉弁３５および３６に至る空間
がデッドゾーンとなる。このようなデッドゾーンには、
パージ時に使用した異種ガスや不純物を含むガスが滞留
し、これらガスが正規な＾純度ガスの流れに混入される
不具合がある。

さらに、第２５図および第２６図に示すように、十字形
管継手１３を用いてパイプを接続した場合にも、純度の
高い供給ガスを流していない空間がデッドゾーンとなり
、このようなデッドゾーンには、パージ時に使用した異
種ガスや不純物を含むガスが滞留し、これらガスが正規
な高純度ガスの流れに混入される不具合がある。

（発明が解決しようとする問題点〕 したがって本発明は、異種ガスや不純物ガスが滞留する
デッドゾーンの存在をなくし、クリーンなガスの供給を
実現する超高純度ガス供給装置の提供を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成するため、管路の分岐部はデッ
ドゾーンフリー三方切換弁もしくはデッドゾーンフリー
四方切換弁を用いて分岐したことを特徴とする。

（作用） 上記構成によると、管路の分岐部は三方切換弁もしくは
四方切換弁を用いて各パイプと接続するので、いづれか
２本のパイプを使用して流路とした場合でも残りのパイ
プとの連通が遮断されるからデッドゾーンの発生がなく
なる。

〔発明の実施例） 以下本発明について、第１図ないし第２１図に示す一実
施例の図面にもとづき説明する。

第１図は、従来例として示した第２２図の配管構造に対
応する本発明に係る配管構造を示すもので、同一機能を
もつ部品またはラインは同一番号により示す。

パイプラインの直線部分にはストレートパイプ１０を用
い、曲り部分には曲りパイプ１１を使用しであることは
従来と同じであるが、これらパイプ１０および１１は内
面が表面処理されている。

従来のストレートパイプ１０は５ＵＳ３１６Ｌ製光暉焼
鈍管が使用されており、その内面を走査形電子顕微鏡で
拡大してみると、第２図に示すように、ミクロレベルの
無数の孔、溝、亀裂が存在して、ひだ状のものが無数に
みられるとともに多数の結晶粒界がみられ、かつ細い微
粒子の付着もみられる。ひだの中に入ったガスは抜けに
くく、また結晶粒界へのガス侵入量が多くなる。この結
晶粒界へ侵入したガスの抜けは極めて悪い。また付着し
ている微粒子の剥がれによる微粒子発生の原因になって
いた。

また、従来の曲げパイプ１１は、５ＵＳ３１６Ｌ製光輝
焼鈍管を曲げ成形したものであり、この内面を走査形電
子顕微鏡で拡大してみると、第３図に示すように、塑性
変形によるミクロなりラックの発生がみられ、無数のひ
だ、および微粒子が多数発生していることが見られる。

したがって従来のパイプでは、不純物ガスがひだや結晶
粒界に吸蔵され、この吸蔵された不純物ガスが純度の高
い供給ガス中に混入されて汚染の原因になり、また微粒
子やクラックが剥がれて、純度の高い供給ガス中に混入
される原因になっていた。

これに対し、本実施例で使用するパイプ１０・・・およ
び、１１・・・は表面処理が施されている。表面処理に
　　、際しては、ガスの脱吸着層となる表面変質層を発
生させず、かつガス吸着面積を可能な限り小さくするた
めに、内面を機械的研磨の後、化学的研磨するなどによ
り、最大粗さをサブミクロン以下にしである。

０．０５ｇ以下、最大粗さ０．５譚以下の形成されてい
る。これによりステンレススチール内表面から従来のガ
ス放出量 １　ｘ　１０’　Ｔｏｒｒ　−ｎ／ｓｅａ　／ａｉレベ
ルから、１×１０゛１ＩＴＯｒｒ−２／ＳｅＣ／Ｃｉレ
ベル以下のガス放出量に低減することができる。

曲りパイプ１１は所定の形状に曲げ加工したのち、上記
の内面処理を施している。

このように表面処理されたパイプ内表面の状態は、第４
図に曲りパイプ１１の顕微鏡写真で示すように、内面が
極めて平滑であり、第２図および第３図に示す従来のパ
イプの顕微鏡写真と比較して明らかなように、ひだが少
なくなり、細い微粒子の付着もみられなく、ミクロなり
ラックの発生も解消される。

この結果、不純物ガスがひだに吸蔵されることがなくな
り、しかも微粒子やクラックが剥がれることも解消され
るから、高純度ガスが汚染されることがなくなる。

また、マスフローコントローラ９とバイパスライン２５
との接続箇所について説明すると、第５図および第６図
に示す通り、開閉弁３１．３２．３３．３４と、三方切
換弁４０．４０を使用し、これらのバルブは全てストレ
ートパイプ１０により接続されている。

パイプラインの分岐する部分に、三方切換弁４０゜４０
を用いたため、マスフローコントローラ９側にガスを流
す場合には、第６図の断面構造で示されるようにガスの
デッドゾーンが全く発生しない。

したがって、パージ時に使用した異種ガスや不純物を含
むガスがデッドゾーンに滞留することに起因してこれら
滞留したガスが正規な高純度ガスの流れに混入すること
がなくなる。

上述のごときガスのデッドゾーンを発生させない作用を
奏する三方切換弁を、本発明においてデッドゾーンフリ
ー三方切換弁と称する。

また、４本のパイプを連結する箇所には、従来の十字形
管継手１３に代わって、第７図および第８図に示すよう
に、四方切換弁４５を使用しである。

このような四方切換弁４５は、第８図に示す矢印方向に
ガスを流す場合、全くデッドゾーンが発生しなくなり、
よってパージ時に使用した異種ガスや不純物を含むガス
の滞留がなくなり、これらガスが正規な高純度ガスの流
れに混入する不具合も解消される。

このようにガスのデッドゾーンを発生させない四方切換
弁を、本発明においてデッドゾーンフリー四方切換弁と
称する。

第１図に示す本実施例の超高純度ガス供給装置において
は、配管の曲り部に前述した表面処理されている曲りパ
イプ１１を使用しているものであるが、配管の曲り部の
一部に、それぞれ所定の方向に向きが変えられた変更バ
ルブが設置されている。

第１図においては、右９０度回転形変更バルブ２０１お
よび左９０度回転形変更バルブ２０２がそれぞれ使用さ
れている。

次に、開閉バルブ３・・・、レギュレータ４・・・、フ
ィルタ５、逆止弁６、流山針７、精製塔８、マス７０−
コントローラ９・・・などの各種管路部材について、超
高純度ガス供給用として新規開発されている点について
説明する。

第９図はメタルダイアフラム形開閉バルブを示すもので
、弁箱５１には、弁室５２、流路５３よび５４、弁孔５
５、弁座５６等が形成されており、上記弁室５２には軸
方向に変位自在な弁体５７およびこの弁体５１を開き方
向に付勢するばね５８が収容されている。

弁体５７は、弁座５６と接離する合成樹脂性、たとえば
不純物ガス放出量が少ないポリイミド樹脂などよりなる
弁シート５９と、この弁シート５９を支持する弁ステム
６０とを備えている。弁箱５１に螺合する弁軸６１は内
端部に合成樹脂製の介挿部材６２およびメタルダイアフ
ラム６３を介して弁ステム６０に圧接されているととも
に、外端部にハンドル６４が取付けられており、ハンド
ル６４を回動操作することによりメタルダイアフラム６
３を介して弁体５１を開閉作動させるようになっている
。

上記弁ステム６０には、環状溝などのような凹部６５と
、これに連接する凸部６６が形成されており、上記弁シ
ート５９の成形時に、上記凹部６５と凸部６６を一体に
埋設している。

このような構成によると、弁座５６に接離する弁シート
５９を合成樹脂により構成したので、閉弁時に密着性が
良（、漏洩が防止される。しがも弁ステム６０に弁シー
ト５９を一体に埋設したので、弁シート５９と弁ステム
６０の間に隙間が生じなく、ガスが侵入することもない
。

そして上記構成のメタルダイアフラム弁は、ばね５８に
より弁体５７を支持しており、弁室５２内面、つまり接
ガス面に摺動部がない。このため、摺動により微粒子が
発生するような不具合がない。

加えて、接ガス面に臨む部材には前述したパイプと同様
の表面処理を施しである。すなわち、第１０図には従来
の弁室５２内面の状態が顕微鏡写真で示されており、こ
れに対し第１１図には本発明に係る超高純度ガス供給用
として表面処理した状態の弁室５２内面が顕微鏡写真で
示されている。

また、第１２図には従来のばね５８の表面が顕微鏡写真
で示されており、これに対し第１３図には本発明に係る
超高純度ガス供給用として表面処理した状態のばね５８
の表面が顕微鏡写真で示されている。

さらに図示しないが、メタルダイアフラム６３に於ける
接ガス面、つまり弁室５２に臨む面も同様な表面処理が
施されている。

このような表面処理は、第１０図と第１１図、および第
１２図と第１３図を比較して理解できるように、溝や凹
凸または亀裂、微粒子の付着等がみられず、不純物ガス
が吸蔵される部分が無くなっており、よって純度の高い
ガスを汚染する割合が激減する。

なお、第９図では手動弁の例を示したが、空気圧式作動
弁、電磁式作動弁などであっても、要部の構造を上記手
動弁と同様に構成することにより実施、可能である。

前述した三方切換弁４０および三方切換弁４６は上記第
９図のメタルダイアフラム形開閉バルブをそれぞれ一部
変更して構成されている。

すなわち三方切換弁４０は、第１４図ないし第１６図に
示すように、下側流路５３に連通する流路４１を形成す
ることにより構成することができ、その他の構造は第９
図の開閉バルブと同様であってに示すように、下側流路
５３に連通する流路４Ｇと、上側流路５４に連通する流
路４７を形成することにより構成することができ、その
他の構造は第９図の開閉バルブと同様であってよい。

このような三方切換弁４０および四方切換弁４５は、上
記メタルダイアフラム形開閉弁３と同様に、閉弁時に密
着性が良く、弁漏洩が防止されるとともに、弁シート５
９と弁ステム６０の間に隙間が生じなく、ガスが侵入す
ることもなく、かつ接ガス面に摺動部がないため、情動
により微粒子が発生するような不具合が生じない。

しかも、接ガス面が表面処理されているので、溝や凹凸
または亀裂、微粒子の付着等がなく、不純物ガスが吸蔵
されることがないから純度の高いガスを汚染する割合が
極めて少ない。

次にレギュレータ４について、第２０図および第２１図
にもとづき説明する。

ぜユレータの弁本体７０には、その上面にカバー７１−
”！せ、カバー締付はナラ１〜７２により両者を結合し
ている。弁本体７０の上面部には凹部が形成され、この
凹部はカバー７１を介して取付けられたダイアフラム７
３にて仕切られたダイアフラム室７４とされている。

ダイアフラム室７４には弁本体７０に穿設された流出路
７５が開口され、この開口にジヨイントスリーブ７６を
介して連結されたニップル７７からガスを排出するよう
になっている。

弁本体７０とカバー７１の罰には弁座押え７８が設けら
れている。弁座押え７８の中央部には連通孔７９が形成
されているとともに、上面には凸部８０が形成され、こ
の凸部８０に案内されてステンレス製のガイド８１が設
けられている。凸部８０には半径方向に複数個の切欠ｇ
２が形成され、この切欠８２を介してダイアフラム室７
４と連通孔７９が導通されている。

弁本体７０と弁座押え７８の間にはポリイミド製の弁［
８３が介装されている。

弁本体７０の中心部には弁ばね８４により突出方向に付
勢されたステンレス製のニードル弁８５が配置され、弁
座８３に開口した弁口８６を貫通して上記ガイド８１に
連結されている。ガイド８１はダイアフラム７３により
押され、これによりニードル弁８５が作動されるから弁
口８６を上記ダイアフラム１３で規制した開度に設定す
る。

弁口８６には弁本体７０に穿設した流入路８７が接続さ
れ、ダイアフラム室７４へのガス流入を可能にしている
。流入路８１にはジヨイントスリーブ８８を介して連結
されたニップル８９からガスが導入されるようになって
いる。

ダイアフラム７３の裏側は、コイルばね９０により押さ
れており、このコイルばね９０はカバー７１に貫通螺着
された調節ねじ９１にベアリング９２を介して押されて
いる。１１節ねじ９１をハンドル９３により回転操作す
ると、ダイアフラム７３に対するコイルばね９０の弾圧
力が加減され、これによりニードル弁８５の開度調節が
行われる。

ニードル弁８５は、弁収容室９４内において弁ばね８４
で支持されることにより弁収容室９４の内周面に接触し
ないようになっている。

流入路８７および流出路７５の各側壁には、第２１図に
示すように、それぞれ圧力を検出するための圧力検出口
９５．９６が設けられており、これら圧力検出口９５．
９６には、電子式ダイアフラム形ストレインゲージ９７
．９８が、それぞれリテーナ９９とベアリング１００お
よびリード線導出路を備える固定プラグ１０１により取
付けられている。

なお、１０２は金属Ｃリングである。

このような構成のレギュレータ４は、流入路蒜および流
出路７５の各側壁に開口した圧力検出口９５゜９６に、
ダイアフラム形ストレインゲージ９７．９８を設けたた
め、圧力検出部に長くて細い袋小路の通路を説ける必要
がなく、ガス滞留部が存在しなくなっている。

また、シール部材として金属Ｃリング１０２を使用した
ので、ゴムや合成樹脂よりなるＯリングに比べて不純物
ガスの放出がなく、かつ化学的な反応を発生しない。

そして各ジヨイント部にはベアリングを使用しているた
め、暦動面積が少なく、摺動抵抗も小さい。このため、
摺動による微粒子の発生も少ない。

しかも弁口８６の開度を制御するニードル弁８５は摺動
部を全く持たないから、摺動による微粒子の発生が全く
ない。

さらに、接ガス表面は、前記開閉弁３の場合と同様に、
前述の表面処理により平坦加工し、これによりガスを汚
染しないように配慮されている。

その他、フィルタ５、精製塔８、マス７０−コントロー
ラ９等においても、詳細な説明を省略するが、ガスを汚
染しないように作られている。

これら各管路部材は、要するにクリーン化のために、 （ａ）　　外部リーク量が極限まで低減されて大気汚染
が無いこと。

（ｂ）　　接ガス面を表面処理して、管壁に吸蔵された
不純物ガスの放出がないこと。

（Ｃ）　　ガスの滞留するデッドゾーンが存在しないこ
と。

（（ｆ）　　摺動部を排除して、接ガス面からの微粒子
発生がないこと。

（ｅ）ゴムや合成樹脂よりなるＯリングに代わり、表面
処理されたメタリリングを使用すること。

等の配慮がなされているのである。

なお、この種超高純度ガス供給装置にあっては、最低限
開閉バルブおよびレギュレータが使用され、上記フィル
タ５、Ｎ製塔８、マスフローコントローラ９等は、管路
の構造により必要に応じて選択して使用されるものであ
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、管路の分岐部はデ
ッドゾーンフリー三方切換弁もしくは四方切換弁を用い
て各パイプと接続するので、ガスの流路にデッドゾーン
の発生がなくなる。このため、超高純度なガスを汚染す
ることがなくなり、サブミクロンレベルのＬＳＩ等の半
導体デバイス製造の歩留り向上に大きく寄与する。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第２１図は本発明の一実施例を説明するも
ので、第１図は配管系統図、第２図および娘３図は従来
のストレートパイプおよび曲りパイプの内面を顕微鏡で
拡大して示す図、第４図は本発明に係る曲りパイプの内
面を顕微鏡で拡大して示す図、第５図および第６図は三
方切換弁を使用した説明図、第７図および第８図は四方
切換弁を使用した説明図、第９図はメタルダイアフラム
形開閉弁の断面図、第１０図と第１１図は弁室内面を顕
微鏡で拡大した従来と本実施例とを比較して示す図、第
１２図と第１３図はばね表面を顕微鏡で拡大した従来と
本実施例とを比較して示す図、第１４図ないし第１６図
は三方切換弁の構造を示し、第１４図は平面図、第１５
図および第１６図はそれぞれ第１４図中Ａ−Ａ線および
Ｂ−Ｂ線の断面図、第１７図ないし第１９図は四方切換
弁の構造を示し、第１７図は平面図、第１８図および第
１９図はそれぞれ第１７図中Ｃ−Ｃ線およびＤ−Ｄ線の
断面図、第２０図および第２１図はレギュレータを説明
するための断面図、第２２図以下は従来を説明するもの
で、第２２図は配管系統図、第２３図および第２４図は
丁字形管継手を使用した説明図、第２５図および第２６
図は十字形管継手を使用した説明図である。 １・・・ガスボンベ、２・・・反応炉、３・・・開閉弁
、４・・・レギュレータ、５・・・フィルタ、６・・・
逆止弁、８・・・精製塔、９・・・マスフローコントロ
ーラ、１０・・・ストレートパイプ、１１・・・曲りパ
イプ、４０・・・三方切換弁、４５・・・四方切換弁、
２０１　、２０２・・・変更バルブ。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 ′ｏ、ａｍ −七 第２１≧１　　　　−月一尻一 ％、’　３　？）’、、　　　　士１−口７−一〜ｆｔ
〜　〜、Ｆ１ １　　“ Ｔ＋　　　　勢 比′／」ｍ Ｈ′、、：、　、　　、ヨ１ 第７図 、５１０　図 第１１　図 第２５図 Ｆ　！ｎ　　、ｐｏ”Ｆ？”　”ｆＴ 特許庁長官　　　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 特願昭６０−１３８２３０号 ２゜発明の名称 超高純度ガス供給装置 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 ゛株式会社　本山製作所 ４、代理人 昭和６０年９月２４日 ６、補正の対象 ”　　　　　　　−Ｆ＋ 施例とを比較して示す写真、」 ７、補正の内容 （１）　　ｉ、ｉ書添付の明細書中、第２２頁第１８行
目ないし第２３頁第２行目に亘シ、「第２図および第３
因は・・・・・・拡大して示す図、」とあるを、下記の
通シ訂正する。 記 「第２図および第３図は従来のストレー）　ｔ４イブお
よび曲シパイグの内面の金属組織を顕微鏡で拡大して示
す写真、第４図は本発明に係る曲シ・母イブの内面の金
属組織を顕微鏡で拡大して示す写真、」 （２）同じく明細書中、第２３頁第５行目ないし第８行
目に亘シ、「第１０図と第１１図は・・・・・・比較し
て示す図、」とあるを、下記の通シ訂正する。 記

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 少なくともバルブおよびレギュレータがパイプにより接
   続されて構成されるガス供給装置において、このガス供
   給装置の分岐部に、デッドゾーンフリー三方切換弁もし
   くはデッドゾーンフリー四方切換弁を設けてガスの滞留
   部をなくしたことを特徴とする超高純度ガス供給装置。 （２）管路曲り部に変更バルブを設けたことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の超高純度ガス供給装置。 （３）上記パイプは内表面が最大粗さサブミクロン以下
   に表面処理されていることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項もしくは第２項記載の超高純度ガス供給装置。