JPS62208624A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS62208624A JPS62208624A JP5110586A JP5110586A JPS62208624A JP S62208624 A JPS62208624 A JP S62208624A JP 5110586 A JP5110586 A JP 5110586A JP 5110586 A JP5110586 A JP 5110586A JP S62208624 A JPS62208624 A JP S62208624A
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- reaction chamber
- gas
- reaction
- transparent quartz
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体製造工程に用いる気相成長装置に関する
ものである。
ものである。
従来の技術
通常、半導体製造工程では、シリコン酸化膜。
ポリシリコン膜、シリコン窒化膜等々の薄膜形成を減圧
ＣＶＤ技術により行なっている。
ＣＶＤ技術により行なっている。
元来、減圧ＣＶＤ装置は大量処理、膜厚の均一２へ−７
化をねらって、チューブ型反応室内に半導体ウェハーを
直立させて多数並べ、ガス流れが拡散流となる圧力領域
で薄膜形成を行なっていた。したがってガスが希薄にな
り、薄膜の成長速度が遅く々っていた。近年これに対し
、反応圧力を粘性流の領域にまで増大させて、薄膜を高
速成長させる装置が開発されてきた。このような装置は
、成長速度が大きいために、薄膜成長のサイクルタイム
が短くなり、枚葉処理装置として期待されている。
直立させて多数並べ、ガス流れが拡散流となる圧力領域
で薄膜形成を行なっていた。したがってガスが希薄にな
り、薄膜の成長速度が遅く々っていた。近年これに対し
、反応圧力を粘性流の領域にまで増大させて、薄膜を高
速成長させる装置が開発されてきた。このような装置は
、成長速度が大きいために、薄膜成長のサイクルタイム
が短くなり、枚葉処理装置として期待されている。
以下第３図を参照しながら気相成長装置の一例について
説明する。
説明する。
第３図において２１は反応室、２２は排気口、２３はガ
ス供給口、２４は半導体ウェハー、２５は半導体ウェハ
ー２４を支持するサセプター、２６は赤外線ランプ、２
７は反射鏡、２８は透明石英、２８はＯリングである。
ス供給口、２４は半導体ウェハー、２５は半導体ウェハ
ー２４を支持するサセプター、２６は赤外線ランプ、２
７は反射鏡、２８は透明石英、２８はＯリングである。
以上のように構成された気相成長装置についてその動作
を説明する。反応室２１は排気口２２より排気されて低
圧に保たれており、ガス供給口２３より反応ガスが導入
される。一方、赤外線ランプ３べ一層 ２６から放射された赤外線は透明石英２８を透過してサ
セプター２５及び半導体ウェハー２４に到達する。半導
体ウェハー２４は赤外線により直接加熱されたり、ある
いは、赤外線により加熱されたサセプター２５からの伝
熱により加熱される。
を説明する。反応室２１は排気口２２より排気されて低
圧に保たれており、ガス供給口２３より反応ガスが導入
される。一方、赤外線ランプ３べ一層 ２６から放射された赤外線は透明石英２８を透過してサ
セプター２５及び半導体ウェハー２４に到達する。半導
体ウェハー２４は赤外線により直接加熱されたり、ある
いは、赤外線により加熱されたサセプター２５からの伝
熱により加熱される。
加熱された半導体ウェハー２４上を反応ガスが通過する
時、反応ガスが、半導体ウェノ・−２４上で反応して薄
膜を形成する。
時、反応ガスが、半導体ウェノ・−２４上で反応して薄
膜を形成する。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、反応室内壁に達し
た反応ガスが内壁上に堆積物を形成するため、やがてこ
の堆積物が内壁よりはく離してダストの原因になるとい
う問題点を有していた。壕だ半導体ウェハー上に達する
反応ガスの濃度が低くなるため形成する薄膜の成長速度
が遅いという問題点を有していた。
た反応ガスが内壁上に堆積物を形成するため、やがてこ
の堆積物が内壁よりはく離してダストの原因になるとい
う問題点を有していた。壕だ半導体ウェハー上に達する
反応ガスの濃度が低くなるため形成する薄膜の成長速度
が遅いという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、ダストの原因となる堆積物
が反応室内壁に形成せず、しかも薄膜の成長速度を高め
ることができる気相成長装置を提供するものである。
が反応室内壁に形成せず、しかも薄膜の成長速度を高め
ることができる気相成長装置を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために本発明の気相成長装置は、
間隙部よりパージガスを供給可能な複数の薄板を、反応
室内部にその壁面を覆うように配置するという構成を備
えたものである。
間隙部よりパージガスを供給可能な複数の薄板を、反応
室内部にその壁面を覆うように配置するという構成を備
えたものである。
作 用
本発明は上記した構成によって下記のごとく作用する。
すなわち、反応室内部にその壁面を覆うように配置した
複数の薄板の間隙部よりパージガスを供給することによ
り反応ガスが反応室内壁に達するのを防ぐのである。
複数の薄板の間隙部よりパージガスを供給することによ
り反応ガスが反応室内壁に達するのを防ぐのである。
実施例
以下本発明の実施例の気相成長装置について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第１図は本発明の実施例における気相成長装置の断面図
、第２図は第１図のＡ−Ａ矢視図である。
、第２図は第１図のＡ−Ａ矢視図である。
第１図及び第２図において、１は反応室、２は排気口、
３は反応ガス供給口、４は半導体ウェハー、５は回転可
能なサセプター、６は赤外線ランプ、７は透明石英、８
は反応室１の内壁面を覆うよう６ベーン′ 階段状に配置した複数の透明石英板（薄板）、９はパー
ジガスの供給口、１０は０リングである。
３は反応ガス供給口、４は半導体ウェハー、５は回転可
能なサセプター、６は赤外線ランプ、７は透明石英、８
は反応室１の内壁面を覆うよう６ベーン′ 階段状に配置した複数の透明石英板（薄板）、９はパー
ジガスの供給口、１０は０リングである。
以上のように構成された気相成長装置について、その動
作を説明する。反応室１は排気口２により真空排気され
ており、反応ガス供給口３及びパージガス供給口９から
は、それぞれ反応ガス及びパージガスが供給されている
。一方赤外線ランプ６から出た赤外線は、透明石英７及
び階段状に配置した複数の透明石英板８を透過して、サ
セプター５及び半導体ウェハー４を照射する。半導体ウ
ェハー４は赤外線によシ直接加熱されたシ、あるいは赤
外線により加熱されたサセプター５からの伝熱により加
熱される。加熱された半導体ウエノ１−４の表面上を反
応ガスが通過する時、反応ガスが半導体ウェハー４上で
反応して薄膜を形成する。
作を説明する。反応室１は排気口２により真空排気され
ており、反応ガス供給口３及びパージガス供給口９から
は、それぞれ反応ガス及びパージガスが供給されている
。一方赤外線ランプ６から出た赤外線は、透明石英７及
び階段状に配置した複数の透明石英板８を透過して、サ
セプター５及び半導体ウェハー４を照射する。半導体ウ
ェハー４は赤外線によシ直接加熱されたシ、あるいは赤
外線により加熱されたサセプター５からの伝熱により加
熱される。加熱された半導体ウエノ１−４の表面上を反
応ガスが通過する時、反応ガスが半導体ウェハー４上で
反応して薄膜を形成する。
また、階段状に配置した複数の透明石英板９の間隙部よ
り供給されるパージガスによって、透明石英７及び反応
室１の内壁への反応ガスの供給が妨げられるだめ、反応
室１の内壁への堆積物の形成を防止できる。まだ階段状
に配置した複数の透明６ ベーン 石英板９から出るパージガスは、透明石英板９自体への
反応ガスの供給も防止しているため、透明石英板９にも
堆積物が形成しない。したがって、反応室１内部でダス
トの発生が防止できる。さらにまだ、半導体ウェハー４
上に達する反応ガスの濃度が高くなるので薄膜の成長速
度を大きくできる。
り供給されるパージガスによって、透明石英７及び反応
室１の内壁への反応ガスの供給が妨げられるだめ、反応
室１の内壁への堆積物の形成を防止できる。まだ階段状
に配置した複数の透明６ ベーン 石英板９から出るパージガスは、透明石英板９自体への
反応ガスの供給も防止しているため、透明石英板９にも
堆積物が形成しない。したがって、反応室１内部でダス
トの発生が防止できる。さらにまだ、半導体ウェハー４
上に達する反応ガスの濃度が高くなるので薄膜の成長速
度を大きくできる。
なお、本発明では反応室１内部に配置する複数の薄板の
材質を透明石英としだが、サセプター５と透明石英７の
間に位置する薄板以外は、赤外線を透過しない材質、例
えば、ステンレス等の金属や不透明石英あるいはセラミ
ックスなどの材質を用いてもよい。なおステンレス等の
金属で複数の階段状薄板を作る時には、研摩仕上げやコ
ーティングなどにより赤外線の反射率を高くすることで
一層効果があがる。
材質を透明石英としだが、サセプター５と透明石英７の
間に位置する薄板以外は、赤外線を透過しない材質、例
えば、ステンレス等の金属や不透明石英あるいはセラミ
ックスなどの材質を用いてもよい。なおステンレス等の
金属で複数の階段状薄板を作る時には、研摩仕上げやコ
ーティングなどにより赤外線の反射率を高くすることで
一層効果があがる。
また、なお、本実施例ではランプ加熱の枚葉処理装置を
示したが抵抗加熱及び高周波加熱方式あるいは、バッチ
処理タイプ及びチューブタイプ装置にも用いることが可
能である。
示したが抵抗加熱及び高周波加熱方式あるいは、バッチ
処理タイプ及びチューブタイプ装置にも用いることが可
能である。
７−ニー＞
発明の効果
以上のように本発明は、間隙部よりパージガスを供給可
能な複数の薄板を、反応室内部にその壁面を覆うように
配置することで、堆積物が反応室内壁に形成することを
防止でき、ダストの低減が可能となる。また半導体ウェ
ハー上に達する反応ガスの濃度が高くなるので薄膜の成
長速度も大きくなる。
能な複数の薄板を、反応室内部にその壁面を覆うように
配置することで、堆積物が反応室内壁に形成することを
防止でき、ダストの低減が可能となる。また半導体ウェ
ハー上に達する反応ガスの濃度が高くなるので薄膜の成
長速度も大きくなる。
第１図は本発明の実施例における気相成長装置の断面図
、第２図は第１図のＡ−Ａ矢視図、第３図は従来の気相
成長装置の断面図である。 １・・・・・・反応室、５・・・・・サセプター、８・
・・・・・薄板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名８−
潟硯 第２図
、第２図は第１図のＡ−Ａ矢視図、第３図は従来の気相
成長装置の断面図である。 １・・・・・・反応室、５・・・・・サセプター、８・
・・・・・薄板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名８−
潟硯 第２図
Claims (1)
- 反応ガス供給口とパージガス供給口を備え、真空排気可
能な反応室と、前記反応室内部にあって半導体ウェハー
を保持する回転可能なサセプターとを備えた気相成長装
置において、間隙部よりパージガスを供給可能な複数の
薄板を、反応室内部にその壁面を覆うように配置したこ
とを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5110586A JPS62208624A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5110586A JPS62208624A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62208624A true JPS62208624A (ja) | 1987-09-12 |
Family
ID=12877526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5110586A Pending JPS62208624A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62208624A (ja) |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP5110586A patent/JPS62208624A/ja active Pending
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