JPS62205553A - Optical disk - Google Patents

Optical disk

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JPS62205553A
JPS62205553A JP61047338A JP4733886A JPS62205553A JP S62205553 A JPS62205553 A JP S62205553A JP 61047338 A JP61047338 A JP 61047338A JP 4733886 A JP4733886 A JP 4733886A JP S62205553 A JPS62205553 A JP S62205553A
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substrate
film
sputtering
transparent
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Katsutaro Ichihara
勝太郎 市原
Noburo Yasuda
安田 修朗
Akio Hori
昭男 堀
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Abstract

PURPOSE:To improve peeling resistance and reliability by providing a transparent contact layer consisting of fluororesin between a transparent resin substrate and a protective layer consisting of a transparent inorganic dielectric substrate and forming a recording layer on the protective layer. CONSTITUTION:As a translucent resin substrate 1, a polycarbonate substrate having a guide groove of phi 120mm and 1.2mmt is used and the transparent contact layer 2 consisting of the fluororesin (tetrafluoro ethylene) is formed on the substrate 1. Then, the first interference layer 3 composed of a Si3N4 film, the recording layer 4 composed of a TbCo film, the second interference layer 5 composed of the Si3N4 film and a light reflecting layer 6 composed of an Al film 6. Thus, the separation resistance is improved and the reliability of the optical disk can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はレーザビーム等の光ビームの照射により情報の
記録および再生を行なう光ディスクに係り、1時に透光
性捌lIl#基板上に透明無機誘電体からなる保護干渉
層とその上VC形成された記録層とを有する光ディスク
の信幀性同上技術に関する。
Detailed Description of the Invention [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an optical disk on which information is recorded and reproduced by irradiation with a light beam such as a laser beam. The present invention relates to the same technology as above for reliability of an optical disc having a protective interference layer consisting of a carrier and a recording layer formed with a VC thereon.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

半導体レーザ等からの光ビームが照射されることによっ
て情報の記録−外生を行なう光学式情報記録媒体、いわ
ゆる光ディスクは、 (1)1ビツト当たりの記録エリアが光ビームのスポッ
ト径(〜1μmφ)と同程度であるため、記録密度が極
めて高く大容量化が可能、 (2)情報の記録・桝生を非接触で行なうので、媒体の
摩耗がない。
An optical information recording medium, a so-called optical disk, records and extracts information by being irradiated with a light beam from a semiconductor laser, etc. (1) The recording area per bit is the spot diameter of the light beam (~1 μmφ). (2) Information is recorded and reproduced without contact, so there is no wear on the medium.

(3)数百m sec以下の高速アクセスが可能である
、といった利点から、次世代の周辺メモリとして大いに
期待されている。
(3) It is highly anticipated as a next-generation peripheral memory because of its advantages such as high-speed access of several hundred msec or less.

このような光ディスクは基本的にディスク状の基板と、
光ビームの照射によって何らかの光学的変化を生じる記
録層とからト4成される。ここで、記録層の光学的変化
としては、 (a)光ビーを照射部が変形(ビットあるいはバブルの
形成)を起こし、その変形部の光反射率が変化する。
Such optical discs basically consist of a disc-shaped substrate,
and a recording layer that undergoes some optical change upon irradiation with a light beam. Here, optical changes in the recording layer include: (a) The part irradiated with the light beam is deformed (formation of bits or bubbles), and the light reflectance of the deformed part changes.

(b)光ビーム照射部が相愛化を起こし、その相変化部
の光反射率が変化する。
(b) The light beam irradiation section undergoes phase change, and the light reflectance of the phase change section changes.

(c)光ビーム照射部の磁化が反転し、その磁化反転部
の偏光状態が変化する。
(c) The magnetization of the light beam irradiation section is reversed, and the polarization state of the magnetization reversal section is changed.

といった現象が挙げられる。Examples of such phenomena include:

これらの光学的変化の9ずれを利用した光ディスクVζ
おいても、記録・再生用の光ビームは基板を介して記録
層上に照射する方式が実用的である。
Optical disc Vζ that utilizes nine deviations of these optical changes
Even in this case, it is practical to irradiate the recording layer with a recording/reproducing light beam through the substrate.

これは記録層の4出面側にはゴミやほこりが付着するの
で、露出面側から光ビームを照射すると書込み、読取り
エラーが増大するのに対して、記録層の基板面側にはデ
ィスク製造者が十分注意を払えばゴミの付着を防止でき
るということと、基板の記録層と反対側の面上では光ビ
ームはデフォーカスであるため、この面上に付着したゴ
ミ等はエラーの原因とはなり難いということの2つの理
由によっている。
This is because dirt and dust adhere to the 4-output side of the recording layer, so writing and reading errors will increase if the light beam is irradiated from the exposed side. However, if sufficient care is taken, dust can be prevented from adhering, and since the light beam is defocused on the surface of the substrate opposite to the recording layer, dust adhering to this surface is unlikely to cause errors. This is due to two reasons:

このように基板を介して元ビームを照射する方式のノ’
A合、光ディスクの基板には当然、透光性(透明)であ
ることが要求され、さらにノイズレベルを低くする上で
なるべく複屈折率の小さい材料であることが要求される
。また、ディスク面上の所定位置に光学ヘッドを迅速に
移動させて高速アクセスを実現する上で、光学ヘッドを
ガイドするためのグループ(案内溝)が必要であるが、
この案内溝は記録;−に設けるよりは、予め基板幅上に
設けた方が記録層の形成技術の立場から、はるかに有利
である。
This is a method of irradiating the original beam through the substrate.
In case A, the substrate of the optical disk is naturally required to be translucent (transparent), and furthermore, in order to lower the noise level, it is required to be made of a material with as low a birefringence as possible. In addition, in order to quickly move the optical head to a predetermined position on the disk surface and achieve high-speed access, a group (guide groove) is required to guide the optical head.
It is far more advantageous from the standpoint of recording layer forming technology to provide this guide groove in advance over the width of the substrate than to provide it on the recording layer.

これら3つの基本的要求(透光性、低複屈折率。These three basic requirements (translucency, low birefringence).

案内溝の成型性)を同時に満足する基板材料は、ポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネイト。
The substrate materials that also satisfy the moldability of the guide groove are polymethyl methacrylate and polycarbonate.

エポキシ等を代表とする透光性ml脂材料である。It is a translucent ml resin material typified by epoxy and the like.

−万、記録層材料は、スピロピラン色素を代表とする有
キ系、 Te−Cを代表とする中有キ系、TeOxを代
表とする金属−金属化合物混合系、  In−5bを代
表とする半纏体系、希土類−遷移金&4非晶質フェリ磁
性合金(以下RE−TMと略記する)を代表とする金属
予と多岐に亘り、実用化もしくは研究・開発されている
が、元メモリーとして実用化する際記録層単層で充分な
メモリー寿命を有する材料は極めて少なく、その@な場
合には保護膜が用いられる。保護膜はガラス基板を用い
る場合には、記録層の空気に拳する面だけに設ければ充
分だが、実用的な樹脂基板を用いる場合、基板を外気が
透過するので、基板と記録層との間にも設ける必要がら
りその様な場合Vcは、保護膜は透明かつ緻密でなけれ
ばならず通常は5iOz、SiO,A#、5i3N4s
ZnS等の無キ誘電体のスパック膜等が用いられている
。しかしながら、樹脂基板と、無キi電体からなる保護
層との密着性は殆んどの場合極めて悪く、加速劣化環境
試験等の温湿度履歴により基板から保護層が剥離してし
1つという問題点があった。例えば現在%RE−TM膜
は消去可能型光ディスクの最も実用に近い記録材料とし
て各所で開発されているが、上記した剥離の問題が、そ
の実用化を妨げる1つの安置となっている。
-10,000, The recording layer material can be a carbon-based material typified by spiropyran dye, a medium oxide-based material typified by Te-C, a metal-metal compound mixed system typified by TeOx, or a semi-drying material typified by In-5b. Although a wide variety of metal systems, including rare earth-transition gold and 4-amorphous ferrimagnetic alloys (hereinafter abbreviated as RE-TM), have been put into practical use or researched and developed, it is unlikely that they will be put to practical use as original memory. There are very few materials that have a sufficient memory life with a single recording layer, and in such cases a protective film is used. When using a glass substrate, it is sufficient to provide a protective film only on the surface of the recording layer that is exposed to the air. However, when using a practical resin substrate, the outside air passes through the substrate, so In such a case, the protective film must be transparent and dense, usually 5iOz, SiO, A#, 5i3N4s.
A spackle film made of a non-porous dielectric material such as ZnS is used. However, in most cases, the adhesion between the resin substrate and the protective layer made of non-electrical material is extremely poor, resulting in the problem of the protective layer peeling off from the substrate due to the temperature and humidity history of accelerated deterioration environmental tests. There was a point. For example, the %RE-TM film is currently being developed in various places as the most practical recording material for erasable optical discs, but the above-mentioned peeling problem is one of the obstacles preventing its practical use.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は前記した技術的背景とその問題点に鑑みてなさ
れたものであり、透明・−側基板と無キ誘逗体よりなる
透明保護層との間lこ、フッ素6°j(脂を含有する密
着層を設ける事により、耐剥離性を改善し、光ディスク
の信頼性を向上する事をその目的としている。
The present invention has been made in view of the above-mentioned technical background and problems, and includes fluorine 6°j (fat free) between the transparent negative side substrate and the transparent protective layer made of a non-staining material. The purpose of this is to improve the peeling resistance and reliability of the optical disc by providing an adhesive layer containing the compound.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明の光ディスクは、透明樹脂基板上に、無機誘電体
からなる透明保護層と、この保護層の上に形成された記
録層とを具備し、前記樹脂基板と前記保護層との間にフ
ッ素樹脂を含有する透明密着層が設けられている事を特
徴とするものである。
The optical disc of the present invention comprises a transparent protective layer made of an inorganic dielectric material and a recording layer formed on the protective layer on a transparent resin substrate, and fluorine is provided between the resin substrate and the protective layer. It is characterized by being provided with a transparent adhesive layer containing resin.

記録層の材料には特に限定はうけないが、保護層が必要
となる金属系の材料特に、酸化に敏感なRE−TM膜等
の場合には効果的である。又、透明密着層はフッ素11
11(C−Fのボンドを有するもの)100チからなる
ものの他に、フッ素樹脂と、無機誘′亀体とを混合した
もの、あるいは密着層の膜厚方向に、フッ素樹脂と無機
誘電体との混合比を変えたものでも良く、その形成は、
テトラフローロエチレンターゲットをスパッタする、テ
トラフローロエチレンターゲットと無機誘電体ターゲッ
トとを同時にスパッタする、フレオン系のガスをプラズ
マ重合する等の手法で実現できる。
The material of the recording layer is not particularly limited, but it is effective for metal-based materials that require a protective layer, especially for RE-TM films that are sensitive to oxidation. In addition, the transparent adhesive layer contains fluorine 11
11 (Those with C-F bond) In addition to those consisting of 100 chips, a mixture of fluororesin and inorganic dielectric material, or a mixture of fluororesin and inorganic dielectric material in the thickness direction of the adhesive layer. The mixture ratio may be changed, and its formation is as follows:
This can be achieved by sputtering a tetrafluoroethylene target, simultaneously sputtering a tetrafluoroethylene target and an inorganic dielectric target, or plasma polymerizing a Freon gas.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の光ディスクによれば、フッ素樹脂系の密着層に
よって、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネイト
、エポキシ等の光ディスクとして実用的な樹脂基板と、
記録層を保護する透明無機誘電体との密着性が著しく向
上するので、特に耐食性に劣る記録材料(例えば)?E
−TM膜)を用いる光ディスクの信頼性を大幅に向上す
る事ができる。
According to the optical disc of the present invention, the fluororesin adhesive layer allows the resin substrate to be made of polymethyl methacrylate, polycarbonate, epoxy, etc., which is practical as an optical disc;
Recording materials with particularly poor corrosion resistance (for example) because the adhesion with the transparent inorganic dielectric that protects the recording layer is significantly improved? E
- The reliability of optical discs using TM films can be greatly improved.

又、フッ素−指系密着層の透過率が高いので、元ディス
クとしての光学的特性(例えばWE−7M膜の場合には
基板側からの反射率とカー回転角)をいささかも失なう
事はない。さらにフッ素樹脂系密着層はドライ拳プロセ
スで形成が可能であるので、スピンコード法等に比べ、
基板に設けられているトラッキングφグループの形状を
債なう事が少ない。
In addition, since the fluorine-fingered adhesion layer has a high transmittance, the optical properties of the original disk (for example, in the case of WE-7M film, the reflectance from the substrate side and the Kerr rotation angle) may be slightly lost. There isn't. Furthermore, the fluororesin adhesive layer can be formed using a dry fist process, so compared to spin cord methods, etc.
The shape of the tracking φ group provided on the substrate is rarely specified.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以ド1本発明の詳細な説明する。:第1図は本発明の一
笑施例に係る光ディスクの断面図であり、透光性樹脂基
板1上にフッソ樹脂を含む透光性を有する密着l−2及
び第10渫獲層3を介して記録In 4が形成され、記
録層4上にざらに第2の保護f1!5および光反射層6
が順次゛1形成されている。
The present invention will now be described in detail. : FIG. 1 is a sectional view of an optical disc according to an embodiment of the present invention, in which a transparent adhesive layer 3 containing a fluorocarbon resin and a transparent adhesive layer 3 are formed on a transparent resin substrate 1. A recording In 4 is formed on the recording layer 4, and a second protective layer f1!5 and a light reflective layer 6 are roughly formed on the recording layer 4.
are formed in sequence.

透光性樹脂基板1としてりま例えばポリカーボネイト基
板が使用され、その表面は案内溝が形成されているもの
とする。密着1罎2はフッ素mlI旨として例えばテト
ラフローロエチレンを含有したものである。記録層4は
例えばTbCo膜のよりなl(E−7M膜からなる。保
護層3及び5は例えばSi3N4膜が使用され、また光
反射層5はM膜が使用される。
It is assumed that a polycarbonate substrate, for example, is used as the transparent resin substrate 1, and a guide groove is formed on the surface thereof. Adhesion 1 and 2 contain, for example, tetrafluoroethylene as the fluorine compound. The recording layer 4 is made of, for example, a TbCo film (E-7M film). The protective layers 3 and 5 are made of, for example, a Si3N4 film, and the light reflecting layer 5 is made of an M film.

第2図はこの光ディスクの製造に使用されるスパッタリ
ング装置の構成例であり、11はスパッタ室、12は第
1図の透光性樹脂基板1を保持する基板ホルダ、13は
基板ホルダ12の回転治具、14はRF電源、15はマ
グネトロンスパッタ用のスパッタ源、16はスパッタ用
1区源、17はシャッタ、18はシールド部材、19は
スパッタガス供給系、20は排気系、21は基板設置用
治具である。
FIG. 2 shows an example of the configuration of a sputtering apparatus used for manufacturing this optical disk, in which 11 is a sputtering chamber, 12 is a substrate holder that holds the transparent resin substrate 1 shown in FIG. 1, and 13 is a rotation of the substrate holder 12. jig, 14 is an RF power supply, 15 is a sputtering source for magnetron sputtering, 16 is a first source for sputtering, 17 is a shutter, 18 is a shield member, 19 is a sputtering gas supply system, 20 is an exhaust system, 21 is a substrate installation It is a jig for use.

以下、本発明に係る光ディスクの製造工程の具体的な実
施例を述べる。
Hereinafter, specific embodiments of the optical disc manufacturing process according to the present invention will be described.

〈実施例1〉 第2図のスパッタリング装置を用いて、N1図の構造の
光ディスクを次の手順で作製した。透光性樹脂基板1と
してφ12011m 、 1.2fflltの案内溝付
きポリカーボネイト基板を用意した。とれはフォトボリ
ア−をArイオンレーザにより露光、現像して得た原盤
からスタンバを製作し、このスタンバを用いてポリカー
ボネイ)[脂を射出成型することにより得られたもので
ある。この基板を中性洗剤浴液中にて5分間超音波洗浄
に供し、純水にて水洗後h N2ブロー乾燥、デシケー
タ乾燥を行なってから、スパッタ室11′内に入れ、基
板ホルダ12にねじ止めした。治具21をlJロエして
スパッタ室11を密閉状態にし、排気系2oを動作させ
てスパッタ室1工内の圧力を5 X I F5Torr
まで排気しガス供給系19より99.999チ純度のA
rガスを供給し、スパッタ室11内のガス圧力を5 X
 10””Torrに維持した。次vc、冶具13によ
って基板ホルダ]2を6Orpmで回転させ、シャッタ
17の一つを閉じた状態でその下部VC4るスパッタ源
15(5インチφのテトラフローロエチレン・ターゲッ
トを収納しである)に電源16より150WのRFハワ
ーを印加した。5分間のプレ・スパッタ(シャッタ17
を閉じた状態でのスパッタ)を行ない、ターゲツト面を
清浄化した後に、上述のごとくシャッタ17全開き、約
20分間のスパッタ成膜を行なって電源16をオフ状態
とし、スパッタ室ll内を大気に戻した後、治具21を
上昇させて、テトラフローロエチレンからなる密着層2
が形成された基板1を取出した。同時に基板ホルダ12
に設置したガラス、ポリメチルメタクリレート、ポリカ
ーボネイト、エポキシの各小片(約15ia+x25m
m)を利用して上記方法で形成した密着層2の膜質を評
価した結果、膜厚は1oooX 、光透過率は931t
IjL長830 nm 、ポリメチルメタクリレート基
板)、耐薬品性は30分間のアセント中超音波洗浄で変
質が皆無である程度に良好であり。
<Example 1> Using the sputtering apparatus shown in FIG. 2, an optical disk having the structure shown in Fig. N1 was manufactured in the following procedure. As the translucent resin substrate 1, a polycarbonate substrate with a guide groove of 12011 m in diameter and 1.2 ffllt was prepared. The sample was obtained by manufacturing a stubble from a master disk obtained by exposing and developing photoborea with an Ar ion laser, and using this stumbling block to injection mold polycarbonate. This substrate was subjected to ultrasonic cleaning for 5 minutes in a neutral detergent bath solution, washed with pure water, dried with N2 blow drying, and dried in a desiccator. I stopped it. The jig 21 is heated to 1J to seal the sputtering chamber 11, and the exhaust system 2o is operated to reduce the pressure inside the sputtering chamber 1 to 5 X I F5 Torr.
A with a purity of 99.999 from the gas supply system 19.
r gas is supplied, and the gas pressure in the sputtering chamber 11 is increased to 5
It was maintained at 10'' Torr. Next, the substrate holder] 2 is rotated at 6 Orpm using the jig 13, and with one of the shutters 17 closed, the sputtering source 15 (containing a 5-inch φ tetrafluoroethylene target) is placed under the VC4. An RF power of 150 W was applied from the power source 16. 5 minutes pre-sputter (shutter 17
After cleaning the target surface, the shutter 17 is fully opened as described above, sputtering is performed for about 20 minutes, the power source 16 is turned off, and the inside of the sputtering chamber is turned off to the atmosphere. After returning to
The substrate 1 on which was formed was taken out. At the same time, the substrate holder 12
Small pieces of glass, polymethyl methacrylate, polycarbonate, and epoxy installed in
As a result of evaluating the film quality of the adhesive layer 2 formed by the above method using m), the film thickness was 1oooX and the light transmittance was 931T.
(IjL length 830 nm, polymethyl methacrylate substrate), chemical resistance was good to the extent that no deterioration occurred even after ultrasonic cleaning during ascent for 30 minutes.

基板との密着性は粘着テープによるビールオフテストで
ポリメチルメタクリレート、ボリヵーボネイト、エポキ
シ並びにガラスのいずれも基板から剥離しない程度に強
固で、さらに65°C−90SR。
Adhesion to the substrate was strong enough that polymethyl methacrylate, polycarbonate, epoxy, and glass did not peel off from the substrate in a beer-off test using adhesive tape, and it was also rated at 65°C - 90SR.

Hoの高1詰高湿雰囲気下24Hrs、←→常温雰囲気
下IHr、リサイクル加速劣化試験を4サイクル継続し
た後にも、上記した4捏類の基板のいずれからも剥離す
ることはなく、またテトラフローロエチレン膜自体の変
質(光透過率の変化)も皆無であった。
Even after 4 cycles of 24Hrs in a high humidity atmosphere of Ho, 24Hrs in a normal temperature atmosphere, and 4 cycles of recycled accelerated deterioration tests, no peeling occurred from any of the above-mentioned 4 types of substrates, and Tetraflow There was no deterioration (change in light transmittance) of the loethylene film itself.

次lIC1第2図における4つのスパッタ源15に各々
Si、’rb 、Co gAlのターゲットを設置して
、S i 3N4膜からなる第1の干渉層3 TbCo
膜からなる記録層4、Si3N4膜からなる第2の干渉
層5およびM膜からなる光反射F?A6の形成を、密着
層2の形成されているポリカーボネイト基板と、比較の
為の密着層2の形成されていないポリカーボネイト基板
を等板ホルダ12にねじ止めし、治具21を下降させて
スパッタ室11中を排気系20Vこより5X10−6T
orr−4で排気した後、3%分圧N2のN2−Ar混
合ガスを導入シフ、スパッタ゛水11中のガス圧力を5
 X 1O−3Torrに維持して、Slターゲットの
スパッタ源15Vc電源16より300WORFパワー
を投入し、ブレ・スパッタ(シャッターを閉じ次状態で
行なうターゲットのクリ′−ニング)を5分間行なった
後、シャッターを開いて反応性スパッタリングによるS
i3N4膜の形成を20分間行ない、密着層2及び基板
lの上に約1000!厚のS 13N4膜(第1保獲層
3)を形成した。
Next, targets of Si, 'rb, and CogAl are installed in the four sputtering sources 15 in FIG.
A recording layer 4 made of a film, a second interference layer 5 made of a Si3N4 film, and a light reflection layer F? made of an M film. A6 is formed by screwing the polycarbonate substrate on which the adhesive layer 2 is formed and the polycarbonate substrate on which the adhesive layer 2 is not formed for comparison to the equal plate holder 12, and lowering the jig 21 into the sputtering chamber. 11 inside the exhaust system 20V 5X10-6T
After exhausting with orr-4, a N2-Ar mixed gas with a partial pressure of N2 of 3% was introduced, and the gas pressure in the sputtering water 11 was increased to 5%.
Maintaining the temperature at X 1O-3 Torr, apply 300 WORF power from the 15Vc power supply 16 of the sputtering source for the Sl target, perform blur sputtering (target cleaning performed in the next state with the shutter closed) for 5 minutes, and then close the shutter. Open S by reactive sputtering
An i3N4 film was formed for 20 minutes, with a thickness of approximately 1000% on the adhesive layer 2 and the substrate l. A thick S13N4 film (first capture layer 3) was formed.

次に再びスパッタ室ll中を排気系20により5 X 
10−’Torrまで排気して、ガス供給系19より9
9.999%純度のArガスを導入し、スパッタ室11
のガス圧力を5XIOTorrK維持した鏝、RF電源
14をオンにしてS i 3N4膜表面を300W(1
)RFパワーで5分間スパッタエツチング処理に供して
清浄にした。
Next, the inside of the sputtering chamber 11 is again pumped through the exhaust system 20 by 5X
Exhaust to 10-'Torr and release gas from gas supply system 19 to 9
Ar gas with a purity of 9.999% is introduced into the sputtering chamber 11.
Using a trowel that maintained a gas pressure of 5XIO TorrK, the RF power supply 14 was turned on and the surface of the Si 3N4 film was heated at 300W (1
) Cleaned by sputter etching using RF power for 5 minutes.

次に、Tbターゲット、 Coターゲットのスパッタ源
15に対応するシャッタ17を閉じた状態で、両ターゲ
ットのスパッタ#15に電源16よりDC’に力を供給
してTbターゲットに0.5A、Coターゲット<1.
5Aの放電奄流を通じ5分間のプレスパツタを行なって
各ターゲット表面を洗浄した(父、基板ホルダ12を治
具13によって6Orpmで回転させ、Tbターゲット
、 Coターゲットのスパッタ源15に対応するシャッ
タ17を同時に開いて35秒間にわたF) TbCo 
i臭の形成を行ない、約250久厚のTbCo膜からな
る記録層4を形成し、電源16をオフにした。
Next, with the shutters 17 corresponding to the sputtering sources 15 for the Tb target and the Co target being closed, DC' power is supplied from the power source 16 to the sputter #15 of both targets, and 0.5 A is applied to the Tb target, and 0.5 A is applied to the Co target. <1.
The surface of each target was cleaned by press sputtering for 5 minutes using a discharge current of 5 A. Open at the same time and spread for 35 seconds F) TbCo
A recording layer 4 made of a TbCo film with a thickness of approximately 250 mm was formed, and the power source 16 was turned off.

次に、ガスを3%分圧N2のN2−Ar混合ガスに喚え
、Slターゲットのスパッタ源15にtS16より30
0WI/)RFパワーを投入し、プレスパツタを5分間
行なった後、スパッタ成膜を5分間行ない、記録層4の
上に約250X厚のSi3N4膜からなる第2保護層5
を形成した。
Next, the gas is raised to N2-Ar mixed gas with a partial pressure of N2 of 3%, and the sputtering source 15 of the Sl target is heated at tS16 for 30 minutes.
0WI/) After applying RF power and performing press sputtering for 5 minutes, sputter film formation was performed for 5 minutes to form a second protective layer 5 made of a Si3N4 film with a thickness of about 250X on the recording layer 4.
was formed.

次に、ガスを純Arガスに換え、AIメタ−ットのスパ
ッタ源15に電源16より300WのRFパワーを投入
し、プレスパツタ5分間の後、スパッタ成膜を10分間
行ないh Si3N4!からなる干渉層5上にAl膜か
らなる光反射1−6を約100OAの厚さt)ぞ成し、
直像16をオフにするとともに基板10回転を停止し、
スパッタ室11を大気に戻して冶JJe21によって基
板lを上昇させて、6FfJ1図に示した光ディスクを
取出した。
Next, the gas was changed to pure Ar gas, and 300 W of RF power was applied from the power source 16 to the sputtering source 15 of the AI METAT, and after 5 minutes of press sputtering, sputtering film formation was performed for 10 minutes.hSi3N4! A light reflection layer 1-6 made of an Al film with a thickness t) of about 100 OA is formed on the interference layer 5 made of
Turn off the direct image 16 and stop the rotation of the substrate 10,
The sputtering chamber 11 was returned to the atmosphere, the substrate 1 was raised by the holder 21, and the optical disk shown in Fig. 6FfJ1 was taken out.

一方、同時に基板ホルダ12に投置した1000A厚の
テトラフローロエチレン膜からなる密着l―を有するガ
ラス、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネイト、
エポキシの各小片、および比較の為に設置した密11層
を持たない。同様の小片を用いて成膜直後の性能を評価
した結果、基板面側からHe−Neレーザからのレーザ
ビームを照射して測定した光反射率Rおよびカー回転角
θには、ポリメチルメタクリレート基板上にテトラフロ
ーロエチレン密着層を1°するサンプルがR=20% 
、θに=0.45 deg%また密着層のないサンプル
がR=25%。
On the other hand, glass, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polycarbonate,
Each piece of epoxy, and without the dense 11 layer installed for comparison. As a result of evaluating the performance immediately after film formation using a similar small piece, it was found that the light reflectance R and Kerr rotation angle θ measured by irradiating a laser beam from a He-Ne laser from the substrate surface side differed from that of a polymethyl methacrylate substrate. The sample with a 1° tetrafluoroethylene adhesive layer on top has R = 20%.
, θ = 0.45 deg%, and R = 25% for the sample without an adhesive layer.

θに= 0.45 degとなり、本発明に基づくテト
ラフローロエチレン密PJ層を有する構造Vこおいてモ
、実用上十分な再生性能指数(RXθに積)が潜られる
ことが確認された。
θ = 0.45 deg, and it was confirmed that the structure V having the tetrafluoroethylene-dense PJ layer according to the present invention had a practically sufficient regeneration performance index (product of RXθ).

また、粘着テープによるビールオフテストの結果は、テ
トラフローロエチレン密漬;・−を有するサンプルでは
、ガラス、ポリメチルメタクリレート。
In addition, the results of the beer-off test using adhesive tape showed that samples with tetrafluoroethylene were closely immersed in glass and polymethyl methacrylate.

ポリカーボネイト、エポキシのいずれのものも剥離は起
こらなかったのに対し、m着層のないサンプルではガラ
ス基板のもの以外b:l:全て剥離した。また、こ11
らの小片と前記したφ120fimの案内4付きポリカ
ーボネイト基板を/11いた元ディスクとを65゛C−
90%に、H,24Hrs、←→常温I Hr、−+ 
65°C−90%R,i(、48Iirs 、の加速劣
化試噴に供し、剥離の有無を調べた。第3図はこの加速
劣化試験後の本発明に1本づくつtディスクの表面状態
を示す金属組竜の顕微鏡写真であり、(a)は倍率10
倍、(b)tr1倍率1000倍の場合である。案内溝
(縞状の部分)のある面と唄い面を通して剥離は全く認
められないことが明らかである。これに対し、密着層を
もたない従来の尤ディスクでは加速劣化によって膜が基
板から剥離する現1象が認められた。
While no peeling occurred in either polycarbonate or epoxy, in the sample without m adhesion layer, all b:l except for the glass substrate peeled off. Also, this 11th
These small pieces and the original disk with the above-mentioned φ120fim polycarbonate board with guide 4 /11 were heated at 65°C.
To 90%, H, 24 Hrs, ←→ room temperature I Hr, -+
It was subjected to an accelerated deterioration test injection at 65°C and 90% R,i (48Iirs), and the presence or absence of peeling was investigated. Figure 3 shows the surface condition of one disc according to the present invention after this accelerated deterioration test. It is a microscopic photograph of a metal grommet dragon showing , (a) is a magnification of 10
(b) tr1 magnification of 1000 times. It is clear that no peeling is observed through the surface with the guide groove (striped portion) and the grooved surface. On the other hand, in conventional disks without an adhesive layer, a phenomenon was observed in which the film peeled off from the substrate due to accelerated deterioration.

〈実施例2〉 実姉例1ではテトラフローロエチレン密着#’&スパッ
タリング、去により形成し之が、テトラフローロエナタ
ン’I!fi 肴1=#はフレオンガスをプラズマ重合
する方法によっても得られる。第3図1グテトラフロー
ロエチレン着層の形成に1施するプラズマ重合装置の構
成例を示す図である。第3図において、41は重合室、
42は基板ホルダであり、j#l]′iI基板1例えば
ポリメチルメタクリレート基板(φr2o、’@内溝付
き)を保持する。43はコイル。
<Example 2> In Example 1, tetrafluoroethylene was formed by adhesion #'& sputtering, but tetrafluorenathane 'I! fi appetizer 1=# can also be obtained by plasma polymerization of Freon gas. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the configuration of a plasma polymerization apparatus used for forming a deposited layer of tetrafluoroethylene. In FIG. 3, 41 is a polymerization chamber;
Reference numeral 42 denotes a substrate holder, which holds j#l]'iI substrate 1, for example, a polymethyl methacrylate substrate (φr2o, '@with inner groove). 43 is a coil.

44はRF a源、45はガス供給系、46は排気系で
ある。
44 is an RF a source, 45 is a gas supply system, and 46 is an exhaust system.

このプラズマ重合装置を用いて、以下の工程によりテト
ラフローロエチレン密着層を形成した。
Using this plasma polymerization apparatus, a tetrafluoroethylene adhesive layer was formed through the following steps.

先ず重合室41を排気系46によって5 X 10−6
Torrまで排気した後、ガス供給系45よりCF4 
lj スt10 secm、ArガスをlO105c同
時に供給して、RFvtm44tオンrcし、:=li
 (ル431C200Wr/) RFパワーを供給し、
重合室41内にCF4−Ar混合ガスプラズマを励起し
て、基板1上へのプラズマ直合成膜を30分間行なって
取出した。このグラズマ重合テトラフローロエチレン嘆
の膜質は、耐薬品性は若干スパッタテトラフローロエチ
レン模に劣ったが、他はスバッタテトラフローロエチレ
ン膜と同vfiに良好であった。また、このプラズマ重
合テトラ70−ロエチレン膜上Vこ、第2図に示したス
パッタリング装置によってS i 3N4膜からなる第
1保穫層TbCo膜からなる記録層、Si3N4膜から
なる第2保護層およびAl膜からなる光反射層を順次形
成し、実施例1と同様にυ11速劣化試験に供したとこ
ろ、膜の剥離は起こらず、また案内溝形状の劣化も認め
られなかった。
First, the polymerization chamber 41 is 5×10-6
After exhausting to Torr, CF4 is supplied from the gas supply system 45.
lj st10 secm, Ar gas is supplied at the same time as lO105c, RFvtm44t on rc, :=li
(Le 431C200Wr/) Supply RF power,
A CF4-Ar mixed gas plasma was excited in the polymerization chamber 41, and a plasma direct synthesis film was formed on the substrate 1 for 30 minutes, and then taken out. The film quality of this glazma-polymerized tetrafluoroethylene film was slightly inferior to that of the sputtered tetrafluoroethylene film in terms of chemical resistance, but was otherwise as good in vfi as the sputtered tetrafluoroethylene film. Further, on this plasma-polymerized tetra-70-loethylene film, a first protection layer made of Si3N4 film, a recording layer made of TbCo film, a second protection layer made of Si3N4 film, and When a light reflecting layer made of an Al film was sequentially formed and subjected to the υ11 speed deterioration test in the same manner as in Example 1, no peeling of the film occurred and no deterioration of the guide groove shape was observed.

〈実施例3〉 実プへ例1および実施例2では、密着層をフッソゲ゛村
8旨(テトラフローロエチレン)のみで形成した一易合
について説明したが、本発明における密着層はフッソ紺
脂の他に透光性を有する無機材料を含有してもよい。そ
の実施例を以下に示す。
<Example 3> In Example 1 and Example 2, a case was explained in which the adhesive layer was formed only from fluorine gel (tetrafluoroethylene), but the adhesive layer in the present invention was formed from fluorine navy blue. In addition to fat, it may contain an inorganic material having translucency. Examples thereof are shown below.

透光注面脂基板1として実癩例1と同様の案内溝付きポ
リカーボネイト基板を用意し、中性洗剤溶液中にて5分
間超音波洗浄VC供し、補水にて水洗後s N2ブロー
乾燥、デシケータ乾燥を行なってから、スパッタ室11
内に入れ、基板ホルダ12にねじ止めした。治具21’
i’/JO工してスパッタ室11を密閉状態にし、排気
系20を4+力作させてスパッタ室11内のIFtle
5X10  ’I’orrnf徘ゲした後、ガス供玲系
19より3%分王N2−N2−Arガスを供給して、ス
パッタ室11内のガス圧力を5 X 10−3Torr
 ic !佳I寺した。
A polycarbonate substrate with a guide groove similar to that of Leprosy Example 1 was prepared as the translucent grout substrate 1, subjected to ultrasonic cleaning VC in a neutral detergent solution for 5 minutes, rinsed with supplementary water, then dried with N2 blow drying in a desiccator. After drying, the sputtering chamber 11
and screwed it to the substrate holder 12. Jig 21'
I'/JO is performed to seal the sputtering chamber 11, and the exhaust system 20 is operated 4+ to remove the IFtle in the sputtering chamber 11.
After the 5X10 'I'orrnf has passed, 3% N2-N2-Ar gas is supplied from the gas supply system 19 to increase the gas pressure in the sputtering chamber 11 to 5X10-3Torr.
IC! I went to Kaiji Temple.

次に、治具13によって基板ホルダ12を60rpmで
回転させ、シャッタ1702つを閉じた状態でそれらの
下部にあるスパッタ源15(5インチφのテトラ70−
ロエチレン・ターゲットおよびSiターゲットをそれぞ
れを収納しである)に電源16より各々t50W、12
0W(Dげパワーを印加した。5分間のブレ・スパッタ
(シャッタ17を閉じた失態でのスパッタ)を行ない、
ターゲツト面を、前浄化した後に、上記2つの7ヤツタ
17全開き、約10分1’L11のスパッタ成膜°を行
なって電源16をオフ状態とし、スパッタ室11内を大
気に戻した後、治具21を上昇させて、テトラフローロ
エチレン75 vol、 %  Si3N425 vo
l、%からなる密着I2が形成された基板1を取出した
。同時に基板ホルダ12に設置したガラス、ポリメチル
メタクリレート、ポリカード不1ト、エホ″キシの各小
片(約15朋×25朋)を利用して上記方法で形成しだ
、粁着層2の膜質を評価した結果、膜厚は1000X、
光透過率は91%(波長830nm+ポリメチルメタク
リレート基板)、耐薬品性は30分間のアセトン中超音
波洗浄で変質が皆無である程度に良好でおり、基板との
密着性は粘着テープによるビールオフテストでポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネイト、エポキシ並びに
ガラスのいずれも基板から剥離しない程度に強固で、ざ
らに65”C−90チR,H,の高温高湿雰囲気下24
Hrs、←常温雰細気下IHrcQ?イクル加速劣化試
験を4サイクル継続した後にも、上記した4種類の基板
のいずれからも剥離することはなく、またテトラフロー
ロの エチレン膜自体変質(光透過率の変化)も皆無で△ のった〇 このように本発明においては、密着層がフッンh11脂
と無機材料との混合物からなる場合でも、フッ素樹脂単
体の場合とほぼ同様の効果が得られる。
Next, the substrate holder 12 is rotated at 60 rpm using the jig 13, and with the two shutters 170 closed, the sputtering source 15 (5 inch φ Tetra 70-
t50 W, 12
A power of 0W (D) was applied.Break sputtering was performed for 5 minutes (sputtering due to the mistake of closing the shutter 17).
After pre-cleaning the target surface, the two 7-layers 17 were fully opened, sputter film formation was performed for about 10 minutes, the power supply 16 was turned off, and the inside of the sputtering chamber 11 was returned to the atmosphere. Raise the jig 21 and add 75 vol of tetrafluoroethylene, % Si3N425 vo
The substrate 1 on which the adhesion I2 of 1.1% was formed was taken out. At the same time, the film quality of the bonding layer 2 was formed using the above method using small pieces of glass, polymethyl methacrylate, polycard, and epoxy (approximately 15 mm x 25 mm) placed on the substrate holder 12. As a result of evaluation, the film thickness was 1000X,
The light transmittance is 91% (wavelength 830 nm + polymethyl methacrylate substrate), the chemical resistance is good with no deterioration after 30 minutes of ultrasonic cleaning in acetone, and the adhesion to the substrate was determined by the beer off test using adhesive tape. Polymethyl methacrylate, polycarbonate, epoxy, and glass are strong enough to not peel off from the substrate, and can be used in a high-temperature, high-humidity atmosphere of roughly 65"C-90mm R, H, 24 hours.
Hrs, ← IHrcQ under room temperature atmosphere? Even after 4 cycles of the cycle accelerated deterioration test, it did not peel off from any of the four types of substrates mentioned above, and there was no deterioration (change in light transmittance) of the tetrafluoroethylene film itself. As described above, in the present invention, even when the adhesion layer is made of a mixture of H11 fat and an inorganic material, substantially the same effects as in the case of using fluororesin alone can be obtained.

く実り亀例4〉 rM 宿例3ではテトラフローロエチレンとSi3N4
との混合物からなる密着層におけるテトラフローロエチ
レンの混合比が75vol−チ一様の場合を説明したが
、発明者等はより厳しい環境下でより長時間の加速劣化
試験を繰返したところ、このような混合物からなる密着
層では、密着層の厚さ方向にフッソ樹脂の混合比の変化
を持たせた方が、より信頼性が向上することを見出した
。この場合、フッソ−脂の混合比×の変化のさせ方は、
密着、■と基板および記録層との熱膨張率や吸水膨張係
数の差をできるだけ近付ける意味で、×を厚さ方向にお
いて平均化した値×に対して、基板に近い側では×〉×
、記録層に近い側ではX<Xとなるようにするのが適当
である。
Fruit turtle example 4> rM In accommodation example 3, tetrafluoroethylene and Si3N4
We have explained the case where the mixing ratio of tetrafluoroethylene in the adhesion layer consisting of a mixture of It has been found that the reliability of an adhesive layer made of such a mixture is improved by varying the mixing ratio of the fluorocarbon resin in the thickness direction of the adhesive layer. In this case, the way to change the fluoro-fat mixing ratio x is as follows:
In order to make the difference between adhesion, ■, thermal expansion coefficient and water absorption expansion coefficient between the substrate and the recording layer as close as possible, the average value of × in the thickness direction is ×, and on the side closer to the substrate
, it is appropriate that X<X on the side closer to the recording layer.

第4図はフッソm脂混合比を密着層の厚さ方向に変化さ
せて形成する場合の態様を示すもので、(a)は混合比
をステップ状に変化させる方式、(b)はグラデネアル
に変化させる方式である。
Figure 4 shows how the adhesion layer is formed by changing the mixture ratio of fluorine and fat in the thickness direction. This is a method of changing.

これら第4図(a) 、 (b)のような混合比の変化
を持つ密着層は、例えば第2図に示したスパッタリン。
The adhesion layer having a change in mixing ratio as shown in FIGS. 4(a) and 4(b) can be formed by sputtering, for example, as shown in FIG. 2.

グ装置において、テトラフロ゛−ロエチレン・ターゲッ
トとSLメタ−ットへの入力パワー比を時間的に変化さ
せることにより形成できる。これらの密着層の上に実施
例1と同様に、513N4膜からなる第1保′aJ砕+
TbCo膜からなる記録層、 Si3N4からなる第2
保穫層Al膜からなる光反射層を順次Q層した元ディス
クを製造し、実施例3で説明したテトラフローロエチレ
ンの混合比が75 vo10%一様の、テトラフローロ
エチレンとSi3N4との混合物からなる密着層を有す
る光ディスクと共に、80°C−90SR,H,24H
rs、 (−−)常温IHr、4サイクル→80°C−
90SR−H,96Hrs、という、実施例3の場合よ
りも厳しい条件の加速劣化試験に供した。
It can be formed by temporally changing the input power ratio to the tetrafluoroethylene target and the SL metal in the programming apparatus. On top of these adhesive layers, a first barrier made of 513N4 film was applied as in Example 1.
A recording layer made of TbCo film, a second layer made of Si3N4
A base disk with Q layers of light reflecting layers made of protection layer Al film was manufactured, and a mixture of tetrafluoroethylene and Si3N4 with a uniform mixing ratio of 75 vo 10% of tetrafluoroethylene as explained in Example 3 was manufactured. 80°C-90SR, H, 24H with an optical disc having an adhesive layer made of a mixture.
rs, (--) Room temperature IHr, 4 cycles → 80°C-
It was subjected to an accelerated deterioration test of 90SR-H, 96Hrs, which was more severe than that of Example 3.

テトラフローロエチレン混合比が一様の密着層を有する
光ディスクは実施例3で行なった65゛C−90チR,
H,下でのサイクル加速劣化試験ではディスク全面にわ
たね剥離は見られなかったが、本実施例4で行なった8
0°C−90SR,H,下でのより長時間のサイクル加
速劣化試験によっては、局部的に筋状の剥離を生じるこ
とが判った。同様の現象は%実施例1で説明したテトラ
フローロエチレン単体からなる密着層を形成した光ディ
スクにおいても観測された。
The optical disk having an adhesive layer with a uniform tetrafluoroethylene mixing ratio was prepared using the 65゛C-90CHR,
In the cycle accelerated deterioration test under H, no peeling was observed on the entire surface of the disk, but under 8
It was found that a longer cycle accelerated deterioration test at 0°C-90SR,H caused local streak-like peeling. A similar phenomenon was also observed in the optical disk described in Example 1 in which an adhesive layer made of tetrafluoroethylene alone was formed.

これに対し、ステップ状の混合比変化を持つ密着層を有
する光ディスクでに、剥離部が案内溝のない面の極く一
部に発生するのみで、またグラデュエント状の混合比変
化を持つ密着層を有する光ディスクにあっては、全く剥
離を生じないことがわかった。従って、オフィス等の環
境下では一様な混合比の密着層でも十分な信頼性が期待
できが、より厳しい環境下で長時間にわたり光ディスク
を保存するような場合には、密着層の厚さ方向にフッソ
(資)1脂V)混合比を変化させた密着層の方が、より
高い信頼性が得られる。
On the other hand, in optical discs that have an adhesive layer with a step-like mixture ratio change, peeling occurs only on a small part of the surface without guide grooves, and the adhesive layer has a gradient-like mixture ratio change. It was found that no peeling occurred at all in the optical disc having the following. Therefore, in an environment such as an office, sufficient reliability can be expected even with an adhesive layer with a uniform mixing ratio, but when storing an optical disc for a long time in a harsher environment, it is necessary to Higher reliability can be obtained with the adhesion layer in which the mixing ratio of Fluorine 1 and V) is changed.

なお、第4図(a) IIC示したようなステップ状の
混合比変化を持つ密着層でありて、テトラフローロエチ
レン100%の層を含んだ密着層を形成する場合には、
テトラフローロエチレン100%の層VこついてはCF
4ガスを用いたグラズマ遼合法によっても形成が可能で
ある。テトラフローロエチレンと無機材料との混合物の
層についても、 CF4ガスのプラズマ重合と無機材料
ターゲットのスパッタとを同時進行することによって形
成可能であるが、製造条件が難しくなるので、テトラフ
ローロエチレン・ターゲットと無機材料ターゲットの同
時スパッタの方が好ましい。
In addition, when forming an adhesion layer having a step-like mixture ratio change as shown in FIG. 4(a) IIC and including a layer of 100% tetrafluoroethylene,
100% tetrafluoroethylene layer V is CF
Formation is also possible by the Glazma Liao method using 4 gases. A layer of a mixture of tetrafluoroethylene and an inorganic material can also be formed by simultaneous plasma polymerization of CF4 gas and sputtering of an inorganic material target, but since the manufacturing conditions are difficult, it is possible to form a layer of a mixture of tetrafluoroethylene and an inorganic material. - Simultaneous sputtering of a target and an inorganic material target is preferable.

本発明はざらに、次のような種々の災施態様をとること
が可能である。例えば以上の実施例では記録層として光
磁気効果を利用するThCo膜を例示したが、他のRw
−TM膜であってもよく、またRE−TM膜膜外外記録
層を有する光ディスク、例えば形状記憶効果を利用する
CuAl膜等、結晶構造変化を利用する5eTe K 
、InSb膜等を記録層とする光ディスクにも本開明に
よる密着層を適用することができ、先の実ノ池例と同様
の効果を期待することができる。
Broadly speaking, the present invention can take various embodiments as described below. For example, in the above embodiments, a ThCo film that utilizes the magneto-optical effect was used as the recording layer, but other Rw
-TM film, or an optical disk having an outer recording layer outside the RE-TM film, such as a CuAl film that uses a shape memory effect, or a 5eTe K film that uses a change in crystal structure.
The adhesion layer according to the present invention can also be applied to an optical disk having a recording layer made of an InSb film or the like, and the same effects as in the previous Jinoike example can be expected.

また、実施例3ではフッソ樹脂(テトラフローロエチレ
ン)と混合される透光性無機材料としてSi3N4を示
したが、Si3N4以外の無機材料、例えばSiO2,
SiO,A717N、ZnS 、CaF2. ITO等
を使用しても同様の効果を得ることができる。実際、こ
れらの無機材料のターゲットを使用して、テトラフロー
ロエチレンΦターゲットと同時にスパッタを行ない、こ
れらの混合物からなる密着層をポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネイト、エポキシ、ガラスの4櫨頑の基
板上に形成し、ビールオフテストに供したところ、混合
比が厚さ方向に一様の密着層ではテトラフローロエチレ
ン混合比が50 vol。
In addition, in Example 3, Si3N4 was shown as a translucent inorganic material to be mixed with fluorocarbon resin (tetrafluoroethylene), but inorganic materials other than Si3N4, such as SiO2,
SiO, A717N, ZnS, CaF2. A similar effect can be obtained by using ITO or the like. In fact, using targets made of these inorganic materials, sputtering was performed at the same time as a tetrafluoroethylene Φ target, and an adhesive layer made of a mixture of these materials was deposited on a four-layer substrate of polymethyl methacrylate, polycarbonate, epoxy, and glass. When formed and subjected to a beer-off test, the adhesion layer with a uniform mixing ratio in the thickness direction had a tetrafluoroethylene mixing ratio of 50 vol.

多以上のものは全ての基板から剥離せず、グラデュエン
ト状の混合比変化を持つ密着層では全く剥離は認められ
なかった。
No peeling occurred from any of the substrates, and no peeling was observed at all in the adhesive layer where the mixture ratio varied in a gradient manner.

その他、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。
In addition, the present invention can be implemented with various modifications without departing from the scope of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係る光学式情報記録媒体(
光ディスク)の断面図、第2図は本開明の光ディスクの
製造に使用される装置の一例としてのスパッタリング装
置の構成図、第3図は本発明の元ディスクの製造に使用
される装置の他の例としてのプラズマ重合装置の構成図
、84図は本発明の他の実施例に係る光ディスクにおけ
るテトラフローロエチレンと透光性無機材料との混合物
からなる密着層の厚さ方向におけるテトラフローロエチ
レン混合比の変化の例を示す図である。 1・・・透光性ml脂基板 2・・・密着層 3・・・第1の保護層 4・・・記録層 5・・・第2の保護層 6・・・光反射1j 代理人 弁理士 則 近 廠 佑 同    竹 花 喜久男 第  1  図 偽 2 図 第  3f!iil 硯議層 第4図
FIG. 1 shows an optical information recording medium (
FIG. 2 is a block diagram of a sputtering device as an example of the device used for manufacturing the optical disk of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of another device used for manufacturing the original disk of the present invention. A block diagram of a plasma polymerization apparatus as an example, FIG. It is a figure which shows the example of a change of a mixing ratio. 1... Transparent ml fat substrate 2... Adhesive layer 3... First protective layer 4... Recording layer 5... Second protective layer 6... Light reflection 1j Agent Patent attorney Shi Nori Kinsho Yudo Takehana Kikuo 1st figure false 2 figure 3f! iii Inkstone layer Figure 4

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)透明樹脂基板上に、透明無機誘電体からなる保護
層と、この保護層上に形成された記録層とを具備する光
ディスクにおいて、前記透明樹脂基板と前記保護層との
間に、フッ素樹脂からなる透明密着層が設けられている
ことを特徴とする光ディスク。
(1) In an optical disc comprising a protective layer made of a transparent inorganic dielectric material on a transparent resin substrate and a recording layer formed on the protective layer, fluorine is added between the transparent resin substrate and the protective layer. An optical disc characterized by being provided with a transparent adhesive layer made of resin.
(2)前記記録層が希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性
合金薄膜からなることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の光ディスク。
(2) Claim 1, wherein the recording layer is made of a rare earth-transition metal amorphous ferrimagnetic alloy thin film.
Optical disc described in section.
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