JPS62204490A - ブロツホライン対の分離方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はブロッホラインメモリに係り、特に微小バブル
用材料を用いる超高密度ブロッホラインメモリに好適な
ブロッホライン対の分離方法に関する。

〔従来の技術〕

従来のブロッホラインメモリにおいてはブロッホライン
対の分離を行うためたとえば松寺他によす第９回応用磁
気学会２６ＰＤ−６“ブロッホラインと面内磁界との相
互作用”で述べられている面内磁界を局部的に与える方
法が用いられていた。

第２図を用いて従来技術を説明する。同図はバイアス磁
界ＨＲが上向きに印加されている例でありストライプ磁
区１に情報としてブロッホライン２および３が存在する
状態を示す。

ブロッホラインメモリでは情報を安定に保持するため、
このように２つのブロッホラインを１つの対として取扱
う。すなわち、ブロッホライン２゜３にて１つの情報担
体とする。このブロッホライン対は極めて安定である反
面読み出し動作時には構造の対称性から不都合が生じる
。これを解決するためブロッホライン対の分離が必要と
なる。同図（ａ）は分離前の状態を示す。同図はブロッ
ホラインが磁壁に対し負方向に回転する、いわゆるマイ
ナスブロッホラインを用いた場合の例を示している。

ブロッホライン間の磁壁の磁化方向は印加面内磁界１−
ｆ　ｉｐに対し逆向きになるためブロッホラインン対は
引き締められる状態にある。又、各々のブロッホライン
間に働く吸引力により、プロツボラインは非常に接近し
ている。

この状態において面内磁界Ｈ＋ｐと逆向きにＨｃを印加
すればブロッホライン対間の磁壁の磁化成分が拡大する
傾向となる。

さらに、ブロッホライン対間の吸引力に勝る磁界Ｈｃを
印加すれば同図（ｂ）のごとくブロッホライン２および
３は完全に分離される。この状態は面内磁界Ｈｃ　を印
加しつづければ継続できる。

又、面内磁界Ｈｅは導体７に通電すれば得られろため、
所望の位置にてブロッホライン対の分離ができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術はブロッホライン対間の吸引力が弱い場合
について有効と考えられるが、１〜２／ｌ　ｍ径以下の
微小バブル材料を用いろ超高密度ブロッホラインメモリ
においてはブロッホライン間の吸引力が強くなるため、
分離が非常に困難となる。

ブロッホライン対間の吸引力Ｉ＝”は Ｆ　＝　２πＭΔ・）Ｉ　　　　　　　　　　・・・■
ここで、 １■＝４πＭΔ／Ｓ Ｍ：磁化 Ｓ：ブロッホライン間距離 で求められるが、面内磁界でブロッホラインを分離する
ためにはヒ式の１１以にの磁界を逆向きに印加する必要
がある。

５μｍφ材料、たとλば（Ｙ　Ｓ　ｍ）ａ（Ｆ　ｅ　Ｇ
　ａ　）Ｆ。

０１２にガーネットの４πＭは約２０００　ＢだからＨ
は計算によれば５〜７０ｅとなるが、２μｍφ材料のた
とえば（ＹＳｍｌ、ｕ（、＋）ａ（１”　ａ　（ン１）
ａｏｔｚでは１０〜１５０　ｅ　８度となる。さらにＯ
、Ｆ５μｍ材料では４？ＣＭは２００００ｃとなるため
、Ｈは５０〜７００ｓとなる。面内磁界は従来、導体に
所定の電流を流し発生させている。

電流値と発生する磁界の関係は、導体形状等により変化
するがおおよそｌｏｍＡにて；３〜５０　ｅ程度となる
。したがって５μｍφ材料の場合、２０〜３０　ｍ　Ａ
にて分離が可能となるが２μｍφ材料では５０ｍＡ以上
必要となる。さらに、０．５μｍφ材料では２００ｍＡ
以上必要となることが予想される。

これに対し、ブロッホラインメモリに用いる導体パター
ンの寸法は高密度化に伴い微細化する必要があるため、
許容電流は極めて低くなる傾向にある。

以上の相反する状況下において、微小バブル径材料では
、従来技術によるブロッホライン対の分離が非常に困難
となろ６ 本発明の目的は上記問題を解決する新たなブロッホライ
ン対の分離方法を提案することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

従来法はブロッホライン対を直接引き離すという手段を
用いる。

これに対し、本発明では対象とするブロッホライン対の
近傍に別のブロッホライン対を書き込み、その一方と、
引き離すブロッホライン対の一方とを結合消滅させるこ
とで１間接的にブロッホライン対を分離させる手段を用
いる。すなわち、本発明ではブロッホライン対を直接引
き離す必要がなく、新たに書き込み動作を行うだけで上
記［１的が達成される。

〔作用〕

ブロッホラインは磁壁に対する回転の方向からマイナス
ブロッホラインとプラスブロッホラインに分けられろ。

ブロッホラインメモリで使用するブロッホラインはマイ
ナスのみあるいはプラスのみのブロッホラインを使用し
、′／ｐＡ用することはない。

この理由は、プラスブロッホラインとマイナスブロッホ
ラインは結合、消滅するため、情報が保存できなくなる
ためである。

本発明ではこのブロッホラインの性質をあえて利用する
。

情報担体であるブロッホライン対は全てマイナスブロッ
ホラインにより構成されているとする。

しかし、書き込まれたブロッホライン対は常にマイナス
とプラスのブロッホラインとなる。

これを情報担体にするためには、さらに磁区の切り出し
を行い、マイナスブロッホライン対とすることが良く知
られる。

本発明では磁区の切り出しは行わない。

したがって、分離すべきブロッホライン対の近傍で書き
込みを行えば、書き込まれたブロッホラインのうち、プ
ラスブロッホラインと１分離すべきブロッホラインの一
方が結合し消滅する。

残るマイナスブロッホラインが新たな対を形成する。

ここで書き込まれたプラスとマイナスのブロッホライン
は、書き込み時の磁界により除々に離れる性質にあるた
め、分離すべきブロッホラインに対しある程度、離れた
位置に書き込んでも先の結合、消滅操作が行える。

この結果、残る。マイナスブロッホラインは離れた状１
ｎで存在することになるに のマイナスブロッホライン対間に働く吸引力は式ので明
らかなように距離Ｓに反比例するから弱い磁界にて、こ
の状態を保持できる。

以上の動作はマイナスブロッホラインを用いる場合のも
のであるが、プラスブロッホラインの場合にも、まった
く同様のことが起る。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。

同図（ａ）はブロッホライン対を分離する前の状態を模
式的に示すものである。バイアス磁界Ｈａは上向きに印
加されている。ストライプ磁区１のａ壁中にブロッホラ
イン２および３が対を形成している。

印加面内磁界はＨｉｐは向って右側に均一に加えられて
いる。

同図（ｂ）は書き込み用導体６に所定の電流を流し新た
にブロッホライン４および５を発生させた後の状態を示
す。

この後、ブロッホライン３および４は結合し消滅する。

消滅した後の状態を示すのが同図（ｃ）である。

ブロッホライン２および５のみ離れた状態で残る。この
ブロッホライン５は先のブロッホライン３とまったく同
一構造を持つため、以りの操作はブロッホライン対２お
よび３の分離を行った結果と同一となる。

以上の操作で重要となるのがブロッホうイン対の書き込
みである。

書き込み時には必ずマイナスとプラスのブロッホライン
が発生する。

上記の例は情報担体としてマイナスブロッホライン対を
用いる場合であるとすると、新たに１１−き込むブロッ
ホラインのうち、分離対象ブロッホライン対側、同図で
はブロッホライン４はプラスブロッホラインになるよう
操作する必要がある。逆に情報担体としてプラスブロッ
ホラインを用いる場合は、ブロッホライン４はマイナス
ブロッホラインになるよう操作する必要がある。

この操作は書き込み用導体６に流す電流極性を逆にする
ことで行える。

よって本発明は全ての状態のブロッホライン対に対し行
えることがわかる。

書き込み時にもう１つ重要となるのが、書き込む位置で
ある。

ブロッホライン４および５を書き込むと良く知られるよ
うに、近傍の磁壁は大きくたわむ。

磁壁がたわむエネルギは除々にブロッホライン４および
５に伝えられ、ブロッホライン４は左回り（プラスブロ
ッホラインだから）ブロッホライン５は右回り（マイナ
スブロッホラインだから）に各々運動する。

この運動は結果的にブロッホライン４および５を離す作
用を及ぼす。

離れる距離は書き込み時の電流に影響される。

（磁壁のたわみ量が影響されるため）通常、書き込みを
行えば４〜６μｍ程度離れるので本実施例ではブロッホ
ライン対の近傍４μｍの位置にて書き込みを行った。

又、この書き込み後、ブロッホライン３とブロッホライ
ン４間にも吸引力がｅ＜ため、容易にこれらは結合、消
滅する。

この結果、ブロッホライン２とブロッホライン５のみが
離れて存在する。

すでに述べた通り、ブロッホライン５はマイナスブロッ
ホラインであるから、ブロッホライン３と同一構造とな
る。

この最終的状態は最初のブロッホライン対（２゜３）が
分離した状態と同一になる。

分離した状態を保持するためには、ブロッホライン２と
ブロッホライン５間の磁化の向きと同じ方向の面内磁界
を印加する必要があるが、分離後の距離は分離前の距離
のおよそ１０倍以上となるため、分離状態を保持するの
には、分離に必要となる面内磁界に比べおよそ１／１０
　（式■より）で済むことになる。

すなわち、０．５μｍφμｍ上なっても５μｍφμｍ上
おけろブロッホライン対の分離に必要であった磁界強度
でブロッホライン対の分離状態を保持できろ。

すなわち、通常の導体パターンで分離状態を保持できる
。

〔発明の効果〕

本発明によれば微小径バブル材料を用いる超高密度ブロ
ッホラインメモリにおけるブロッホライン対の分離を従
来技術の約１７１０の電流値で行えるため、従来不可能
と考えられていたブロッホライン対の分離が容易に行え
るようになった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すブロッホラインメモリ
におけるストライプ磁区端部の模式図、第２図は従来技
術の一例を示す、同じくストライプ磁区端部の模式図。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、分離対象ブロッホライン対の近傍に新たにブロッホ
   ライン対を書き込み、分離対象ブロッホライン対の一方
   のブロッホラインと書き込んだブロッホライン対の一方
   のブロッホラインを結合、消滅させることで、ブロッホ
   ライン対の分離を行うことを特徴とするブロッホライン
   の分離方法。