JPS62197848U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62197848U JPS62197848U JP8670786U JP8670786U JPS62197848U JP S62197848 U JPS62197848 U JP S62197848U JP 8670786 U JP8670786 U JP 8670786U JP 8670786 U JP8670786 U JP 8670786U JP S62197848 U JPS62197848 U JP S62197848U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- generation chamber
- plasma generation
- microwave inlet
- plasma
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本案装置の模式的縦断面図、第２図は
従来装置の模式的縦断面図である。 １……プラズマ生成室、２……導波管、３……
反応室、４……励磁コイル、５……エクステンシ
ヨンチユーブ、６ａ，６ｄ……石英ガラス板。
従来装置の模式的縦断面図である。 １……プラズマ生成室、２……導波管、３……
反応室、４……励磁コイル、５……エクステンシ
ヨンチユーブ、６ａ，６ｄ……石英ガラス板。
Claims (1)
- プラズマ生成室に設けたマイクロ波導入口に導
波管を連結すると共に、前記プラズマ生成室及び
これに連結された導波管の端部にわたつてその外
周に励磁コイルを配設したプラズマ装置において
、前記マイクロ波導入口と導波管との間に一端部
をマイクロ波導入口に連結され、且つ他端部が励
磁コイルの配設域の外方に延在され、ここに石英
板を介在させて気密状態で導波管を接続するエク
ステンシヨンチユーブを介装したことを特徴とす
るプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8670786U JPS62197848U (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8670786U JPS62197848U (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62197848U true JPS62197848U (ja) | 1987-12-16 |
Family
ID=30943263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8670786U Pending JPS62197848U (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62197848U (ja) |
-
1986
- 1986-06-06 JP JP8670786U patent/JPS62197848U/ja active Pending