JPS6218925B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6218925B2 JPS6218925B2 JP5654880A JP5654880A JPS6218925B2 JP S6218925 B2 JPS6218925 B2 JP S6218925B2 JP 5654880 A JP5654880 A JP 5654880A JP 5654880 A JP5654880 A JP 5654880A JP S6218925 B2 JPS6218925 B2 JP S6218925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- control voltage
- voltage
- resistor
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
- H03B5/368—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current the means being voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、所望の温度特性の制御電圧を出力す
る制御電圧発生回路に関するものである。
る制御電圧発生回路に関するものである。
増幅器や発振器等の電子回路は、周囲温度の変
化により利得や発振周波数等の特性が変化するも
のであり、従つて温度補償手段を付加して特性が
周囲温度の変化に対して一定になるようにするの
が一般的である。このような温度補償手段は例え
ばサーミスタにより構成し、温度変化に対応して
バイアス電圧等を変化させることが考えられる
が、電子回路の温度特性が直線的でないことによ
り、完全な温度補償ができないものであつた。
化により利得や発振周波数等の特性が変化するも
のであり、従つて温度補償手段を付加して特性が
周囲温度の変化に対して一定になるようにするの
が一般的である。このような温度補償手段は例え
ばサーミスタにより構成し、温度変化に対応して
バイアス電圧等を変化させることが考えられる
が、電子回路の温度特性が直線的でないことによ
り、完全な温度補償ができないものであつた。
又完全な温度補償を施す場合は、電子回路の特
性を種々の周囲温度で測定し、測定温度点に於け
る特性が一定になるように、バイアス電圧等を設
定することになるが、例えば基準温度に於けるバ
イアス電圧等の制御電圧を設定した後、他の測定
温度点に於いて特性が一定になるように制御電圧
を設定すると、先に設定した基準温度に於ける制
御電圧が変化することになり、各温度点に於ける
制御電圧の設定が独立的に行なわれない為、調整
に多大の手数を要する欠点があつた。
性を種々の周囲温度で測定し、測定温度点に於け
る特性が一定になるように、バイアス電圧等を設
定することになるが、例えば基準温度に於けるバ
イアス電圧等の制御電圧を設定した後、他の測定
温度点に於いて特性が一定になるように制御電圧
を設定すると、先に設定した基準温度に於ける制
御電圧が変化することになり、各温度点に於ける
制御電圧の設定が独立的に行なわれない為、調整
に多大の手数を要する欠点があつた。
本発明は、前述の如き従来の欠点を改善したも
ので、バイアス電圧等の制御電圧を各調整温度点
に於いて独立的に設定し得るようにすることを目
的とするものである。以下実施例について詳細に
説明する。
ので、バイアス電圧等の制御電圧を各調整温度点
に於いて独立的に設定し得るようにすることを目
的とするものである。以下実施例について詳細に
説明する。
第１図は本発明の原理説明図であり、ダイオー
ドＤに抵抗Ｒを並列に接続し、電流ｉを流したと
き、その並列回路の電圧ＶがダイオードＤの順方
向電圧ＶD以下のとき、ダイオードＤは殆んどオ
フの状態であるから、電圧ＶはＶ＝ｉ×Ｒとな
り、抵抗Ｒの大きさを変化することにより電圧Ｖ
は変化する。そして電圧ＶがダイオードＤの順方
向電圧（例えばシリコンダイオードの場合、順方
向電圧は約0.7V）になると、ダイオードＤはオ
ン状態となり、電流ｉはダイオードＤに流れ始め
抵抗Ｒの大きさを変化させても、並列回路の電圧
Ｖは順方向電圧ＶDとなる。
ドＤに抵抗Ｒを並列に接続し、電流ｉを流したと
き、その並列回路の電圧ＶがダイオードＤの順方
向電圧ＶD以下のとき、ダイオードＤは殆んどオ
フの状態であるから、電圧ＶはＶ＝ｉ×Ｒとな
り、抵抗Ｒの大きさを変化することにより電圧Ｖ
は変化する。そして電圧ＶがダイオードＤの順方
向電圧（例えばシリコンダイオードの場合、順方
向電圧は約0.7V）になると、ダイオードＤはオ
ン状態となり、電流ｉはダイオードＤに流れ始め
抵抗Ｒの大きさを変化させても、並列回路の電圧
Ｖは順方向電圧ＶDとなる。
第２図は前述の並列回路の電圧Ｖと抵抗Ｒとの
関係を示すもので、抵抗ＲをR′以上に大きくす
ると、順方向電圧ＶDとなる。例えば順方向電圧
ＶDを0.7V、電流ｉを２ｍＡとすると、抵抗Ｒが
350Ω以上であれば電圧Ｖは0.7Vとなり、抵抗Ｒ
が350Ω以下であれば、その抵抗値と電流ｉとの
積の電圧となる。
関係を示すもので、抵抗ＲをR′以上に大きくす
ると、順方向電圧ＶDとなる。例えば順方向電圧
ＶDを0.7V、電流ｉを２ｍＡとすると、抵抗Ｒが
350Ω以上であれば電圧Ｖは0.7Vとなり、抵抗Ｒ
が350Ω以下であれば、その抵抗値と電流ｉとの
積の電圧となる。
この抵抗Ｒをサーミスタ等の感温抵抗とし、周
囲温度に応じてその抵抗値が第２図のR′以下で
あれば、電圧Ｖは周囲温度により変化する。又或
る温度範囲では抵抗値がR′以上となると、電圧
Ｖは順方向電圧ＶDとなり、周囲温度がそれ以上
変化しても、一定の電圧となる。
囲温度に応じてその抵抗値が第２図のR′以下で
あれば、電圧Ｖは周囲温度により変化する。又或
る温度範囲では抵抗値がR′以上となると、電圧
Ｖは順方向電圧ＶDとなり、周囲温度がそれ以上
変化しても、一定の電圧となる。
第３図は本発明の一実施例の回路図であり、Ｒ
１〜Ｒ６は調整用の抵抗、Ｐ１，Ｐ２はポジスタ
即ち正特性感温抵抗、Ｓ１〜Ｓ２はサーミスタ即
ち負特性感温抵抗、Ｄ１〜Ｄ４はダイオード、−
Ｖは電源電圧、ＶGは制御電圧である。ダイオー
ドＤ１，ポジスタＰ１，抵抗Ｒ２の回路を第１の
感温回路、ダイオードＤ２，サーミスタＳ１，抵
抗Ｒ３の回路を第２の感温回路、ダイオードＤ
３，ポジスタＰ２，抵抗Ｒ４の回路を第３の感温
回路、ダイオードＤ４，サーミセタＳ２，抵抗
R5の回路を第４の感温回路とすると、第１〜第
４の感温回路のポジスタＰ１，Ｐ２，サーミスタ
Ｓ１，Ｓ２の抵抗を基準温度に於いて第２図の
R′より大きく選べば、抵抗Ｒ２〜Ｒ５の抵抗値
に無関係にダイオードＤ１〜Ｄ４はオン状態とな
り、抵抗Ｒ１，Ｒ６を調整して制御電圧ＶGを設
定すると、制御電圧ＶGは ＶG＝（Ｖ−４ＶＤ／Ｒ１＋Ｒ６）・R6＋2VD…(1)
となる。即ち抵抗Ｒ１，Ｒ６の調整により制御電
圧ＶGを設定することができ、且つ第１〜第４の
感温回路のダイオードＤ１〜Ｄ４が温度に関係な
くオン状態であれば、制御電圧ＶGは温度に関係
なく一定となる。
１〜Ｒ６は調整用の抵抗、Ｐ１，Ｐ２はポジスタ
即ち正特性感温抵抗、Ｓ１〜Ｓ２はサーミスタ即
ち負特性感温抵抗、Ｄ１〜Ｄ４はダイオード、−
Ｖは電源電圧、ＶGは制御電圧である。ダイオー
ドＤ１，ポジスタＰ１，抵抗Ｒ２の回路を第１の
感温回路、ダイオードＤ２，サーミスタＳ１，抵
抗Ｒ３の回路を第２の感温回路、ダイオードＤ
３，ポジスタＰ２，抵抗Ｒ４の回路を第３の感温
回路、ダイオードＤ４，サーミセタＳ２，抵抗
R5の回路を第４の感温回路とすると、第１〜第
４の感温回路のポジスタＰ１，Ｐ２，サーミスタ
Ｓ１，Ｓ２の抵抗を基準温度に於いて第２図の
R′より大きく選べば、抵抗Ｒ２〜Ｒ５の抵抗値
に無関係にダイオードＤ１〜Ｄ４はオン状態とな
り、抵抗Ｒ１，Ｒ６を調整して制御電圧ＶGを設
定すると、制御電圧ＶGは ＶG＝（Ｖ−４ＶＤ／Ｒ１＋Ｒ６）・R6＋2VD…(1)
となる。即ち抵抗Ｒ１，Ｒ６の調整により制御電
圧ＶGを設定することができ、且つ第１〜第４の
感温回路のダイオードＤ１〜Ｄ４が温度に関係な
くオン状態であれば、制御電圧ＶGは温度に関係
なく一定となる。
常温を基準温度とした場合、第１〜第４の感温
回路のポジスタＰ１，Ｐ２、サーミスタＳ１，Ｓ
２を選択して前述の如くダイオードＤ１〜Ｄ４が
オン状態になるようにして、抵抗Ｒ１，Ｒ６の調
整により制御電圧ＶGを設定する。そして低温で
はポジスタＰ１，Ｐ２の抵抗値が小さく、サーミ
スタＳ１，Ｓ２の抵抗値が大きくなるから、低温
で例えばダイオードＤ１がオフとなるように抵抗
Ｒ２を調整すると、低温に於いては電流はポジス
タＰ１と抵抗Ｒ２とに流れ、ダイオードＤ１の順
方向電圧ＶDより小さいが、ポジスタＰ１と抵抗
Ｒ２との合成抵抗値に対応した第１の感温回路の
電圧となり、制御電圧ＶGは低温に於いて基準温
度に於けるよりも上昇する。
回路のポジスタＰ１，Ｐ２、サーミスタＳ１，Ｓ
２を選択して前述の如くダイオードＤ１〜Ｄ４が
オン状態になるようにして、抵抗Ｒ１，Ｒ６の調
整により制御電圧ＶGを設定する。そして低温で
はポジスタＰ１，Ｐ２の抵抗値が小さく、サーミ
スタＳ１，Ｓ２の抵抗値が大きくなるから、低温
で例えばダイオードＤ１がオフとなるように抵抗
Ｒ２を調整すると、低温に於いては電流はポジス
タＰ１と抵抗Ｒ２とに流れ、ダイオードＤ１の順
方向電圧ＶDより小さいが、ポジスタＰ１と抵抗
Ｒ２との合成抵抗値に対応した第１の感温回路の
電圧となり、制御電圧ＶGは低温に於いて基準温
度に於けるよりも上昇する。
又低温に於いて第３の感温回路の抵抗Ｒ４を調
整してダイオードＤ３がオフとなるようにする
と、低温に於いては制御電圧ＶGは基準温度に於
けるよりも低下する。なお低温に於いては、サー
ミスタＳ１，Ｓ２の抵抗値が大きくなるので、第
２及び第４の感温回路の電圧は順方向電圧ＶDと
なる。
整してダイオードＤ３がオフとなるようにする
と、低温に於いては制御電圧ＶGは基準温度に於
けるよりも低下する。なお低温に於いては、サー
ミスタＳ１，Ｓ２の抵抗値が大きくなるので、第
２及び第４の感温回路の電圧は順方向電圧ＶDと
なる。
高温に於いては、第２及び第４の感温回路の抵
抗Ｒ３，Ｒ５を調整して何れか一方のダイオード
Ｄ２，Ｄ４がオフとなるようにすれば、高温に於
ける制御電圧ＶGを基準温度に於けるよりも上昇
又は低下させることができる。なおポジスタＰ
１，Ｐ２の抵抗温度特性及びサーミスタの抵抗温
度特性は等しくすることができるが、相違させる
こともでき、この相違させた場合は、調整温度点
に於いて、ダイオードＤ１，Ｄ３又はダイオード
Ｄ２，Ｄ４を同時にオン状態として、抵抗温度特
性の差を利用した温度特性の制御電圧を出力する
ようにすることもできる。
抗Ｒ３，Ｒ５を調整して何れか一方のダイオード
Ｄ２，Ｄ４がオフとなるようにすれば、高温に於
ける制御電圧ＶGを基準温度に於けるよりも上昇
又は低下させることができる。なおポジスタＰ
１，Ｐ２の抵抗温度特性及びサーミスタの抵抗温
度特性は等しくすることができるが、相違させる
こともでき、この相違させた場合は、調整温度点
に於いて、ダイオードＤ１，Ｄ３又はダイオード
Ｄ２，Ｄ４を同時にオン状態として、抵抗温度特
性の差を利用した温度特性の制御電圧を出力する
ようにすることもできる。
第４図は制御電圧の設定範囲の説明図であり、
基準温度Ｔに於ける制御電圧ＶGを抵抗Ｒ１，Ｒ
６の調整によりＶG1に設定した場合、低温Tlでは
抵抗Ｒ２又はＲ４を調整し、高温Thでは抵抗Ｒ
３又はＲ５を調整することにより、斜線を施した
設定範囲が得られ、低温Tl及び高温Thに於ける
制御電圧の設定によつて基準温度Ｔに於ける制御
電圧が変化しないので、調整温度点に於ける制御
電圧の設定を独立的に行なうことができ、且つ調
整温度点間では制御電圧ＶGは温度変化によつて
連続的に変化するものとなる。
基準温度Ｔに於ける制御電圧ＶGを抵抗Ｒ１，Ｒ
６の調整によりＶG1に設定した場合、低温Tlでは
抵抗Ｒ２又はＲ４を調整し、高温Thでは抵抗Ｒ
３又はＲ５を調整することにより、斜線を施した
設定範囲が得られ、低温Tl及び高温Thに於ける
制御電圧の設定によつて基準温度Ｔに於ける制御
電圧が変化しないので、調整温度点に於ける制御
電圧の設定を独立的に行なうことができ、且つ調
整温度点間では制御電圧ＶGは温度変化によつて
連続的に変化するものとなる。
又基準温度Ｔに於ける制御電圧ＶGをＶG2に設
定すれば、制御電圧ＶGは点線曲線の設定範囲と
なり、所望の温度特性の制御電圧を出力すること
ができる。
定すれば、制御電圧ＶGは点線曲線の設定範囲と
なり、所望の温度特性の制御電圧を出力すること
ができる。
第４図の斜線を施した設定範囲に於いて、領域
Ａは、第１の感温回路の抵抗Ｒ２の調整値と、ポ
ジスタＰ１の抵抗温度特性とによつて得られるも
のであり、領域Ｂ，Ｃ，Ｄはそれぞれ第２〜第４
の感温回路の特性によつて得られるものである。
Ａは、第１の感温回路の抵抗Ｒ２の調整値と、ポ
ジスタＰ１の抵抗温度特性とによつて得られるも
のであり、領域Ｂ，Ｃ，Ｄはそれぞれ第２〜第４
の感温回路の特性によつて得られるものである。
前述の実施例に於ける第１〜第４の感温回路は
１個のダイオードＤ１〜Ｄ４により、最大順方向
電圧ＶDの変化範囲となるが、第５図に示すよう
に、複数のダイオードDa，Db，Dcを直列に接続
し、ポジスタＰ又はサーミスタＳと抵抗Ｒとを並
列に接続すれば、感温回路の電圧の変化範囲を大
きくすることができる。即ち0.7Vの順方向電圧
ＶDのダイオードDa，Db，Dcを３個直列接続す
れば、０〜2.1Vの電圧変化範囲が得られる。な
お抵抗Ｒを零としても、実際にはポジスタＰ又は
サーミスタＳは抵抗値が零になることがないか
ら、感温回路の電圧が零になることはない。
１個のダイオードＤ１〜Ｄ４により、最大順方向
電圧ＶDの変化範囲となるが、第５図に示すよう
に、複数のダイオードDa，Db，Dcを直列に接続
し、ポジスタＰ又はサーミスタＳと抵抗Ｒとを並
列に接続すれば、感温回路の電圧の変化範囲を大
きくすることができる。即ち0.7Vの順方向電圧
ＶDのダイオードDa，Db，Dcを３個直列接続す
れば、０〜2.1Vの電圧変化範囲が得られる。な
お抵抗Ｒを零としても、実際にはポジスタＰ又は
サーミスタＳは抵抗値が零になることがないか
ら、感温回路の電圧が零になることはない。
第６図は本発明の他の実施例の回路図であり、
Ｒ１０〜Ｒ１３は抵抗、Ｄ１１，Ｄ１２はダイオ
ード、Ｐ１１，Ｐ１２はポジスタ、Ｓ１１，Ｓ１
２はサーミスタであつて、基準温度に於ける制御
電圧ＶGは−Ｖの電圧を抵抗Ｒ１０，Ｒ１３で分
圧したものとなる。この基準温度に於いて、ポジ
スタＰ１１，Ｐ１２及びサーミスタＳ１１，Ｓ１
２の抵抗値が、ダイオードＤ１１，Ｄ１２のオン
状態に於ける抵抗値に比較して大きく、ダイオー
ドＤ１１，Ｄ１２に電流が流れるように、ポジス
タＰ１１，Ｐ１２及びサーミスタＳ１１，Ｓ１２
の抵抗温度特性を定めておくものである。
Ｒ１０〜Ｒ１３は抵抗、Ｄ１１，Ｄ１２はダイオ
ード、Ｐ１１，Ｐ１２はポジスタ、Ｓ１１，Ｓ１
２はサーミスタであつて、基準温度に於ける制御
電圧ＶGは−Ｖの電圧を抵抗Ｒ１０，Ｒ１３で分
圧したものとなる。この基準温度に於いて、ポジ
スタＰ１１，Ｐ１２及びサーミスタＳ１１，Ｓ１
２の抵抗値が、ダイオードＤ１１，Ｄ１２のオン
状態に於ける抵抗値に比較して大きく、ダイオー
ドＤ１１，Ｄ１２に電流が流れるように、ポジス
タＰ１１，Ｐ１２及びサーミスタＳ１１，Ｓ１２
の抵抗温度特性を定めておくものである。
例えば抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の調整点をサーミス
タＳ１１及びポジスタＰ１１側に移動させると、
ダイオードＤ１２は低温及び高温に於いてもオン
状態となるが、ダイオードＤ１１はオフ状態とな
り、低温に於いてはポジスタＰ１１の抵抗温度特
性により、又高温に於いてはサーミスタＳ１１の
抵抗温度特性により制御電圧ＶGは基準温度に於
けるよりも大きくなる。
タＳ１１及びポジスタＰ１１側に移動させると、
ダイオードＤ１２は低温及び高温に於いてもオン
状態となるが、ダイオードＤ１１はオフ状態とな
り、低温に於いてはポジスタＰ１１の抵抗温度特
性により、又高温に於いてはサーミスタＳ１１の
抵抗温度特性により制御電圧ＶGは基準温度に於
けるよりも大きくなる。
第７図は本発明の更に他の実施例の回路図であ
り、前述の各実施例が基準温度とそれより低温及
び高温の３点の調整温度点を有するのに対し、こ
の実施例は５点の調整温度点を有するものであ
る。即ちポジスタＰ２１〜Ｐ２４又はサーミスタ
Ｓ２１〜Ｓ２４と抵抗Ｒ２１〜Ｒ２８とダイオー
ドＤ２１〜Ｄ２８とからなる第１〜第８の感温回
路を有し、基準温度では抵抗Ｒ２０，Ｒ２９の調
整により−Ｖの電圧を分圧した制御電圧ＶGを設
定し、第１及び第３の感温回路のポジスタＰ２
１，Ｐ２２の抵抗温度特性を相違させ、第２及び
第４の感温回路のサーミスタＳ２１，Ｓ２２の抵
抗温度特性を相違させておき、同様に第５及び第
７の感温回路のポジスタＰ２３，Ｐ２４の温度特
性と、第６及び第８の感温回路のサーミスタＳ２
３，Ｓ２４の抵抗温度特性を相違させておくこと
により、調整温度点を多くすることができるもの
である。
り、前述の各実施例が基準温度とそれより低温及
び高温の３点の調整温度点を有するのに対し、こ
の実施例は５点の調整温度点を有するものであ
る。即ちポジスタＰ２１〜Ｐ２４又はサーミスタ
Ｓ２１〜Ｓ２４と抵抗Ｒ２１〜Ｒ２８とダイオー
ドＤ２１〜Ｄ２８とからなる第１〜第８の感温回
路を有し、基準温度では抵抗Ｒ２０，Ｒ２９の調
整により−Ｖの電圧を分圧した制御電圧ＶGを設
定し、第１及び第３の感温回路のポジスタＰ２
１，Ｐ２２の抵抗温度特性を相違させ、第２及び
第４の感温回路のサーミスタＳ２１，Ｓ２２の抵
抗温度特性を相違させておき、同様に第５及び第
７の感温回路のポジスタＰ２３，Ｐ２４の温度特
性と、第６及び第８の感温回路のサーミスタＳ２
３，Ｓ２４の抵抗温度特性を相違させておくこと
により、調整温度点を多くすることができるもの
である。
例えば基準温度ではダイオードＤ２１〜Ｄ２８
がオン状態になるように、第１〜第８の感温回路
のポジスタ及びサーミスタを選定して、抵抗Ｒ２
０，Ｒ２９の調整により制御電圧ＶGを設定し、
基準温度より低い第１の低温に於いては、第３及
び第７の感温回路の抵抗Ｒ２３，Ｒ２７を調整す
る。この第１の低温に於いては、第１及び第５の
感温回路のポジスタＰ２１，Ｐ２３の抵抗値が、
ダイオードＤ２１，Ｄ２５をオフ状態とするに至
らず、又第１の低温より低くなつたときに、ポジ
スタＰ２１，Ｐ２３の抵抗値が小さくなつて、例
えば抵抗Ｒ２１，Ｒ２５を零にすれば、ダイオー
ドＤ２１，Ｄ２５をオフ状態とし得る特性のもの
を選定する。従つて第１の低温より低い第２の低
温に於いては、第１及び第５の感温回路の抵抗Ｒ
２１，Ｒ２５を調整して制御電圧ＶGを設定す
る。
がオン状態になるように、第１〜第８の感温回路
のポジスタ及びサーミスタを選定して、抵抗Ｒ２
０，Ｒ２９の調整により制御電圧ＶGを設定し、
基準温度より低い第１の低温に於いては、第３及
び第７の感温回路の抵抗Ｒ２３，Ｒ２７を調整す
る。この第１の低温に於いては、第１及び第５の
感温回路のポジスタＰ２１，Ｐ２３の抵抗値が、
ダイオードＤ２１，Ｄ２５をオフ状態とするに至
らず、又第１の低温より低くなつたときに、ポジ
スタＰ２１，Ｐ２３の抵抗値が小さくなつて、例
えば抵抗Ｒ２１，Ｒ２５を零にすれば、ダイオー
ドＤ２１，Ｄ２５をオフ状態とし得る特性のもの
を選定する。従つて第１の低温より低い第２の低
温に於いては、第１及び第５の感温回路の抵抗Ｒ
２１，Ｒ２５を調整して制御電圧ＶGを設定す
る。
又基準温度より高い第１の高温に於いては、第
４及び第８の感温回路の抵抗Ｒ２４，Ｒ２８を調
整し、第１の高温より高い第２の高温に於いて
は、第２及び第６の感温回路の抵抗Ｒ２４，Ｒ２
６を調整して制御電圧ＶGを設定する。このと
き、サーミスタＳ２１，Ｓ２３は第１の高温以下
ではダイオードＤ２２，Ｄ２６をオフ状態とする
抵抗値にならず、それ以上の高温に於いてダイオ
ードＤ２２，Ｄ２６をオフ状態とする抵抗値に低
下する特性のものを選定する。
４及び第８の感温回路の抵抗Ｒ２４，Ｒ２８を調
整し、第１の高温より高い第２の高温に於いて
は、第２及び第６の感温回路の抵抗Ｒ２４，Ｒ２
６を調整して制御電圧ＶGを設定する。このと
き、サーミスタＳ２１，Ｓ２３は第１の高温以下
ではダイオードＤ２２，Ｄ２６をオフ状態とする
抵抗値にならず、それ以上の高温に於いてダイオ
ードＤ２２，Ｄ２６をオフ状態とする抵抗値に低
下する特性のものを選定する。
従つて基準温度に於ける制御電圧を設定した
後、各調整温度点に於ける制御電圧を設定するこ
とにより、独立的に制御電圧を設定することがで
きるものとなる。
後、各調整温度点に於ける制御電圧を設定するこ
とにより、独立的に制御電圧を設定することがで
きるものとなる。
前述の各実施例の感温回路のダイオードは、ツ
エナーダイオードとすることも可能であり、又出
力制御電圧の変化範囲を拡大する必要がある場合
は、出力端子に直流増幅器を接続することもでき
る。又、制御電圧を加える負荷側の構成に対応し
て出力インピーダンスを整合し得る回路を接続す
ることもできる。又負荷側の構成によつては、電
気的に分離して制御電圧を加える必要がある場合
は、ホトカプラを用いることも可能である。又制
御電圧の要求される特性によつては、感温抵抗と
してポジスタのみ或はサーミスタのみとして感温
回路を構成することもできる。
エナーダイオードとすることも可能であり、又出
力制御電圧の変化範囲を拡大する必要がある場合
は、出力端子に直流増幅器を接続することもでき
る。又、制御電圧を加える負荷側の構成に対応し
て出力インピーダンスを整合し得る回路を接続す
ることもできる。又負荷側の構成によつては、電
気的に分離して制御電圧を加える必要がある場合
は、ホトカプラを用いることも可能である。又制
御電圧の要求される特性によつては、感温抵抗と
してポジスタのみ或はサーミスタのみとして感温
回路を構成することもできる。
以上説明したように、本発明は、ポジスタやサ
ーミスタ等の感温抵抗と調整用の抵抗とを直列に
接続して、ダイオードと並列に接続した感温回路
を複数直列接続し、更に感温回路と直列に抵抗を
接続して、電源電圧を分圧することにより制御電
圧とし、感温抵抗の抵抗温度特性を利用するか否
かを調整用の抵抗で調整することにより、調整温
度点に於ける制御電圧を設定するものであり、各
調整温度点に於ける制御電圧を独立的に設定でき
るから、要求される制御電圧の温度特性を調整用
の抵抗で容易に設定できることになる。又調整温
度点間の制御電圧の温度特性は感温抵抗の抵抗温
度特性及び調整用の抵抗に従つて連続的に変化す
るものとなり、調整温度点を第７図に示す実施例
の如く多数有する構成とすれば、複雑な変化をす
る温度特性の制御電圧も容易に設定できることに
なる。
ーミスタ等の感温抵抗と調整用の抵抗とを直列に
接続して、ダイオードと並列に接続した感温回路
を複数直列接続し、更に感温回路と直列に抵抗を
接続して、電源電圧を分圧することにより制御電
圧とし、感温抵抗の抵抗温度特性を利用するか否
かを調整用の抵抗で調整することにより、調整温
度点に於ける制御電圧を設定するものであり、各
調整温度点に於ける制御電圧を独立的に設定でき
るから、要求される制御電圧の温度特性を調整用
の抵抗で容易に設定できることになる。又調整温
度点間の制御電圧の温度特性は感温抵抗の抵抗温
度特性及び調整用の抵抗に従つて連続的に変化す
るものとなり、調整温度点を第７図に示す実施例
の如く多数有する構成とすれば、複雑な変化をす
る温度特性の制御電圧も容易に設定できることに
なる。
第１図は本発明の原理説明図、第２図は第１図
の抵抗と電圧との関係の説明曲線図、第３図は本
発明の一実施例の回路図、第４図は制御電圧の設
定範囲の説明図、第５図は感温回路の他の実施例
の回路図、第６図及び第７図は本発明のそれぞれ
異なる実施例の回路図である。 Ｄ１〜Ｄ４，Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１〜Ｄ２８
はダイオード、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ
２１〜Ｐ２４はポジスタ、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ１１，
Ｓ１２，Ｓ２１〜Ｓ２４はサーミスタ、Ｒ１〜Ｒ
６，Ｒ１０〜Ｒ１３，Ｒ２０〜Ｒ２９は抵抗であ
る。
の抵抗と電圧との関係の説明曲線図、第３図は本
発明の一実施例の回路図、第４図は制御電圧の設
定範囲の説明図、第５図は感温回路の他の実施例
の回路図、第６図及び第７図は本発明のそれぞれ
異なる実施例の回路図である。 Ｄ１〜Ｄ４，Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１〜Ｄ２８
はダイオード、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ
２１〜Ｐ２４はポジスタ、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ１１，
Ｓ１２，Ｓ２１〜Ｓ２４はサーミスタ、Ｒ１〜Ｒ
６，Ｒ１０〜Ｒ１３，Ｒ２０〜Ｒ２９は抵抗であ
る。
Claims (1)
- １ 感温抵抗と調整用の抵抗とを直列に接続して
ダイオードに並列に接続した感温回路を複数直列
に接続し、該感温回路と該感温回路に直列に接続
した抵抗とにより電源電圧を分圧して制御電圧を
出力する構成としたことを特徴とする制御電圧発
生回路。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5654880A JPS56153972A (en) | 1980-04-28 | 1980-04-28 | Controlling voltage generating circuit |
| EP83111066A EP0108409B1 (en) | 1980-04-28 | 1981-04-24 | Temperature compensating voltage generator circuit |
| EP81301812A EP0039215B1 (en) | 1980-04-28 | 1981-04-24 | Temperature compensating voltage generator circuit |
| DE8181301812T DE3171674D1 (en) | 1980-04-28 | 1981-04-24 | Temperature compensating voltage generator circuit |
| DE8383111065T DE3176289D1 (en) | 1980-04-28 | 1981-04-24 | Temperature compensating voltage generator circuit |
| DE8383111066T DE3176043D1 (en) | 1980-04-28 | 1981-04-24 | Temperature compensating voltage generator circuit |
| EP83111065A EP0108408B1 (en) | 1980-04-28 | 1981-04-24 | Temperature compensating voltage generator circuit |
| US06/257,551 US4352053A (en) | 1980-04-28 | 1981-04-27 | Temperature compensating voltage generator circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5654880A JPS56153972A (en) | 1980-04-28 | 1980-04-28 | Controlling voltage generating circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56153972A JPS56153972A (en) | 1981-11-28 |
| JPS6218925B2 true JPS6218925B2 (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=13030138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5654880A Granted JPS56153972A (en) | 1980-04-28 | 1980-04-28 | Controlling voltage generating circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56153972A (ja) |
-
1980
- 1980-04-28 JP JP5654880A patent/JPS56153972A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56153972A (en) | 1981-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4516865A (en) | Resistance thermometer | |
| US4158180A (en) | Temperature control circuit | |
| US4000643A (en) | Apparatus for producing a compensating voltage | |
| US3967188A (en) | Temperature compensation circuit for sensor of physical variables such as temperature and pressure | |
| US5197334A (en) | Programmable compensation of bridge circuit thermal response | |
| JPH0675247B2 (ja) | 空気流量検出装置 | |
| US4562400A (en) | Temperature-compensated zener voltage reference | |
| US3733463A (en) | Temperature control system with a pulse width modulated bridge | |
| JPS6362924B2 (ja) | ||
| CA1135335A (en) | Excessive duty cycle and pulse width limiter | |
| JP2898527B2 (ja) | 温度補償電圧発生回路 | |
| JP2774881B2 (ja) | ガンマ補正回路 | |
| US5610545A (en) | Method for providing programmable hysteresis levels | |
| JPS6218925B2 (ja) | ||
| US3528022A (en) | Temperature compensating networks | |
| US4668903A (en) | Apparatus and method for a temperature compensated reference voltage supply | |
| US3231802A (en) | Indicating controller | |
| JPH06174489A (ja) | 温度補償回路 | |
| US3860875A (en) | Thermocouple-controlled operational amplifier circuit | |
| US5500618A (en) | Operational function generator | |
| US4232259A (en) | Servo-system | |
| JPS6218924B2 (ja) | ||
| JPS6218923B2 (ja) | ||
| JPS6117459Y2 (ja) | ||
| JPS6321125B2 (ja) |