JPS62181389A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シャッタアレイ等に
適用する液晶素子に関し、詳しくは液晶分子の初期配向
状態を改善することにより、表示ならびに駆動特性を改
善した液晶素子に関する。

〔従来の技術〕

従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（Ｍ、
　Ｓ　ｃ　ｈ　ａ　ｄ　ｔ　）とダブリュー・ヘルフリ
ツヒ（Ｗ、　Ｉ（ｅ　ｌ　ｆ　ｒ　ｉ　ｃ　ｈ　）著“
アプライド・フィジックス・し多−ス”（“Δｐｐｙｌ
ｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ”）第１８巻
、第４号（１９７１年２月１５日発行）、第１２７頁〜
１２８頁の“ボルテージ・ディペンダント・オプティカ
ル・アクティビティ−・オブ・ア・ツィステッド・ネマ
チック・リキッド・クリスタル（“ＶｏｌｔａｇｅＤｅ
ｐｅｎｄｅｎｔ　０ｐｔｉｃａｌ　Ａｃ＋ｔｉｖｉｔｙ
ｏｆ　ａ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕ
ｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ”）に示されたツィステッド・ネ
マチック（Ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用い
たものが知られている。このＴＮ液晶は、画素密度を高
くしたマトリクス電極構造を用いた時分割駆動の時、ク
ロストークを発生する問題点がある為、画素数が制限さ
れていた。

又、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素子
を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素子
が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成する
ことが難しい問題点がある。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ１
ａｒｋ）およびラガウエル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）によ
り提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、
米国特許第４３６７９２４号明細書等）。双安定性を有
する液晶としては、一般に、カイラルスメクティックＣ
相（ＳｍＣ＊）又は■］相（ＳｍＱ＊）を有する強誘電
性液晶が用いられる。

この液晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２の
光学安定状態からなる双安定状態を有し、従って前述の
ＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり、例
えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安定状態
に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第２の
光学的安定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶
は、加えられる電界に応答して、極めて速やかに上記２
つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のない
ときはその状態を維持する性質を有する。このような性
質を利用することにより、上述した従来のＴＮ型素子の
問題点の多くに対して、かなり本質的な改善が得られる
。この点は、本発明と関連して、以下に更に詳細に説明
する。しかしながら、この双安定性を有する強誘電性液
晶が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基
板間に配置される液晶が、電界の印加状態とは無関係に
上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起るような
分子配列状態にあることが必要である。例えばＳｍＣ’
またはＳ　ｍ　Ｉ（＊相を有する強誘電性液晶について
は、ＳｍＣ＊又はＳ　ｍ　Ｈ’相を有する液晶分子層が
基板面に対して垂直で、したがって液晶分子軸が基板面
にほぼ平行に配列した領域（モノドメイン）が形成され
る必要がある。しかしながら、従来の双安定性を有する
強誘電性液晶素子においては、このようなドメイン構造
を有する液晶の配向状態が、必ずしも満足に形成されな
かったために、充分な特性が得られなかったのが実情で
ある。

たとえば、ＣＩ　ａ　ｒ　ｋらによれば、このような配
向状態を与えるために、磁界を印加する方法、せん断力
を印加する方法、基板間に小間隔で平行なリッジ（ｒｉ
ｄｇｅ）を配列する方法などが提案されている。しかし
ながら、これらは、いずれも必ずしも満足すべき結果を
与えるものではなかった。たとえば、磁界を印加する方
法は、大規模な装置を要求するとともに作動特性の良好
な薄層セルとは両立しがたいという難点があり、また、
せん断力を印加する方法は、セルを作成後に液晶を注入
する方法、と両立しないという難点がある。又、セル内
に平行なリッジを配列する方法では、それのみによって
は、安定な配向効果を与えられない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、前述した事情に鑑み、高速応答性、高
密度画素と大面積を有する表示素子、或いは高速度のシ
ャッタースピードを有する光学シャッター等として潜在
的な適性を有する強誘電性液晶素子において、従来問題
であったモノドメイン形成性ないしは初期量同性を改善
することにより、その特性を充分に発揮させ得る強誘電
性液晶素子を提供することにある。

〔作用〕

本発明者らは、前述の目的に沿って研究した結果、特定
の液晶又はその液晶を含む組成物を一軸性配向処理効果
が付与された基板に挟持し、スメクテイツク相より高温
側の相、例えばコレステリック相（カイラルネマチック
相）、ネマティック相、等方相からの徐冷による相転移
を生じさせた場合、例えばＳｍＡやカイラルスメクテイ
ツク相の形成時に液晶分子が一方向に配列したモノドメ
インを形成することができ、この結果強誘電性液晶の双
安定性に基づ（素子の作動と液晶層のモノドメイン性を
両立しうる構造の液晶素子が得られることを見い出した
。

あり、より詳しくは、一対の基板間に下記一般式（Ｉ）
で表わされる液晶性化合物、又はそれを含有した７１に
品４１１成物を封入したセル構造をなし、；３ｉｊ記液
晶性化合物又は１１成物のスメクテイツク［３を該スメ
クテイツク相より高温側の相からの相転移により形成す
るとともに、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板の面が界面で接する分子袖方向を優先して、一方向に
配列させる効果を有している点に特徴を有している。

一般式（１） （式中、Ｒ＋は炭素数１〜１６のアルキル基、好ましく
は炭素数２〜１２のアルキル基を示す。ｍ＝１または２
て、′は不斉炭素原子を示す。

を示す。但し、Ｒ２は炭素数４〜１６のアルキル基、好
ましくは炭素数６〜Ｉ２のアルキル基、ｎは１又は２、
Ｑは０又は１である。） 本発明の好ましい具体例では、前述の液晶化合物は下記
一般式（１）によって示される。

一般式（１） （式中、Ｒ２は炭素数４〜１６のアルキル基を示す。

Ｒ＋は炭素数１−１６のアルキル基を示す。８は不斉炭
素原子を示す。） 〔実施例〕 以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を更に詳
細に説明する。

本発明で用いる液晶は、強誘電性を有するものであって
、具体的にはカイラルスメクテイツクＣを目（ＳｍＣ＊
）、　Ｈ相（ＳｍＨ＊）、Ｉ相（Ｓｍｌ＊）。

Ｊ相（ＳｍＪ＊）、に相（ＳｍＫ’）、Ｇ相（ＳｍＧ）
又はＦ相（ＳｍＦ”）を有する液晶を用いることができ
る。

前記一般式（Ｉ）で示される液晶化合物の具体例は、下
記のとおりである。

（表中Ｃｒｙｓｔ、　　は結晶相、Ｉｓｏは等方相、Ｓ
ｍＡはスメク次に、本発明の一般式（１）で示される光
学活性な乳酸誘導体の合成方法の例を示す。

本発明の光学活性な乳酸誘導体は４−（２−アルコキシ
プロピルオキシ）安息香酸や４’−（２−アルコキシプ
ロピルオキシ）ビフェニルカルボン酸等の光学活性中間
体から下記の如く合成される。

これらの液晶化合物は、単独でカイラルスメクテイツク
相を示す時は単独又は２種以上組合せて用いることがで
きる他、下記表１又は表２の液晶化合物との混合物とす
ることができ、又単独でカイラルスメクティック相を示
さない時は、下記表２に示す液晶との混合物とすること
により、カイラルスメクテイック相とすることができる
。

表　　　　　１ 一メチルブチルーα−クロロシンナメート（ＯＯＢＡＭ
ＢＣＣ）−メチルブチル−α−メチルシンナメート９１
．５℃　　　　　９３℃ 結晶　＝　ＳｍＣ木　；　ＳｍＡ 表　　　２ （Ａ）　　　コレステリルプロピオネートＣＢ）　　　
　コレステリルノナネート（Ｃ）　　　コレステリルパ
ルミテート（Ｄ）　　　コレステリルノナネート ４−（２”−メチルブチル）−４’−シアノビフエニル
４−（２”−）チルブチルオキシ）−４′−シアノヒフ
ェニル＼　　　コレステリック相　　　／９°Ｃ−（４
−β−メチルブチルベンンイルオキシ）ベンゾエート結
晶　；＝　コレステリック相　＝　等吉相４−シアノベ
ンジリデン−４’−（２−メチルブチル）アニリン＼　
　　コレステリック相／２Ｇ、、５℃１−（２−メチル
ブチル）−４’−ヘキシルオキシアゾベンセン結晶　＝
＝　コレステリック相　二二等方相４−　（２−メチル
ブチル）フェニル−４′−デシロキシベンゾエート液晶
　＝　ＳｍＡ　′：；０！：　コレステリック相　＝　
等吉相４−へキシルオキシ−４’−（２−メチルブチル
）ベンゾエート＼　　　コレステリック相　　　、／１
７＠にれらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化
合物がＳｍＣ＊相又はＳｍＨ＊相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。

第１図は、強誘電性液晶の動作説明の為に、セルの例を
模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂは、Ｉｎ２
Ｏ３、ＳｎＯ２あるいはＩ　′ｒ　Ｏ（Ｉ　ｎ　ｄ　ｉ
　ｕ　ｍ−Ｔ　ｉ　ｎ０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透
明電極で被服された基板（ガラス板）であり、その間に
液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍＣ＊相又はＳ　ｍ　Ｈ’相の液晶が封入されている。

太線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液
晶分子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメン
ト（Ｐ±）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の
電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子
２３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ土）
２４がすべて電界方向に向（よう、液晶分子２３は配向
方向を変えることができる。液晶分子２３は、細長い形
状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方
性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロス
ニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特
性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解
される。

本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第２図
に示すように電界を印加して（Ａない状態でも液晶分子
のらせん構造がほどけ、非らせん構造を採り、その双極
子モーメントＰａまたはｐｂは上向き（３４ａ）又は下
向き（３４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに、第２図に示す如（一定の閾値以上の極性の異る電
界Ｅａ又はＥｂを電圧印加手段３］ａと３１ｂにより付
与すると、双極子モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの電
界ベクトルに対応して上向き３４ａ又は下向き３４ｂと
向きを変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態
３３ａか或いは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配
向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことてあり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅａ
を印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留まっている。又、与える電界
Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態
にやはり維持されている。このような応答速度の速さと
、双安定性が有効に実現されるにはセルとしては出来る
だけ薄い方が好ましい。

この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに当た
って最も問題となるのは、先にも述べたように、ＳｍＣ
木相又はＳ　ｍ　Ｈ’相を有する層が基板面に対して垂
直に配列し且つ液晶分子が基板面に略平行に配向した、
モノドメイン性の高いセルを形成することが困難なこと
であり、この点に解決を与えることが本発明の主要な目
的である。

第３図（Ａ）と（Ｂ）は、本発明の液晶素子の一実施例
を示している。第３図（Ａ）は、本発明の液晶素子の平
面図で、第３図（Ｂ）はそのＡ　−Ａ’断面図である。

第３図で示すセル構造体１００は、ガラス板又はプラス
チック板などからなる一対の基板１０１ａと１０１ｂを
スペーサ１０４で所定の間隔に保持され、この一対の基
板をシーリングするために接着剤１０６で接着したセル
構造を有しており、さらに基板１０１の上には複数の透
明電極１０２からなる電極群（例えば、マトリクス電極
構造のうちの走査電圧印加用電極群）が例えば帯状パタ
ーンなどの所定パターンで形成されている。基板１０１
ｂの上には前述の透明電極１０２ａと交差させた複数の
透明電極１０２ｂからなる電極群（例えば、マトリクス
電極構造のうちの信号電圧印加用電極群）が形成されて
いる。

このような透明電極１０２ｂを設けた基板１０１ｂには
、例えば、−酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウム
、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フ
ッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ
素窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、
ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネート
、ポリビニルアセクール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド
、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリ
ア樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜
形成した配向制御膜１０５を設けることができる。

この配向制御膜１０５は、前述の如き無機絶縁物質又は
有機絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード
、布や紙で一方向に摺擦（ラビング）することによって
得られる。

本発明の別の好ましい具体例では、ＳｉＯやＳｉＯ２な
どの無機絶縁物質を基板１０１ｂの上に斜め蒸着法によ
って被膜形成する事によって、配向制御膜１０５を得る
事ができる。

第５図に示された装置に於いてペルジャー５０１は吸出
口５０５を有する絶縁基板５０３上に載置され、前記吸
出口５０５から伸びる（図示されていない）真空ポンプ
によりペルジャー５０１が真空にされる。

タングステン製またはモリブデン製のるつぼ５０７はペ
ルジャー５０１の内部及び底部に配置され、るつぼ５０
７には数グラムのＳ　ｉ　Ｏ、Ｓ　ｉ　Ｏ２、Ｍ　ｇ　
Ｆ　２などの結晶５０８が載置される。るつぼ５０７は
下方の２つのアーム５０７ａ、５０７ｂを有し、前記ア
ームは夫々導線５０９，５１０に接続される。電源５０
６及びスイッチ５０４がペルジャー５０１の外部導線５
０９゜５１０間に直列に接続される。基板５０２はペル
ジャー５０１の内部でるつぼ５０７の真上にペルジャー
５０１の垂直軸に対しθの角度を成して配置される。

スイッチ５０４が開放されると、ペルジャー５０１はま
ず約１０＝　ｍ　ｍ　）−１ｇ圧の真空状態にされ、次
にスイッチ５０４が閉じられて、るつぼ５０７が適温で
白熱して結晶５０８が蒸発されるまで電源５０６を調節
して電力が供給される。適温範囲（７００−１０００°
Ｃ）に対して必要な電流は約１００１００ａである。結
晶５０８は次に蒸発され図中Ｓで示された上向きの分子
流を形成し、流体Ｓは、基板５０２に対してθの角度を
成して基板５０２上に入射され、この結果基板５０２が
被服される。角度θは上記の“入射角”であり、流体Ｓ
の方向は上記の“斜め蒸着方向゛′である。この被膜の
膜厚は基板５０２をペルジャー５０１に挿入する前に行
なわれる装置の時間に対する厚みのキャリブレーション
により決定される。適宜な厚みの被膜が形成されると電
源５０６からの電力を減少させ、スイッチ５０４を開放
してペルジャー５０１とその内部を冷却する。次に圧力
を大気圧まで上げ基板５０２をペルジャー５０１から取
り外す。

また、別の具体例ではガラスまたはプラスチックからな
る基板１０１ｂの表面或は基板１０１ｂの上に前述した
無機絶縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被
膜の表面を斜方エツチング法によりエツチングすること
により、その表面に配向制御効果を付与することができ
る。

前述の配向制御膜１０５は、同時に絶縁膜としても機能
させることが好ましく、このためにこの配向制御膜１０
５の膜厚は一般に１００人〜１μ、好ましくは５００槙
人〜５０００人の範囲に設定することができる。この絶
縁膜は、液晶層１０３に微量に含有される不純物等のた
めに生ずる電流の発生を防止できる利点をも有しており
、従って動作を繰り返し行なっても液晶化合物を劣化さ
せることがない。

また、本発明の液晶素子では前述の配向制御膜１０５と
同様のものをもう一方の基板１０１に設けることができ
る。

第３図に示すセル構造体１００の中の液晶層１０３は、
ＳｍＣ＊、ＳｍＨ木、Ｓｍｌ木　、Ｓｍ　Ｊ’　、Ｓ　
ｍ　Ｋ木、ＳｍＧ＊、ＳｍＦｌＫとすることができる。

このカイラルスメクテイツク相の液晶層１０３は、スメ
クテイツク相より高温側の相、例えばコレステリック相
（カイラルネマチック相）、ネマチック相、等吉相から
の徐冷（１’Ｃ−１０’Ｃ／時間）による降温過程でＳ
ｍＡ（スメクテイツク人相）に相転移され、さらに徐冷
による降温過程でカイラルスメクテイツク相に相転移さ
れることによって形成されるか、又経 はＳ　ｍ　Ａを禄ずにコレステリック相などからカイラ
ルスメクテイツク相に相転移させて形成されることがで
きる。

本発明で重要な点は、徐冷による降温過程で前述の液晶
を用いた時に、モノドメインのスメクテイツク相を形成
することができる。

本発明で用いる液晶組成物としては、降温過程において
等吉相−コレステリツク相−８ｍ八へカイラルスメクテ
イツク相、等吉相−コレステリツク相−カイラルスメク
テイツク相あるいは等吉相−Ｓ　ｍ　Ａ−カイラルスメ
クテイツク相と相転移させる組成分とすることができる
。

第４図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わしてい
る。第４図で示す液晶素子は一対の基板１０１ａと１ｏ
１ｂの間の複数のスペーサ部材２０３が配置されている
。このスペーサ部材２０３は、例えば配向制御膜１０５
が設けられている基板１０１ａの上にＳｉｎ。

５ｉＯｚ、Ａ　１２０３、ＴｉＯ２などの無機化合物あ
るいはポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポ
リエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール
、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ二ル、ポリアミド、ポリ
スチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂
、アクリル樹脂＝；；＃＃徘寄やフォトレジスト樹脂な
どの樹脂類を適当な方法で被膜形成した後に、所定の位
置にスペーサ部材２０３が配置されるようにエツチング
することによって得ることができる。

この様なセル構造体１００は、基板１０１ａと１’　Ｏ
ｌ　ｂの両側にはクロスニコル状態またはパラレルニコ
ル状態とした偏光子１０７と１０８がそれぞれ配置され
て、電極１０２ａと１０２ｂの間に電圧を印加した時に
光学変調を生じることになる。

以下、本発明を実施例に従って説明する。

〔実施例１〕 ピッチ１００μｍで幅６２．５μｍのストライプ状のＩ
ＴＯ膜を電極として設けた正方形状ガラス基板を用意し
、これの電極となるＩＴＯ膜が設けられている側を下向
きにして第５図に示す斜め蒸着装置にセットし、次いで
モリブデン製るつぼ内にＳｉＯ２の結晶をセットした。

しかる後に蒸着装置内をｌ　Ｏ＝　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ程度
の真空状態としてから、所定の方法でガラス基板上にＳ
ｉＯ２を斜め蒸着し、８００人の斜め蒸着膜を形成した
（Ａ電極板）。

一方、同様のストライブ状のＴＴＯ膜が形成されたガラ
ス基板上にポリイミド形成溶液（日立化成工業（株）製
のｒｌ’ｌＱｊ　；不揮発分濃度１４．５ｗｔ％）をス
ピナー塗布機で塗布し、１２０℃で３０分間加熱を行な
って８００人の被膜を形成した（Ｂ電極板）。

次いでＡ電極板の周辺部に注入口となる個所を除いて熱
硬化型エポキシ接着剤をスクリーン印刷法によって塗布
した後に、Ａ電極板とＢ電極板のストライプ状パターン
電極が直交する様に重ね合せ、２枚の電極板の間隔をポ
リイミドスペーサで２μｍに保持した。

こうして作成したセル内に等吉相となっている下記液晶
組成物へを注入口から注入し、その注入口を封口した。

このセルを徐冷によって降温させ、温度を２５℃で維持
させた状態で、一対の偏光子をクロスニコル状態で設け
てから顕微鏡観察したところ、非らせん構造を採り、配
向欠陥のないモノドメインのＳ　ｍ　Ｃ’が形成されて
いる事が判明した。

液ＪＬＩＬ滅Ｕ 〔実施例２〕 ピッチｌＯＯμｍで幅６２．５μｍのストライブ状のＩ
ＴＯ電極を設けである正方形状のガラス基板を２枚用意
し、それぞれの基板上にポリイミド形成溶液（実施例１
と同様のもの）をスピンナー塗布機で塗布し、１２０℃
で３０分間加熱した後、２００℃で６０分さらに３５０
℃で３０分間加熱を行なって８００人のポリイミド膜を
形成した。

この２枚の基板上に形成したポリイミド膜に、それぞれ
重ねた時にラビング方向が平行となり、且つストライブ
状ＩＴＯ？ｔ［ｉ極が互いに直交する様にしてビロード
によるラビング処理を施した。

次いで互いにラビング方向が平行となる様に２枚の基板
を重ね合せ、一方の基板の間の周辺部に注入口となる個
所を除いて熱硬化型エポキシ接着剤をスクリーン印刷法
によって塗布した後に、２枚の基板を重ね合せ、２枚の
基板の間隔をポリイミドスペーサで２μｍに保持した。

こうして作成したセル内に等吉相となっている前述の液
晶組成物Ａを注入口から注入し、その注入口を封口した
。このセルを徐冷によって降温させ、温度を維持させた
状態で、一対に偏光子をクロスニコル状態で設けてから
顕微鏡観察したところ、非らせん構造を採り、配向欠陥
のないモノドメインのＳｍＣ＊が形成されていることが
判明した。

〔実施例３．４および５〕 前記実施例２の液晶素子を作成した際に用いた液晶組成
物に代えて、下記組成の液晶組成物Ｂ（実施例３）、Ｃ
（実施例４）及びＤ（実施例５）を用いたほかは、実施
例２と全く同様の方法で強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を偏光顕微鏡で観察したところ、
配向欠陥を生じていない非らせん構造のモノドメインが
確認できた。

（ＳｍＣ＊温度範囲（昇温過程）：５０°Ｃ−１０５°
Ｃ）液晶Ａ１１成物Ｃ Ｏ （ＳｍＣ＊温度範囲（昇温過程）、２４°ｃ〜８２°Ｃ
）（ＳｍＣ＊温度範囲（昇温過程）：　−１’Ｃ〜３４
６Ｃ）〔発明の効果〕 前記した様に、本発明によれば前述した特定の液晶を用
いることによって、配向欠陥の生じていないスメクテイ
ツク相を形成することができ、特に配向欠陥のない非ら
せん構造の強誘電性液晶相を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、カイラルスメクテイツク液晶を用いた液晶素
子を模式的に示す斜視図である。第２図は、同液晶素子
の双安定性を模式的に示す斜視図であ第１図は、本発明
の液晶素子の別の具体例を表わす断面図である。第５図
は、本発明の液晶素子を作成する際に用いる斜め蒸着装
置を模式的に表わす断面図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一対の基板間に、下記一般式（ I ）で表わされ
   る液晶性化合物又はそれを含有した液晶組成物を封入し
   たセル構造をなし、前記液晶化合物又は組成物のスメク
   テイツク相を該スメクテイツク相より高温側の相からの
   相転移により形成するとともに、前記一対の基板のうち
   少なくとも一方の基板の面が界面で接する分子軸方向を
   優先して一方向に配列させる効果を有していることを特
   徴とする液晶素子。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は炭素数１〜１６のアルキル基を示す。 ｍ＝１または２で、＊は不斉炭素原子を示す。 Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼ を示す。但し、Ｒ＿２は炭素数４〜１６のアルキル基、
   ｎは１又は２、Ｑは０又は１である。）
2. （２）前記液晶性化合物が下記一般式（１）で表わされ
   る化合物である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿２は炭素数４〜１６のアルキル基を示す。 Ｒ＿１は炭素数１〜１６のアルキル基を示す。＊は不斉
   炭素原子を示す。）