JPS62179789A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS62179789A JPS62179789A JP2142386A JP2142386A JPS62179789A JP S62179789 A JPS62179789 A JP S62179789A JP 2142386 A JP2142386 A JP 2142386A JP 2142386 A JP2142386 A JP 2142386A JP S62179789 A JPS62179789 A JP S62179789A
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- Japan
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- layer
- groove
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- substrate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光フアイバ通信や、光ディスク、レーザプリ
ンタ等の光情報処理装置のレーザ光源に用いることがで
きる半導体レーザ装置に関するものである。
ンタ等の光情報処理装置のレーザ光源に用いることがで
きる半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体レーザ装置は光フアイバ通信の光源、また
光デイスクメモリの記録、再生用光源と２ペーゾ して、あるいはレーザプリンタにと、元情報処理装置の
光風部をなすデバイスとして非常に重要となっている。
光デイスクメモリの記録、再生用光源と２ペーゾ して、あるいはレーザプリンタにと、元情報処理装置の
光風部をなすデバイスとして非常に重要となっている。
さて、このように様々な分野でその用途は次々と開拓さ
れている半導体レーザであるが、その構造としては種々
のものが考えられており、現在、主流となっている構は
内部ストライプ型である。
れている半導体レーザであるが、その構造としては種々
のものが考えられており、現在、主流となっている構は
内部ストライプ型である。
内部ストライプ型構造の一例としては、ＢＴＲ８構造お
よびＶＳＩＳ構造がある。第１図λ、ｂは、それぞれＢ
ＴＲ８構造およびＶＳＩＳ構造である。
よびＶＳＩＳ構造がある。第１図λ、ｂは、それぞれＢ
ＴＲ８構造およびＶＳＩＳ構造である。
１は、ｐ型ＧａＡｒ＋基板、２はｎ型Ｇ＆ムＳ電流狭窄
層、３はｐ型ム１ＧａＡｓクラッド層、４はｙ
１−ｙ Ａ、５Ｇｍ Ａｇ活性層、５はｎ型Ａ／ｙＧａ、−
ｙＡｇＺ １−Ｘ クラッド層、６はｎ型ＧａＡｓキャップ層、７はｎ側電
極、８はｐ側電極である。ａ、ｂいずれの場合にも電流
狭窄層２にＶ字形状の溝９がストライプ状に形成されて
おり、ｐ型基板１から注入された電流は効率的に活性層
４の発光部へ注入される。
層、３はｐ型ム１ＧａＡｓクラッド層、４はｙ
１−ｙ Ａ、５Ｇｍ Ａｇ活性層、５はｎ型Ａ／ｙＧａ、−
ｙＡｇＺ １−Ｘ クラッド層、６はｎ型ＧａＡｓキャップ層、７はｎ側電
極、８はｐ側電極である。ａ、ｂいずれの場合にも電流
狭窄層２にＶ字形状の溝９がストライプ状に形成されて
おり、ｐ型基板１から注入された電流は効率的に活性層
４の発光部へ注入される。
ＢＴＲ８構造では、ｐ型基板にストライプ状のメサ１１
Ｌが形成され、リッジ２Ｎ 、２ｂがその上の３ベーヅ 電流狭窄層２上に形成されている。リッジ２１Ｌ。
Ｌが形成され、リッジ２Ｎ 、２ｂがその上の３ベーヅ 電流狭窄層２上に形成されている。リッジ２１Ｌ。
２ｂ上の結晶成長は平面基板上への成長に比べて著しく
抑制されるため、ＢＴＲ８構造では活性層の薄膜化が安
易であるというメリットがある。
抑制されるため、ＢＴＲ８構造では活性層の薄膜化が安
易であるというメリットがある。
さて、近年、半導体レーザの特性の中でも特に、高出力
化の要望が高まっている。高出力化を実現するために端
面破壊を防がねば々らず、このために活性層４の薄膜化
が行われ、これによって光をクラッド層３．５にまで光
をしみ出させ、端面の発光面積を大きくされる。次に、
内部ストライブ構造をとることにより、電流は、溝９の
間だけを流れ、活性層４の発光領域に効率的に注入され
るようにされる。ところで、従来は、溝９０両側面の基
板反対側でなす角θは、約１４０度と大きかった。この
ため、活性層４からｐ型クラッド層３へしみ出した光は
、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２にまで広がらず、溝９の内
部に分布していた。
化の要望が高まっている。高出力化を実現するために端
面破壊を防がねば々らず、このために活性層４の薄膜化
が行われ、これによって光をクラッド層３．５にまで光
をしみ出させ、端面の発光面積を大きくされる。次に、
内部ストライブ構造をとることにより、電流は、溝９の
間だけを流れ、活性層４の発光領域に効率的に注入され
るようにされる。ところで、従来は、溝９０両側面の基
板反対側でなす角θは、約１４０度と大きかった。この
ため、活性層４からｐ型クラッド層３へしみ出した光は
、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２にまで広がらず、溝９の内
部に分布していた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では、活性層４に平行
方向には、屈折率差による光の閉じ込めか弱く、このた
め、光強度を増大した場合に、高次横モードが立ち、電
流光出力特性に低光出力でキンクが現われやすいという
欠点を有していた。
方向には、屈折率差による光の閉じ込めか弱く、このた
め、光強度を増大した場合に、高次横モードが立ち、電
流光出力特性に低光出力でキンクが現われやすいという
欠点を有していた。
ＢＴＲ３構造では光出力８ｍＷで、ＶＳＩＳ構造では７
ｍＷでキンクが現われ、高出力化ができなかった。θを
１３０度より大きく、１６０度以下とした場合にも同様
に高出力化は実現できなかった。
ｍＷでキンクが現われ、高出力化ができなかった。θを
１３０度より大きく、１６０度以下とした場合にも同様
に高出力化は実現できなかった。
本発明は、上記欠点に鑑み、活性層平行方向での、屈折
率差による光の閉じ込めを強くして、高出力化を実現で
きる半導体レーザ装置を提供するものである。
率差による光の閉じ込めを強くして、高出力化を実現で
きる半導体レーザ装置を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ装
置は、電流狭窄層の溝の両側面の基板反対側でなす角度
を８０度から１３０度寸でとしている。
置は、電流狭窄層の溝の両側面の基板反対側でなす角度
を８０度から１３０度寸でとしている。
作用
この構成によって、活性層平行方向での、屈折率差によ
る光の閉じ込めが強くなり、高出力時に５ベーン゛ も安定な基本横モード発振が得られる。
る光の閉じ込めが強くなり、高出力時に５ベーン゛ も安定な基本横モード発振が得られる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図ａ、ｂは本発明の一実施例における半導体レーザ
装置の断面図であり、ａはＢＴＲ３構造の断面図、ｂは
ＶＳＩＳ構造の断面図である。１〜９，１ａ、２ａ、２
ｂはそれぞれ従来例と同じ構成である。本発明では、溝
９の両側面の基板反対側でなす角θを１００度とし親思
上のような構成の半導体レーザ装置について、以下、そ
の動作の説明をする。活性層４の薄膜化によってクラッ
ド層３．５にまでしみ出した光は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭
窄層２にまで達して吸収を受ける。このため、活性層４
に平行方向に、溝９内で、屈折率差による光の閉じ込め
が強く、光強度を増大しても安定した基本横モード発振
が得られた。ＢＴＲ８構造で、溝９の側面の基板反対方
向でなす角θとキンクレベルとの関係を調べたものを第
２図に示す。
装置の断面図であり、ａはＢＴＲ３構造の断面図、ｂは
ＶＳＩＳ構造の断面図である。１〜９，１ａ、２ａ、２
ｂはそれぞれ従来例と同じ構成である。本発明では、溝
９の両側面の基板反対側でなす角θを１００度とし親思
上のような構成の半導体レーザ装置について、以下、そ
の動作の説明をする。活性層４の薄膜化によってクラッ
ド層３．５にまでしみ出した光は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭
窄層２にまで達して吸収を受ける。このため、活性層４
に平行方向に、溝９内で、屈折率差による光の閉じ込め
が強く、光強度を増大しても安定した基本横モード発振
が得られた。ＢＴＲ８構造で、溝９の側面の基板反対方
向でなす角θとキンクレベルとの関係を調べたものを第
２図に示す。
θが８０度から１３０度まででは、キンクレベル６ペー
ジ は１ｏｏｍＷ以上が得られ、θが１３０度よシも大きく
なるとキンクレベルは著しく低下した。なな、ＶＳＩＳ
構造でも同様の結果が得られた。
ジ は１ｏｏｍＷ以上が得られ、θが１３０度よシも大きく
なるとキンクレベルは著しく低下した。なな、ＶＳＩＳ
構造でも同様の結果が得られた。
発明の効果
以上のように本発明は、電流狭窄層の溝の両側面の基板
反対側でなす角度を８０度から１３０度までとすること
で、活性層平行方向での、屈折率差による光の閉じ込め
が強くなり、高出力化をすることができ、その実用的効
果は大々るものである。
反対側でなす角度を８０度から１３０度までとすること
で、活性層平行方向での、屈折率差による光の閉じ込め
が強くなり、高出力化をすることができ、その実用的効
果は大々るものである。
第１図ａＦｉＢＴＲ８構造の断面図、第１図すはＶＳＩ
Ｓ構造の断面図、第２図は、溝側面のなす角とキンクレ
ベルの関係を示す特性図である。 １・・・・・・ｐ型ＧＩＡ８基板、２・・・・・・ｎ型
にａＡｓ電流狭窄層、３・・・・・・ｐ型ム％Ｇａ１−
ｙＡｓクラッド層、４・・・・・・ム１２ｘ”、−ｘム
Ｓ活性層、５−・−ｎ型ｉｌ、Ｇａ１．Ａｓクラッド層
、６・・・・・・ｎ型ＧａＡｓキャップ層、７・・・・
・・ｎ側電極、８・・・・・・ｐ側電極、９・・・・・
・溝、１ａ・・・・・・メサ、２ａ、２ｂ・・・・・・
リッジ。 第１図 ４ａ、−メプ ２α、２ｂ−−−ソッじ ９− 溝 第２図 う勲側面負浅θ（崖）
Ｓ構造の断面図、第２図は、溝側面のなす角とキンクレ
ベルの関係を示す特性図である。 １・・・・・・ｐ型ＧＩＡ８基板、２・・・・・・ｎ型
にａＡｓ電流狭窄層、３・・・・・・ｐ型ム％Ｇａ１−
ｙＡｓクラッド層、４・・・・・・ム１２ｘ”、−ｘム
Ｓ活性層、５−・−ｎ型ｉｌ、Ｇａ１．Ａｓクラッド層
、６・・・・・・ｎ型ＧａＡｓキャップ層、７・・・・
・・ｎ側電極、８・・・・・・ｐ側電極、９・・・・・
・溝、１ａ・・・・・・メサ、２ａ、２ｂ・・・・・・
リッジ。 第１図 ４ａ、−メプ ２α、２ｂ−−−ソッじ ９− 溝 第２図 う勲側面負浅θ（崖）
Claims (1)
- （１）一導電型の半導体基板上に、先端が前記半導体基
板に達する溝を有する前記一導電型とは反対導電型の層
が形成され、前記反対導電型の層上にダブルヘテロ構造
が形成されるとともに、前記溝の両側面の基板反対側で
なす角度が８０度以上１３０度以下であることを特徴と
する半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2142386A JPS62179789A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2142386A JPS62179789A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62179789A true JPS62179789A (ja) | 1987-08-06 |
Family
ID=12054587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2142386A Pending JPS62179789A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62179789A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011036418A (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Konami Digital Entertainment Co Ltd | ディスプレイ装置、並びに、これを備えたゲーム用媒体払出装置及びゲーム装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60226191A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6178185A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1986
- 1986-02-03 JP JP2142386A patent/JPS62179789A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60226191A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6178185A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011036418A (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Konami Digital Entertainment Co Ltd | ディスプレイ装置、並びに、これを備えたゲーム用媒体払出装置及びゲーム装置 |
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