JPS6217722B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6217722B2 JPS6217722B2 JP56017782A JP1778281A JPS6217722B2 JP S6217722 B2 JPS6217722 B2 JP S6217722B2 JP 56017782 A JP56017782 A JP 56017782A JP 1778281 A JP1778281 A JP 1778281A JP S6217722 B2 JPS6217722 B2 JP S6217722B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thick film
- glass
- cladding layer
- optical thick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 20
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 H 2 and O 2 Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002737 fuel gas Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002074 melt spinning Methods 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1469—Means for changing or stabilising the shape or form of the shaped article or deposit
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1484—Means for supporting, rotating or translating the article being formed
- C03B19/1492—Deposition substrates, e.g. targets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光多重伝送に必要な合波器あるいは
分波器に用いられる光厚膜導波路素子の製造方法
に関するものである。
分波器に用いられる光厚膜導波路素子の製造方法
に関するものである。
従来、光厚膜導波路素子としては屈折率の異る
２種の板状ガラスを貼り合せて三層構造としたも
のが作製されているが、屈折率の高いコアとなる
ガラスの厚みが10〜80μｍと非常に薄いため製作
が非常に困難であり、また貼り合わせに用いる接
着剤が有機物であるので、これによる導波光の吸
収が長波長域において大きいことから、実用上重
要な長波長域での使用が困難であつた。
２種の板状ガラスを貼り合せて三層構造としたも
のが作製されているが、屈折率の高いコアとなる
ガラスの厚みが10〜80μｍと非常に薄いため製作
が非常に困難であり、また貼り合わせに用いる接
着剤が有機物であるので、これによる導波光の吸
収が長波長域において大きいことから、実用上重
要な長波長域での使用が困難であつた。
このため、石英ガラス板などのガラス板上に
CVD法によつて高い屈折率のコア層とこれより
も低い屈折率のクラツド層とを形成する方法が試
みられているが、CVD法ではコアあるいはクラ
ツドの成長スピードが著るしくおそいため量産性
の点で問題があつた。このため、MCVD法、
VAD法、OVPO法などによつてコアおよびクラ
ツドを形成することが検討されたが、これらの方
法によつて得られる導波路は、コアの屈折率のゆ
らぎが大きくこれによる導波光の回折によつて導
波光の散乱が大きくなり、従つて導波路としての
損失が大きくなり実用化されなかつた。これは、
従来の光フアイバの製造に際してはMCVD法、
VAD法、などによつて形成されたフアイバ母材
を溶融紡糸することによりフアイバ母材の断面積
が１万分の１ないし５万分の１に縮少され、フア
イバ母材に内在していた屈折率のゆらぎが１万分
の１以下に減少し、導波光の波長に対してほとん
ど無視できる程度に小さくなるが、光厚膜導波路
素子においては、前記のフアイバ母体のように紡
糸を行わないのでMCVD法、VAD法などによつ
て形成されたコアの屈折率のゆらぎがそのまま残
るためである。
CVD法によつて高い屈折率のコア層とこれより
も低い屈折率のクラツド層とを形成する方法が試
みられているが、CVD法ではコアあるいはクラ
ツドの成長スピードが著るしくおそいため量産性
の点で問題があつた。このため、MCVD法、
VAD法、OVPO法などによつてコアおよびクラ
ツドを形成することが検討されたが、これらの方
法によつて得られる導波路は、コアの屈折率のゆ
らぎが大きくこれによる導波光の回折によつて導
波光の散乱が大きくなり、従つて導波路としての
損失が大きくなり実用化されなかつた。これは、
従来の光フアイバの製造に際してはMCVD法、
VAD法、などによつて形成されたフアイバ母材
を溶融紡糸することによりフアイバ母材の断面積
が１万分の１ないし５万分の１に縮少され、フア
イバ母材に内在していた屈折率のゆらぎが１万分
の１以下に減少し、導波光の波長に対してほとん
ど無視できる程度に小さくなるが、光厚膜導波路
素子においては、前記のフアイバ母体のように紡
糸を行わないのでMCVD法、VAD法などによつ
て形成されたコアの屈折率のゆらぎがそのまま残
るためである。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
屈折率のゆらぎがない光厚膜導波路素子を高い生
産性で製造できる光厚膜導波路素子の製造法を提
供することを目的とし、ガラス平板の表面に気相
化学反応によりコア層とクラツド層となるガラス
微粉末を付着堆積させて三層構造の平板状の素子
母体を得、これを加熱溶融延伸して薄板化するこ
とを特徴とするものである。
屈折率のゆらぎがない光厚膜導波路素子を高い生
産性で製造できる光厚膜導波路素子の製造法を提
供することを目的とし、ガラス平板の表面に気相
化学反応によりコア層とクラツド層となるガラス
微粉末を付着堆積させて三層構造の平板状の素子
母体を得、これを加熱溶融延伸して薄板化するこ
とを特徴とするものである。
以下、この発明を図面を参照して詳しく説明す
る。
る。
まず、石英ガラスなどのガラス平板１を数枚
（図面では８枚）溶接して第１図に示す多角形筒
体２を形成する。この多角形筒体２にはこの筒体
２の軸を中心軸として回転可能に軸３，３が設け
られている。そして、多角形筒体２は第２図に示
したガラス旋盤４に軸３，３により回転自在に取
り付けられ、駆動装置（図示せず）により回転さ
せられる。ガラス旋盤４には多角形筒体２の回転
軸方向に往復運動する多重管バーナ５が設けら
れ、この多重管バーナ５には管６を経て、
SiCl4、GeCl4、POCl3、BBr3などのガラス原料ガ
スと、H2、O2の燃料ガスとAr、He、N2などの不
活性ガスのキヤリヤガスとが供給される。多重管
バーナ５の火炎内ではガラス原料ガスが火炎加水
分解反応や熱酸化反応などの気相化学反応をうけ
て、SiO2、GeO2、P2、O5などの酸化物からなる
ガラス微粉末となり、多角形筒体２の表面に付着
堆積しガラス層が形成される。この操作中、堆積
したガラス層の屈折率を段階的に変化させてコア
層およびクラツド層を形成させるため、ガラス原
料ガスの１種以上の成分量が多重管バーナ５の往
復運動に対応して増加あるいは減少させられる。
以上の操作により多角形筒体２の表面に所要厚み
のガラス微粉末層が得られたならば、ガラス原料
ガスおよびキヤリヤガスの供給を止め、多角形筒
体２を強熱し、多角形筒体２の表面に堆積したガ
ラス微粉末層を溶融して透明ガラス化する。
（図面では８枚）溶接して第１図に示す多角形筒
体２を形成する。この多角形筒体２にはこの筒体
２の軸を中心軸として回転可能に軸３，３が設け
られている。そして、多角形筒体２は第２図に示
したガラス旋盤４に軸３，３により回転自在に取
り付けられ、駆動装置（図示せず）により回転さ
せられる。ガラス旋盤４には多角形筒体２の回転
軸方向に往復運動する多重管バーナ５が設けら
れ、この多重管バーナ５には管６を経て、
SiCl4、GeCl4、POCl3、BBr3などのガラス原料ガ
スと、H2、O2の燃料ガスとAr、He、N2などの不
活性ガスのキヤリヤガスとが供給される。多重管
バーナ５の火炎内ではガラス原料ガスが火炎加水
分解反応や熱酸化反応などの気相化学反応をうけ
て、SiO2、GeO2、P2、O5などの酸化物からなる
ガラス微粉末となり、多角形筒体２の表面に付着
堆積しガラス層が形成される。この操作中、堆積
したガラス層の屈折率を段階的に変化させてコア
層およびクラツド層を形成させるため、ガラス原
料ガスの１種以上の成分量が多重管バーナ５の往
復運動に対応して増加あるいは減少させられる。
以上の操作により多角形筒体２の表面に所要厚み
のガラス微粉末層が得られたならば、ガラス原料
ガスおよびキヤリヤガスの供給を止め、多角形筒
体２を強熱し、多角形筒体２の表面に堆積したガ
ラス微粉末層を溶融して透明ガラス化する。
次に、コア層およびクラツド層が形成された多
角形筒体２よりガラス切断器を用いて所定の大き
さの平板の三層構造のガラス板７を切り出す。こ
の三層構造のガラス板７は第３図に示したように
基材のガラス板１の上面の屈折率の高いコア層８
と屈折率の低いクラツド層９よりなつていて、光
厚膜導波路素子の母体となるもので、以下、素子
母体７と略称する。
角形筒体２よりガラス切断器を用いて所定の大き
さの平板の三層構造のガラス板７を切り出す。こ
の三層構造のガラス板７は第３図に示したように
基材のガラス板１の上面の屈折率の高いコア層８
と屈折率の低いクラツド層９よりなつていて、光
厚膜導波路素子の母体となるもので、以下、素子
母体７と略称する。
以上のようにして得られた素子母体７はついで
光厚膜導波路素子として必要な厚みまで薄板化さ
れる。この薄板化に用いられる装置としては第４
図ないし第６図に示した装置が好適に使用でき
る。第４図の延伸装置において、２枚の板状カー
ボン発熱体１０，１０によつて素子母体７をその
溶融点まで加熱し、素子母体７の一端より溶融し
つつ二対の引き取りロール１１，１１，１１，１
１によつて引き取り、所定の厚みまで延伸して薄
板化し、光厚膜導波路素子用素材１２を得るが、
この時母体７の送り出し速度よりも素材１２の引
き取り速度を十分高めることが必要である。この
延伸操作により素子母体７の断面積が1000分の１
以下に減少し、よつて素子母体７のコア層８およ
びクラツド層９に内在していた屈折率のゆらぎは
1000分の１以下に減少し、前記素材１２を光厚膜
導波路素子として用いた場合、導波光の回折が大
巾に減少し、よつて導波損失が非常に低減する。
光厚膜導波路素子として必要な厚みまで薄板化さ
れる。この薄板化に用いられる装置としては第４
図ないし第６図に示した装置が好適に使用でき
る。第４図の延伸装置において、２枚の板状カー
ボン発熱体１０，１０によつて素子母体７をその
溶融点まで加熱し、素子母体７の一端より溶融し
つつ二対の引き取りロール１１，１１，１１，１
１によつて引き取り、所定の厚みまで延伸して薄
板化し、光厚膜導波路素子用素材１２を得るが、
この時母体７の送り出し速度よりも素材１２の引
き取り速度を十分高めることが必要である。この
延伸操作により素子母体７の断面積が1000分の１
以下に減少し、よつて素子母体７のコア層８およ
びクラツド層９に内在していた屈折率のゆらぎは
1000分の１以下に減少し、前記素材１２を光厚膜
導波路素子として用いた場合、導波光の回折が大
巾に減少し、よつて導波損失が非常に低減する。
第５図に示した延伸装置は素子母体７の加熱と
圧延に二対のカーボン発熱体ロール１３，１３，
１３，１３を用いて二段階で行うもので、光厚膜
導波路素子用素材１２は引き取りロール１１，１
１によつて引き取られてゆく。また、第６図に示
した延伸装置はカーボン発熱体で形成されたダイ
ス１４とバレル１５とプランジヤ１６とからなる
押出機１７内に素子母体７をセツトし、ダイス１
４によつて素子母体７を加熱溶融し、プランジヤ
１６の押圧によりダイス１４より押出し、冷却ロ
ール１８，１８引き取りロール１１，１１によつ
て延伸して引き取るものである。
圧延に二対のカーボン発熱体ロール１３，１３，
１３，１３を用いて二段階で行うもので、光厚膜
導波路素子用素材１２は引き取りロール１１，１
１によつて引き取られてゆく。また、第６図に示
した延伸装置はカーボン発熱体で形成されたダイ
ス１４とバレル１５とプランジヤ１６とからなる
押出機１７内に素子母体７をセツトし、ダイス１
４によつて素子母体７を加熱溶融し、プランジヤ
１６の押圧によりダイス１４より押出し、冷却ロ
ール１８，１８引き取りロール１１，１１によつ
て延伸して引き取るものである。
以上の説明においてはガラス平板１の一面に気
相化学反応によりコア層とクラツド層となるガラ
ス微粉末を付着堆積させた三層構造の素子母体７
を延伸し、光厚膜導波路素子用素材１２を製造す
るものについて述べたが、これに限らず、
MCVD法やVAD法などの気相化学反応を利用し
て形成されたロツド状のコアークラツド型光フア
イバ母材を第４図ないし第５図に示した延伸装置
によつて圧延、延伸することによつても、光厚膜
導波路素子用素材１２を製造することができる。
相化学反応によりコア層とクラツド層となるガラ
ス微粉末を付着堆積させた三層構造の素子母体７
を延伸し、光厚膜導波路素子用素材１２を製造す
るものについて述べたが、これに限らず、
MCVD法やVAD法などの気相化学反応を利用し
て形成されたロツド状のコアークラツド型光フア
イバ母材を第４図ないし第５図に示した延伸装置
によつて圧延、延伸することによつても、光厚膜
導波路素子用素材１２を製造することができる。
以上のようにして形成された光厚膜導波路素子
用素材１２は所定の大きさにガラス切断器によつ
て切断され、光厚膜導波路素子として、分波器や
合波器に用いられる。
用素材１２は所定の大きさにガラス切断器によつ
て切断され、光厚膜導波路素子として、分波器や
合波器に用いられる。
以下、この発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
巾50×長さ100×厚み10mmの石英ガラス板１を
８枚溶接し、第１図に示した八角形筒体２を形成
した。この筒体２を第２図に示したガラス旋盤４
にセツトし、以下の条件で筒体２表面にコア層お
よびクラツド層となるガラス微粉末を付着堆積さ
せた。
８枚溶接し、第１図に示した八角形筒体２を形成
した。この筒体２を第２図に示したガラス旋盤４
にセツトし、以下の条件で筒体２表面にコア層お
よびクラツド層となるガラス微粉末を付着堆積さ
せた。
Γ筒体回転数 30r.p.m
Γ多重管バーナ５移動速度 20mm／分
Γ多重管バーナ５往復回数 コア層 ３回
クラツド層 ２回
Γ多重バーナ５へのガスの供給条件
コア層 SiCl4 50c.c.／分
GeCl4 20c.c.／分
POCl3 １c.c.／分
H2 1000c.c.／分
O2 1000c.c.／分
クラツド層 SiCl4 50c.c.／分
H2 900c.c.／分
O2 900c.c.／分
つぎに、筒体２表面に付着堆積されたガラス微
粉末をHeガス雰囲気中で1500℃、１時間加熱し
て透明ガラス化し、徐冷後、ガラス切断器によつ
て巾45×長さ50×厚み28mmの三層構造の光厚膜導
波路素子の素子母体７を切り出した。この素子母
体７は10mm厚みの基材石英板１と８mm厚みのコア
層と10mm厚みのクラツド層とからなつていた。つ
ぎに、この素子母体７を第４図に示した延伸装置
により以下の条件で延伸し薄板化した。
粉末をHeガス雰囲気中で1500℃、１時間加熱し
て透明ガラス化し、徐冷後、ガラス切断器によつ
て巾45×長さ50×厚み28mmの三層構造の光厚膜導
波路素子の素子母体７を切り出した。この素子母
体７は10mm厚みの基材石英板１と８mm厚みのコア
層と10mm厚みのクラツド層とからなつていた。つ
ぎに、この素子母体７を第４図に示した延伸装置
により以下の条件で延伸し薄板化した。
Γ板状カーボン発熱体１０，１０温度 2000℃
Γ送り出し速度 10mm／分
Γ引き取り速度 １ｍ／分
この操作により巾45mm、クラツド層厚み100μ
ｍ、コア層厚み80μｍ、基材石英ガラス板厚み
100μｍ、総厚み280μｍの三層構造の光厚膜導波
路素子素材１２が約600ｍ得られた。この素材１
２より巾40×長さ50×厚み0.28mmの光厚膜導波路
素子を作り、導波損失を測定したところ、波長λ
＝1.3μｍで0.04dB／cmであつた。
ｍ、コア層厚み80μｍ、基材石英ガラス板厚み
100μｍ、総厚み280μｍの三層構造の光厚膜導波
路素子素材１２が約600ｍ得られた。この素材１
２より巾40×長さ50×厚み0.28mmの光厚膜導波路
素子を作り、導波損失を測定したところ、波長λ
＝1.3μｍで0.04dB／cmであつた。
実施例 ２
実施例１と同様にして巾45×長さ50×厚さ28mm
の三層構造の素子母体７を得た。この素子母体７
を第５図に示した延伸装置により以下の条件で延
伸し薄板化した。
の三層構造の素子母体７を得た。この素子母体７
を第５図に示した延伸装置により以下の条件で延
伸し薄板化した。
Γカーボン発熱体ロール１３温度 2000℃
Γ送り出し速度 15mm／分
Γ引き取り速度 1.5ｍ／分
この操作により巾45mm、クラツド層厚み100μ
ｍ、コア層厚み80μｍ、基材石英ガラス板厚み
100μｍの光厚膜導波路素子素材１２が約700ｍ得
られた。この素材１２より得られた光厚膜導波路
素子の導波損失は波長λ＝1.3μｍで0.05dB／cm
であつた。
ｍ、コア層厚み80μｍ、基材石英ガラス板厚み
100μｍの光厚膜導波路素子素材１２が約700ｍ得
られた。この素材１２より得られた光厚膜導波路
素子の導波損失は波長λ＝1.3μｍで0.05dB／cm
であつた。
実施例 ３
実施例１と同様にして巾45×長さ50×厚さ28mm
の三層構造の素子母体７を得た。この素子母体７
を第６図に示した延伸装置により以下の条件で延
伸し薄板化した。
の三層構造の素子母体７を得た。この素子母体７
を第６図に示した延伸装置により以下の条件で延
伸し薄板化した。
Γダイス開口寸法 １mm×60mm
Γダイス温度 2000℃
Γプランジヤ押圧速度 10mm／分
Γ引き取り速度 １ｍ／分
この操作により巾60mm、クラツド層厚み100μ
ｍ、コア層厚み80μｍ、基材石英ガラス板厚み
100μｍの光厚膜導波路素子素材１２が約500ｍ得
られた。この素材１２より得られた光厚膜導波路
素子の導波損失は波長λ＝1.3μｍで0.03dB／cm
であつた。
ｍ、コア層厚み80μｍ、基材石英ガラス板厚み
100μｍの光厚膜導波路素子素材１２が約500ｍ得
られた。この素材１２より得られた光厚膜導波路
素子の導波損失は波長λ＝1.3μｍで0.03dB／cm
であつた。
以上説明したようにこの発明の光厚膜導波路素
子の製造法は気相化学反応により基材の表面にコ
ア層およびクラツド層となるガラス微粉末を付着
堆積させて母体を形成し、この母体の一端より溶
融延伸して薄板化して光厚膜導波路素子を得るも
のであるので、付着堆積したコア層となるガラス
微粉末中に内在する屈折率のゆらぎが母体の断面
積の減少に伴つて大きく減少するので屈折率のゆ
らぎに基因する導波路の導波損失が極めて小さく
なる。また、基材表面にコア層となるガラス微粉
末を付着堆積させているので、製造が容易で且つ
大量生産ができる。さらに、従来の光厚膜導波路
素子のように接着剤がコア／クラツド界面に存在
しないので長波長域での吸収がなく長波長光をも
低損失で導波できる。
子の製造法は気相化学反応により基材の表面にコ
ア層およびクラツド層となるガラス微粉末を付着
堆積させて母体を形成し、この母体の一端より溶
融延伸して薄板化して光厚膜導波路素子を得るも
のであるので、付着堆積したコア層となるガラス
微粉末中に内在する屈折率のゆらぎが母体の断面
積の減少に伴つて大きく減少するので屈折率のゆ
らぎに基因する導波路の導波損失が極めて小さく
なる。また、基材表面にコア層となるガラス微粉
末を付着堆積させているので、製造が容易で且つ
大量生産ができる。さらに、従来の光厚膜導波路
素子のように接着剤がコア／クラツド界面に存在
しないので長波長域での吸収がなく長波長光をも
低損失で導波できる。
第１図はこの発明に用いられるガラス平板より
形成された筒体の概略斜視図、第２図は筒体表面
にガラス微粉末を付着堆積させるための装置の一
例を示す説明図、第３図は母体の断面斜視図、第
４図ないし第６図は母体を延伸し薄板化する装置
の説明図である。 １……ガラス平板、７……母体、８……コア
層、９……クラツド層、１２……光厚膜導波路素
子用素材。
形成された筒体の概略斜視図、第２図は筒体表面
にガラス微粉末を付着堆積させるための装置の一
例を示す説明図、第３図は母体の断面斜視図、第
４図ないし第６図は母体を延伸し薄板化する装置
の説明図である。 １……ガラス平板、７……母体、８……コア
層、９……クラツド層、１２……光厚膜導波路素
子用素材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ クラツド層となるガラス平板の一面に気相化
学反応によりコア層とクラツド層となるガラス微
粉末を付着堆積させて透明ガラス化し、得られた
コア層とクラツド層を有する三層構造の平板状の
素子母体を加熱しその一端より溶融延伸し、引き
取りロールを用いて薄板化し、クラツド層、コア
層、クラツド層の三層が互いに平板状に重ね合さ
れた光厚膜導波路素子を得ることを特徴とする光
厚膜導波路素子の製造法。 ２ ガラス平板を複数枚組み合わせて多角形筒体
を形成し、この多角形筒体の表面にガラス微粉末
を付着堆積させることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光厚膜導波路素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56017782A JPS57132104A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Production of optical thick film waveguide path element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56017782A JPS57132104A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Production of optical thick film waveguide path element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57132104A JPS57132104A (en) | 1982-08-16 |
| JPS6217722B2 true JPS6217722B2 (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=11953283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56017782A Granted JPS57132104A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Production of optical thick film waveguide path element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57132104A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59158121U (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-23 | 古河電気工業株式会社 | 光分岐器 |
| JP4288841B2 (ja) * | 2000-09-21 | 2009-07-01 | ソニー株式会社 | 光バス部材の製造方法及び光バス装置 |
| GB2369820B (en) * | 2000-12-08 | 2003-04-23 | Univ Southampton | Fabrication of substrates for planar waveguide devices and planar waveguide devices |
| GB0618771D0 (en) | 2006-09-22 | 2007-03-28 | Univ Southampton | A method of fabricating a substantially planar substrate having waveguide channels |
-
1981
- 1981-02-09 JP JP56017782A patent/JPS57132104A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57132104A (en) | 1982-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4230396A (en) | High bandwidth optical waveguides and method of fabrication | |
| US4397524A (en) | Image-transmitting bundled optical fibers | |
| US4230472A (en) | Method of forming a substantially continuous optical waveguide | |
| US4306767A (en) | Single-mode optical fiber | |
| GB2027224A (en) | High bandwidth gradient index optical filament and method of fabrication | |
| JPS6119572B2 (ja) | ||
| US4277272A (en) | Method for the manufacture of a multi-channel fiber optical waveguide | |
| US4283213A (en) | Method of fabrication of single mode optical fibers or waveguides | |
| JPH0447285B2 (ja) | ||
| JPS6044259B2 (ja) | オプチカルフアイバ製造方法 | |
| US4087266A (en) | Optical fibre manufacture | |
| JPS6217722B2 (ja) | ||
| JPS6313944B2 (ja) | ||
| US4452623A (en) | Method for producing optical multiple fiber | |
| US4140505A (en) | Method of manufacturing a limited mode optical fiber | |
| KR20070065245A (ko) | 광섬유 제조 방법들 | |
| JPH0310204A (ja) | 非線形光ファイバおよびその製造法 | |
| US4116653A (en) | Optical fiber manufacture | |
| JP2556350B2 (ja) | Ｎａ変換光ファイバの製造方法 | |
| JPH06174955A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS6243932B2 (ja) | ||
| JPS59456B2 (ja) | 光ガラスフアイバの製造方法 | |
| CN112408773B (zh) | D形光子晶体光纤预制棒及其d形光子晶体光纤拉制方法 | |
| JPH0316930A (ja) | 複雑屈折率分布を有する光ファイバの製造方法 | |
| US20240034664A1 (en) | Hollow-core optical fibers and methods for producing the same |