JPS62176902A - 高純度精製水素ガスの製造方法 - Google Patents
高純度精製水素ガスの製造方法Info
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- JPS62176902A JPS62176902A JP61017856A JP1785686A JPS62176902A JP S62176902 A JPS62176902 A JP S62176902A JP 61017856 A JP61017856 A JP 61017856A JP 1785686 A JP1785686 A JP 1785686A JP S62176902 A JPS62176902 A JP S62176902A
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- hydrogen gas
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- gas
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Landscapes
- Gas Separation By Absorption (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は水素吸蔵合金を用いての高純度精製水素ガスの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
(従来の技術)
現在水素吸蔵合金の特性である水素カス選択吸収性を利
用した高純度水素ガス精製システムが開発されている、
従来の精製システムを第3図に示す。
用した高純度水素ガス精製システムが開発されている、
従来の精製システムを第3図に示す。
第3図においては、1は例えば、LaNi5のような水
素吸蔵合金2を収納した容器(以1、これを精製装置と
いう)、■はパルプである。
素吸蔵合金2を収納した容器(以1、これを精製装置と
いう)、■はパルプである。
粗水素ガスはVを介して、Aで示すように高められた圧
力下で精製装置1中に供給され、水素吸蔵合金2に水素
カスを吸蔵させる。精製装置1内には粗水素ガス中の不
純物カスが水素吸蔵合金2に吸蔵されないまま譲縮され
て残っているので、パルプVを操作して精製装置i内の
圧力分低めて先ずこの濃縮不純物ガスを8で示すように
放出させる。すると精製装置1内の減圧した分は水素吸
蔵合金2から水素ガス平衡圧まで水素ガスが放出される
ため、精製装置1の不純物ガスの含有率が水素ガスによ
って希釈されて低下することになる。このようなパルプ
Vの開閉操作による効果で順次精製装置1内の水素ガス
純度を上げて、最終的にパルプVt−B方向に開いて9
9.9999%以上の純度をもつ水素ガスを得ている。
力下で精製装置1中に供給され、水素吸蔵合金2に水素
カスを吸蔵させる。精製装置1内には粗水素ガス中の不
純物カスが水素吸蔵合金2に吸蔵されないまま譲縮され
て残っているので、パルプVを操作して精製装置i内の
圧力分低めて先ずこの濃縮不純物ガスを8で示すように
放出させる。すると精製装置1内の減圧した分は水素吸
蔵合金2から水素ガス平衡圧まで水素ガスが放出される
ため、精製装置1の不純物ガスの含有率が水素ガスによ
って希釈されて低下することになる。このようなパルプ
Vの開閉操作による効果で順次精製装置1内の水素ガス
純度を上げて、最終的にパルプVt−B方向に開いて9
9.9999%以上の純度をもつ水素ガスを得ている。
(柳原伸行著、′機能材料1馬3(+983)10頁参
照)このような操作では粗水素ガス中の水素ガスの歩留
りは90%程度にしかならない。この従来の精製システ
ムはバルブ開閉法と呼ばれている。
照)このような操作では粗水素ガス中の水素ガスの歩留
りは90%程度にしかならない。この従来の精製システ
ムはバルブ開閉法と呼ばれている。
上記した操作によって得られるN製水紮ガス量と不純物
ガスと共に放出される水素ガス量との関係を示したのが
第4図(横軸;水素吸Ntit1縦軸;平衡水素圧)で
あシ、第4図中、Cは精製水素ガス量、Dは不純物ガス
と共に放出されろ水素ガス量である。
ガスと共に放出される水素ガス量との関係を示したのが
第4図(横軸;水素吸Ntit1縦軸;平衡水素圧)で
あシ、第4図中、Cは精製水素ガス量、Dは不純物ガス
と共に放出されろ水素ガス量である。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は粗水素ガス中の水素ガスのロスを少なくした水
素吸蔵合金を使用する高純度N裂水素ガスの製造方法を
提供しようとするものである。
素吸蔵合金を使用する高純度N裂水素ガスの製造方法を
提供しようとするものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、■水素吸蔵合金を収納したN製容器を少なく
とも3つ準備し、原料粗水素ガスが供給されて水素ガス
を吸蔵した第1のaS装置に第3の精製装置からの精製
水素ガスの一部を供給して、第1の精製装置中の製動不
純物ガスを放出させ該濃縮不純物ガスを第2の精製装置
に供給する工程。
とも3つ準備し、原料粗水素ガスが供給されて水素ガス
を吸蔵した第1のaS装置に第3の精製装置からの精製
水素ガスの一部を供給して、第1の精製装置中の製動不
純物ガスを放出させ該濃縮不純物ガスを第2の精製装置
に供給する工程。
■第1の精製装置に一部の精製ガスを供給した後の第5
の精製装置からは精製水素ガスを採取し、第1の精製装
置から濃縮不純物ガスを供給された第2の精製装置には
続いて粗水素ガスを供給して水素ガスを吸蔵させる工程
。
の精製装置からは精製水素ガスを採取し、第1の精製装
置から濃縮不純物ガスを供給された第2の精製装置には
続いて粗水素ガスを供給して水素ガスを吸蔵させる工程
。
■上記(1)、(2)の工程を終えた後、上記第1の精
製装置を上記第3の精製装置として、上記第2の精製装
置を上記第1の精製装置として、また上記第3の精製装
置を上記第2の精製装装置として操作し、以下順次上記
と同様に精製装置を切換えて操作する工程。
製装置を上記第3の精製装置として、上記第2の精製装
置を上記第1の精製装置として、また上記第3の精製装
置を上記第2の精製装装置として操作し、以下順次上記
と同様に精製装置を切換えて操作する工程。
よりなることを特徴とする為純度精製水素ガスの製造方
法である。
法である。
以下、本発明の一実M態様を第1図に従って詳述する。
この第1図に示した実施態様においては、3基の水素吸
蔵合金を内蔵した容器すなわち第1N製装置、第2aM
装置2及び第3精製装置から構成され、導入口の配管が
各々2本づつ接続されている、1本はf#製水素ガスの
一部を導入する配管で、他の1本は粗水素ガスの導入口
、不純物ガスの放出口、かつ精製水素ガスの放出口を兼
用している。
蔵合金を内蔵した容器すなわち第1N製装置、第2aM
装置2及び第3精製装置から構成され、導入口の配管が
各々2本づつ接続されている、1本はf#製水素ガスの
一部を導入する配管で、他の1本は粗水素ガスの導入口
、不純物ガスの放出口、かつ精製水素ガスの放出口を兼
用している。
精製途中の1サイクルについて説明する。各々のaS装
置1.2.3に充分活性化処理された水素g&蔵金合金
a Ni sが充填されており、第3精製装置3には精
製水素ガスのみがLa Ni 5に吸蔵しておシ、第2
fII製装置2は精製水素ガスが放出されてしまいLa
N i sの水素吸蔵合金のみが存在している。ここ
で第1精製装置1にV、のパルプを介して粗水素ガスが
導入されると、水素ガスのみがLaNi5に吸蔵され、
第1精製装置1の空間には不純物ガスの濃縮された水素
ガスが存在した状態となる。
置1.2.3に充分活性化処理された水素g&蔵金合金
a Ni sが充填されており、第3精製装置3には精
製水素ガスのみがLa Ni 5に吸蔵しておシ、第2
fII製装置2は精製水素ガスが放出されてしまいLa
N i sの水素吸蔵合金のみが存在している。ここ
で第1精製装置1にV、のパルプを介して粗水素ガスが
導入されると、水素ガスのみがLaNi5に吸蔵され、
第1精製装置1の空間には不純物ガスの濃縮された水素
ガスが存在した状態となる。
不発8Aは、この第−mg装置1の空間に存在する不純
物ガスを放出する為に第5精裂装置3中の精製水素ガス
の一部F(第2図参照)をv6とv4パルプを介して導
入し、第1精製装置1内の不純物含有水素ガス量G(第
2図参照)をV、とv2イζルブを介して第2精製装置
2に導入し、第2精裂装ft2内のLaNi5に水素ガ
スのみを吸蔵させる。この時v3とv5のパルプは閉じ
た状態になっている。第1精製装置1中の不純物ガスが
j ppm以下になった時点でvl パルプを閉じ、
v4 パルプのみ開放とし、精製水素ガス分E(第2
回診服)を放出する。vl パルブを閉じたら、v2
パルプは開放のままで粗水素ガスを第2′JI?!
製装置2に導入する。
物ガスを放出する為に第5精裂装置3中の精製水素ガス
の一部F(第2図参照)をv6とv4パルプを介して導
入し、第1精製装置1内の不純物含有水素ガス量G(第
2図参照)をV、とv2イζルブを介して第2精製装置
2に導入し、第2精裂装ft2内のLaNi5に水素ガ
スのみを吸蔵させる。この時v3とv5のパルプは閉じ
た状態になっている。第1精製装置1中の不純物ガスが
j ppm以下になった時点でvl パルプを閉じ、
v4 パルプのみ開放とし、精製水素ガス分E(第2
回診服)を放出する。vl パルブを閉じたら、v2
パルプは開放のままで粗水素ガスを第2′JI?!
製装置2に導入する。
以上の操作が1サイクルあたp、上記精7・表装置番号
を1→2→3→1と繰り返すことにより水素ガス歩留″
!ジの高い精製水素ガスを得ることができる。
を1→2→3→1と繰り返すことにより水素ガス歩留″
!ジの高い精製水素ガスを得ることができる。
サイクルを重ねるごとに不純物ガスが濃縮されていくが
、不純物ガスが多くなると水素吸蔵合金に対する水素ガ
スの吸蔵速度と吸蔵量が低下してくる。このため、不純
物ガスを多量に含んだ粗水素ガスはv7 を介して大
気放出することになる。
、不純物ガスが多くなると水素吸蔵合金に対する水素ガ
スの吸蔵速度と吸蔵量が低下してくる。このため、不純
物ガスを多量に含んだ粗水素ガスはv7 を介して大
気放出することになる。
伺サイクル目にこの操作が必要になるかと言うと、水素
吸蔵合金の被毒性と粗水素ガスの純度によって異なるが
、実施例のLa Ni s合金で工業用水素(99,9
%H2)を用い、99.9 ? 99%H2以上の水素
ガスを得る場合IQサイクル目であった。従って従来法
による粗水素ガス損失量と比較すると、約%に減少させ
ることができた。粗水素ガス損失量は理論的には1/、
。程度となるはすであるが、不純物ガス量が増すほど(
サイクルを重ねるほど)不純物含有水素ガスfk k多
く放出しないといけなくなるので上記のように実質的に
は約り程度となるのである。
吸蔵合金の被毒性と粗水素ガスの純度によって異なるが
、実施例のLa Ni s合金で工業用水素(99,9
%H2)を用い、99.9 ? 99%H2以上の水素
ガスを得る場合IQサイクル目であった。従って従来法
による粗水素ガス損失量と比較すると、約%に減少させ
ることができた。粗水素ガス損失量は理論的には1/、
。程度となるはすであるが、不純物ガス量が増すほど(
サイクルを重ねるほど)不純物含有水素ガスfk k多
く放出しないといけなくなるので上記のように実質的に
は約り程度となるのである。
(高純度水素ガスをリサイクルする分を含むため)
第1図に示した実施態様で得られる精製水素ガス量と不
純物ガスと共に放出される水素カス量との関係を示した
のが第2図(横軸;水累吸xi、縦軸;平衡水素圧)で
あり、M2図図中上精製水素ガス量、F#iV6.V4
バルブを通じて送入される精製水素ガス量、GはvI
T V2パルプを通じて送入させる不純物含有水素ガス
量である。
純物ガスと共に放出される水素カス量との関係を示した
のが第2図(横軸;水累吸xi、縦軸;平衡水素圧)で
あり、M2図図中上精製水素ガス量、F#iV6.V4
バルブを通じて送入される精製水素ガス量、GはvI
T V2パルプを通じて送入させる不純物含有水素ガス
量である。
第3図の従来法と第1図の本発明法を図表で説明すると
第5図になる。すなわち、従来法では、不純物ガスを分
離・放出するために要する、水素合金中から放出される
水素ガスも含めた不純物含有水素量は粗水素ガス(供給
粗ガス=99.9%H2)の約10XKaるガスを要す
る。
第5図になる。すなわち、従来法では、不純物ガスを分
離・放出するために要する、水素合金中から放出される
水素ガスも含めた不純物含有水素量は粗水素ガス(供給
粗ガス=99.9%H2)の約10XKaるガスを要す
る。
さらに、不純物分離時間は水素吸蔵合金からの放出水素
量に左右されているため下表に示すように最短でも27
0secを要していた。
量に左右されているため下表に示すように最短でも27
0secを要していた。
本発明法では、容器例えば精製装置1、空間史に龜縮さ
れ九不純物含有水累蓋は粗水素ガスの約3%であるが、
このカスを除去するために精製水素ガス(不純物分離が
終了した容器例えば精製装置3からの)を10〜14%
供給し、不純物分離に要した不純物含有水素:113〜
17%を水素ガスを吸蔵できる状態にある容器例えば精
製装置2に導入する。
れ九不純物含有水累蓋は粗水素ガスの約3%であるが、
このカスを除去するために精製水素ガス(不純物分離が
終了した容器例えば精製装置3からの)を10〜14%
供給し、不純物分離に要した不純物含有水素:113〜
17%を水素ガスを吸蔵できる状態にある容器例えば精
製装置2に導入する。
この操作を5基の容器組合せで、サイクル化し、5基ト
ータルのサイクル数10回目に不純物ガスが龜縮され、
水素ガス含有量が低下し、次の容器に吸蔵しにくくなる
ため、大気放出を行う。この時の大気放出量は10サイ
クルで1回の操作のため、粗水素カスの処理量に対し、
2 X (粗水素ガス99%純度で35A)に相当する
。さらに、不純物分離時間は従来法のパルプ開閉操作と
異なり、連続的に精製水素ガスを不純物分離状態の容器
に送り込むために短時間で良く130〜220友で可能
であった。
ータルのサイクル数10回目に不純物ガスが龜縮され、
水素ガス含有量が低下し、次の容器に吸蔵しにくくなる
ため、大気放出を行う。この時の大気放出量は10サイ
クルで1回の操作のため、粗水素カスの処理量に対し、
2 X (粗水素ガス99%純度で35A)に相当する
。さらに、不純物分離時間は従来法のパルプ開閉操作と
異なり、連続的に精製水素ガスを不純物分離状態の容器
に送り込むために短時間で良く130〜220友で可能
であった。
以上のことから、粗水素ガスからの不純物分離Ki’L
、大気へ放出する不純物含有水素ガス1IkIfi、下
記に示すように、本発明法は従来法の%〜%に低下し、
かつ、不純物分離時間はh〜415に短縮できた。
、大気へ放出する不純物含有水素ガス1IkIfi、下
記に示すように、本発明法は従来法の%〜%に低下し、
かつ、不純物分離時間はh〜415に短縮できた。
不純物分離用高純度ガスが、サイクル数が多くなる忙従
って10%〜14%と高くなっているが、これは不純物
含有水素ガス(3%)中に不純物が濃縮されてくると、
水素吸蔵合金の吸蔵能力″t’阻害する。
って10%〜14%と高くなっているが、これは不純物
含有水素ガス(3%)中に不純物が濃縮されてくると、
水素吸蔵合金の吸蔵能力″t’阻害する。
したがって、サイクル数が多くなるに従って不純物含有
水素ガスを排出させるための高純度水素ガスの使用t’
を多くする。
水素ガスを排出させるための高純度水素ガスの使用t’
を多くする。
1サイクル・・・・・・10% 、2.3サイクル・・
・・・・11χ4.5サイクル・・・12%、6.7サ
イクル・・・・・・13χ8.9サイクル・・・14% 10サイクル分の性能比較(1基当りの有効水素吸蔵量
中4004) 操作条件 1)吸 蔵・・・・・・不純物ガス含有水素3〜5 a
tm(at30C)粗水素ガス10 atm(at30
C)2)高純度水素パージ圧力・・・・・・5 atm
(at 80C)量 ・・・・・・高純度水素蓋の5
% 3)パルプ開閉法・・・・・・(2シ戒開放+20se
c閉鎖)×6回サイクル数と粗水素ガスの損失率を本発
明と第6図に本発明の効果を理解し易くするために、カ
スの収支の図表を示す。
・・・・11χ4.5サイクル・・・12%、6.7サ
イクル・・・・・・13χ8.9サイクル・・・14% 10サイクル分の性能比較(1基当りの有効水素吸蔵量
中4004) 操作条件 1)吸 蔵・・・・・・不純物ガス含有水素3〜5 a
tm(at30C)粗水素ガス10 atm(at30
C)2)高純度水素パージ圧力・・・・・・5 atm
(at 80C)量 ・・・・・・高純度水素蓋の5
% 3)パルプ開閉法・・・・・・(2シ戒開放+20se
c閉鎖)×6回サイクル数と粗水素ガスの損失率を本発
明と第6図に本発明の効果を理解し易くするために、カ
スの収支の図表を示す。
第1図は本発明の一実施態様を説明するための図、第2
図は第1図で示した実施態様で得られる精製水素ガス量
と不純物ガスと共に放出される水素ガス量との関係を示
した図表、第3図は従来法を説明するための図、第4図
は従来法で得られる精製水素ガス量と不純物ガスと共に
放出される水素ガス量との関係を示した図表、第5図は
第1図の本発明方法と第3図の従来法とを比較した図表
、第6図は本発明のガス収支を示した図表である。 復代理人 内 1) 明 復代理人 萩 原 亮 − 復代理人 安 西 篤 夫 第1図 一惨粗水素か初流孔 第5区
図は第1図で示した実施態様で得られる精製水素ガス量
と不純物ガスと共に放出される水素ガス量との関係を示
した図表、第3図は従来法を説明するための図、第4図
は従来法で得られる精製水素ガス量と不純物ガスと共に
放出される水素ガス量との関係を示した図表、第5図は
第1図の本発明方法と第3図の従来法とを比較した図表
、第6図は本発明のガス収支を示した図表である。 復代理人 内 1) 明 復代理人 萩 原 亮 − 復代理人 安 西 篤 夫 第1図 一惨粗水素か初流孔 第5区
Claims (3)
- (1)水素吸蔵合金を収納した精製容器を少なくとも3
つ準備し、原料粗水素ガスが供給されて水素ガスを吸蔵
した第1の精製装置に第3の精製装置からの精製水素ガ
スの一部を供給して、第1の精製装置中の濃縮不純物ガ
スを放出させ該濃縮不純物ガスを第2の精製装置に供給
する工程。 - (2)第1の精製装置に一部の精製ガスを供給した後の
第5の精製装置からは精製水素ガスを採取し、第1の精
製装置から濃縮不純物ガスを供給された第2の精製装置
には続いて粗水素ガスを供給して水素ガスを吸蔵させる
工程。 - (3)上記(1)、(2)の工程を終えた後、上記第1
の精製装置を上記第3の精製装置として、上記第2の精
製装置を上記第1の精製装置として、また上記第3の精
製装置を上記第2の精製装置として操作し、以下順次上
記と同様に精製装置を切換えて操作する工程。 よりなることを特徴とする高純度精製水素ガスの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61017856A JPH0753563B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 高純度精製水素ガスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61017856A JPH0753563B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 高純度精製水素ガスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62176902A true JPS62176902A (ja) | 1987-08-03 |
JPH0753563B2 JPH0753563B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=11955297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61017856A Expired - Fee Related JPH0753563B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 高純度精製水素ガスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0753563B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5895519A (en) * | 1996-03-28 | 1999-04-20 | Saes Pure Gas, Inc. | Method and apparatus for purifying hydrogen gas |
JP2012214371A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Kobe Steel Ltd | 高純度水素精製方法 |
US8328399B2 (en) | 2010-01-08 | 2012-12-11 | Honda Motor Co., Ltd. | Turn signal device for saddle-ride type vehicle |
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1986
- 1986-01-31 JP JP61017856A patent/JPH0753563B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0753563B2 (ja) | 1995-06-07 |
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