JPS62176574A - 有機分子の単分子膜の累積方法 - Google Patents
有機分子の単分子膜の累積方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、有機分子の単分子膜の累積方法に関する。
［従来の技術］
一般に有機分子の累積膜には、
（Ａ）分子の配向および分子間の配置が所定のものであ
ること、 （Ｂ）有機分子の単分子層が基板表面上に均一に形成さ
れていること、 （Ｃ）有機分子の単分子層が同種あるいは異種の有機分
子の単分子層上に任意の方向に安定に累積されているこ
となどの条件が要求されている。
ること、 （Ｂ）有機分子の単分子層が基板表面上に均一に形成さ
れていること、 （Ｃ）有機分子の単分子層が同種あるいは異種の有機分
子の単分子層上に任意の方向に安定に累積されているこ
となどの条件が要求されている。
従来の有機分子の累積膜の製造方法として、まず、第１
の方法について説明する。
の方法について説明する。
第７図に示されるように基板（１）を上方より水溶液（
３）中に浸漬した後、第８図に示されるように基板（１
）を水溶液（３）中より引き上げると有機分子の単分子
層（２）の親水性基（４）が基板（１）側に配向した単
分子層が移し取られる。つぎに第９図に示される゛よう
に再び水溶液（３）中に基板（１）を挿入すると、水溶
液（３）中の有機分子の単分子層（２）の疎水性基（５
）が基板（１）側に配向された単分子層が累積される。
３）中に浸漬した後、第８図に示されるように基板（１
）を水溶液（３）中より引き上げると有機分子の単分子
層（２）の親水性基（４）が基板（１）側に配向した単
分子層が移し取られる。つぎに第９図に示される゛よう
に再び水溶液（３）中に基板（１）を挿入すると、水溶
液（３）中の有機分子の単分子層（２）の疎水性基（５
）が基板（１）側に配向された単分子層が累積される。
前記第８図および第９図に示されるような基板（１）の
水溶液（３）中への浸漬および引き上げの操作を繰り返
すことにより任意の累積数の有機分子の単分子膜が累積
される。
水溶液（３）中への浸漬および引き上げの操作を繰り返
すことにより任意の累積数の有機分子の単分子膜が累積
される。
第２の方法は第１０図に示されるように水溶液（３）の
気−水界面上の有機分子の単分子層（２）に対して水平
に基板（１）を上方より有機分子の単分子層に押しつけ
るかまたは第１１図に示されるように水溶液（３）中か
ら有機分子の単分子層（２）をすくいあげると基板（１
）上に有機分子の単分子層（２）が移し取られ、前記第
１０図または第１１図の操作を繰り返すことにより任意
の累積数の有機分子の単分子膜が累積される。
気−水界面上の有機分子の単分子層（２）に対して水平
に基板（１）を上方より有機分子の単分子層に押しつけ
るかまたは第１１図に示されるように水溶液（３）中か
ら有機分子の単分子層（２）をすくいあげると基板（１
）上に有機分子の単分子層（２）が移し取られ、前記第
１０図または第１１図の操作を繰り返すことにより任意
の累積数の有機分子の単分子膜が累積される。
［発明が解決しようとする問題点］
第１の方法によってえられた有機分子の単分子膜は、上
記（Ａ）の条件を満足するが、上記（Ｂ）の条件を満足
するためには水溶液（３）の気−水界面上の有機分子の
単分子層（２）の膜圧が常に一定となるように基板（１
）を圧縮し続けなければならない。とくに基板（１）の
面積が大きいばあいには有機分子の単分子層（２）の膜
圧が急激に低下するので、上記（Ｂ）の条件を満足させ
ることは困難である。さらには第１の方法によって形成
された累積膜は、上記（Ｃ）の条件である、基板（１）
側に親水性基（４）が配向した単分子層と、基板（１）
側に疎水性基（５）が配向した単分子層とが交互に累積
されたいわゆるＹ型膜が形成される。したがって基板（
１）上に形成された累積膜はすべての有機分子の単分子
層（２）の親水性基（４）が基板（１）側に配向して累
積されてなる、いわゆる２型膜、あるいはすべての有機
分子の単分子層の疎水性基（５）が基板（１）側に配向
して累積されてなる、いわゆるＸ型膜を累積するばあい
、用いられる有機分子の種類には限りがあり、さらには
水溶液（３）のｐＨや基板（１）の浸漬や引き上げ速度
を調整する必要がある。
記（Ａ）の条件を満足するが、上記（Ｂ）の条件を満足
するためには水溶液（３）の気−水界面上の有機分子の
単分子層（２）の膜圧が常に一定となるように基板（１
）を圧縮し続けなければならない。とくに基板（１）の
面積が大きいばあいには有機分子の単分子層（２）の膜
圧が急激に低下するので、上記（Ｂ）の条件を満足させ
ることは困難である。さらには第１の方法によって形成
された累積膜は、上記（Ｃ）の条件である、基板（１）
側に親水性基（４）が配向した単分子層と、基板（１）
側に疎水性基（５）が配向した単分子層とが交互に累積
されたいわゆるＹ型膜が形成される。したがって基板（
１）上に形成された累積膜はすべての有機分子の単分子
層（２）の親水性基（４）が基板（１）側に配向して累
積されてなる、いわゆる２型膜、あるいはすべての有機
分子の単分子層の疎水性基（５）が基板（１）側に配向
して累積されてなる、いわゆるＸ型膜を累積するばあい
、用いられる有機分子の種類には限りがあり、さらには
水溶液（３）のｐＨや基板（１）の浸漬や引き上げ速度
を調整する必要がある。
いっぽう、第２の方法によってえられた有機分子の単分
子膜は、上記の （Ａ）と（Ｃ）の条件を満たすもので
はあるが、基板（１）を有機分子の単分子層（２）へ押
しつけるとき、あるいは下からすくいあげるときに機械
的な振動などにより （Ｂ）の条件、すなわち単分子層
が基板表面上に均一に形成させるのが困難である。また
前記第１および第２の方法はともに基板（１）を水溶液
（３）の気−水界面上の有機分子の単分子層（′２Ｊに
一定の速度で挿入あるいは押しつける必要があり、その
ためには複雑で高価なコントロール装置が必要とされる
。
子膜は、上記の （Ａ）と（Ｃ）の条件を満たすもので
はあるが、基板（１）を有機分子の単分子層（２）へ押
しつけるとき、あるいは下からすくいあげるときに機械
的な振動などにより （Ｂ）の条件、すなわち単分子層
が基板表面上に均一に形成させるのが困難である。また
前記第１および第２の方法はともに基板（１）を水溶液
（３）の気−水界面上の有機分子の単分子層（′２Ｊに
一定の速度で挿入あるいは押しつける必要があり、その
ためには複雑で高価なコントロール装置が必要とされる
。
そこで本発明はかかる問題点を解決するためになされた
もので、水溶液の気−水界面上にラングミュアーブロジ
ェット法により有機分子の単分子膜を形成した後、気−
水界面上を上昇あるいは下降させることにより気−水界
面の上方または下方に設置された基板上あるいは有機分
子の累積膜上に、同種または異種の有機分子の単分子膜
を累積させる方法を提供するものである。
もので、水溶液の気−水界面上にラングミュアーブロジ
ェット法により有機分子の単分子膜を形成した後、気−
水界面上を上昇あるいは下降させることにより気−水界
面の上方または下方に設置された基板上あるいは有機分
子の累積膜上に、同種または異種の有機分子の単分子膜
を累積させる方法を提供するものである。
ここでラングミュア−ブロジェット法とは、水溶液の気
−水界面上に親水性基を共有する分子を展開し、水平方
向からの圧力を加えることによって界面上に単分子膜を
形成し、さらにそれを基板上に移し取る方法であり、単
分子膜の累積の手段として一般に用いられている方法で
ある。
−水界面上に親水性基を共有する分子を展開し、水平方
向からの圧力を加えることによって界面上に単分子膜を
形成し、さらにそれを基板上に移し取る方法であり、単
分子膜の累積の手段として一般に用いられている方法で
ある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は水または２価の金属イオンを含有する水溶液の
気−水界面上にラングミュアーブロジェット法により、
有機分子の単分子膜を形成したのち、該水溶液の気−水
界面の上昇または下降により基板上または有機分子の累
積膜上に、有機分子の単分子膜を累積することを特徴と
する有機分子の単分子膜の累積方法に関する。
気−水界面上にラングミュアーブロジェット法により、
有機分子の単分子膜を形成したのち、該水溶液の気−水
界面の上昇または下降により基板上または有機分子の累
積膜上に、有機分子の単分子膜を累積することを特徴と
する有機分子の単分子膜の累積方法に関する。
［作用および実施例］
本発明の有機分子の単分子膜の累積方法によれば、水ま
たは２価金属イオンを含有する水溶液の気−水界面上に
ラングミュア−ブロジェット法により、有機分子の単分
子膜を形成したのち、該水溶液の気−水界面を上昇また
は下降させることにより、基板上または有機分子の累積
股上に、有機分子の単分子膜が累積される。
たは２価金属イオンを含有する水溶液の気−水界面上に
ラングミュア−ブロジェット法により、有機分子の単分
子膜を形成したのち、該水溶液の気−水界面を上昇また
は下降させることにより、基板上または有機分子の累積
股上に、有機分子の単分子膜が累積される。
本発明の累積方法において、有機分子の単分子膜をラン
グミュア−ブロジェット法により形成せしめるためには
水または２価の金属イオンを含有する水溶液が用いられ
るが、とくに２価の金属イオンを含有する水溶液を用い
たばあい、水あるいは１価の金属イオンを用いたばあい
に比べて、基板上に累積された単分子膜が物理的に安定
な累積膜となるので好ましい。このばあい、該水溶液中
に含有される２価の金属イオンの濃度は、基板上に形成
される単分子膜の累積層数あるいは膜を形成する有機分
子の種類などによって異なるが、通常、５Ｘ１０−５〜
１ＸＩＯ−３モル／ｊであるのが好ましい。かかる濃度
が５Ｘ１０−Ｓモル／ｐ未満のばあい、２価の金属イオ
ンを含有せしめた効果が発現せず、またｌＸ１０−３モ
ル／ｐをこえるとｐＨの調節が困難となる。
グミュア−ブロジェット法により形成せしめるためには
水または２価の金属イオンを含有する水溶液が用いられ
るが、とくに２価の金属イオンを含有する水溶液を用い
たばあい、水あるいは１価の金属イオンを用いたばあい
に比べて、基板上に累積された単分子膜が物理的に安定
な累積膜となるので好ましい。このばあい、該水溶液中
に含有される２価の金属イオンの濃度は、基板上に形成
される単分子膜の累積層数あるいは膜を形成する有機分
子の種類などによって異なるが、通常、５Ｘ１０−５〜
１ＸＩＯ−３モル／ｊであるのが好ましい。かかる濃度
が５Ｘ１０−Ｓモル／ｐ未満のばあい、２価の金属イオ
ンを含有せしめた効果が発現せず、またｌＸ１０−３モ
ル／ｐをこえるとｐＨの調節が困難となる。
前記２価の金属イオンとしてはたとえばバリウムイオン
、カドミウムイオン、カルシウムイオンあるいはウラン
イオンを用いたばあい、単分子膜は基板上に安定して累
積されやすく、また物理的な力に対しても安定している
ので好適に使用しうる。
、カドミウムイオン、カルシウムイオンあるいはウラン
イオンを用いたばあい、単分子膜は基板上に安定して累
積されやすく、また物理的な力に対しても安定している
ので好適に使用しうる。
前記水または２価の金属イオンを含有する水溶液の気−
水界面上に形成せられる、有機分子の単分子膜に用いら
れる有機分子としては、たとえばステアリン酸、アラキ
ン酸などの長鎖脂肪酸；グリシンヘキサデシルエステル
などのエステル；クロロフィルａ 、 １２−（１−ピ
レン）ドデカン酸などの色素を持つ分子など分子内に親
水性基と疎水性基とを両有する分子を使用しうる。
水界面上に形成せられる、有機分子の単分子膜に用いら
れる有機分子としては、たとえばステアリン酸、アラキ
ン酸などの長鎖脂肪酸；グリシンヘキサデシルエステル
などのエステル；クロロフィルａ 、 １２−（１−ピ
レン）ドデカン酸などの色素を持つ分子など分子内に親
水性基と疎水性基とを両有する分子を使用しうる。
また、本発明に用いる有機分子の単分子膜を累積するた
めの基板は、ガラス板、金属蒸着ガラス板、金属蒸着プ
ラスチック板、金属板など通常使用されているものを使
用しつる。
めの基板は、ガラス板、金属蒸着ガラス板、金属蒸着プ
ラスチック板、金属板など通常使用されているものを使
用しつる。
つぎに本発明の単分子膜の累積方法を実施態様に基づい
てさらに詳細に説明する。
てさらに詳細に説明する。
まず、疎水性基が基板側に配向した単分子膜を基板上に
累積する方法（以下、χ型累積Ｍ法という）について説
明する。
累積する方法（以下、χ型累積Ｍ法という）について説
明する。
第１図に示されるように水あるいは２価の金属イオンを
含有する水溶液（３）の気−水界面上にラングミュアー
ブロジェット法によって形成された有機分子の単分子層
（２）をテフロンバー（７）で一定の膜圧に保つ。該水
溶液（３）の温度は単分子膜を安定に基板（１）上に累
積するためには１５〜２３℃が好ましく、さらに好まし
くは約２０℃である。水あるいは２価金属イオンを含有
する水溶液（３）の気−水界面に形成された有機分子の
単分子層（２１は、表面張力によって水槽（６）の縁よ
り盛り上がっている。基板（１）は有機分子の単分子層
（２）の上方に水平に設置するが、このとき基板（１）
と有機分子の単分子１ｍ（２）との間隔は、単分子膜を
安定に基板上に累積させ、また水面を上昇させた際に、
表面張力のバランスがくずれ、水槽（６）の縁から該水
溶液（３）があふれ出さないようにするためには、でき
る限り小さいのが好ましいが、とくに０．５ｎ＋ｎ＋〜
３ｍｍであるのが好ましい。
含有する水溶液（３）の気−水界面上にラングミュアー
ブロジェット法によって形成された有機分子の単分子層
（２）をテフロンバー（７）で一定の膜圧に保つ。該水
溶液（３）の温度は単分子膜を安定に基板（１）上に累
積するためには１５〜２３℃が好ましく、さらに好まし
くは約２０℃である。水あるいは２価金属イオンを含有
する水溶液（３）の気−水界面に形成された有機分子の
単分子層（２１は、表面張力によって水槽（６）の縁よ
り盛り上がっている。基板（１）は有機分子の単分子層
（２）の上方に水平に設置するが、このとき基板（１）
と有機分子の単分子１ｍ（２）との間隔は、単分子膜を
安定に基板上に累積させ、また水面を上昇させた際に、
表面張力のバランスがくずれ、水槽（６）の縁から該水
溶液（３）があふれ出さないようにするためには、でき
る限り小さいのが好ましいが、とくに０．５ｎ＋ｎ＋〜
３ｍｍであるのが好ましい。
つぎに第２図に示すように注水口（８）より静かに水あ
るいは２価金属イオンを含有する水溶液を水槽（６）中
に注入する。このとき注入される水あるいは２価金属イ
オンを含有する水溶液は、温度、ｐＨともに水あるいは
２価金属イオンを含有する水溶液（３）と同じものであ
ることが好ましい。また注水口（８）の位置は水槽（６
）のいかなる位置にあってもよいが、テフロンバー（７
）に対して有機分子の単分子層（２と反対側にあるのが
好ましい。注入する水あるいは２価金属イオンを含有す
る水溶液の液量は、水槽（６）の表面積によって異なる
が、有機分子の単分子層（２１が上昇し基板（１）に接
触しうるだけの量が必要である。つぎに第３図に示され
るように注水口（８）より水あるいは２価金属イオンを
含有する水溶液（３）を排出すると、基板（１）上に有
機分子の単分子層（′２Ｊが移し取られる。なお、この
とき注水口（８）より水あるいは２価値金属イオンを含
有する水溶液（３）を排出する代わりに基板（１）を上
方に静かに引き上げてもよい。この方法を繰り返すこと
により、基板（１）側に疎水性基を配向し、親水性基と
疎水性基とが向かい合うような形の任意の累積数の累積
膜（Ｘ型累積膜）を形成せしめることができる。
るいは２価金属イオンを含有する水溶液を水槽（６）中
に注入する。このとき注入される水あるいは２価金属イ
オンを含有する水溶液は、温度、ｐＨともに水あるいは
２価金属イオンを含有する水溶液（３）と同じものであ
ることが好ましい。また注水口（８）の位置は水槽（６
）のいかなる位置にあってもよいが、テフロンバー（７
）に対して有機分子の単分子層（２と反対側にあるのが
好ましい。注入する水あるいは２価金属イオンを含有す
る水溶液の液量は、水槽（６）の表面積によって異なる
が、有機分子の単分子層（２１が上昇し基板（１）に接
触しうるだけの量が必要である。つぎに第３図に示され
るように注水口（８）より水あるいは２価金属イオンを
含有する水溶液（３）を排出すると、基板（１）上に有
機分子の単分子層（′２Ｊが移し取られる。なお、この
とき注水口（８）より水あるいは２価値金属イオンを含
有する水溶液（３）を排出する代わりに基板（１）を上
方に静かに引き上げてもよい。この方法を繰り返すこと
により、基板（１）側に疎水性基を配向し、親水性基と
疎水性基とが向かい合うような形の任意の累積数の累積
膜（Ｘ型累積膜）を形成せしめることができる。
つぎに親水性基が基板側に配向した単分子膜を累積する
方法（以下、ｌ型累積膜法という）について説明する。
方法（以下、ｌ型累積膜法という）について説明する。
第４図に示されるように基板（１）を前もって水槽（６
）に満たした水あるいは２価金属イオンを含有する水溶
液（３）の水面下０．５〜３ＩＩＩＩ１１の位置に設置
しておき、前記Ｘ型累積膜法と同じ条件でラングミュア
ーブロジェット法により、水あるいは２価金属イオンを
含有する水溶液（３）の気−水界面上に有機分子の単分
子層（２）を形成し、テフロンバー（刀によって一定の
膜圧に保持しながら第５図に示されるように注水口（８
）より静かに水あるいは２価金属イオンを含有する水溶
液（３）を排出すると基板（１）上に親水性基（４）を
向けた単分子膜が移し取られる。この方法を繰り返すこ
とにより、基板（１）側に親水性基（４）を配向し、疎
水性基（５）と親水性基（４）とが互いに向かい合うよ
うな形の任意の累積数の累積膜（Ｚ型累積膜）が形成さ
れる。
）に満たした水あるいは２価金属イオンを含有する水溶
液（３）の水面下０．５〜３ＩＩＩＩ１１の位置に設置
しておき、前記Ｘ型累積膜法と同じ条件でラングミュア
ーブロジェット法により、水あるいは２価金属イオンを
含有する水溶液（３）の気−水界面上に有機分子の単分
子層（２）を形成し、テフロンバー（刀によって一定の
膜圧に保持しながら第５図に示されるように注水口（８
）より静かに水あるいは２価金属イオンを含有する水溶
液（３）を排出すると基板（１）上に親水性基（４）を
向けた単分子膜が移し取られる。この方法を繰り返すこ
とにより、基板（１）側に親水性基（４）を配向し、疎
水性基（５）と親水性基（４）とが互いに向かい合うよ
うな形の任意の累積数の累積膜（Ｚ型累積膜）が形成さ
れる。
さらに上記Ｘ型累積膜法とｌ型累積膜法とを任意の順序
に繰り返すことによって親水性基と疎水性基とが任意の
方向に組み合わさった累積膜を安定に形成せしめること
ができる。
に繰り返すことによって親水性基と疎水性基とが任意の
方向に組み合わさった累積膜を安定に形成せしめること
ができる。
また第６図に示されるように注水口の代わりに水槽（６
）の下部にピストン（９）を設け、これを上下に動かす
ことによって水槽（６）の容積を変化させ、水あるいは
２価金属イオンを含有する水溶液（３）の気−水界面に
形成された有機分子の単分子層（２の位置を可変させて
もよい。
）の下部にピストン（９）を設け、これを上下に動かす
ことによって水槽（６）の容積を変化させ、水あるいは
２価金属イオンを含有する水溶液（３）の気−水界面に
形成された有機分子の単分子層（２の位置を可変させて
もよい。
つぎに本発明の有機分子の単分子膜の累積方法を実施例
に基づいてざらに詳細に説明するが、本発明はかかる実
施例のみに限定されるものではない。
に基づいてざらに詳細に説明するが、本発明はかかる実
施例のみに限定されるものではない。
実施例１
有機分子としてステアリン酸およびノステアリン酸と１
２−（１−ピレン）ドデカン酸とのモル比が４：１であ
る混合物を用いて、２．５Ｘ１Ｇ−４モル／ρのバリウ
ムイオンを含むｐＨ９、水温２０℃となるように調整し
た水溶液の水面上にラングミュアーブロジェット法によ
り単分子膜を形成した。つぎに上記のＸ型累積膜法によ
り、＠ ５ｃｍ＋、横２Ｃｆｆｌ、幅０゜１３ ＣＩの
ガラス製の基板上に基板側に疎水性基を配向させ、親水
性基と疎水性基とが向かい合うような形の累積膜数が、
１．２．６または１０の累積膜（Ｘ型累積膜）を形成し
た。
２−（１−ピレン）ドデカン酸とのモル比が４：１であ
る混合物を用いて、２．５Ｘ１Ｇ−４モル／ρのバリウ
ムイオンを含むｐＨ９、水温２０℃となるように調整し
た水溶液の水面上にラングミュアーブロジェット法によ
り単分子膜を形成した。つぎに上記のＸ型累積膜法によ
り、＠ ５ｃｍ＋、横２Ｃｆｆｌ、幅０゜１３ ＣＩの
ガラス製の基板上に基板側に疎水性基を配向させ、親水
性基と疎水性基とが向かい合うような形の累積膜数が、
１．２．６または１０の累積膜（Ｘ型累積膜）を形成し
た。
つぎにえられた有機分子の累積膜の物性として、膜分子
の配向性、膜の均一性および膜表面の性質について以下
の方法で調べた。
の配向性、膜の均一性および膜表面の性質について以下
の方法で調べた。
（膜分子の配向性）
ＦＴＩＲの高感度反射法によりステアリン酸累積膜のメ
チレン鎖の傾きを調べる。
チレン鎖の傾きを調べる。
（膜の均一性）
蛍光顕微鏡観察により、ステアリン酸と１２−（１−ピ
レン）ドデカン酸とのモル比が４：１である混合物の累
積膜表面からの蛍光の均一性を調べる。
レン）ドデカン酸とのモル比が４：１である混合物の累
積膜表面からの蛍光の均一性を調べる。
（膜表面の性質）
ステアリン酸の累積膜サンプルを水に浸すことにより、
表面に付着する水滴を観察する。
表面に付着する水滴を観察する。
これらの結果を第１表に示す。
実施例２
有機分子としてステアリン酸およびステアリン酸と１２
−（１−ピレン）ドデカン酸とのモル比が４：１である
混合物を用いて、２．５Ｘ１０−４モル／ρのバリウム
イオンを含むｐＨが９、水温が２０℃となるように調整
した水溶液の水面上にラングミュアーブロジェット法に
より単分子膜を形成した。つぎに上記Ｚ型累＠Ｍ＠法に
より、縮れ−１横２ｃ＋ａ、 幅０．１３ｃｍのガラス
製の基板上に基板側に親水性基を配向させ、疎水性基と
親水性基とが向かい合うような形の累積膜数が１．２．
６または１０の累積１１（Ｚ型累積膜）を形成させた。
−（１−ピレン）ドデカン酸とのモル比が４：１である
混合物を用いて、２．５Ｘ１０−４モル／ρのバリウム
イオンを含むｐＨが９、水温が２０℃となるように調整
した水溶液の水面上にラングミュアーブロジェット法に
より単分子膜を形成した。つぎに上記Ｚ型累＠Ｍ＠法に
より、縮れ−１横２ｃ＋ａ、 幅０．１３ｃｍのガラス
製の基板上に基板側に親水性基を配向させ、疎水性基と
親水性基とが向かい合うような形の累積膜数が１．２．
６または１０の累積１１（Ｚ型累積膜）を形成させた。
つぎにえられた有機分子の累積膜の物性として、膜分子
の配向性、膜の均一性および膜表面の性質について実施
例１と同様にして調べた。これらの結果を第１表に示す
。
の配向性、膜の均一性および膜表面の性質について実施
例１と同様にして調べた。これらの結果を第１表に示す
。
実施例３
有機分子としてステアリン酸およびステアリン酸と１２
−（１−とレン）ドデカン酸とのモル比が４：１である
混合物を用いて、２．５Ｘ１０−４モル／ｊのバリウム
イオンを含むｌ）Ｈが９、水温が２０℃となるように調
整した水溶液上にラングミュアーブロジェット法により
単分子膜を形成した。つぎに上記のＸ型累積膜法および
ｌ型累積膜法を繰り返して単分子膜を累積することによ
り、縦５ｃｍ、横２ｃｍ、幅０．１３ｃｍのガラス製の
基板上に基板側に親水性基を配向させ、疎水性基と疎水
性基、親水性基と親水性基とが向かい合うような形の累
積膜数が１．２．６または１０の累積１１！Ｊ（Ｙ型累
積Ｍｌ）を形成した。
−（１−とレン）ドデカン酸とのモル比が４：１である
混合物を用いて、２．５Ｘ１０−４モル／ｊのバリウム
イオンを含むｌ）Ｈが９、水温が２０℃となるように調
整した水溶液上にラングミュアーブロジェット法により
単分子膜を形成した。つぎに上記のＸ型累積膜法および
ｌ型累積膜法を繰り返して単分子膜を累積することによ
り、縦５ｃｍ、横２ｃｍ、幅０．１３ｃｍのガラス製の
基板上に基板側に親水性基を配向させ、疎水性基と疎水
性基、親水性基と親水性基とが向かい合うような形の累
積膜数が１．２．６または１０の累積１１！Ｊ（Ｙ型累
積Ｍｌ）を形成した。
つぎにえられた有機分子の累積膜の物性として、膜分子
の配向性、膜の均一性および膜表面の性質について実施
例１と同様にして求めた。
の配向性、膜の均一性および膜表面の性質について実施
例１と同様にして求めた。
その結果を第１表に示す。
比較例１
有機分子としてステアリン酸およびステアリン酸と１２
−（１−ピレン）ドデカン酸とのモル比が４：１である
混合物を用いて、２．５Ｘ１０−４モル／１のバリウム
イオンを含むｐＨが９、水温が２０℃となるように調整
した水溶液上にラングミュアーブロジェット法によって
単分子膜を形成した。つぎに縦５ＣＩ１１１横２Ｃ１１
，幅０．１３ＣＩｌｌのガラス製の基板を上方より該水
溶液中に５ｍｍ／分の速度で挿入したのちただちに引き
上げる操作を繰り返し、基板側に親水性基を配向させ、
疎水性基と疎水性基、親水性基と親水性基とが向かい合
うような形の累積膜数が１．２．６または１０の累積膜
（Ｙ型累積膜）を形成した。
−（１−ピレン）ドデカン酸とのモル比が４：１である
混合物を用いて、２．５Ｘ１０−４モル／１のバリウム
イオンを含むｐＨが９、水温が２０℃となるように調整
した水溶液上にラングミュアーブロジェット法によって
単分子膜を形成した。つぎに縦５ＣＩ１１１横２Ｃ１１
，幅０．１３ＣＩｌｌのガラス製の基板を上方より該水
溶液中に５ｍｍ／分の速度で挿入したのちただちに引き
上げる操作を繰り返し、基板側に親水性基を配向させ、
疎水性基と疎水性基、親水性基と親水性基とが向かい合
うような形の累積膜数が１．２．６または１０の累積膜
（Ｙ型累積膜）を形成した。
つぎにえられた有機分子の累積膜の物性として、膜分子
の配向性、膜の均一性および膜表面の性質について実施
例１と同様にして調べた。
の配向性、膜の均一性および膜表面の性質について実施
例１と同様にして調べた。
これらの結果を第１表に示す。
比較例２
有機分子としてステアリン酸およびステアリン酸と１２
−（１−とレン）ドデカン酸とのモル比が４：１である
混合物を用いて、２．５Ｘ１０−４モル／１のバリウム
イオンを含むｌ）Ｈが９、水温が２０℃となるように調
整した水溶液上にラングミュアーブロジェット法により
単分子膜を形成した。つぎに縦５ｃｍ、横２Ｃ−１幅０
．１３ｃｍのガラス製の基板を上方より該水溶液気−水
界面上に１１１１１１／分の速度で押しつけて基板に対
して疎水性基を向け、親水性基と疎水性基とが向かい合
うような形の累積膜数が１．２．６または１０の累積膜
（Ｘ型累積膜）を形成した。
−（１−とレン）ドデカン酸とのモル比が４：１である
混合物を用いて、２．５Ｘ１０−４モル／１のバリウム
イオンを含むｌ）Ｈが９、水温が２０℃となるように調
整した水溶液上にラングミュアーブロジェット法により
単分子膜を形成した。つぎに縦５ｃｍ、横２Ｃ−１幅０
．１３ｃｍのガラス製の基板を上方より該水溶液気−水
界面上に１１１１１１／分の速度で押しつけて基板に対
して疎水性基を向け、親水性基と疎水性基とが向かい合
うような形の累積膜数が１．２．６または１０の累積膜
（Ｘ型累積膜）を形成した。
つぎにえられた有機分子の累積膜の物性として、膜分子
の配向性、膜の均一性および膜表面の性質について実施
例１と同様にして調べた。
の配向性、膜の均一性および膜表面の性質について実施
例１と同様にして調べた。
これらの結果を第１表に示す。
［以１乍°蚕”白］
［発明の効果コ
本発明は以上説明したとおり、水または２価金属イオン
を含有する水溶液の気−水界面上にラングミュア−ブロ
ジェット法によって形成された有機分子の単分子膜を水
溶液界面の上昇または下降により基板上にあるいは有様
分子の累積膜上に安定に累積できるという効果を奏する
。
を含有する水溶液の気−水界面上にラングミュア−ブロ
ジェット法によって形成された有機分子の単分子膜を水
溶液界面の上昇または下降により基板上にあるいは有様
分子の累積膜上に安定に累積できるという効果を奏する
。
しかも基板上に累積した単分子膜の上に、親水性基ある
いは疎水性基を任意の方向に向は任意の数だけ安定に累
積することができるという効果を奏する。
いは疎水性基を任意の方向に向は任意の数だけ安定に累
積することができるという効果を奏する。
第１図、第２図、第３図、第４図、第５図および第６図
は本発明の一実ｍ態様に基づく水あるいは２価金属イオ
ンを含有する水溶液の気−水界面上に形成された有機分
子の単分子膜を基板上に累積する方法を示す立面図、ま
た、第７図、第８図、第９図、第１０図および第１１図
は従来技術による有機分子の基板上への累積方法を示す
立面図を示す。 （図面の主要符号） （１）二基板 （２１：有機分子の単分子層 （３）：水または２価金属イオンを含有する水溶液 （４）：親水性基 （５）：疎水性基 （６）：水槽 （７１：テフロンバー （８）：注水口 （９）：ピストン 代 理 人 大 岩 増 雄才２図 牙３図 才４図 第５図 ンＰ ６ 図 ９°ピストン ７７図 才９図 ７１０因 才１１図
は本発明の一実ｍ態様に基づく水あるいは２価金属イオ
ンを含有する水溶液の気−水界面上に形成された有機分
子の単分子膜を基板上に累積する方法を示す立面図、ま
た、第７図、第８図、第９図、第１０図および第１１図
は従来技術による有機分子の基板上への累積方法を示す
立面図を示す。 （図面の主要符号） （１）二基板 （２１：有機分子の単分子層 （３）：水または２価金属イオンを含有する水溶液 （４）：親水性基 （５）：疎水性基 （６）：水槽 （７１：テフロンバー （８）：注水口 （９）：ピストン 代 理 人 大 岩 増 雄才２図 牙３図 才４図 第５図 ンＰ ６ 図 ９°ピストン ７７図 才９図 ７１０因 才１１図
Claims (3)
- （１）水または２価の金属イオンを含有する水溶液の気
−水界面上にラングミュアーブロジェット法により、有
機分子の単分子膜を形成したのち、該水溶液の気−水界
面の上昇または下降により基板上または有機分子の累積
膜上に、有機分子の単分子膜を累積することを特徴とす
る有機分子の単分子膜の累積方法。 - （２）水溶液界面の上昇または下降が、水槽の外部から
の水溶液の注入または外部への排出によって行われる特
許請求の範囲第（１）項記載の有機分子の単分子膜の累
積方法。 - （３）水溶液界面の上昇または下降が、水槽の下部に取
り付けられたピストンの上昇または下降により水槽の容
積を変化させることによって行われる特許請求の範囲第
（１）項記載の有機分子の単分子膜の累積方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1845886A JPS62176574A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 有機分子の単分子膜の累積方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1845886A JPS62176574A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 有機分子の単分子膜の累積方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176574A true JPS62176574A (ja) | 1987-08-03 |
Family
ID=11972185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1845886A Pending JPS62176574A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 有機分子の単分子膜の累積方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62176574A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111455466A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-28 | 西安交通大学 | 一种基于lb膜法的胶体晶体制备方法 |
-
1986
- 1986-01-28 JP JP1845886A patent/JPS62176574A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111455466A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-28 | 西安交通大学 | 一种基于lb膜法的胶体晶体制备方法 |
| CN111455466B (zh) * | 2020-04-14 | 2021-07-13 | 西安交通大学 | 一种基于lb膜法的胶体晶体制备方法 |
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