JPS62163952A - Surface defect detector - Google Patents
Surface defect detectorInfo
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- JPS62163952A JPS62163952A JP592086A JP592086A JPS62163952A JP S62163952 A JPS62163952 A JP S62163952A JP 592086 A JP592086 A JP 592086A JP 592086 A JP592086 A JP 592086A JP S62163952 A JPS62163952 A JP S62163952A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体ウェハ等の被検査体について、その
表面に存在する微小な凹凸などの欠陥を光学的に検出す
る装置に関づ′る。[Detailed Description of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an apparatus for optically detecting defects such as minute irregularities existing on the surface of an object to be inspected such as a semiconductor wafer. .
（従来の技術とその問題点）
半導体ウェハや、ビデオディスク等の原盤用ガラスディ
スクなどにおいては、その表面に存在づ−る凹凸や傷な
どの欠陥によって製品の品質が大ぎく左右されるため、
これらの欠陥を検出することによって製品の品質管理を
行なう必要がある。このような表面欠陥検出装置として
は種々の装置が１２案されているが、非破壊検査として
代表的＜Ｋ −ｂのは光学方式の検出装置であり、その
従来例を第７図に示ず。(Conventional technology and its problems) Product quality is greatly affected by defects such as unevenness and scratches on the surface of semiconductor wafers and glass disks for masters such as video disks.
It is necessary to perform product quality control by detecting these defects. Twelve different types of surface defect detection devices have been proposed, but the most typical non-destructive inspection device is an optical detection device, and a conventional example is not shown in Fig. 7. .
この第７図の装置は特開昭５０−１０６８４号に開示さ
れているものであって、まず、シー１ア光源５１からの
レーザビームを集束レンズ５２を介して被検査体５３の
表面に照０４ ”Ｉ−る。被検査体５３の表面によって
反ａ４されたレーザビームは回折パターン５４を形成し
つつ、十字形に配列された５１［１１の光電変換素子５
５．５６ａ 〜５６ｄに入射する。The apparatus shown in FIG. 7 is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 50-10684, and first, a laser beam from a SIA light source 51 is irradiated onto the surface of an object to be inspected 53 through a focusing lens 52. The laser beam reflected by the surface of the object to be inspected 53 forms a diffraction pattern 54 while passing through the photoelectric conversion elements 51 arranged in a cross shape.
5.56a to 56d.
そして、この装置では、被検査体５３の表面に欠陥が存
在するときには、上記光電変換素子５５゜５６ａ〜５６
ｄのうち、シー１１ビームの正反射方向（０次回桁方向
）の位置に配置された光電変換素子５５への受光量と、
周辺の光電変換素子５６ａ〜５６ｄへの受光量とが相対
的に増減することを利用する。すなわち、被検査体５３
の表面の走査好適時間ｔのそれぞれにおいて、中央の充
電変換素子５５の出力レベル（第８図（ａ））と、周辺
の光電変換素子５６ａ〜５６ｄのそれぞれの出力の和（
第８図（ｂ））との差（第８図（Ｃ））を差動増幅器５
７によって求め、これを波形整形回路５８で波形整形す
ることによって、欠陥検出信号（第８図（ｄ））を得て
いる。In this apparatus, when a defect exists on the surface of the object to be inspected 53, the photoelectric conversion elements 55, 56a to 56
d, the amount of light received by the photoelectric conversion element 55 disposed at a position in the specular reflection direction (0th order digit direction) of the sea 11 beam;
The relative increase/decrease in the amount of light received by the surrounding photoelectric conversion elements 56a to 56d is utilized. That is, the object to be inspected 53
At each suitable time t for scanning the surface of
The difference between FIG. 8(b)) and FIG. 8(C) is determined by the differential amplifier 5.
7 and then waveform-shaped by the waveform shaping circuit 58 to obtain a defect detection signal (FIG. 8(d)).
ところが、このような装置の場合には、表面欠陥の存在
自体は検出できるが、欠陥の種類は知ることができない
という問題がある。このため、このような従来の装置は
製品の出荷合否判定などには利用できるものの、欠陥の
種類を判別することによって製造工程へとフィードバッ
クし、欠陥そのものの発生を低減させて、製品の品質や
生産性を向上させるためには利用できないという欠点が
あった。However, in the case of such an apparatus, there is a problem in that although the presence of a surface defect itself can be detected, the type of the defect cannot be known. For this reason, although these conventional devices can be used to determine whether a product has been shipped, they can also be used to determine the type of defect and provide feedback to the manufacturing process, reducing the occurrence of defects and improving product quality. The drawback is that it cannot be used to improve productivity.
（発明の目的）
この発明は、従来技術における上述の問題点の克服を意
図しており、被検査体表面に存在する欠陥の種類を判別
することが可能であり、これによって製品の品質や生産
性の向上に寄与することができる表面欠陥検出装ｊｕを
Ｉｆ？ ｔＪＬすることを目的とする。(Purpose of the Invention) This invention is intended to overcome the above-mentioned problems in the prior art, and it is possible to determine the type of defect existing on the surface of an object to be inspected, thereby improving product quality and production. If a surface defect detection device that can contribute to improving the The purpose is to do tJL.
（目的を達成するための手段）
上述の目的を達成するため、この発明にお【プる装置で
は、被検査体表面からの反射光の回折パターンの空間的
強度分布の形態を、単位光電変換素子の受光面を所定の
規則に従って空間的に配列した光電変換素子アレイによ
って検出し、この光電変換素子アレイの検出出力に基づ
いて欠陥を検出Ｊる。(Means for Achieving the Object) In order to achieve the above-mentioned object, the apparatus according to the present invention converts the shape of the spatial intensity distribution of the diffraction pattern of the reflected light from the surface of the object to be inspected into a unit photoelectric conversion. The light-receiving surface of the element is detected by a photoelectric conversion element array spatially arranged according to a predetermined rule, and defects are detected based on the detection output of this photoelectric conversion element array.
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例である表面欠陥検出装置１
の眠略構成図である。同図において、レーＩア光源２か
らのレーザビームしは、ハーフミラ−（ビームスプリッ
タ）３による反ｒＪＪを受（プて、集束レンズ４を通過
した後、被検査体５の検査表面に集光・照射される。こ
のレーリ“ビームＬは、被検査体５の検査表面の形状に
応じた反射光〈回折光）Ｒとなって、再度集束レンズ４
を通り、ハーフミラ−３に入用する。ぞして、この反則
光Ｒのうち、ハーフミラ−３を透過した光は、光電変換
素子アレイ６に入射する。(Embodiment) Fig. 1 shows a surface defect detection device 1 which is an embodiment of the present invention.
FIG. In the figure, a laser beam from a laser Ir light source 2 is reflected by a half mirror (beam splitter) 3, and after passing through a focusing lens 4, it is focused on the inspection surface of an object to be inspected 5.・This Rayleigh beam L becomes reflected light (diffraction light) R according to the shape of the inspection surface of the object to be inspected 5, and is redirected to the focusing lens 4.
Pass through and enter Half Mirror 3. Of this reflected light R, the light that has passed through the half mirror 3 is incident on the photoelectric conversion element array 6.
ところで、被検査体５の表面に存在する欠陥は、第２Ａ
図（ａ）に示すような線状（筋状）欠陥と、第２Ｂ図（
ａ）に示すような点状（ピット状）欠陥とに大別される
。そして、上記のような光学系を用いた場合において、
被検査体５の表面に線状欠陥が存在するときには、光電
変換素子アレイ６に入射する反射光の回折パターンは第
２Ａ図（ｂ）のような線状回折パターンとなる。また、
点状欠陥の場合には、その回折パターンは第２Ｂ図（ｂ
）のようなスペック状パターンとなる。By the way, the defect existing on the surface of the object to be inspected 5 is
Linear (streaky) defects as shown in Figure (a) and Figure 2B (
It is broadly classified into point-like (pit-like) defects as shown in a). When using the optical system as described above,
When a linear defect exists on the surface of the object to be inspected 5, the diffraction pattern of the reflected light incident on the photoelectric conversion element array 6 becomes a linear diffraction pattern as shown in FIG. 2A(b). Also,
In the case of point-like defects, the diffraction pattern is as shown in Figure 2B (b
), resulting in a speck-like pattern.
このため、上記光電変換素子アレイ６は、これらの回折
パターンの空間的強度分布の形態の差異を判別づ”るた
めに必要なデータを取込むことがでさるように構成する
。For this reason, the photoelectric conversion element array 6 is configured so as to be able to take in the data necessary to determine the difference in the form of the spatial intensity distribution of these diffraction patterns.
そのためのひどつの具体的方法は、光電変換素子アレイ
６として、第３図（ａ）に示すように、単位光電変換素
子７（以下「単位素子」と言う。）が７１〜リクス状に
配列されたアレイを用いる方法である。そして、この方
法では、各単位素子７から得られる光電変挽出カバター
ンを、事前に想定される種類の欠陥についてあらかじめ
求めてｌＪ３いた回折パターン分布の形態と比較し、そ
の一致度によって欠陥の種類を判別づる。A very specific method for this purpose is to form the photoelectric conversion element array 6 by arranging unit photoelectric conversion elements 7 (hereinafter referred to as "unit elements") in the shape of a grid, as shown in FIG. 3(a). This is a method using an array. In this method, the photoelectric conversion extraction cover pattern obtained from each unit element 7 is compared with the form of the diffraction pattern distribution determined in advance for the types of defects assumed in advance, and the type of defect is determined based on the degree of agreement. Determine.
ところが、表面欠陥からの回折パターンは、正反射光の
位置を中心にした極座標系にＪ３ける対称性や周期性を
有していることが多いにもかかわらず、上記のような単
位素子のマトリクス配列は直角座標系における対称性を
有している。このため、このＪ：うな対称性の相違に起
因して、上記７１−リクス配列を使用した場合にでは、
光電変換出力の処理がある程度複雑にならざるを得ない
。However, although the diffraction pattern from a surface defect often has symmetry and periodicity in a polar coordinate system centered on the position of specularly reflected light, The array has symmetry in the Cartesian coordinate system. Therefore, due to this difference in J:Una symmetry, when using the above 71-Rix arrangement,
Processing of the photoelectric conversion output inevitably becomes complicated to some extent.
このため、表面欠陥による回折パターンの極座標系での
対称性や周期性を考慮することによって、より少ない単
位素子数で、より正確に欠陥の種類の判別ができるよう
な光電変Ｉ！ｉ！！索子アレイを使用することが好まし
いことになる。Therefore, by taking into account the symmetry and periodicity of the diffraction pattern due to surface defects in the polar coordinate system, the photoelectric transformer I! i! ! It will be preferred to use a strand array.
第３図（ｂ）〜（ｆｊ）は、このような事情を考慮した
単位素子配列例を承り図であって、このうち、第３図（
ｂ）は、円環状の単位素子８を同心固状に配列したもの
であり、同図（Ｃ）は扇形状の単（ひ索子９を放射状に
配列したものである。・１だ、同図（ｄ）は上記（ｂ）
、 （ｃ）を組合わせたものである。これらのうち、同
心円状配列は回折パターンの半径方向の強度分布を知る
ために適しており、また放射状配列は周方向についての
強度分イロを知るために適している。双方を組合わせた
第３図（ｄ）では、これらの利点を兼ね備えている。Figures 3(b) to (fj) are diagrams of unit element arrangement examples that take such circumstances into consideration.
Figure b) shows annular unit elements 8 arranged concentrically, and figure (C) shows fan-shaped unit elements 9 arranged radially. Figure (d) is the above (b)
, (c). Among these, the concentric arrangement is suitable for knowing the radial intensity distribution of the diffraction pattern, and the radial arrangement is suitable for knowing the intensity distribution in the circumferential direction. The combination of both, shown in FIG. 3(d), has these advantages.
なお、これらの配列においては、正反射光が入射する位
置が、同心円状配列ないしは放射状配列の中心となるよ
うに配列を行ない、正反射光の入射部分にはマスク１０
を設ける。In addition, in these arrays, the arrangement is performed so that the position where the specularly reflected light is incident is the center of the concentric array or the radial array, and a mask 10 is provided at the incident part of the specularly reflected light.
will be established.
第４図は、上述した放射状配列の光電変換素子アレイ６
（第３図（Ｃ））を例にとって、第２Ａ図および第２Ｂ
図に例示した回折パターンを検出した場合の強度（レベ
ル）分布の形態を、各単位系子番号り、Ｄ２．・・・を
横軸にとって示したグラフである。このうち（ａ）が線
状欠陥に対応し、また、（ｂ）が点状欠陥に対応する。FIG. 4 shows the above-mentioned radially arranged photoelectric conversion element array 6.
(Fig. 3 (C)) as an example, Fig. 2A and 2B
D2. This is a graph showing ... on the horizontal axis. Of these, (a) corresponds to a linear defect, and (b) corresponds to a point defect.
前述したように、線状欠陥の場合には特定の方向に伸び
た直線的回折パターンとなるため、第４図（ａ）の出力
レベル分布は、この直線が伸びる方向の単位素子ＤＩＩ
ｌ（！’！５図ｆａ） ）付近に急峻なピークを持った
分布となる。また、第５図（ｂ）に示すＪ：うに、点状
欠陥の場合にはある程度広がった回折スポットが島状に
光電変換素子アレイ６に入射するため、第４図（ｂ）の
ようなゆるやかなピークを持つ出力分布が得られる。As mentioned above, in the case of a linear defect, the linear diffraction pattern is a linear diffraction pattern extending in a specific direction, so the output level distribution in FIG.
The distribution has a steep peak near l(!'!Figure 5 fa) ). In addition, in the case of point-like defects such as J shown in FIG. 5(b), diffraction spots that are spread to some extent are incident on the photoelectric conversion element array 6 in the form of islands. An output distribution with a peak is obtained.
上記のような線状欠陥と点状欠陥とのそれぞれの場合に
ついての出力分１５の形態の相異は、これらを直接表示
搬器に表示してオペレータが判断することら可能である
が、より能率化するためには、これらの特徴をとらえて
自動判別することが望ましい。そこで、この実施例では
、次のような回折パターン判別基準をあらかじめ定量的
に設定してＪ５ ＜。Although it is possible to determine the difference in the form of the output portion 15 for each case of a linear defect and a point defect as described above by directly displaying these on a display carrier, an operator can judge the difference, but it is possible to make a decision more efficiently. In order to make this possible, it is desirable to capture these characteristics and perform automatic discrimination. Therefore, in this example, the following diffraction pattern discrimination criteria are quantitatively set in advance to determine that J5<.
すなわち、第４図（ａ）中に示ずように、■ 所定の欠
陥検出レベル［１１１以りのレベルを右する中位素子が
１ ｆｔ！Ｊ以上（１在し、かつ、■ 出力ピーク値Ｉ
、と、このピークを与える単位素子Ｄ からｎ個だけ離
れた単（Ｑ素子Ｄｍ−ｎの出力レベル１ との比（１／
Ｉ 、ｎ）が所定のｐｎ 。That is, as shown in FIG. 4(a), (1) the intermediate element that corresponds to a predetermined defect detection level [111 or higher is 1 ft! J or more (1 exists, and ■ Output peak value I
, and the ratio (1/
I, n) is a given pn.
しきい値Ｋ。以上であるときには、「線状欠陥有り」と
判別づ゛る。Threshold K. If this is the case, it is determined that there is a "linear defect".
一方、第４図（ｂ）中に示づ゛ように、上記■の条件は
満されるが、■の条件を満さないときには「点状欠陥有
り」と判別する。また、■の条件が満されないときには
「欠陥なし」と判別する。On the other hand, as shown in FIG. 4(b), although the above condition (2) is satisfied, if the condition (2) is not satisfied, it is determined that there is a "point defect". Furthermore, if the condition (2) is not satisfied, it is determined that there is no defect.
さらに、欠陥があるとぎには、線状欠陥２点状欠陥のそ
れぞれについて、所定の欠陥ランクしきい値ＩＩ を
設（プ、これらで弁別することにＡＬ・ ＡＳ
よって欠陥の程度の判定をも行なう。Furthermore, if there is a defect, a predetermined defect rank threshold II is set for each of the linear defect and the two-point defect. Let's do it.
第６図は上記のような光電変換素子アレイ６の構成と回
折パターン判別基準とを用いて欠陥自動検出を行なうシ
ーケンスを示しＩζフローチト−１〜であり、以下、こ
の図を参照して、第１図の装；賀の残余の構成と動作と
を説明する。第６図にＪ３いて、まず、上）ホした種々
のしきい値Ｉ Ｔｌｌ、ＫＯ＝１ ．１ の設定を、
第１図のキーボード２Ｇか八１ 八Ｓ
らマイクロコンピュータ２５に入力することによって行
なう〈ステップＳ１）。FIG. 6 shows a sequence for automatically detecting defects using the configuration of the photoelectric conversion element array 6 and the diffraction pattern discrimination criteria as described above. The remaining configuration and operation of the device shown in Figure 1 will be explained. In FIG. 6, the various threshold values I Tll, KO=1 . 1 settings,
This is done by inputting information into the microcomputer 25 from the keyboard 2G or 81 or 8S shown in FIG. 1 (step S1).
次に、所望の被検査体５に対してレーザビームＬの照射
と反射とが行なわれると、光電変換素子アレイ６に属す
る各単位素子Ｄ 、Ｄ ・・・からの光電変換出力
ｒ、ｒ２・・・が順次取込まれ（ステツブＳ２）、この
出力が増幅器２１で増幅され、△／Ｄコンバータ２２に
よってデジタルされた後に、メモリ２３に一時的にスト
アされる。Next, when the desired object to be inspected 5 is irradiated with the laser beam L and reflected, the photoelectric conversion outputs r, r2, . .
メモリ２３にストアされたこれらの光電変換出力Ｉ 、
Ｉ２・・・は、特性値抽出回路２４によって順次読出さ
れる。この特性値抽出回路２４は、回折パターン分布の
特性値として、これらの光電変゛換出力■ 、Ｉ２・・
・のうちから、最大値Ｉ、と、この最大値■、を与える
単位素子ＤＩ、ｌがらｎ個たり隔てられた単位素子ＤＩ
１１−１がらのデータＩ、ｎを抽出してマイクロコンピ
ュータ２５に与える（ステップＳ３．Ｓ４）。なお、こ
の整数ｎは、光電変換素子アレイ６内の単位素子数や光
学系の位置関係などに応じて適宜決定される。These photoelectric conversion outputs I stored in the memory 23,
I2... are sequentially read out by the characteristic value extraction circuit 24. This characteristic value extraction circuit 24 extracts these photoelectric conversion outputs ■, I2, . . . as characteristic values of the diffraction pattern distribution.
・The unit element DI that gives the maximum value I and this maximum value ■, and the unit element DI that is separated by n pieces from l.
Data I and n from 11-1 are extracted and provided to the microcomputer 25 (steps S3 and S4). Note that this integer n is appropriately determined depending on the number of unit elements in the photoelectric conversion element array 6, the positional relationship of the optical system, and the like.
以下の処理は、マイクロコンピュータ２５内でソフト的
に行なわれる。まず、出力レベル最大値■ としきい値
１１１１どが比較されて欠陥の有無が判定され（ステッ
プＳ５）、Ｉ、とＩ、。どの比（１／Ｉ ）がＫＯ以
上であるか否かによって、Ｄ ｌｌｎ
線状欠陥か点状欠陥かが判別される（ステップＳ６）。The following processing is performed by software within the microcomputer 25. First, the output level maximum value ■ is compared with the threshold value 1111, etc. to determine the presence or absence of a defect (step S5). Depending on which ratio (1/I) is greater than or equal to KO, it is determined whether D lln is a linear defect or a point defect (step S6).
さらに、欠陥の種類ごとにしきい値ＩＡＬ。Furthermore, threshold IAL for each type of defect.
ＩＡＳと最大値Ｉ、とが比較されることによって欠陥の
程度が判別される（ステップ３７．Ｓ８）。The extent of the defect is determined by comparing the IAS and the maximum value I (step 37.S8).
このようにして１りられた結果は、表示ｄ器、記録機器
等の任意の出力機器２７に与えられる。被検査体５０表
面を順次走査することによって、当該表面の全体または
所望部分について欠陥検出を順次行なうことは従来と同
様である。The result obtained in this way is given to any output device 27 such as a display device or a recording device. As in the conventional method, the surface of the object to be inspected 50 is sequentially scanned to sequentially detect defects on the entire surface or a desired portion thereof.
以上、この発明の一実施例について説明したが、この発
明は上記実施例に限定されるものではなく、たとえば次
のような変形も可能である。Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and for example, the following modifications are possible.
■ 上記実施例では、単位素子そのものの受光面を配列
して回折パターンを検出しているが、光ファイバ等の受
光面を配列し、これらを介して検出を行なってもよい。(2) In the above embodiment, the diffraction pattern is detected by arranging the light-receiving surfaces of the unit elements themselves, but the light-receiving surfaces of optical fibers or the like may be arranged and detection may be performed through these.
すなわち、単位素子の本体を配列することは必須ではな
く、単位素子に回折光を入力さぼるための実質的な受光
面を配列すればよい。That is, it is not essential to arrange the main bodies of the unit elements, but it is sufficient to arrange the substantial light-receiving surfaces for inputting the diffracted light to the unit elements.
■ 上記実施例では、線状欠陥と点状欠陥とを例にとっ
たが、これら以外の種々の欠陥も同様な装置で検出可能
である。単位素子の配列形式も上記の乙のに限定されず
、所定の配列規則に従って配列されていればよい。回折
パターンの強度分布の形態を判別するにあたっては、上
記のＩ、やＩ６．などの値に限らず、強Ｆα分布の標準
幅差、半２重幅などの特性値も利用可能である。(2) In the above embodiment, linear defects and point defects were taken as examples, but various defects other than these can also be detected using a similar device. The arrangement format of the unit elements is not limited to the above-mentioned arrangement format B, as long as they are arranged according to a predetermined arrangement rule. In determining the form of the intensity distribution of the diffraction pattern, the above I and I6. In addition to these values, characteristic values such as the standard width difference and half-duplex width of the strong Fα distribution can also be used.
■ 特性値抽出回路もソフト的に行なってら」；い。■The characteristic value extraction circuit should also be done in software.
■ この発明は、半導体ウェハやガラスディスクのＧＪ
か、金属、非金属を問わず、光電Ｃ）Ｉを生ずる被検査
体表面に適用可能である。■ This invention applies to GJ of semiconductor wafers and glass disks.
It can be applied to the surface of an object to be inspected that generates photoelectricity C)I, regardless of whether it is metal or non-metal.
（発明の効宋）
以上説明したように、この発明ににれば、被検査体表面
からの反射光の回折パターンの空間的強度分布の形態を
、単位光゛電変換素子の受光面を空間的に配列した光電
変換素子アレイによって検出しているため、被検査体表
面に存在する欠陥の種類を判別することが可能であり、
これによって製品の品質や生産性の向上に寄与すること
ができる表面欠陥検出装置を得ることかできる。(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, the shape of the spatial intensity distribution of the diffraction pattern of the reflected light from the surface of the object to be inspected can be changed by Since the detection is performed using a photoelectric conversion element array arranged in a vertically arranged manner, it is possible to determine the type of defect existing on the surface of the object to be inspected.
This makes it possible to obtain a surface defect detection device that can contribute to improving product quality and productivity.
第１図はこの発明の一実施例である表面欠陥検出装置の
概略構成図、
第２Δ図および第２Ｂ図はそれぞれ、点状欠陥および線
状欠陥についての回折パターンを示す図、第３図は光電
変換素子アレイの配列例を示ず図、第４図は点状欠陥お
よび線状欠陥についての回折パターン強度分布を示す図
、
第５図は放射状アレイについての回折パターン入ｑ１位
置を示す図、
第６図は実施例の動作を示すフローチャー１−１第７図
は従来の表面欠陥検出装置の概略構成図、第８図は第７
図の装置の出力関係を示づタイミングチｐ−ｔ〜である
。
１・・・表面欠陥検出装置、 ２・・・レーザ光源、３
・・・ビームスプリッタ、５・・・１検査体、６・・・
光電変換素子アレイ、FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a surface defect detection device that is an embodiment of the present invention. FIG. 2Δ and FIG. 2B are diagrams showing diffraction patterns for point defects and linear defects, respectively. Figure 4 is a diagram showing the diffraction pattern intensity distribution for point defects and linear defects; Figure 5 is a diagram showing the q1 position of the diffraction pattern for a radial array; FIG. 6 is a flowchart 1-1 showing the operation of the embodiment. FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a conventional surface defect detection device, and FIG.
The timing chart pt~ shows the output relationship of the device shown in the figure. 1... Surface defect detection device, 2... Laser light source, 3
...Beam splitter, 5...1 test object, 6...
photoelectric conversion element array,
Claims (3)
表面からの反射光を検出することによつて前記被検査体
表面に存在する欠陥を検出する装置であって、 前記反射光の回折パターンの空間的強度分布の形態を、
単位光電変換素子の受光面を所定の規則に従って空間的
に配列した光電変換素子アレイによつて検出し、前記光
電変換素子アレイの検出出力に基づいて前記欠陥を検出
することを特徴とする表面欠陥検出装置。(1) An apparatus for detecting defects present on the surface of the object to be inspected by irradiating the object with light from a light source and detecting reflected light from the surface of the object to be inspected, the apparatus comprising: The shape of the spatial intensity distribution of the light diffraction pattern is
A surface defect characterized in that the light-receiving surface of a unit photoelectric conversion element is detected by a photoelectric conversion element array spatially arranged according to a predetermined rule, and the defect is detected based on the detection output of the photoelectric conversion element array. Detection device.
換素子の受光面の配列は、前記表面からの正反射光の入
射方向を中心とした同心円状配列および放射状配列のう
ちの少なくとも一方を含む配列である、特許請求の範囲
第１項記載の表面欠陥検出装置。(2) The arrangement of the light-receiving surfaces of the unit photoelectric conversion elements in the photoelectric conversion element array is an arrangement including at least one of a concentric arrangement and a radial arrangement centered on the incident direction of specularly reflected light from the surface. A surface defect detection device according to claim 1.
ターンの空間的強度分布の形態を判別するための回折パ
ターン判別基準があらかじめ定量的に設定されており、 前記光電変換素子アレイの検出出力を処理して所定の特
性値を求める手段と、前記回折パターン判別基準と前記
特性値との比較によつて前記欠陥の検出を行なう手段と
を含む、特許請求の範囲第１項または第２項記載の表面
欠陥検出装置。(3) Diffraction pattern discrimination criteria for determining the shape of the spatial intensity distribution of the diffraction pattern are quantitatively set in advance for each type of defect assumed in advance, and the detection output of the photoelectric conversion element array is and means for detecting the defect by comparing the diffraction pattern discrimination standard and the characteristic value. The surface defect detection device described.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61005920A JPH0629859B2 (en) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | Surface defect detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61005920A JPH0629859B2 (en) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | Surface defect detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62163952A true JPS62163952A (en) | 1987-07-20 |
| JPH0629859B2 JPH0629859B2 (en) | 1994-04-20 |
Family
ID=11624331
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP61005920A Expired - Lifetime JPH0629859B2 (en) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | Surface defect detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629859B2 (en) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0629859B2 (en) | 1994-04-20 |
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