JPS6215872A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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JPS6215872A
JPS6215872A JP15446785A JP15446785A JPS6215872A JP S6215872 A JPS6215872 A JP S6215872A JP 15446785 A JP15446785 A JP 15446785A JP 15446785 A JP15446785 A JP 15446785A JP S6215872 A JPS6215872 A JP S6215872A
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JP
Japan
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light
laser
clad layer
detecting section
substrate
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JP15446785A
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English (en)
Inventor
Akira Ibaraki
茨木　晃
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
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    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はモニタ用フォトダイオードを一体化した面発光
型の半導体レーザ装置に関するものである。
〔従来技術〕
半導体レーザ、例えばエツチングレーザにモニタ用のフ
ォトダイオードを一体化したものとして従来第２図に示
す如き装置が知られている。
このレーザは図面には具体的な構成を示していないが、
例えば直方体形をなすｎ型基板上にダブルへテロ接合を
構成するｎ型のクラッド層、ｐ型の活性層、ｐ型のクラ
ッド層、ｐ型キャップ層２５をこの順序で積層形成する
と共に、長平方向の中間部に短辺と平行な向きにキャン
プＪｉｔ２５、クラッドＪｉｔ２４並びに活性層を分断
する深さの■溝２１を形成し、基板の下面には全面にわ
たって兼用電極を、またＶ溝２１で分断された片側のキ
ャンプＦＩ２５上には長手方向にストライプ電極２６を
形成してＶ溝２１の片側にレーザ本体２２を、更に他側
のキャップ層２５上全面に電極を形成してＶ溝２１の他
側に光の検出部たるフォトダイオード２３を形成し、レ
ーザ本体２２で発生した光は活性層の一端側から出光さ
せると共に、活性層の他端側からの光はＶ？ｊｉ２１を
経てホトダイオード２３に導き、その強度を電気信号に
変換して検出し、これに基づいてレーザ本体２２への電
流を制御し出射光を安定させるようになっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで上述した如き従来の技術にあってはエツチング
レーザを対象としたものであり、面発光型半導体レーザ
についてはモニタ用フォトダイオ−ドを一体化した構造
は未だ提案されていないのが現状である。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであって、そ
の目的とするところは、中心部と周縁部との中間に基板
上に稍層形成した活性層を分断する所要深さの溝を形成
して、この溝に囲われた内側にはレーザ本体を構成し、
周縁部には光の検出部を構成し、この検出部にてレーザ
光と直交する向きに生起され、伝播されてきた光を検出
して容易にレーザ本体の光強度制御等に利用し得るよう
にした半導体レーザ装置を提供するにある。
本発明に係る半導体レーザ装置は、面発光型半導体レー
ザの側周にこれと一体化した光の検出部を形成し、レー
ザ光と直交する向きに生じた光を前記検出部にて検出す
るようにしたことを特徴とする。
〔実施例〕
以下本発明をその実ｈｆ！！例を示す図面に基づき具体
的に説明する。第１図は本発明に係る半導体レーザ装置
の断面構造図であり、図中１は半導体の例えばｎ型基板
、２はｎ型のクラッド層、３はｐ型の活性層、４はｐ型
のクラッド層、５は共通電極、６はミラー兼用電極、７
はリング状の電極を夫々示している。
基板ｌはｎ型ＧａＡｓにて矩形状に構成され、中心部に
は逆円錐台形をなす孔１ａが形成されており、その−面
（第１図で下面）には前述した如＜ｎ−Ｇａ０，６ＡＪ
Ｏ，４Ａｓにて構成されたクラッド２、ｐ　−Ｇａ６．
ｑＩＮ！ｏ、＋Ａｓにて構成された活性Ｊｉｔ３、ｐ　
−Ｇａｏ、ｂＡ　１０４＾Ｓにて構成されたクラッドＪ
ｉｉ４がこの順序で積層形成され、また前記基板ｌの他
面（第１図では上面）には全面にわたって共通電極５が
、更にｐ形グランド屓４の一面（第１図では下面）には
中心にミラー兼用電極６が、また周縁部にはリング状の
電極７が形成されている。
そしてｏｉｉ記ミラー兼用電極６とリング状の電極７と
の中間部には前記基板ｌの孔１ａよりも内、外径ともに
大きい断面台形状をなすリング状の溝８がｐ形のクラッ
ド層４、ｐ形の活性層３を中心と周縁部とに分断し、且
つ溝底がｎ形のクラッド層２に達するよう形成され、こ
れによって溝８に囲われた中心部には面発光型レーザ本
体９が、また周縁部にはその検出部たるフォトダイオー
ドｌＯが構成される。
溝８の深さについては特に限定するものではなく、少な
くとも活性Ｊｉｔ３を中心部と周縁部とに分断し得るも
のであればよ（、溝底が基板１に達するようにしてもよ
いことは言うまでもない。
而して上述の如く構成された本発明装置にあっては共通
電極５とミラー兼用電極６とに所要の電圧を印加するこ
とにより活性Ｊｉｉｉｉ３に生ぜしめた光はミラー兼用
電極６と、クラッドＪｉｊ２と基板１との孔１ａとの界
面で反射を反復され、共振増幅されてレーザ光として孔
１ａを通じて白抜矢符で示す如くに出射せしめられる。
また上述したレーザ光とは別に活性Ｆｉ３においてはレ
ーザ光と直交する向き、即ち基板１と平行な向きにレー
ザ光の強度と対応した強度のスーパーリニア光が発生さ
れるが、この光は溝８を経て周縁部の検出部たるフォ］
・ダイオード１０における活性層３内に入射し、電気信
号として共通電極５とリング状の電極７とを通じて検出
されることとなる。
この光の強度は上述の如くレーザ光の強度と略対応して
おり、これを′、ｌＡ御信号として用いることによりレ
ーザ光の安定化、その他のモニタリングに利用し得るこ
ととなる。
〔効果〕
以上の如く本発明装置にあっては溝の形成による比較的
簡単な構成によって面発光型半導体レーザ装置について
そのレーザ本体に光の検出部を一体化することが出来て
、レーザ光の安定に寄与し得る外、製作過程での検査、
特にウェーハ段階で共通電極を基盤目状に分断しておく
ことにより検査が極めて容易に、しかも一括して行い得
ることとなるなど、本発明は優れた効果を奏するもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明装置の断面構造図、第２図は従来のフォ
トダイオードを集積したエツチングレーザ装置の模式図
である。 ■・・・基板　１ａ・・・孔　２・・・クラッド層　３
・・・活性層　４・・・クラッド層　５・・・共通電極
　６・・・ミラー蓋用電極　７・・・リング状の電極　
８・・・ｍ　９・・・レーザ本体　１０・・・フォトダ
イオード特　許　出願人　　三洋電機株式会社 代理人　弁理士　　河　野　　登　夫 算　１　図 算２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、面発光型半導体レーザの側周にこれと一体化した光
    の検出部を形成し、レーザ光と直交する向きに生じた光
    を前記検出部にて検出するようにしたことを特徴とする
    半導体レーザ装置。
JP15446785A 1985-07-12 1985-07-12 半導体レ−ザ装置 Pending JPS6215872A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6395690A (ja) * 1986-10-09 1988-04-26 Mitsubishi Electric Corp 面発光形半導体レ−ザ
EP0618652A2 (en) * 1993-03-29 1994-10-05 AT&T Corp. Semiconductor surface emitting laser having enhanced polarization control and transverse mode selectivity
EP0709940A2 (en) * 1994-10-31 1996-05-01 Hewlett-Packard Company Integration of surface emitting laser and photodiode for monitoring power output of surface emitting laser
US5568502A (en) * 1994-08-22 1996-10-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6395690A (ja) * 1986-10-09 1988-04-26 Mitsubishi Electric Corp 面発光形半導体レ−ザ
EP0618652A2 (en) * 1993-03-29 1994-10-05 AT&T Corp. Semiconductor surface emitting laser having enhanced polarization control and transverse mode selectivity
EP0618652A3 (en) * 1993-03-29 1995-05-10 At & T Corp Surface emitting semiconductor laser with improved polarization control and selectivity of the transverse mode.
US5568502A (en) * 1994-08-22 1996-10-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device
EP0709940A2 (en) * 1994-10-31 1996-05-01 Hewlett-Packard Company Integration of surface emitting laser and photodiode for monitoring power output of surface emitting laser
EP0709940A3 (ja) * 1994-10-31 1996-06-12 Hewlett Packard Co
US5838708A (en) * 1994-10-31 1998-11-17 Hewlett-Packard Company Integration of surface emitting laser and photodiode for monitoring power output of surface emitting laser

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