JPS62157646A - 多層フアセツト発光スクリ−ン - Google Patents
多層フアセツト発光スクリ−ンInfo
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- JPS62157646A JPS62157646A JP61303577A JP30357786A JPS62157646A JP S62157646 A JPS62157646 A JP S62157646A JP 61303577 A JP61303577 A JP 61303577A JP 30357786 A JP30357786 A JP 30357786A JP S62157646 A JPS62157646 A JP S62157646A
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- luminescent
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- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/18—Luminescent screens
- H01J29/26—Luminescent screens with superimposed luminescent layers
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7767—Chalcogenides
- C09K11/7769—Oxides
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は少なくとも２層の結晶層の発光スクリーン；よ
り詳細には下層および上層の格子定数の不整合により高
い発光出力が得られるスクリーンに関する。
り詳細には下層および上層の格子定数の不整合により高
い発光出力が得られるスクリーンに関する。
陰極線管用の陰極発光スクリーンに希土類発光体を用い
ることは周知である。陰極線管における一般的な粉末発
光体層がもつ欠点の１つは、電子ビームから吸収したエ
ネルギーによる加熱作用のためこれが分解することであ
る。第２の欠点は、スクリーンの解像力が発光体粒子の
寸法および付着した発光体層の不均一性によって制限さ
れることである。
ることは周知である。陰極線管における一般的な粉末発
光体層がもつ欠点の１つは、電子ビームから吸収したエ
ネルギーによる加熱作用のためこれが分解することであ
る。第２の欠点は、スクリーンの解像力が発光体粒子の
寸法および付着した発光体層の不均一性によって制限さ
れることである。
適切な支持体上の単結晶発光体層はこれらの問題を共に
解決する。エピタキシャル発光体層とその支持体が密に
接触しているため、発光体層からの熱の伝達除去が促進
される。発光体が単結晶であるため、粒度により解像力
が制限されることはない。この種のエピタキシャル単結
晶発光体層についてはジエイ・エム・ロバートソンらの
シン・ツル・フイルムズ（Ｔｈ１ｎ Ｓｏｌ、 Ｆｉｌ
ｍｓ ） １１４゜７９２２１）（１９８４）に概説さ
れている。
解決する。エピタキシャル発光体層とその支持体が密に
接触しているため、発光体層からの熱の伝達除去が促進
される。発光体が単結晶であるため、粒度により解像力
が制限されることはない。この種のエピタキシャル単結
晶発光体層についてはジエイ・エム・ロバートソンらの
シン・ツル・フイルムズ（Ｔｈ１ｎ Ｓｏｌ、 Ｆｉｌ
ｍｓ ） １１４゜７９２２１）（１９８４）に概説さ
れている。
（英国特許第２０００１７３Ａ号および欧州特許出願第
７９２０００１１．９号各明細書も参照されたい。）単
結晶発光体層の欠点は、陰極発光性発光体中に発生した
光が多量に発光体層／支持体複合体の末端へ″伝達され
る（ ｐｉｐｅｄ ） ”ことである。この導波作用に
より、垂直入射に近い角度の有用な光出力が低下する。
７９２０００１１．９号各明細書も参照されたい。）単
結晶発光体層の欠点は、陰極発光性発光体中に発生した
光が多量に発光体層／支持体複合体の末端へ″伝達され
る（ ｐｉｐｅｄ ） ”ことである。この導波作用に
より、垂直入射に近い角度の有用な光出力が低下する。
米国特許第４，２９８，８２０号明細書（１９８１年１
１月３日発行、ボンガーら）に示された垂直入射光の強
度全高めるための一方法は、発光体層に溝を刻み、光音
逃散させるものである。この方法の欠点は、発光体層の
解像力が溝の寸法により制限されることである。他の欠
点は、溝を形成するために余分な処理全必要とすること
である。ある種の陰極発光材料、たとえばイツ） ＩＪ
ウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）は化学的お
よび機械的なミリングに対して著しく抵抗性である。
１月３日発行、ボンガーら）に示された垂直入射光の強
度全高めるための一方法は、発光体層に溝を刻み、光音
逃散させるものである。この方法の欠点は、発光体層の
解像力が溝の寸法により制限されることである。他の欠
点は、溝を形成するために余分な処理全必要とすること
である。ある種の陰極発光材料、たとえばイツ） ＩＪ
ウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）は化学的お
よび機械的なミリングに対して著しく抵抗性である。
ガーネットについての特定のエピタキシャル成長条件は
ファセット形成（ｆａｃｅｔｉｎｇ ）として知られる
型の欠損を生じる。磁気光学的ガーネットの一種におけ
るこの種のファセット成長に関する条件はディー・エム
・ガルチェリにより、第３０回磁気および磁性材料に関
する年金、サンディエゴ、１９８４年１１月（ディー・
エム・ガルチェリおよびビー囃エフ・チュメルテイ、ジ
エイ・アプラ・フィシ（Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
）に発表）で示すれた。ジエイ・エム・ロバートソン
ら（前掲、２２７頁）はガーネット発光体層におけるこ
の種のファセント欠損について報告し、ファセットが陰
極発光を前方へ散乱させることを観察した。彼らはこの
種の欠損は多重の内部反射のため解像力を低下させるこ
とを示し、この種の層の製造に際してファセットを避け
るべきであると結論した。
ファセット形成（ｆａｃｅｔｉｎｇ ）として知られる
型の欠損を生じる。磁気光学的ガーネットの一種におけ
るこの種のファセット成長に関する条件はディー・エム
・ガルチェリにより、第３０回磁気および磁性材料に関
する年金、サンディエゴ、１９８４年１１月（ディー・
エム・ガルチェリおよびビー囃エフ・チュメルテイ、ジ
エイ・アプラ・フィシ（Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
）に発表）で示すれた。ジエイ・エム・ロバートソン
ら（前掲、２２７頁）はガーネット発光体層におけるこ
の種のファセント欠損について報告し、ファセットが陰
極発光を前方へ散乱させることを観察した。彼らはこの
種の欠損は多重の内部反射のため解像力を低下させるこ
とを示し、この種の層の製造に際してファセットを避け
るべきであると結論した。
本発明によれば少なくとも２層を備えた発光スクリーン
が提供される。このスクリーンは、（α）下層と同じ結
晶構造および（ｂ）上層がファセット形成するのに゛十
分なほど下層の格子定数を上回る格子定数をもつ結晶質
上層を表面に乗せた発光性結晶質下層からなる。
が提供される。このスクリーンは、（α）下層と同じ結
晶構造および（ｂ）上層がファセット形成するのに゛十
分なほど下層の格子定数を上回る格子定数をもつ結晶質
上層を表面に乗せた発光性結晶質下層からなる。
本発明のスクリーンは高い画質および高い効率の特異な
組合わせを提供する。
組合わせを提供する。
添付の図面は下記のものを表わす。
第１図は先行技術による粉末発光スクリーンを示す。
第２図は先行技術による結晶層発光スクリーンを示す。
第３図は本発明の発光スクリーンを示す。
第４図は発光性上層をもつ本発明の発光スクリーンの一
形態を示す。
形態を示す。
本発明の発光スクリーンは陰極線管、電子顕微鏡、Ｘ線
螢光増倍管、および粒子線もしくは高エネルギー電磁線
入力により光出力が発せられる他の用途に使用されろ。
螢光増倍管、および粒子線もしくは高エネルギー電磁線
入力により光出力が発せられる他の用途に使用されろ。
先行技術による発光スクリーンは一般ｖｃ２種の型、す
なわち゛°粉末′″および°１結晶層″である。
なわち゛°粉末′″および°１結晶層″である。
粉末スクリーンは、結合剤中に分散されて支持体上に塗
布された発光体粒子からなる。結晶層スクリーンは粒子
および結合剤の代わりに結晶質発光体濁音もつ。両方の
型のスクリーンがロバートソンらにより報告されており
、本明細書に添付の第１図および第２図は彼らの図２α
および２ｂに基づくものである。
布された発光体粒子からなる。結晶層スクリーンは粒子
および結合剤の代わりに結晶質発光体濁音もつ。両方の
型のスクリーンがロバートソンらにより報告されており
、本明細書に添付の第１図および第２図は彼らの図２α
および２ｂに基づくものである。
第１図は粉末スクリーン１０全示し、これには粉末層１
２を支持する支持体１１が含まれ、この上に任意の反射
用バッキング層１３がある。入射電子ビーム１４は発光
体粒子中で光を発する。この光は矢印１５．１６および
１７に示されるように透明な支持体を通して放出される
か、あるいは内部で全反射されるであろう（光線１８）
。発光体粒子上に入射する光線はいずれも散乱されるで
あろう。光線１８ａ・・・・・・・・・１８ｇにより示
されるように発光体粒子による拡散散乱は望ましくない
パハロー″効果を生じる。
２を支持する支持体１１が含まれ、この上に任意の反射
用バッキング層１３がある。入射電子ビーム１４は発光
体粒子中で光を発する。この光は矢印１５．１６および
１７に示されるように透明な支持体を通して放出される
か、あるいは内部で全反射されるであろう（光線１８）
。発光体粒子上に入射する光線はいずれも散乱されるで
あろう。光線１８ａ・・・・・・・・・１８ｇにより示
されるように発光体粒子による拡散散乱は望ましくない
パハロー″効果を生じる。
散乱の減少に基づく、より良好な画質は、第２図に示す
型の結晶層スクリーンによって得られる。
型の結晶層スクリーンによって得られる。
この場合結晶層２２が粉末層１２に代わる。結晶層（好
ましくは単結晶）は粉末の場合よりも高い熱伝導性全も
備えており、望ましい。また画質を最良のものにするた
めに、層２２は単結晶であり、光を散乱する可能性のあ
る欠損またはディスロケーションの数は最小限である。
ましくは単結晶）は粉末の場合よりも高い熱伝導性全も
備えており、望ましい。また画質を最良のものにするた
めに、層２２は単結晶であり、光を散乱する可能性のあ
る欠損またはディスロケーションの数は最小限である。
しかし光線２８により例示されろような多重内部反射に
よって、粉末スクリーンからの出力と比較して支持体前
面から発せられる光が減少する。
よって、粉末スクリーンからの出力と比較して支持体前
面から発せられる光が減少する。
本発明の目的は、粉末スクリーンがもつ高い光出力を結
晶層スクリーンがもつ良好な画質と結びつけることであ
る。この目的を達成する手段は二層スクリーン構造であ
る。各層（パ下層″および“′上層″）は結晶質であり
；下層は発光性であり、上層も発光性であってもよい。
晶層スクリーンがもつ良好な画質と結びつけることであ
る。この目的を達成する手段は二層スクリーン構造であ
る。各層（パ下層″および“′上層″）は結晶質であり
；下層は発光性であり、上層も発光性であってもよい。
明瞭な特色は、２層が同じ結晶構造をもつこと、および
上層の格子定数は上層がパファセット形成″するのに十
分なほど下層の格子定数を上回ることである。若干のパ
ックグラウンド情報はファセット形成を説明するもので
ある。
上層の格子定数は上層がパファセット形成″するのに十
分なほど下層の格子定数を上回ることである。若干のパ
ックグラウンド情報はファセット形成を説明するもので
ある。
結晶はバルク状では一定の総体形状をとる傾向がある。
結晶は一定の面、すなわち゛ファセット″を示す。これ
らは原子対称の結果である０たとえば塩化す） ＩＪウ
ム（普通の食卓塩）はその立方体構造のため立方晶であ
ることが認められる。本発明の下層および上層はガーネ
ットであることが好ましい。ガーネットは結晶学的には
立方体であるが、塩化ナトリウムよりは複雑な空間群を
もち、その結晶はより多数のファセットヲもつ。便宜上
、考察をガーネットに限定するが、本発明がガーネット
に限定されると推定すべきではない。
らは原子対称の結果である０たとえば塩化す） ＩＪウ
ム（普通の食卓塩）はその立方体構造のため立方晶であ
ることが認められる。本発明の下層および上層はガーネ
ットであることが好ましい。ガーネットは結晶学的には
立方体であるが、塩化ナトリウムよりは複雑な空間群を
もち、その結晶はより多数のファセットヲもつ。便宜上
、考察をガーネットに限定するが、本発明がガーネット
に限定されると推定すべきではない。
他の成長法も適切であろうが、本発明の上層は一般にブ
ランクらのジエイ・クリスト・グロース（Ｊ、Ｃｒｙｓ
ｔ、Ｇｒｏｗｔｈ ）１７．３０２（１９７２）に記載
される液相エビタクシ−（ＬＰＥ）により成長させる。
ランクらのジエイ・クリスト・グロース（Ｊ、Ｃｒｙｓ
ｔ、Ｇｒｏｗｔｈ ）１７．３０２（１９７２）に記載
される液相エビタクシ−（ＬＰＥ）により成長させる。
エピタキシャル成長の最適状態は支持体と表面連晶が同
一材料であるパホモエピタクシー″である。本発明は下
層上への異種の（ガーネット）上層のへテロエビタクシ
−を伴う。この種のへテロエピタクシ−は一般に格子定
数の不整合のため表面連晶に歪を生じる。歪をもつ層が
成長すると、層の厚さに伴って増大する歪はその材料の
弾性限界を越える可能性がある。この場合、ディスロケ
ーションが生じ、その材料は歪一応力曲線の゛可塑性″
領域にある。この″可塑性″領域におけるエピタキシャ
ル成長の効果は局所的規模でのファセットの発生であり
、これは最初は結晶の全寸法にわたるものではない。フ
ァセット領域を分離するディスロケーションはエピタキ
シャル表面連晶に対し応力を除く。最終的には、厚さが
増すのに伴ってファセットは全域に及ぶ。
一材料であるパホモエピタクシー″である。本発明は下
層上への異種の（ガーネット）上層のへテロエビタクシ
−を伴う。この種のへテロエピタクシ−は一般に格子定
数の不整合のため表面連晶に歪を生じる。歪をもつ層が
成長すると、層の厚さに伴って増大する歪はその材料の
弾性限界を越える可能性がある。この場合、ディスロケ
ーションが生じ、その材料は歪一応力曲線の゛可塑性″
領域にある。この″可塑性″領域におけるエピタキシャ
ル成長の効果は局所的規模でのファセットの発生であり
、これは最初は結晶の全寸法にわたるものではない。フ
ァセット領域を分離するディスロケーションはエピタキ
シャル表面連晶に対し応力を除く。最終的には、厚さが
増すのに伴ってファセットは全域に及ぶ。
一般的にみて゛′効果的なガーネットエビタクシ−に関
して最も重要な要件は格子パラメーターの整合である。
して最も重要な要件は格子パラメーターの整合である。
これが成功を予言する最良かつ唯一の条件である。″（
エル・ワルネリン、ＩＥＥＥトランス・オン１１マグン
、 （ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ。
エル・ワルネリン、ＩＥＥＥトランス・オン１１マグン
、 （ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ。
ｏｎＭａｇｎ、）ＭＡＧ−７，４０４（１９７１））。
ＬＰＥ層のファセット形成は欠損であると考えられ、フ
ァセット形成を抑えるパラメーターの確認が゛主要な功
績″であった（上記文献）。ファセット抑制の重要な要
素は十分な格子整合である（１〜２ ｐｐｍ以内にまで
）。
ァセット形成を抑えるパラメーターの確認が゛主要な功
績″であった（上記文献）。ファセット抑制の重要な要
素は十分な格子整合である（１〜２ ｐｐｍ以内にまで
）。
本発明は一般的見解から離れている。制御された条件下
ではＬＰＥガーネットの結晶形態は（成長パラメータの
変化に伴って）連続的な、欠損度の低いフィルム（格子
不整合が小さい）から欠損度の高いファセット構造（不
整合が大きい）にまで変化する。しかし格子不整合が大
きすぎると、エピタキシャル成長が阻止される。従って
ＬＰＥ上層の格子定数は下層のものを約２多以下だけ上
回ることが好ましい。
ではＬＰＥガーネットの結晶形態は（成長パラメータの
変化に伴って）連続的な、欠損度の低いフィルム（格子
不整合が小さい）から欠損度の高いファセット構造（不
整合が大きい）にまで変化する。しかし格子不整合が大
きすぎると、エピタキシャル成長が阻止される。従って
ＬＰＥ上層の格子定数は下層のものを約２多以下だけ上
回ることが好ましい。
第３図は本発明の一形態を示す。そこに示したスクリー
ンは発光性下層３２を支持する任意の支持体３１のほか
に、ファセット形成した上層３０を含む。任意の反射用
バッキング層３３も示されている。３８および３９のよ
うな光線（これらは第２図に示した先行技術によるパ層
″スクリーンの場合に発せられたものであれば内部で全
反射されるであろう）は支持体３１の前面から放出され
る。同時に下層（単結晶であることが好ましい）は画質
低化全土じる散乱を最小限に抑える部位となる。下層３
２に適した発光材料は当技術分野で知られており、一般
にドープ結晶からなる。好ましいホスト結晶はガーネッ
ト、たとえばＹＡＧｔたはガドリニウム−ガリウムガー
ネット（ＧＧＧ）であり、好ましいドーパントは１種捷
たは２種以上の希土類または遷移金属の発光イオンであ
る。
ンは発光性下層３２を支持する任意の支持体３１のほか
に、ファセット形成した上層３０を含む。任意の反射用
バッキング層３３も示されている。３８および３９のよ
うな光線（これらは第２図に示した先行技術によるパ層
″スクリーンの場合に発せられたものであれば内部で全
反射されるであろう）は支持体３１の前面から放出され
る。同時に下層（単結晶であることが好ましい）は画質
低化全土じる散乱を最小限に抑える部位となる。下層３
２に適した発光材料は当技術分野で知られており、一般
にドープ結晶からなる。好ましいホスト結晶はガーネッ
ト、たとえばＹＡＧｔたはガドリニウム−ガリウムガー
ネット（ＧＧＧ）であり、好ましいドーパントは１種捷
たは２種以上の希土類または遷移金属の発光イオンであ
る。
より好ましいドーパントはＣｅ 、 Ｔｂ 、またはＥ
ｕであり、Ｃｅがきわめて好ましい。本発明の発光層に
関するドーパント水準は一般にドーパントとホストの相
溶性、および／またはケンチングにより制限される。高
いドーパント水準が望ましい。
ｕであり、Ｃｅがきわめて好ましい。本発明の発光層に
関するドーパント水準は一般にドーパントとホストの相
溶性、および／またはケンチングにより制限される。高
いドーパント水準が望ましい。
これにより高い飽和度が得られるからである。一般的な
ドーパント水準は約０．１〜５原子俤の範囲である。
ドーパント水準は約０．１〜５原子俤の範囲である。
下層がＹＡＧまたはＧＧＧである場合、上層を析出させ
る面は好ましくは（１１１）面である。
る面は好ましくは（１１１）面である。
下層の厚さは決定的なものではない。効果的な操作のた
めに、下層は入射ビーム３４の実質的部分を吸収するの
に十分なほど厚くなければならないが、これを通過しな
ければならない光を多量に吸収しすぎるほど厚くてはな
らない。入射ビームおよび下層材料の性質に応じて、１
μｍ〜１ ｍｍの厚さが適し・ている。比較的薄い下層
は一般に支持体を必要とするが、比較的厚いものは自立
性である０ 支持体が必要であるか、または望ましい場合、その材料
は放出される光に対して透明でありかつそこに析出させ
る下層に対して適切なものでなければならない。これは
スクリーンを操作する温度を最低に抑えるために、良好
な熱伝導性も備えていなければならない。高温はスクリ
ーンに損傷を与える可能性がある。下層が発光イオンを
含むホスト結晶である場合、ドープされていないホスト
結晶は適切な支持材であろう。
めに、下層は入射ビーム３４の実質的部分を吸収するの
に十分なほど厚くなければならないが、これを通過しな
ければならない光を多量に吸収しすぎるほど厚くてはな
らない。入射ビームおよび下層材料の性質に応じて、１
μｍ〜１ ｍｍの厚さが適し・ている。比較的薄い下層
は一般に支持体を必要とするが、比較的厚いものは自立
性である０ 支持体が必要であるか、または望ましい場合、その材料
は放出される光に対して透明でありかつそこに析出させ
る下層に対して適切なものでなければならない。これは
スクリーンを操作する温度を最低に抑えるために、良好
な熱伝導性も備えていなければならない。高温はスクリ
ーンに損傷を与える可能性がある。下層が発光イオンを
含むホスト結晶である場合、ドープされていないホスト
結晶は適切な支持材であろう。
上層材料は下層と同じ結晶構造をもち、ただしより大き
な格子定数を含まなければならない。ファセットを生じ
るのに必要な格子定数不整合は、上層のヤング率および
剪断弾性率に依存する。
な格子定数を含まなければならない。ファセットを生じ
るのに必要な格子定数不整合は、上層のヤング率および
剪断弾性率に依存する。
ＹＡＧ 、ＧＧＧおよびこれに頌するガーネットについ
ては、上層の格子定数が下層のものを少なくとも約０．
５ ％−上回る場合にファセットが生じる。
ては、上層の格子定数が下層のものを少なくとも約０．
５ ％−上回る場合にファセットが生じる。
下層がＹＡＧである場合、適切な上層はＹ３Ａ１５−ａ
ｃｓＣ２Ｉｎ）ａ０１２（ＹＳＡＧ）（ここでαは０〜
約２である）である。下層がＧＧＧである場合、適切な
上層はＧｄ５Ｇａｂ−ｂＣ８ｃ、Ｉｎ）ｂｏｔｚ（ＧＳ
ＡＧ）（ここでｂは０〜約２である）である。
ｃｓＣ２Ｉｎ）ａ０１２（ＹＳＡＧ）（ここでαは０〜
約２である）である。下層がＧＧＧである場合、適切な
上層はＧｄ５Ｇａｂ−ｂＣ８ｃ、Ｉｎ）ｂｏｔｚ（ＧＳ
ＡＧ）（ここでｂは０〜約２である）である。
第３図に示す形態の場合、上層の厚さは光を下層外へ散
乱させるのに十分なほど大きく（ファセットが全領域に
及ぶ）、ただし入射ビーム３４に対して実質的に透明で
あるのに十分なほど小さい。
乱させるのに十分なほど大きく（ファセットが全領域に
及ぶ）、ただし入射ビーム３４に対して実質的に透明で
あるのに十分なほど小さい。
好ましくは、上層の厚さは、これが発光性でない場合約
１μｍ以下である。
１μｍ以下である。
反射用バッキング層３３がある場合、これは２つの目的
に用いられる。これはこれが無い場合に逃散するであろ
う光をスクリーンから反射する。
に用いられる。これはこれが無い場合に逃散するであろ
う光をスクリーンから反射する。
さらに、これはスクリーンに対する電気接続の作成を容
易にする。一般にスクリーーンは陰極線像形成システム
においてアノードであり、金属バツキングはカソードを
通して接地される。高い反射性および低い抵抗が望まし
く、一般のアルミニウムまたは銀被膜によって容易に得
られる。
易にする。一般にスクリーーンは陰極線像形成システム
においてアノードであり、金属バツキングはカソードを
通して接地される。高い反射性および低い抵抗が望まし
く、一般のアルミニウムまたは銀被膜によって容易に得
られる。
第４図は上層４０も発光性である形態を示す。
この形態の利点は、この場合スクリーンを低エネルギー
電子（これは薄い層に吸収される）および高エネルギー
電子（これは下層中へ透過する）の双方によって使用で
きることである。上層組成物が発光性である場合、これ
は上層結晶中に適切なドーパンＨ−含む。一般に上層が
ＧＳＡＧｔたはＹＳＡＧである場合、ドーパントは遷移
金属または希土類イオン、好ましくはＣｅ 、 Ｔｂ
、またはＥｕであり、Ｃｅがきわめて好ましい。下層と
上層に同一のドーバントヲ用いることが好都合であるが
、必要ではない。上層が発光性である場合、これは入射
ビーム３４の実質的部分を吸収するのに十分なほど厚く
なければならない。
電子（これは薄い層に吸収される）および高エネルギー
電子（これは下層中へ透過する）の双方によって使用で
きることである。上層組成物が発光性である場合、これ
は上層結晶中に適切なドーパンＨ−含む。一般に上層が
ＧＳＡＧｔたはＹＳＡＧである場合、ドーパントは遷移
金属または希土類イオン、好ましくはＣｅ 、 Ｔｂ
、またはＥｕであり、Ｃｅがきわめて好ましい。下層と
上層に同一のドーバントヲ用いることが好都合であるが
、必要ではない。上層が発光性である場合、これは入射
ビーム３４の実質的部分を吸収するのに十分なほど厚く
なければならない。
第３図および第４図はスクリーンの１面におけろ入射ビ
ーム、およびその反対面から放出される光を示している
点を留意されたい。実際にはビームは光が放出されるの
と同一面に入射する可能性もある。基準は、入射電子ビ
ームが発光層へ透過し、出力光線がスクリーンから出る
前に認めうろほどには吸収されないことである。
ーム、およびその反対面から放出される光を示している
点を留意されたい。実際にはビームは光が放出されるの
と同一面に入射する可能性もある。基準は、入射電子ビ
ームが発光層へ透過し、出力光線がスクリーンから出る
前に認めうろほどには吸収されないことである。
第１図は先行技術による粉末発光スクリーンを示す。
第２図は先行技術による結晶層発光スクリーンを示す。
第３図は本発明の発光スクリーンを示す。
第４図は発光性上Ｎをもつ本発明の発光スクリーンの一
形態を示す。 これらの図において各番号は下記のものを表わす。 １０：粉末スクリーン、 １１．３１：支持体。 １２：粉末層、 １３，３３：反射用バッキング層。 １４．３４：入射ビーム、 ２２：結晶層。 ３０：上 層、 ３２：下層（発光層）。
形態を示す。 これらの図において各番号は下記のものを表わす。 １０：粉末スクリーン、 １１．３１：支持体。 １２：粉末層、 １３，３３：反射用バッキング層。 １４．３４：入射ビーム、 ２２：結晶層。 ３０：上 層、 ３２：下層（発光層）。
Claims (10)
- （１）少なくとも２層を備え、 （ａ）下層と同じ結晶構造および （ｂ）上層がファセット形成するのに十分なほど下層の
格子定数を上回る格子定数 をもつ結晶質上層を表面に乗せた発光性結晶質下層から
なる発光スクリーン。 - （２）下層が単結晶である、特許請求の範囲第１項に記
載のスクリーン。 - （３）下層がＹ＿３Ａｌ＿５Ｏ＿１＿２：ＭまたはＧｄ
＿３Ｇａ＿５Ｏ＿１＿２：Ｍ（式中ＭはＣｅ、Ｔｂおよ
びＥｕよりなる群から選ばれる少なくとも１種の発光イ
オンである）からなる、特許請求の範囲第２項に記載の
スクリーン。 - （４）下層表面の配向が（１１１）である、特許請求の
範囲第３項に記載のスクリーン。 - （５）下層がＹ＿３Ａｌ＿５Ｏ＿１＿２：Ｍからなり、
上層がＹ＿３Ａｌ＿５＿−＿ａ（Ｓｃ、Ｉｎ）＿ａＯ＿
１＿２（式中ａは０〜約２である）からなる、特許請求
の範囲第３項に記載のスクリーン。 - （６）下層がＧｄ＿３Ｇａ＿５Ｏ＿１＿２：Ｍからなり
、上層がＧｄ＿３Ｇａ＿５＿−＿ｂ（Ｓｃ、Ｉｎ）＿ｂ
Ｏ＿１＿２（式中ｂは０〜約２である）からなる、特許
請求の範囲第３項に記載のスクリーン。 - （７）下層がＹ＿３Ａｌ＿５Ｏ＿１＿２：Ｍからなり、
上層がＹ＿３Ａｌ＿５＿−＿ａ（Ｓｃ、Ｉｎ）＿ａＯ＿
１＿２：Ｍ′（式中Ｍ′はＣｅ、Ｔｂ、およびＥｕより
なる群から選ばれる元素のイオン１種または２種以上で
あり、ａは０〜約２である）からなる、特許請求の範囲
第３項に記載のスクリーン。 - （８）下層がＧｄ＿３Ｇａ＿５Ｏ＿１＿２：Ｍからなり
、上層がＧｄ＿３Ｇａ＿５＿−＿ｂ（Ｓｃ、Ｉｎ）＿ｂ
Ｏ＿１＿２：Ｍ″（式中Ｍ″は少なくとも１種の発光イ
オンであり、ｂは０〜約２である）からなる、特許請求
の範囲第３項に記載のスクリーン。 - （９）さらに下層に対する支持体からなり、該支持体が
ドープされていない結晶からなり、下層がこれと同一の
結晶およびドーパントからなる、特許請求の範囲第１項
に記載のスクリーン。 - （１０）さらにファセット層上の反射被膜からなる、特
許請求の範囲第１項に記載のスクリーン。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US811184 | 1985-12-20 | ||
| US06/811,184 US4713577A (en) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Multi-layer faceted luminescent screens |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62157646A true JPS62157646A (ja) | 1987-07-13 |
Family
ID=25205807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61303577A Pending JPS62157646A (ja) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | 多層フアセツト発光スクリ−ン |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4713577A (ja) |
| EP (1) | EP0226824B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62157646A (ja) |
| CA (1) | CA1302210C (ja) |
| DE (1) | DE3680080D1 (ja) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| FR2647261B1 (ja) * | 1989-05-19 | 1991-07-05 | Thomson Tubes Electroniques | |
| US5243457A (en) * | 1991-02-05 | 1993-09-07 | American Ingenuity, Inc. | Material with enhanced visibility characteristics |
| US5237448A (en) * | 1991-02-05 | 1993-08-17 | American Ingenuity, Inc. | Visibility enhancing material |
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| US5315491A (en) * | 1992-09-30 | 1994-05-24 | American Ingenuity, Inc. | Reflecting and luminous layered material |
| JP2509427B2 (ja) * | 1992-12-04 | 1996-06-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | イメ―ジ管 |
| KR100265859B1 (ko) * | 1996-12-21 | 2000-09-15 | 정선종 | 전계방출 디스플레이용 발광입자 |
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| US20040227694A1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-11-18 | Xiao-Dong Sun | System and method for a three-dimensional color image display utilizing laser induced fluorescence of nanopartcles and organometallic molecules in a transparent medium |
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| US7293879B2 (en) | 2003-10-23 | 2007-11-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Projection screen |
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| US8098375B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-01-17 | Lumencor, Inc. | Light emitting diode illumination system |
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| US8466436B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-06-18 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
| CN103031127B (zh) * | 2011-09-30 | 2014-10-29 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种橙色荧光粉及其制备方法和用该荧光粉制成的电光源 |
| US8967811B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-03-03 | Lumencor, Inc. | Solid state continuous white light source |
| US9217561B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-12-22 | Lumencor, Inc. | Solid state light source for photocuring |
| CH720463A1 (de) * | 2023-01-30 | 2024-08-15 | Brevalor Sarl | Objekt mit einem transparenten lumineszierenden Teil |
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| NL7707008A (nl) * | 1977-06-24 | 1978-12-28 | Philips Nv | Luminescentiescherm. |
| NL7800405A (nl) * | 1978-01-13 | 1979-07-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van luminesce- rende schermen, luminescerende schermen ver- kregen volgens deze werkwijze en kathodestraal- buizen voorzien van een dergelijk luminescerend scherm. |
| NL7806828A (nl) * | 1978-06-26 | 1979-12-28 | Philips Nv | Luminescentiescherm. |
| US4550256A (en) * | 1983-10-17 | 1985-10-29 | At&T Bell Laboratories | Visual display system utilizing high luminosity single crystal garnet material |
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-
1985
- 1985-12-20 US US06/811,184 patent/US4713577A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-11-20 EP EP86116052A patent/EP0226824B1/en not_active Expired
- 1986-11-20 DE DE8686116052T patent/DE3680080D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-12 CA CA000525128A patent/CA1302210C/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-12-19 JP JP61303577A patent/JPS62157646A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1302210C (en) | 1992-06-02 |
| EP0226824A2 (en) | 1987-07-01 |
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| EP0226824A3 (en) | 1988-02-17 |
| EP0226824B1 (en) | 1991-07-03 |
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