JPS62150112A - スクライブラインのパターン検出方法 - Google Patents
スクライブラインのパターン検出方法Info
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- JPS62150112A JPS62150112A JP60295402A JP29540285A JPS62150112A JP S62150112 A JPS62150112 A JP S62150112A JP 60295402 A JP60295402 A JP 60295402A JP 29540285 A JP29540285 A JP 29540285A JP S62150112 A JPS62150112 A JP S62150112A
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- pattern
- wafer
- scribe line
- width
- image sensor
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- Image Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、ウェハIユのスクライブラインのような、
−・定幅で特定方向に延在するラインパターンを認識す
る方式に関する。
−・定幅で特定方向に延在するラインパターンを認識す
る方式に関する。
[従来の技術]
ウェハ1−のパターンの・1゛法測定や合わせ精度測定
を行う微小・j゛法測測定装置おいては、それらの測定
に先1yち、ウェハがセントされたX−Yステージの座
標系に対する、同ウェハの座標系の傾きを測定している
。この測定において、スクライブラインの認識処理を行
っている。
を行う微小・j゛法測測定装置おいては、それらの測定
に先1yち、ウェハがセントされたX−Yステージの座
標系に対する、同ウェハの座標系の傾きを測定している
。この測定において、スクライブラインの認識処理を行
っている。
従来は、x−yステージによってウェハのノ、(準焦に
位置付けした状態で、パターン検出光学系の視野内に存
在するパターンの幅をチェックし、スクライブラインの
幅のパターンか存で1すれば、それをスクライブライン
として認識している。
位置付けした状態で、パターン検出光学系の視野内に存
在するパターンの幅をチェックし、スクライブラインの
幅のパターンか存で1すれば、それをスクライブライン
として認識している。
[解決しようとする問題点]
このようなパターン幅のみに注目シたスクライブライン
認識方式では、視野内にスクライブラインと同′:1幅
のバター/かイrイ1すると、そのパターンをスクライ
ブラインと、コ(認してしまうという問題があった。
認識方式では、視野内にスクライブラインと同′:1幅
のバター/かイrイ1すると、そのパターンをスクライ
ブラインと、コ(認してしまうという問題があった。
[発明の目的]
この発明の目的は、前述のようなスクライブラインの認
識などに好適で% li!l認の虞の少ないラインパタ
ーン認識方式を提供すことにある。
識などに好適で% li!l認の虞の少ないラインパタ
ーン認識方式を提供すことにある。
[問題点を解決するための丁2段コ
この11的を達成するために、この発明によるラインパ
ターン認識方式は、対象物の表面をイメージセンサで撮
像し、前記イメージセンサの出力データに基づき特定幅
のパターンを検出すると乏もに、そのパターンの前記対
象物の表面の特定方向への連続性を調へることにより、
前記対象物の表面の1);j記特定力向に延在する前記
↑、5定幅の2111ラインパターンを認識するように
構成されるものである。
ターン認識方式は、対象物の表面をイメージセンサで撮
像し、前記イメージセンサの出力データに基づき特定幅
のパターンを検出すると乏もに、そのパターンの前記対
象物の表面の特定方向への連続性を調へることにより、
前記対象物の表面の1);j記特定力向に延在する前記
↑、5定幅の2111ラインパターンを認識するように
構成されるものである。
「作用」
このように、パターン幅たけでなく、特定パターン幅の
パターンを検出し、さらに、そのパターンのllライン
パターンの良さ方向についての連続性も調へるため、[
1ラインパターンの近傍に同゛5・幅のパターンが存7
1シても、そのパターンと21]1ラインパターンとの
1コ(認は防市され、?11+ラインパターンを確実に
認識できる。
パターンを検出し、さらに、そのパターンのllライン
パターンの良さ方向についての連続性も調へるため、[
1ラインパターンの近傍に同゛5・幅のパターンが存7
1シても、そのパターンと21]1ラインパターンとの
1コ(認は防市され、?11+ラインパターンを確実に
認識できる。
[実施例コ
以ド、図面を参!1((1,、この発明の・実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第1図に、この発明のラインパターン認識方式が適用さ
れた微小寸法測定装置の一例を示す。この微/JいJ’
1.!、/Itll 定’装置は、ウェハ、マスクな
とのパターンの11法、前後−1−程で形成されたパタ
ー/の合わせflff度などを精密測定するものである
。
れた微小寸法測定装置の一例を示す。この微/JいJ’
1.!、/Itll 定’装置は、ウェハ、マスクな
とのパターンの11法、前後−1−程で形成されたパタ
ー/の合わせflff度などを精密測定するものである
。
第1図において、10はX−Yステージ機構である。図
小しないローダ/アンローダによりX−Yステージ機構
IOのチャック部に搬入されたウェハ12は、そのオリ
フラ(オリエンテーシfIンフラット)13を基準とし
て位置決めされて保持されるようになっている。このよ
うにしてウェハ12の座標系と、X−Yステージ機構と
の座標系とを一致させるようにしているが、多少のオフ
セ、トは避けられない。このウェハのオフセットの中で
、傾きの影響が大きいため、その傾きを検出しているが
、その処理にこの発明によるラインパターン認識方式が
適用されている。
小しないローダ/アンローダによりX−Yステージ機構
IOのチャック部に搬入されたウェハ12は、そのオリ
フラ(オリエンテーシfIンフラット)13を基準とし
て位置決めされて保持されるようになっている。このよ
うにしてウェハ12の座標系と、X−Yステージ機構と
の座標系とを一致させるようにしているが、多少のオフ
セ、トは避けられない。このウェハのオフセットの中で
、傾きの影響が大きいため、その傾きを検出しているが
、その処理にこの発明によるラインパターン認識方式が
適用されている。
ウェハ12の11面は、ハロゲンランプ16によりミラ
ー18.アクロマチックレンズ20およびハーフミラ−
22を介して照明される。このようにして!j(1明さ
れたウェハ12の上面の局所的明暗像は、パターン検出
光学系24によって観測される。
ー18.アクロマチックレンズ20およびハーフミラ−
22を介して照明される。このようにして!j(1明さ
れたウェハ12の上面の局所的明暗像は、パターン検出
光学系24によって観測される。
このパターン検出光学系24は、対物レンズ26、前記
ハーフミラ−22、ハーフミラ−28、スリット30X
、30Y、 リレーレンズ32X。
ハーフミラ−22、ハーフミラ−28、スリット30X
、30Y、 リレーレンズ32X。
32Y1 ミラー34、シリンドリ力ルレンス36X
+ 36 Y 、1 次元のイメージセンサであるC
CI)リニアイメージセンサ38X、38Yから構成さ
れている。対物レンズ26で決まるウエノX面」−の視
野内の明暗像は、スリット30X、30Yを介して視野
をさらに絞られてCCl) IJニアイメージセンサ3
8X、38Yに撮像される。スリフト30Xのアパーチ
ャはX−Yステージ機構10の座標系のX軸と串杆にさ
れており、対物レンズ26の視野内の中心を通る細長い
X方向の視野の像7り(CCI)リニアイメージセンサ
38Xに結像する。
+ 36 Y 、1 次元のイメージセンサであるC
CI)リニアイメージセンサ38X、38Yから構成さ
れている。対物レンズ26で決まるウエノX面」−の視
野内の明暗像は、スリット30X、30Yを介して視野
をさらに絞られてCCl) IJニアイメージセンサ3
8X、38Yに撮像される。スリフト30Xのアパーチ
ャはX−Yステージ機構10の座標系のX軸と串杆にさ
れており、対物レンズ26の視野内の中心を通る細長い
X方向の視野の像7り(CCI)リニアイメージセンサ
38Xに結像する。
同様に、他方のCCl)リニアイメージセンサ38Xの
視野は、スリット30Yによって対物レンズ26の視野
の中心を通るY方向の細長い領域に絞られ、その視野内
のウェハ像がCCI)リニアイメージセンサ38Xに結
像される。前記CCI)リニアイメージセンサ38X、
38Yは、それぞれに結像した明暗パターンを画素分解
して読み取り、アナログ画イ、1号゛をシリアルに出力
する。
視野は、スリット30Yによって対物レンズ26の視野
の中心を通るY方向の細長い領域に絞られ、その視野内
のウェハ像がCCI)リニアイメージセンサ38Xに結
像される。前記CCI)リニアイメージセンサ38X、
38Yは、それぞれに結像した明暗パターンを画素分解
して読み取り、アナログ画イ、1号゛をシリアルに出力
する。
40は処理制御系である。この処理制御系40は、ゲイ
ン・オフセント最適化回路42、アナログ/デジタル変
換器44、画像メモリ46、マイクロプロセ、す48、
RAM50、キーボード52とそのインターフェイス回
路54、X−Yステージ駆動回路S6とそのインターフ
ェイス回路58からなる。CCDリニアイメージセンサ
38X。
ン・オフセント最適化回路42、アナログ/デジタル変
換器44、画像メモリ46、マイクロプロセ、す48、
RAM50、キーボード52とそのインターフェイス回
路54、X−Yステージ駆動回路S6とそのインターフ
ェイス回路58からなる。CCDリニアイメージセンサ
38X。
38Yやアナログ/デジタル変換器44の駆動制御に関
係する回路も存在するが、それは図示されていない。
係する回路も存在するが、それは図示されていない。
X−Yステージ駆動回路56は、マイクロプロセンサ4
8からインターフェイス回路58を介して′jえられる
制御情報に従い、x−yステージ機横10の図示しない
X、Y方向駆動用モータを駆動するものである。X−Y
ステージ機構10には、X、Y方向の位置を検出するた
めの位置エンコーダ(図示せず)が設けられており、そ
の位置エンコーダの出力信ジノ・はインターフェイス回
路58を介してマイクロプロセッサ48側に入力される
ようになっている。
8からインターフェイス回路58を介して′jえられる
制御情報に従い、x−yステージ機横10の図示しない
X、Y方向駆動用モータを駆動するものである。X−Y
ステージ機構10には、X、Y方向の位置を検出するた
めの位置エンコーダ(図示せず)が設けられており、そ
の位置エンコーダの出力信ジノ・はインターフェイス回
路58を介してマイクロプロセッサ48側に入力される
ようになっている。
CCI)リニアイメージセンサ38X、38Yカ)ら出
力されるアナログ自信−jは、ゲイン・オフセット最適
化回路42を経!11シてアナログ/デジタル変換器4
4に入力され、そこでデジタル画信号・(画像データと
称す)に変換されて画像メモリ46に入力される。マイ
クロプロセッサ48は、この両像メモリ46をアクセス
1丁能であり、また画像メモリ46への画像データのI
T込みを制御できる。
力されるアナログ自信−jは、ゲイン・オフセット最適
化回路42を経!11シてアナログ/デジタル変換器4
4に入力され、そこでデジタル画信号・(画像データと
称す)に変換されて画像メモリ46に入力される。マイ
クロプロセッサ48は、この両像メモリ46をアクセス
1丁能であり、また画像メモリ46への画像データのI
T込みを制御できる。
ここでウェハ而には、第2図に示すように2つのノλ学
点A、Bがrめ設定されている。基環1点Aの近傍のウ
ェハ而を拡大して第3図に示す。この図に示されるよう
に、ウェハ而にはチップ領域60がX、Y方向(ウェハ
の座標系のX、Y方向)に整然と配列形成され、各チッ
プ領域60はX。
点A、Bがrめ設定されている。基環1点Aの近傍のウ
ェハ而を拡大して第3図に示す。この図に示されるよう
に、ウェハ而にはチップ領域60がX、Y方向(ウェハ
の座標系のX、Y方向)に整然と配列形成され、各チッ
プ領域60はX。
Y方向の直線的溝、つまりスクライブライン62により
区画されている。一般に特定のチップ領域60の右1−
コーナが、基を点として設定される。
区画されている。一般に特定のチップ領域60の右1−
コーナが、基を点として設定される。
同様に、基望点Bも、他の特定のチップ領域60の右1
−コーナとして設定される。
−コーナとして設定される。
次に、ウェハの傾き検出動作について、第4図に小すフ
ローチャートを参!I(I Lながら説明する。
ローチャートを参!I(I Lながら説明する。
X−Yステージ機構10のチャック部にウェハ12が位
置決め保持されると、マイクロプロセッサ48はRAM
50に格納されている傾き検出プログラム50Aの実行
を開始する。
置決め保持されると、マイクロプロセッサ48はRAM
50に格納されている傾き検出プログラム50Aの実行
を開始する。
まず、マイクロプロセッサ48は、RAM501−のレ
ジスタ50Bにセットされている基準点Aの庫標(X、
、Y、)に所定の値を加算した位置決め情報をインター
フェイス回路58を介してX−Yステージ駆動回路56
に5える。X−Yステージ駆動回路56は、その位置決
め制御情報に従ってX−Yステージ機構10の駆動用モ
ータを駆動する。これにより、X−Yステージ機構10
のX軸に対するウェハ12の傾き(第2図に示す0)が
ゼロならば、対物レンズ26の視野64(第3図)のほ
ぼ中心が、基を点Aの最も近いスクライブライン62の
交点とほぼ一致するように、ウェハ12が位置決めされ
る(ステップ105)。
ジスタ50Bにセットされている基準点Aの庫標(X、
、Y、)に所定の値を加算した位置決め情報をインター
フェイス回路58を介してX−Yステージ駆動回路56
に5える。X−Yステージ駆動回路56は、その位置決
め制御情報に従ってX−Yステージ機構10の駆動用モ
ータを駆動する。これにより、X−Yステージ機構10
のX軸に対するウェハ12の傾き(第2図に示す0)が
ゼロならば、対物レンズ26の視野64(第3図)のほ
ぼ中心が、基を点Aの最も近いスクライブライン62の
交点とほぼ一致するように、ウェハ12が位置決めされ
る(ステップ105)。
ウェハ12の傾きθが所定のに限値より大きく、視野6
4の中心とJ、(/1/’点Aとの位置ずれが過大であ
ると、傾きを正常に検出できない。そこで、その位置ず
れが許容範囲内であることを確認するために、スクライ
ブライン62の認、:龍処理か行われる。
4の中心とJ、(/1/’点Aとの位置ずれが過大であ
ると、傾きを正常に検出できない。そこで、その位置ず
れが許容範囲内であることを確認するために、スクライ
ブライン62の認、:龍処理か行われる。
まず、現在の位置でのCCI)リニアイメージセンサ3
8Xによって得られた画像データを1走査線分だけ画像
メモリ46に格納させる(ステップ110)。例えば、
第3図に示すように位置決めされたとすれば、CCDリ
ニアイメージセンサ38Xにより、その視野66内が電
子的に走査され、その視野内の明暗像が画素分解されて
読み取られて電気化−シ・に変換され、画素順にシリア
ルに出力される。この自信弓・をアナログデジタル変換
した画像データが画像メモリ46に格納される。この格
納の後、マイクロプロセッサ48はRAM501−のI
カウンタ50C(ステップ100においてpめクリアさ
れている)に1を加え(ステップ115)、Iカウンタ
の値が所定値IM以1−であるか比較判定する(ステッ
プ120)。このIMは、チップ領域60のYノJ向の
・1法に相当する値である。
8Xによって得られた画像データを1走査線分だけ画像
メモリ46に格納させる(ステップ110)。例えば、
第3図に示すように位置決めされたとすれば、CCDリ
ニアイメージセンサ38Xにより、その視野66内が電
子的に走査され、その視野内の明暗像が画素分解されて
読み取られて電気化−シ・に変換され、画素順にシリア
ルに出力される。この自信弓・をアナログデジタル変換
した画像データが画像メモリ46に格納される。この格
納の後、マイクロプロセッサ48はRAM501−のI
カウンタ50C(ステップ100においてpめクリアさ
れている)に1を加え(ステップ115)、Iカウンタ
の値が所定値IM以1−であるか比較判定する(ステッ
プ120)。このIMは、チップ領域60のYノJ向の
・1法に相当する値である。
Iカウンタ値が1M未満ならば、マイクロプロセンサ4
8は、ウェハ12を1ステップ分たけY方向(第3図の
ド側)へ移動させるように、換言゛すれば、CCDリニ
アイメージセンサ38Xの視野66を第3図において1
−側に1ステツプ移動させるように、X−Yステップ駆
動回路56に指tJくしくステップ125)、ステップ
110に戻る。
8は、ウェハ12を1ステップ分たけY方向(第3図の
ド側)へ移動させるように、換言゛すれば、CCDリニ
アイメージセンサ38Xの視野66を第3図において1
−側に1ステツプ移動させるように、X−Yステップ駆
動回路56に指tJくしくステップ125)、ステップ
110に戻る。
このようにして、視野66が実線の位置から想像線66
Aの位置まで、チップ領域60のY方向・r測置だけス
テップ移動され、各位置でのデジタル画信号が画像メモ
リ46に蓄積される。
Aの位置まで、チップ領域60のY方向・r測置だけス
テップ移動され、各位置でのデジタル画信号が画像メモ
リ46に蓄積される。
この操作を終了すると、マイクロプロセッサ48は、画
像メモリ46に蓄積された走査線IM本分の画像データ
を1走査線分読み込み、スクライブライン62に相当す
る幅のパターンの検出を好う(・ステップ130)。
像メモリ46に蓄積された走査線IM本分の画像データ
を1走査線分読み込み、スクライブライン62に相当す
る幅のパターンの検出を好う(・ステップ130)。
より詳細に説明すれば、例えば、第3図において視野6
6の斜線部に相当する画像データだけがマイクロプロセ
ッサ48に読み込まれ、所定の閾値と比較される。」−
記斜線部の範囲にスクライブライン62が存在するとす
る。その場合、スクライブライン62の両側はチップ領
域60のエツジ部分であり% !!(1明光が散乱され
るため、その部分でアナログ自信シノーのレベルが急激
に低ドする。画像データは所定の閾値と比較され、その
ようなレベル低ド点、つまりアナログ画4+j−J波形
の谷点が抽111される。そして、隣り合う谷点の間隔
とスクライブライン幅相当の間隔とが比較される。スク
ライブラインが存在するならば、その両端の谷点の間隔
がほぼスクライブライン幅と等しいはずである。そのよ
うな谷点の対が検出された場合、RAM50上のテーブ
ル501)の走査線対応のビットに“1”がセットされ
る(ステップ100において各ビットはpめクリアされ
ている)。なお、ここで説明したパターン検出の方法は
、飽くまで一例である。
6の斜線部に相当する画像データだけがマイクロプロセ
ッサ48に読み込まれ、所定の閾値と比較される。」−
記斜線部の範囲にスクライブライン62が存在するとす
る。その場合、スクライブライン62の両側はチップ領
域60のエツジ部分であり% !!(1明光が散乱され
るため、その部分でアナログ自信シノーのレベルが急激
に低ドする。画像データは所定の閾値と比較され、その
ようなレベル低ド点、つまりアナログ画4+j−J波形
の谷点が抽111される。そして、隣り合う谷点の間隔
とスクライブライン幅相当の間隔とが比較される。スク
ライブラインが存在するならば、その両端の谷点の間隔
がほぼスクライブライン幅と等しいはずである。そのよ
うな谷点の対が検出された場合、RAM50上のテーブ
ル501)の走査線対応のビットに“1”がセットされ
る(ステップ100において各ビットはpめクリアされ
ている)。なお、ここで説明したパターン検出の方法は
、飽くまで一例である。
次にマイクロプロセッサ48は、Iカウンタの値を1だ
けデクリメントしくステップ135)、Iカウンタのゼ
ロ判定を行う(ステップ140)。
けデクリメントしくステップ135)、Iカウンタのゼ
ロ判定を行う(ステップ140)。
■カウンタの値がゼロでなければ、ステップ130に戻
り、次の走査線について同様のパターン検出を好う。
り、次の走査線について同様のパターン検出を好う。
このようにして走査線IM本分のパターン検出が完了す
ると、マイクロプロセッサ48はテーブル50Dを参照
し、“1”ビットの連続性、つまり検出されたスクライ
ブライン幅相゛1のパターンのY方向への連続性を調べ
る(ステップ145)。
ると、マイクロプロセッサ48はテーブル50Dを参照
し、“1”ビットの連続性、つまり検出されたスクライ
ブライン幅相゛1のパターンのY方向への連続性を調べ
る(ステップ145)。
もし、視野66の斜線部の移動軌跡範囲にスクライブラ
インが存在するならば、スクライブライン幅相当の幅の
パターンがチップ領域60の視野に隣接する最長内部パ
ターンの長さ以!−に嵯って連続して検出されているは
ずである。
インが存在するならば、スクライブライン幅相当の幅の
パターンがチップ領域60の視野に隣接する最長内部パ
ターンの長さ以!−に嵯って連続して検出されているは
ずである。
マイクロプロセンサ48は、ステップ145によって求
められたパターン連続区間の長さを1を記最長内部パタ
ーンの長さと比較しくステップ150)、前者が後者未
満ならば(スクライブラインが存在しない)、以後の処
理のダ当性を保証できないため、この段階で処理を異常
終−rさせる。前者が後者以1・、ならば、連続して検
出されたパターンをスクライブラインと認識し、ステッ
プ155以降の位置ずれ検出処理に進む。
められたパターン連続区間の長さを1を記最長内部パタ
ーンの長さと比較しくステップ150)、前者が後者未
満ならば(スクライブラインが存在しない)、以後の処
理のダ当性を保証できないため、この段階で処理を異常
終−rさせる。前者が後者以1・、ならば、連続して検
出されたパターンをスクライブラインと認識し、ステッ
プ155以降の位置ずれ検出処理に進む。
このように、パターンの幅だけでなく、パターンの連続
性を調べてスクライブラインを認識するから、スクライ
ブラインの近傍のパターンの誤認を防+I−シ、スクラ
イブラインを確実に認識できる。
性を調べてスクライブラインを認識するから、スクライ
ブラインの近傍のパターンの誤認を防+I−シ、スクラ
イブラインを確実に認識できる。
なお、ここでY方向のスクライブラインだけを認識して
いたが、同様にしてX方向のスクライブラインだけ、ま
たはX、7両方向のスクライブラインを認識してもよい
。
いたが、同様にしてX方向のスクライブラインだけ、ま
たはX、7両方向のスクライブラインを認識してもよい
。
さて、位置ずれ検出処理では、まずマイクロプロセッサ
48は、X−Yステージ駆動回路56を介してX−Yス
テージ機構10を制御することにより、ステップ105
で位置決めされた時の視野66の近傍について、視野6
6を移動させながら、CCl)リニアイメージセンサ3
8X、38Yよって得られる111q像データを画像メ
モリ46を介して順次読込み、基を点Aのパターンを探
索する。例えば、基を点Aの設定されたチップ領域60
の1・。
48は、X−Yステージ駆動回路56を介してX−Yス
テージ機構10を制御することにより、ステップ105
で位置決めされた時の視野66の近傍について、視野6
6を移動させながら、CCl)リニアイメージセンサ3
8X、38Yよって得られる111q像データを画像メ
モリ46を介して順次読込み、基を点Aのパターンを探
索する。例えば、基を点Aの設定されたチップ領域60
の1・。
側エツジと下側エツジのパターンを捜し、その交点をノ
、(を点Aとして認識する。たたし、これは飽(まで一
例であり、他の方法によってもよい。基環″点Aを見つ
けると、マイクロプロセッサ48は、視野62の中心と
基準点Aとを・致させるようにX−Yステージ機構10
を制御する(ステージ155)。
、(を点Aとして認識する。たたし、これは飽(まで一
例であり、他の方法によってもよい。基環″点Aを見つ
けると、マイクロプロセッサ48は、視野62の中心と
基準点Aとを・致させるようにX−Yステージ機構10
を制御する(ステージ155)。
視野62の中心とJ!準準焦とを一致させた後、マイク
ロプロセ、ノサ48はその時のX−Yステーン機構10
の位置エンコーダの出力4jj”’夕から、X−Yステ
ージ機構10の座標を認識する(ステップ160)。こ
の座標は、基準点Aの実際の座標である。マイクロプロ
センサ48は、この座標とレジスタ50Bにセ、トされ
ている基を点座標(X/ 、Y2 )とを用いて、両者
のずれMΔXI。
ロプロセ、ノサ48はその時のX−Yステーン機構10
の位置エンコーダの出力4jj”’夕から、X−Yステ
ージ機構10の座標を認識する(ステップ160)。こ
の座標は、基準点Aの実際の座標である。マイクロプロ
センサ48は、この座標とレジスタ50Bにセ、トされ
ている基を点座標(X/ 、Y2 )とを用いて、両者
のずれMΔXI。
ΔY2を算出し、その結果をRAM50にのレジスタ5
0Eに格納する(ステップ165)。
0Eに格納する(ステップ165)。
次に、他方の基準点Bに関してステップ100からステ
ップ165までの処理と同様の処理を行う(ステップ1
70)。ただし、基準点Bの座標(X2.Y2)はRA
M501−のレジスタ50Fにセットされており、基を
点Bの位置ずれlitΔX2、ΔY2はRAM50にの
レジスタ50Gに格納される。ステップ170において
も、スクライブラインが検出されなければ、異常終rと
なる。
ップ165までの処理と同様の処理を行う(ステップ1
70)。ただし、基準点Bの座標(X2.Y2)はRA
M501−のレジスタ50Fにセットされており、基を
点Bの位置ずれlitΔX2、ΔY2はRAM50にの
レジスタ50Gに格納される。ステップ170において
も、スクライブラインが検出されなければ、異常終rと
なる。
基環”点A、Bの位置ずれニルが求められると、マイク
ロプロセッサ48は、次式に従って傾きOを39出し、
その結果をRAM501−のレジスタ50Hに格納して
処理=終rする(ステップ175)。
ロプロセッサ48は、次式に従って傾きOを39出し、
その結果をRAM501−のレジスタ50Hに格納して
処理=終rする(ステップ175)。
an−10
=[(Y2+八Y2 )−(Y/+ΔY/)]/[(X
2+ΔX2) (Xt十ΔX、)コ・・・・・・・
・・(1) このようにして求められた傾き0は、パターンの寸法1
jll+定、パターンの合わせ精度測定などにおいて、
ウェハの座標補正に利用される。なお、パターンの寸法
測定や合わせ精度測定の説明は省略する。
2+ΔX2) (Xt十ΔX、)コ・・・・・・・
・・(1) このようにして求められた傾き0は、パターンの寸法1
jll+定、パターンの合わせ精度測定などにおいて、
ウェハの座標補正に利用される。なお、パターンの寸法
測定や合わせ精度測定の説明は省略する。
以m、一実施例について説明したが、この発明はそれだ
けに限定されるものではない。
けに限定されるものではない。
例えば、■次元イメージセンサはCCI)リニアイメー
ジセンサ以外のものでもよい。
ジセンサ以外のものでもよい。
前記実施例においては、対象物であるウェハを移動した
が、ウェハを固定し、1次元イメージセンサを移動させ
てもよいし、両方を移動させてもよい。
が、ウェハを固定し、1次元イメージセンサを移動させ
てもよいし、両方を移動させてもよい。
さらに、2次元イメージセンサを用いて対象物の表面を
撮像してもよい。
撮像してもよい。
また、特定幅のパターンの検出方法、そのパターンの連
続性の判定方法も適宜変更してよい。
続性の判定方法も適宜変更してよい。
さらに、この発明は、スクライブライン以外のラインパ
ターンの認識にも同様に適用できる。
ターンの認識にも同様に適用できる。
[発明の効果]
塩1−説明したように、この発明によれば、特定パター
ン幅のパターンを検出し、さらに、そのパターンのtH
1ラインパターンの長さ方向についての連続性も調べる
ため、l目−1ラインパターンの近傍に同等幅のパター
ンが存在しても、そのパターンと注IIラインパターン
との1具認は防市され、ハ三r+ラインパターンを確実
に認識できるという効果を達成できる。
ン幅のパターンを検出し、さらに、そのパターンのtH
1ラインパターンの長さ方向についての連続性も調べる
ため、l目−1ラインパターンの近傍に同等幅のパター
ンが存在しても、そのパターンと注IIラインパターン
との1具認は防市され、ハ三r+ラインパターンを確実
に認識できるという効果を達成できる。
第1図はこの発明によるラインパターン認識方式が適用
された@/jbJ法測定装置の構成#!!四図、第2図
はウェハの傾きと基を点を説明するための・14而図、
第3図は基準点近傍のスクライブラインの認識を説明す
るための部分拡大−14而図、第4図はウェハの傾き検
出処理の概略フローチャートである。 lO・・・X−Yステージ機構、12・・・ウェハ(対
象物)、16・・・ハロゲンランプ、24・・・パター
ン検出光学系、26・・・対物レンズ、30X、30Y
・・・スリット、38X、38Y・・・CCI)リニア
イメージセンサ(1次元イメージセンサ)、処理制御系
、44・・・アナログ/デジタル変換器、46・・・画
像メモリ、48・・・マイクロプロセッサ、50・・・
RAM15B・・・X−Yステップ駆動回路。
された@/jbJ法測定装置の構成#!!四図、第2図
はウェハの傾きと基を点を説明するための・14而図、
第3図は基準点近傍のスクライブラインの認識を説明す
るための部分拡大−14而図、第4図はウェハの傾き検
出処理の概略フローチャートである。 lO・・・X−Yステージ機構、12・・・ウェハ(対
象物)、16・・・ハロゲンランプ、24・・・パター
ン検出光学系、26・・・対物レンズ、30X、30Y
・・・スリット、38X、38Y・・・CCI)リニア
イメージセンサ(1次元イメージセンサ)、処理制御系
、44・・・アナログ/デジタル変換器、46・・・画
像メモリ、48・・・マイクロプロセッサ、50・・・
RAM15B・・・X−Yステップ駆動回路。
Claims (3)
- (1)対象物の表面をイメージセンサで撮像し、前記イ
メージセンサの出力データに基づき特定幅のパターンを
検出するとともに、そのパターンの前記対象物の表面の
特定方向への連続性を調べることにより、前記対象物の
表面の前記特定方向に延在する前記特定幅の注目ライン
パターンを認識することを特徴とするラインパターン認
識方式。 - (2)イメージセンサは1次元イメージセンサであり、
対象物の表面の撮像は前記対象物と前記1次元イメージ
センサを特定方向に相対的に移動させながら行われるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のラインパタ
ーン認識方式。 - (3)注目ラインパターンはウェハ上のスクライブライ
ンのパターンであり、連続性は前記ウェハ上の前記注目
ラインパターンの周辺でかつ同等幅を持つ他のパターン
の最大長以上の長さ区間について調べられることを特徴
とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載のライ
ンパターン認識方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29540285A JPH0612250B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | スクライブラインのパターン検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29540285A JPH0612250B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | スクライブラインのパターン検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62150112A true JPS62150112A (ja) | 1987-07-04 |
JPH0612250B2 JPH0612250B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=17820145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29540285A Expired - Lifetime JPH0612250B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | スクライブラインのパターン検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0612250B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01280334A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-11-10 | Toshiba Corp | 半導体ウェハにおける半導体チップの位置検出方法 |
JP2013142777A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Ushio Inc | 露光方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57168105A (en) * | 1981-03-11 | 1982-10-16 | Fujitsu Ltd | Pattern checking device |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29540285A patent/JPH0612250B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57168105A (en) * | 1981-03-11 | 1982-10-16 | Fujitsu Ltd | Pattern checking device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01280334A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-11-10 | Toshiba Corp | 半導体ウェハにおける半導体チップの位置検出方法 |
JP2013142777A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Ushio Inc | 露光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0612250B2 (ja) | 1994-02-16 |
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