JPS62148310A - 窒化アルミニウム製造装置 - Google Patents

窒化アルミニウム製造装置

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JPS62148310A
JPS62148310A JP28565985A JP28565985A JPS62148310A JP S62148310 A JPS62148310 A JP S62148310A JP 28565985 A JP28565985 A JP 28565985A JP 28565985 A JP28565985 A JP 28565985A JP S62148310 A JPS62148310 A JP S62148310A
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arc
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aluminum
aln
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Yoshio Yamazaki
山崎 良雄
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    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/072Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
    • C01B21/0722Preparation by direct nitridation of aluminium
    • C01B21/0724Preparation by direct nitridation of aluminium using a plasma

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  • Organic Chemistry (AREA)
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は窒化アルミニウムの製造法に関するものである
〔従来の技術とその問題点〕
窒化アルミニウム(AIN)は高熱伝導率、高絶縁性を
有するファインセラミックスのひとつとして脚光を浴び
つつある。
この窒化アルミニウムの合成方法として、従来。
電気炉でアルミナ微粉と炭素微粉との混合物を窒素やア
ンモニア中で加熱する方法が知られているが、アルミナ
の完全な還元が難しく、また残存炭素などの不純物の混
入が多いため、良質の窒化アルミニウムが得られないと
いう問題があった。
これを改善するため、アルミニウムをヨー素や塩素など
のハロゲン化物で複分解し、これで生じたアルミニウム
を窒素と反応させる化学的手法も提案されているが、量
産が難しく、製造コストが高価になるという問題があっ
た。
その他、オープンな窒素雰囲気中でアルミニウム捧を対
峙させ、それらの間で放電を行って合成する方法もある
が、未反応のA1の混入が多く、アークの安定性も悪く
なりやすいという間頭が有あった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は上記した従来の問題点を解決するために研究し
て創案されたもので、その目的とするところは、高純度
窒化アルミニウムを容易に比較的低コストで量産できる
方法を提供することにある。
この目的を達成するため、本発明は発想を転換し、アル
ミニウム蒸気を限定された高温空間で効率良く発生させ
つつそのアルミニウム蒸気に原子状の窒素を直接接触さ
せて窒化アルミニウムを合成するようにしたもので、す
なわち、高純度アルミニウムを筒状ルツボ中で溶解し、
湯面に対峙させた電極によりアーク放電を行いつつアー
ク放電域に窒素ガスを供給することで合成反応を得るこ
とを特徴とするものである。
〔実 施 例〕
以下本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第1図と第2図は本発明による窒化アルミニウムの製造
法を示すもので、1はガスタイト室であり、その適所に
雰囲気用窒素の導入部2が設けられている。3はガスタ
イト室1に内装された加熱炉であり、内部には黒鉛ルツ
ボ4が配置され、そ保たせるようになっている。そして
、加熱炉3にはガスタイト室1内と通じる雰囲気導孔6
が配設されている。
前記黒鉛ルツボ4は、実施例の場合、通路40により底
部同志が通じあった2つの筒状槽4a。
4bを有しており、一方の筒状槽4aは、加熱炉3を貫
く黒鉛質などの導管7が直列状に連結され、導管7はさ
らにガスタイト室1を貫いて回収装置17に導かれてい
る。
8は前記筒状槽4aに挿入された黒鉛電極であり、先端
が常に筒状槽4a中の/’il VIAアルミニウム9
の湯面91に所定のギャップをおいて対峙される。黒鉛
電極8は絶縁保持機構82によりガスタイト室1に保定
され、ストランド線のごときを介して電源端子81と結
線されている。
前記黒鉛電極8と湯面91とのギャップを常時適正に維
持するには、黒鉛電極を昇降させる方法があるが、実施
例では、2つの筒状槽4a、4bの連通を利用して湯面
91を調整するようにしている。
その機構は任意であり、たとえば流体圧シリンダ類を用
いることもできるが、本実施例では、筒状槽4b上に場
面抑圧体12を配し、この湯面押圧体12に保持腕16
.16を固定し、これにねじシャフト13.13を螺通
させ、ねじシャフト13.13をギヤボックス14と可
逆モータ15にて回転駆動させるようにするとともに、
湯面押圧体12の近傍に湯面検出器15を配し、これか
らの信号で可逆モータ15の駆動制御を行うようにして
いる。
10は窒化アルミニウム合成用即ちアーク用の窒素を湯
面91と電極先端間のアーク放電域に供給する手段であ
り、第1図の実施例では黒鉛電極8を管状に構成し、黒
鉛電極8の先端部に噴出孔11を穿設することで構成し
ている。この構成は、窒素の予熱および電極の冷却をも
行える利点がある。第2図では黒鉛電極8と別な供給体
を用いており、先端部に噴出孔11を有する。
本発明は、窒化アルミニウムの製造にあたり。
ガスタイト室1を導入部2からの窒素で置換し、加熱炉
3内を含め全体を窒素雰囲気にする。この状態でヒータ
5を作動して黒鉛ルツボ4内で高純瓜アルミニウムを7
004900℃に加熱溶解させ、この温度を保持させる
この状態で筒状槽4aに挿入されている黒鉛電極8の先
端と湯面91との間に所定のギャップ(たとえば2〜1
0mm)を設定する。これは図示の場合、湯面検出器1
5で筒状槽4bの湯面91’を測定し、可逆モータ15
を駆動して湯面押圧体12の昇降量を調整することで行
えば良い。
ついで1通常、黒鉛電極を陽極とし、黒鉛ルツボ4を陰
極として1図示しない定電力供給回路から直流などの電
力を供給し、黒鉛電極8の先端から湯面91にアーク放
電を行う。このアーク放電はアルミニウムの沸点約20
60℃以上となる条件(たとえば電圧3O−60V、電
流5−20A)で行う。それと同時に供給手段11によ
りアーク放電域にアーク用の窒素を連続供給する。流量
はたとえば500〜800 Q /hrのごとくである
このアーク放電による高温化で、筒状槽4aの溶融アル
ミニウム9は囲壁で囲まれた限定されたゾーンで旺盛に
蒸気化し、それと同時に供給されたアーク用窒素がアー
ク放電の高温に接して原子状で活性度の高い窒素(N)
となり、これが前記アルミニウム蒸気と直接反応するこ
とでオンダストロー11級の窒化アルミニウムが合成さ
れる。
このように合成された超微粒の窒化アルミニウムは後続
供給されるアーク用窒素の圧力で導管7を上昇し、隣接
された回収装置17に導入され回収される。回収方法は
例えば静電捕集部材18にて吸着させ、下部の容器19
に収容後密閉して取り出すなど任意であり、回収後の窒
素は放出すればよい。
上記工程において、アルミニウムの蒸発による湯面91
の変動は場面検出器15が検出し、可逆モータ15によ
り湯面押圧体12が下降し、筒状槽4bの湯面91′を
押し下げることで自動的に調整され、常に黒鉛電極8と
場面91間に適正な放電ギャップが形成される。
本発明はアルミニウムを溶融状としこれの限定された面
積の湯面上でアーク放電を起こさせて高温蒸気化すると
同時にその限られた蒸気発生領域に窒素を供給すること
で高温加熱により原子状の窒素を作り、アルミニウム蒸
気と直接窒化反応させるものであり、したがってアーク
が安定し、未反応アルミニウムも生じず、酸素などの他
の不純物の混入も起こらない。
次に実験例を示す。
ガスタイト室に窒素を60012/hrの流量で供給し
て1気圧の窒素雰囲気とし、純度99.9%のアルミニ
ウムを内径40rrnの黒鉛ルツボを内蔵した加熱炉で
800 ’Cに溶解し、この状態を保持しながら直径1
5m+の黒鉛電極を湯面と常時6mwのギャップを保つ
ように制御し、30〜60V、7〜20Aの範囲で直流
を掛けつつ黒鉛電極の中心にアーク用窒素を7009/
hr供給し、前記ギャップゾーンに吹き付けた。その結
果、高純度のAINが高効率で製造された。
〔発明の効果〕
以上説明した本発明によるときには、高純度アルミニウ
ムを筒状ルツボ中で溶解し、湯面に対峙させた電極によ
りアーク放電を行いつつアーク放電域に窒素ガスを供給
することで高温加熱し原子状の窒素を創成させ、かつそ
れをアーク放電て生成したアルミニウム蒸気と直接反応
させるようにしたので、高純度の窒化アルミニウムを効
率良く量産することができ、また規模の大型化も容易で
、製造コストを低減することができるなどのすぐれた効
果が得られる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明を実施するための装置と実施状態を例示
する断面図、第2図は本発明の別の実施例を示す部分的
断面図である。 1・・・ガスタイト室、3・・・加熱炉、4・・・黒鉛
ルツボ、4a、4b・・・筒状槽、8・・・黒鉛電極、
1トアーク用窒素の供給手段 代理人 弁理士  黒 1) 泰 弘   ″□第2 
図 ↓ 手続補正書(自発) 昭和61年1月21日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高純度アルミニウムを筒状ルツボ中で溶解し、湯面に対
    峙させた電極によりアーク放電を行いつつアーク放電域
    に窒素ガスを供給して高温加熱しアルミニウム蒸気と合
    成反応を得ることを特徴とする窒化アルミニウムの製造
    法。
JP28565985A 1985-12-20 1985-12-20 窒化アルミニウム製造装置 Granted JPS62148310A (ja)

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JP28565985A JPS62148310A (ja) 1985-12-20 1985-12-20 窒化アルミニウム製造装置

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JP28565985A JPS62148310A (ja) 1985-12-20 1985-12-20 窒化アルミニウム製造装置

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JPS62148310A true JPS62148310A (ja) 1987-07-02
JPH0362642B2 JPH0362642B2 (ja) 1991-09-26

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105908176A (zh) * 2016-05-09 2016-08-31 佛山科学技术学院 一种通过液中放电在铝板上生成氮化铝薄膜的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50160199A (ja) * 1974-06-20 1975-12-25
JPS56155640A (en) * 1980-05-06 1981-12-01 Daido Steel Co Ltd Plasma spray process for obtaining metal compound material
JPS5957904A (ja) * 1982-09-25 1984-04-03 Natl Res Inst For Metals 金属窒化物超微粒子の製造法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50160199A (ja) * 1974-06-20 1975-12-25
JPS56155640A (en) * 1980-05-06 1981-12-01 Daido Steel Co Ltd Plasma spray process for obtaining metal compound material
JPS5957904A (ja) * 1982-09-25 1984-04-03 Natl Res Inst For Metals 金属窒化物超微粒子の製造法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105908176A (zh) * 2016-05-09 2016-08-31 佛山科学技术学院 一种通过液中放电在铝板上生成氮化铝薄膜的方法

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