JPS621474A - 回転塗布装置 - Google Patents

回転塗布装置

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JPS621474A
JPS621474A JP13768785A JP13768785A JPS621474A JP S621474 A JPS621474 A JP S621474A JP 13768785 A JP13768785 A JP 13768785A JP 13768785 A JP13768785 A JP 13768785A JP S621474 A JPS621474 A JP S621474A
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JP
Japan
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substrate
rebounding
plate
liquid
base
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Pending
Application number
JP13768785A
Other languages
English (en)
Inventor
Chikatoshi Satou
佐藤 周逸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS621474A publication Critical patent/JPS621474A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は、回転しているICウェハ、ガラス基板、プラ
スチック基板等の基体の表面にフォトレジスト液9色素
液等の液状物質を滴下しそれら各物質の塗布膜を形成す
る際に用いる回転塗布装置に関し、更に詳しくは、装置
規模を大型化することなく欠陥のない塗布膜を形成可能
な回転塗布装置に関する。
[発明の技術的背景及びその問題点] 塗布膜の形成方法の1つとして、塗布すべき液状物質を
回転している基体中央部に落下させて。
基体に作用する遠心力によって基体周縁方向にその液状
物質を展開させて基体の全表面に塗布膜を形成するいわ
ゆるスピンコード法がある。
この方法は、塗布膜を形成する方法としては、比較的簡
便に薄膜を得ることができる方法なので電子産業分野に
おいて広く適用されている。
例えば、ICウェハ、光ディスク、  DAD用ガラス
基板、液晶ディスプレイ用ガラス基板、プリント基板等
にパターンを形成するためフォトレジスト液を塗布して
フォトレジスト膜を形成する場合、光デイスク用ガラス
基板またはプラスチック基板に記録媒体としての色素薄
膜を形成する場合、ビデオディスク、  DAD用プラ
プラスチック基板号面を保護するための保護膜を形成す
る場合などである。
上記した塗布方法は、第2図に示したような回転塗布装
置を用いて行なわれる。第2図において、21は真空チ
ャックを具備した回転支持体であり、22は液状物質の
滴下ノズルであり、23は回転塗布装置の外枠を構成す
る容器であり、24は余剰液状物質の液流出口である。
上記した装置で、回転塗布を行なう場合には、表面に塗
布膜を形成すべき基体25を回転支持体21に装着し、
て回転支持体21を回転させる。そして、滴下ノズル2
2より液状物質を基体25の中央部に滴下する。この場
合、滴下された液状物質は遠心力により基体25上の周
縁方向に展開して基体全面には塗布膜が形成されるが、
余剰の液状物質は基体25の外に飛散し、容器23の内
壁に衝突する。そして、液状物質が内壁で跳返り、それ
が再び基体25上に不規則に付着することがある。この
ような状態になると、まだ完全に乾燥していない塗布膜
上にはこのはねかえり液が不規則に付着するので、均一
な膜厚の形成が阻害される。
このような問題への対応策として、従来は、基体25と
容器23の内壁までの距離を大きくしたり、容器23の
内壁と基体25との間に、第2図に示すようなはねかえ
り防止板26を容器23の底部に固設して、内壁からの
はねかえり液が再び基体上に付着するのを防止する処置
が採られている。
ところが、近年、ICウェハの大型化や光ディスク等の
大型化に伴って、径の大きな基体の回転塗布を行うこと
が必要になり始めている。しかしながら、上記したはね
かえり防止策を、基体の大型化という状況下にあっても
採用した場合には、装置も全体として大型にせざるを得
ないという問題が発生する。すなわち、大型の基体を従
来寸法の装置内に設置した場合、ただでさえ基体と容器
内壁との距離が短縮するのに、両者の間に更にはねかえ
り防止板を設置する空間を確保するということは、とり
もなおさず容器の外形寸法を拡大せざるを得ないという
問題である。
[発明の目的] 本発明は、上記した問題点を解消し、装置を大型化する
ことなく、液のはねかえりによる膜厚の不均一など欠陥
のない塗la膜を形成可能な回転塗布装置を提供するこ
とを目的とする。
[発明の概要] 木発明者は、上記目的を達成すべく1種々検討を重ねた
結果、基体を支持する回転支持体にはねかえり防止板を
設置して回転塗布を行なえば、装置の外形寸法をそれほ
ど大型化することなく欠陥のない塗布膜を得ることがで
きるとの事実を見出し本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の回転塗布装置は、液状物質を滴下す
る滴下ノズルと、表面に塗布膜が形成されるべき基体を
支持する回転支持体とが容器内に配設されている回転塗
布装置において、該回転支持体上に液状物質のはねかえ
り防止板が周設されていることを特徴とする。
本発明の回転塗布装置は、第1図に示す如く、容器ll
内に、例えば真空チャックを備えた回転支持体12が設
置されており、回転支持体12の中央部上方の容器11
に滴下ノズル13が設けられており、容器13の底部に
は液流出口14が設けられている。
本発明は、上記した回転支持体12上に液状物質のはね
かえり防止板15を周設したことを構造上の最大の特徴
とする。
はねかえり防止板15の回転支持体12への取付は態様
ならびにはねかえり防止板15の形状、大きさ等は、基
体16から飛散する液状物質がはねかえり防止板15に
当るように設定すれば格別限定されるものではないが次
のようにするとよい。
例えば、およそ円筒状のはねかえり防止板15を回転支
持体12上に立設するとよい、この場合、はねかえり防
止板15の形状は、上端の開口部の径を基部の径より小
さくするとよい。すなわち、第1図の縦断面図に示す如
く、はねかえり防止板15を全体として内側に傾斜せし
めた構造にするとよい。
また、はねかえり防止板15の高さは、少なくとも基体
16の表面より高く設定するとよい。
はねかえり防止板の構成材料に関しては、樹脂板よりは
金属板、金網等の方が好ましい。
次に、上記した回転塗布装置を用いて回転塗布を行なう
場合について説明する。
まず、回転支持体12に例えば真空チャックによって基
体18を装着し固定する。そして、回転支持体12を回
転させる。このとき、基体16とはねかえり防止板15
とは共に回転支持体12に固定されているので、基体I
Bとはねかえり防止板15は同一速度で回転する。
次いで、滴下ノズル13から例えばフォトレジスト液を
滴下する。すると、前述したように基体16の表面上に
フォトレジストの塗布膜が形成される。このとき、余剰
のフォトレジスト液は基体の回転により振り切られて基
体の外に飛散していく。
飛散したフォトレジスト液は、はねかえり防止板15に
衝突するが、このときの衝突態様は、基体16とはねか
えり防止板15が同一速度で回転していて基体と防止板
との相対速度は零であるため、飛散液はあたかも静止し
ている基体1Bから静止しているはねかえり防止板15
に衝突したようになりその衝突力は緩和されることにな
る。
それに対して、第2図に示す従来の装置の場合には、例
えば基対25が回転数r (rpm)で回転していると
き、はねかえり防止板26は容器23に固定されている
ため、基体25の半径をR(mm)としたとき、基体2
5から振切られるときのフォトレジスト液の度となり、
したがって、振切られた液は速度Wでもって、あたかも
回転数r (rpm)で回転しているようなはねかえり
防止板26に衝突することになる。
したがって、衝突の際の衝撃度に関してみた場合、本発
明における衝撃度の方が、従来装置における衝撃度より
も著しく弱くなり、はねかえり防止板に衝突した液は再
び基体上に戻ることなく下方に落下する。
[発明の実施例] 第1図に示すような回転塗布装置を用い、回転支持体1
2に取付けたはねかえり防止板15と、後述するガラス
基板との距離を表に示すように変化させた装置で回転塗
布を行なった。
すなわち、直径350mmのガラス基板を用意し、これ
を第1図に示す装置の回転支持体12に固定した。
そして、最初50rpmの回転数でもってガラス基板を
回転させながら、フォトレジストを滴下ノズル13より
滴下した。ついで、ガラス基板の回転数を1100Or
pに上げて、ガラス基板上にフォトレジスト膜を形成し
た。
得られたフォトレジスト膜の半径55〜155 amの
範囲に存在する欠陥や不良部分の個数を検査し、その結
果をはねかえり防止板とガラス基板間の距離ごとに表に
示した。
また、比較例1として、はねかえり防止板を第2図に示
すように配置した従来構造の装置で回転塗布を実施例と
同様に行ない、その結果を表に併記した。比較例2とし
て、はねかえり防止板を設けないで回転塗布を行なった
場合の例も表に併記した。なお、表中比較例2に記載の
「基体との距離」は、基体周縁から容器内壁までの距離
を表わす。
表から明らかなように、比較例1すなわち従来のように
はねかえり防止板を設けた場合、実用性のある膜を得る
には、はねかえり防止板をガラス基板から150鳳−以
上離して設置することが必要であり、その結果、装置外
形寸法は700mmX 700■麿以上必要になること
が判明した。
それに対して、実施例のような構成では、はねかえり防
止板をガラス基板から50鳳腸以上離して回転支持体上
に設ければよく、その結果、装置外形寸法は500■膳
×500謄履程度あればよい。
[発明の効果] 以上、述べた如く1本発明の回転塗布装置においては、
はねかえり防止板の設置位置と基体外縁との距離を小さ
くすることができる。すなわち、装置全体のサイズの縮
小化を図ることができ、これにより、装置設置スペース
を有効に利用でき。
装置自体のコスト低減化を図ることができる。
また、本発明による回転塗布装置は、回転板にはねかえ
り防止板を取付けただけのものであるから、従来の装置
を改造して利用することが容易であるため、新規な設備
投資をすることなく低コストで簡便に回転塗布工程にお
ける品質の向上が図れて有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の回転塗布装置の縦断面を示す模式図、
第2図は従来の回転塗布装置の縦断面を示す模式図であ
る。 12.21:真空チャックを具備した回転支持体15.
213:はねかえり防止板 lft、25:塗布膜を形成すべき基体13.22:液
滴下ノズル 11 、23 :回転塗布装置の容器 14.24:液流出口

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  液状物質を滴下する滴下ノズルと、表面に塗布膜が形
    成されるべき基体を支持する回転支持体とが容器内に配
    設されている回転塗布装置において、 該回転、支持体上に液状物質のはねかえり防止板が周設
    されていることを特徴とする回転塗布装置。
JP13768785A 1985-06-26 1985-06-26 回転塗布装置 Pending JPS621474A (ja)

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JP13768785A JPS621474A (ja) 1985-06-26 1985-06-26 回転塗布装置

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JP13768785A JPS621474A (ja) 1985-06-26 1985-06-26 回転塗布装置

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JPS621474A true JPS621474A (ja) 1987-01-07

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ID=15204457

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JP13768785A Pending JPS621474A (ja) 1985-06-26 1985-06-26 回転塗布装置

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JP (1) JPS621474A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6223474A (ja) * 1985-07-19 1987-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転式振り切り装置のはねかえり防止装置
CN101961702A (zh) * 2010-09-07 2011-02-02 天津理工大学 一种应用于石英晶振片的旋转镀膜装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6223474A (ja) * 1985-07-19 1987-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転式振り切り装置のはねかえり防止装置
JPH0669544B2 (ja) * 1985-07-19 1994-09-07 松下電器産業株式会社 回転式振り切り装置のはねかえり防止装置
CN101961702A (zh) * 2010-09-07 2011-02-02 天津理工大学 一种应用于石英晶振片的旋转镀膜装置

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