JPS62140503A - マイクロ波ストリツプ線路 - Google Patents

マイクロ波ストリツプ線路

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JPS62140503A
JPS62140503A JP60281058A JP28105885A JPS62140503A JP S62140503 A JPS62140503 A JP S62140503A JP 60281058 A JP60281058 A JP 60281058A JP 28105885 A JP28105885 A JP 28105885A JP S62140503 A JPS62140503 A JP S62140503A
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JP
Japan
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strip
conductor
line
dielectric substrate
conductors
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JP60281058A
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Inventor
Kazunori Handa
半田 和典
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は誘電体基板上にマイクロ波回路を構成する際に
用いるマイクロ波ストリップ線路に関する。
〔従来の技術〕
従来、誘電体基板上にマイクロ波回路を構成する場合に
はストリップ導体と接地導体とで構成したストリップ線
路を用いているが、回路の構成上の理由からこのストリ
ップ導体を誘電体基板の表面側から裏面側に変換するこ
とが必要とされる場合がある。このため、一般には2枚
の独立した誘電体基板に夫々ストリップ線路を構成し、
これら各ストリップ線路の接地導体を互いに接触させる
ようにして誘電体基板を配設し、かつ誘電体基板を貫通
する導体を用いて各ストリップ導体間を接続する構造が
用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のストリップ線路構造では、ストリップ導
体の表裏の変換を行うために2枚の独立した誘電体基板
を必要とするために、1枚の誘電体基板で構成されたも
のに比較して構造が複雑になるという問題がある。
一方、1枚の誘電体基板で構成するものは、1枚の誘電
体基板の表と裏に夫々形成したストリップ導体を、この
誘電体基板を貫通する導体で相互に接続した構成を採用
している。しかしながら、この構成では貫通導体による
接続部分において接地導体が不連続になることは避けら
れず、直流回路では適用できても、マイクロ波の回路で
はスト’J yプ導体の接続部の不整合が生じてその適
用は困難なものになる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のマイクロ波ストリップ線路は、誘電体基板の表
と裏に設けたストリップ導体を整合のとれた状態で貫通
接続し、かつ構造の簡易化を図るものである。
本発明のマイクロ波ストリップ線路は、1枚の誘電体基
板の表と裏に夫々形成したストリップ導体を基板を貫通
する導体で互いに接続するとともに、この接続部分には
誘電体基板から所定寸法の空隙を介して面状の導体を配
設し、かつこれに各ストリップ線路の接地導体を接続し
てサスペンデッド線路を形成した構成としている。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図及び第2図は本発明の一実施例の斜視図及び断面
図である。1枚の誘電体基板1の一側位置には表面にス
トリップ導体2を設け、裏面に接地導体3を設けたスト
リップ線路4を形成している。また、同じ誘電体基板1
の他側位置には裏面にストリップ導体5を設け、表面に
接地導体6を設けたストリップ線路7を形成している。
そして、前記ストリップ導体2とストリップ導体5とは
誘電体基板1を貫通する導体8によって相互に接続して
いる。
また、この各ストリップ導体2と5の接続部では夫々の
接地導体3.6を除去する一方で、誘電体基板1の表面
及び裏面の夫々と所定寸法の空隙をおいて面状の導体9
,10を対向配置しており、これら導体9,10を前記
接地導体6.3に夫々接続させている。なお、この実施
例では前記導体9.10は一部を切り欠いた箱状に形成
しており、各導体9,10と前記ストリップ導体2.5
とで夫々サスペンデッド線路を構成している。
したがって、この構成では一側位置における表面のスト
リップ導体2のストリップ線路4から入ったマイクロ波
は、空隙を隔てて設けた導体9とで構成されるサスペン
デッド線路を伝送され、誘電体基板1を貫通する導体8
によって基板の裏面側に変換される。そして、今度は裏
面側の導体10におけるサスペンデッド線路から裏面の
ストリップ導体5のストリップ線路7に伝送されること
になる。
このマイクロ波の表から裏への変換に際して、サスペン
デッド線路の特性抵抗は各ストリップ導体2,5の幅寸
法及びこれらストリップ導体と空隙を隔てた4体9.1
0の間隔Hを適宜変化させることにより調整でき、これ
により夫々接続されるストリップ線路4.7との適正な
整合を行うことができる。また、誘電体基板1を貫通す
る導体8から各ストリップ導体2.5の端部までの長さ
1、、E2を選定することによりその付加容量を調整で
き、導体8における整合をとることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、1枚の誘電体基板の表と
裏に夫々形成したストリップ導体を基板を貫通する導体
で互いに接続するとともに、この接続部分には誘電体基
板から所定寸法の空隙を介して面状の導体を配設し、か
つこれに各ストリップ線路の接地導体を接続してサスペ
ンデッド線路を構成しているので、同一の誘電体基板に
おいてストリップ導体の形成する面を変換することを可
能にして構造の簡易化を図ることができるとともに、ス
トリップ線路の接続部分における整合を適正にとること
ができる。またこれにより、マイクロ波信号の人、出力
端子の位置、或いは基板上に構成される回路部品の取付
面や接続面を表裏のいずれの面にも設定でき、マイクロ
波回路の構成を有利に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の斜視図、第2図はその断面
図である。 1・・・誘電体基板、2・・・ストリップ導体、3・・
・接地導体、4・・・ストリップ線路、5・・・ストリ
ップ導体、6・・・接地導体、7・・・ストリップ線路
、8・・・貫通導体、9.10・・・面状の導体。 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、誘電体基板の表裏面のいずれか一方に設けたストリ
    ップ導体と、他方の面に設けた接地導体とでストリップ
    線路を構成し、このストリップ線路を1枚の誘電体基板
    上において表裏逆に変換するように構成したマイクロ波
    ストリップ線路において、表裏逆に構成される前記スト
    リップ線路の各ストリップ導体を誘電体基板を貫通する
    導体で互いに接続するとともに、この接続部分には前記
    誘電体基板の表裏面から所定寸法の空隙を介して面状の
    導体を夫々配設し、かつこれら各面状の導体に前記各ス
    トリップ線路の接地導体を接続してサスペンデッド線路
    を構成したことを特徴とするマイクロ波ストリップ線路
JP60281058A 1985-12-16 1985-12-16 マイクロ波ストリツプ線路 Expired - Lifetime JPH0754881B2 (ja)

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JPS62140503A true JPS62140503A (ja) 1987-06-24
JPH0754881B2 JPH0754881B2 (ja) 1995-06-07

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ID=17633720

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JP60281058A Expired - Lifetime JPH0754881B2 (ja) 1985-12-16 1985-12-16 マイクロ波ストリツプ線路

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0848447A2 (en) * 1996-12-12 1998-06-17 Sharp Kabushiki Kaisha Transmission circuit using strip line in three dimensions
US6998943B2 (en) 2003-03-03 2006-02-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha High-frequency power amplifier

Cited By (4)

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EP0848447A2 (en) * 1996-12-12 1998-06-17 Sharp Kabushiki Kaisha Transmission circuit using strip line in three dimensions
EP0848447A3 (en) * 1996-12-12 1999-03-10 Sharp Kabushiki Kaisha Transmission circuit using strip line in three dimensions
US6023211A (en) * 1996-12-12 2000-02-08 Sharp Kabushiki Kaisha Transmission circuit using strip line in three dimensions
US6998943B2 (en) 2003-03-03 2006-02-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha High-frequency power amplifier

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JPH0754881B2 (ja) 1995-06-07

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