JPS62139328A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS62139328A JPS62139328A JP60279327A JP27932785A JPS62139328A JP S62139328 A JPS62139328 A JP S62139328A JP 60279327 A JP60279327 A JP 60279327A JP 27932785 A JP27932785 A JP 27932785A JP S62139328 A JPS62139328 A JP S62139328A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- wafer
- semiconductor manufacturing
- allowable value
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- Safety Devices In Control Systems (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野］
本発明は、半導体製造装置に関し、さらに詳しくは半導
体ウェハなどの被搬送物をＸＹステージ等によって移動
させながら工程を進める例えばステップアンドリピート
方式の半導体焼付装置などで代表される半導体製造装置
に関する。
体ウェハなどの被搬送物をＸＹステージ等によって移動
させながら工程を進める例えばステップアンドリピート
方式の半導体焼付装置などで代表される半導体製造装置
に関する。
［従来技術］
従来、この種の装置においては、装置動作中にエラー（
障害）が発生したとき、ウェハのリロードおよびリセッ
トによる初期化動作等の手段により装置の動作を続行し
ていた。従って、焼付途中のウェハを無駄にしたり生産
性が低下するという欠点があった。
障害）が発生したとき、ウェハのリロードおよびリセッ
トによる初期化動作等の手段により装置の動作を続行し
ていた。従って、焼付途中のウェハを無駄にしたり生産
性が低下するという欠点があった。
第３図は、従来のステップアンドリピート方式の半導体
焼付装置におけるＸＹステージの制御方式を示すフロー
チャートである。
焼付装置におけるＸＹステージの制御方式を示すフロー
チャートである。
半導体製造装置、特に同図に示すようなステップアンド
リピート方式の半導体焼付装置において、ウェハを搭載
して移動するＸＹステージの制御は、一般に速度側ｔＸ
ｌ（スピード制御）と位置制御の２つのサーボ方式を組
合せて行なわれている。通常、まず速度制御によりＸＹ
ステージを目標位置近傍まで移動し、その後位置制御に
切換えて高請度な位置決めを行なっている。
リピート方式の半導体焼付装置において、ウェハを搭載
して移動するＸＹステージの制御は、一般に速度側ｔＸ
ｌ（スピード制御）と位置制御の２つのサーボ方式を組
合せて行なわれている。通常、まず速度制御によりＸＹ
ステージを目標位置近傍まで移動し、その後位置制御に
切換えて高請度な位置決めを行なっている。
第３図のフローチャートを参照して、従来の装置におけ
るＸＹステージの制御方式について説明する。
るＸＹステージの制御方式について説明する。
まず、ステップ２０１でＸＹステージの停止位置精度の
許容値（トレランス）を設定する。次に、ステップ２０
２でスピード制御によりＸＹステージを駆動し、ＸＹス
テージが予め定められた位置（所定位Ｕ）の近傍に達し
たとき、ステップ２０３に進み位置制御に切換える。そ
して、ステップ２０４でＸＹステージの位置と上記の所
定位置とのずれ恐をステップ２０１で設定したトレラン
スと比較し、このずれ邑がトレランス内に収まるまでス
テップ２０３の位置制御でのＸＹステージ駆動を繰返す
。これにより、ＸＹステージを正確に所定位置に位置決
めする。もしステップ２０４でトレランス内であれば露
光等の適当な処理の後、ステップ２０５で１ウエハの全
ショットが終了したかどうかを判定し、全ショット終了
であれば当該ウェハの処理終了とする。また、ステップ
２０５で全ショットについて終了していなければステッ
プ２０２に戻り、再びステップ２０２〜２０４の処理を
繰返す。
許容値（トレランス）を設定する。次に、ステップ２０
２でスピード制御によりＸＹステージを駆動し、ＸＹス
テージが予め定められた位置（所定位Ｕ）の近傍に達し
たとき、ステップ２０３に進み位置制御に切換える。そ
して、ステップ２０４でＸＹステージの位置と上記の所
定位置とのずれ恐をステップ２０１で設定したトレラン
スと比較し、このずれ邑がトレランス内に収まるまでス
テップ２０３の位置制御でのＸＹステージ駆動を繰返す
。これにより、ＸＹステージを正確に所定位置に位置決
めする。もしステップ２０４でトレランス内であれば露
光等の適当な処理の後、ステップ２０５で１ウエハの全
ショットが終了したかどうかを判定し、全ショット終了
であれば当該ウェハの処理終了とする。また、ステップ
２０５で全ショットについて終了していなければステッ
プ２０２に戻り、再びステップ２０２〜２０４の処理を
繰返す。
このとき、ＸＹステージの制御回路の異常またはメカ的
な異常等の障害により、ステップ２０４の判定で上記ず
れ邑がいつまでもトレランス内に入らないことがあり、
この場合にはステップ２０３〜２０４をいつまでも繰返
すことになる。つまり、外観上では装置は停止してしま
う。この原因が装置の致命的な故障によるものであれば
仕方がないが、偶発的な原因、例えば誤ってステージに
触れてしまった場合、あるいはノイズにより制御回路の
１言号が乱れた等の原因であれば、このまま次ショット
以降の処理を継続させても装置には支障がないと考えら
れる。
な異常等の障害により、ステップ２０４の判定で上記ず
れ邑がいつまでもトレランス内に入らないことがあり、
この場合にはステップ２０３〜２０４をいつまでも繰返
すことになる。つまり、外観上では装置は停止してしま
う。この原因が装置の致命的な故障によるものであれば
仕方がないが、偶発的な原因、例えば誤ってステージに
触れてしまった場合、あるいはノイズにより制御回路の
１言号が乱れた等の原因であれば、このまま次ショット
以降の処理を継続させても装置には支障がないと考えら
れる。
ところが、このような場合、従来例では焼付途中のウェ
ハを無駄にして再度新しいウェハを用い、装置の初期化
から動作を続行していた。従って、ウェハを無駄にした
り、装置のダウンタイムが増加し処理効率が低下すると
いう欠点があった。
ハを無駄にして再度新しいウェハを用い、装置の初期化
から動作を続行していた。従って、ウェハを無駄にした
り、装置のダウンタイムが増加し処理効率が低下すると
いう欠点があった。
［発明の目的〕
本発明は、上述の従来形における問題点に鑑み、半導体
製造装置において、装置が停止したときにオペレータの
判断により継続処理かりセット／ｆクエハ搬出かを選択
し、装置が作動可能であれば継続処理をさせるという構
想に基づいて、装置の不要なダウンタイムを減少させ、
処理効率の低下を防止することを目的とする。
製造装置において、装置が停止したときにオペレータの
判断により継続処理かりセット／ｆクエハ搬出かを選択
し、装置が作動可能であれば継続処理をさせるという構
想に基づいて、装置の不要なダウンタイムを減少させ、
処理効率の低下を防止することを目的とする。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係るステップアンドリピ
ート方式の半導体焼イ」装置の外観を示す斜視図であり
、焼付光源１０からの光で照明されるレチクル１は、Ｘ
Ｙ直角座標内で移動可能でかつ垂直軸θの周りに回動可
能なレチクルステージ２に保持され、レチクルパターン
を焼付レンズ３を介してウェハステージ６上のウェハ４
に投影するようになされている。この投影光学系にはＴ
ＴＬアライメントおよび観察用の７ライメントスコープ
５が組合わされ、９はそのための撮像管である。
ート方式の半導体焼イ」装置の外観を示す斜視図であり
、焼付光源１０からの光で照明されるレチクル１は、Ｘ
Ｙ直角座標内で移動可能でかつ垂直軸θの周りに回動可
能なレチクルステージ２に保持され、レチクルパターン
を焼付レンズ３を介してウェハステージ６上のウェハ４
に投影するようになされている。この投影光学系にはＴ
ＴＬアライメントおよび観察用の７ライメントスコープ
５が組合わされ、９はそのための撮像管である。
さらにまたこの投影光学系にはオフアクシスのＴＴＶプ
リアライメント系も付設されており、７はその対物レン
ズ、８はその搬像管である。１１ａ。
リアライメント系も付設されており、７はその対物レン
ズ、８はその搬像管である。１１ａ。
１１ｂはウェハをステージ６へ供給するウェハ供給用キ
ャリア、１２ａ 、 １２ｂはステージ６からウェハを
引きとるウェハ回収用キャリアであり、これらキャリア
とステージとの間のウェハの受渡しは、それぞれ定めら
れたステージ位置（受渡し位置）でハンド装置１６によ
り行なわれる。１３は前記撮像管８および９によって撮
像した映像を選択的にモニタ表示するＣＲＴ表示装置、
１４はジョイスティックやスイッチ類を有する操作パネ
ル、１５はシステムを制御するコンソールである。
ャリア、１２ａ 、 １２ｂはステージ６からウェハを
引きとるウェハ回収用キャリアであり、これらキャリア
とステージとの間のウェハの受渡しは、それぞれ定めら
れたステージ位置（受渡し位置）でハンド装置１６によ
り行なわれる。１３は前記撮像管８および９によって撮
像した映像を選択的にモニタ表示するＣＲＴ表示装置、
１４はジョイスティックやスイッチ類を有する操作パネ
ル、１５はシステムを制御するコンソールである。
次に、第１図を用いて、ウェハの搬送を中心にＸＹステ
ージの動作シーケンスについて説明づ−れば、供給１：
ｔｙ ’）ア１１ｂから搬出されたウェハ４は、ハン
ド装置１６によって所定のウェハ受渡し位置にてステー
ジ６に供給される。この後、ステージ６はＩＴＶプリア
ライメント用対物レンズ７の下へ移動され、プリアライ
メント位置に停止される。
ージの動作シーケンスについて説明づ−れば、供給１：
ｔｙ ’）ア１１ｂから搬出されたウェハ４は、ハン
ド装置１６によって所定のウェハ受渡し位置にてステー
ジ６に供給される。この後、ステージ６はＩＴＶプリア
ライメント用対物レンズ７の下へ移動され、プリアライ
メント位置に停止される。
この位置でＩＴＶによるモニタ１３の画１象を用いてス
テージの微小移動によりアリアライメントが行なわれた
後、ステージ６は焼付のための第１ショット位置へ移動
される。この時点で次のウェハがハンド装置１６によっ
てウェハ受渡し位置に運ばれている。第１ショット位置
でのウェハのオートアライメントが完了すると露光が行
なわれ、第１シヨツトの焼付が終了する。ステージ６の
ステップ移動により以下同様に第２シヨツト以降のオー
トアライメントと露光とが行なわれ、予め指定されたシ
ョツト数を満したのちに、ウェハ４はハンド装置１６（
または回収専用のハンド装置を用いるようにしてもよい
）によって所定の受渡し位置にて回収キャリア１２ｂに
収納され、この時点で次のウェハがステージ６に供給さ
れて以下同様の動作が繰返される。
テージの微小移動によりアリアライメントが行なわれた
後、ステージ６は焼付のための第１ショット位置へ移動
される。この時点で次のウェハがハンド装置１６によっ
てウェハ受渡し位置に運ばれている。第１ショット位置
でのウェハのオートアライメントが完了すると露光が行
なわれ、第１シヨツトの焼付が終了する。ステージ６の
ステップ移動により以下同様に第２シヨツト以降のオー
トアライメントと露光とが行なわれ、予め指定されたシ
ョツト数を満したのちに、ウェハ４はハンド装置１６（
または回収専用のハンド装置を用いるようにしてもよい
）によって所定の受渡し位置にて回収キャリア１２ｂに
収納され、この時点で次のウェハがステージ６に供給さ
れて以下同様の動作が繰返される。
このような動作におけるステージ６ （ＸＹステージ）
の駆動制御を第２図のフローチャートを参照して説明す
る。
の駆動制御を第２図のフローチャートを参照して説明す
る。
まず、ステップ１０１でＸＹステージの停止位置精度の
許容値（トレランス）を設定する。次に、ステップ１０
２でスピード制御によりＸＹステージを駆動し、ＸＹス
テージが予め定められた位置（所定位置）の近傍に達し
たとき、ステップ１０３に進み位置制御によるＸＹステ
ージの駆動に切換える。そして、ステップ１０４でＸＹ
ステージの位置と上記の所定位置とのずれ聞をステップ
１０１で設定したトレランスと比較し、このずれ量がト
レランス内に収まるかどうか判別する。トレランス内の
ときはステップ１０６へ分岐する。ステップ１０６では
、１ウエハの全ショットが終了したかどうかを判定し、
全ショット終了であれば当該ウェハの処理終了とする。
許容値（トレランス）を設定する。次に、ステップ１０
２でスピード制御によりＸＹステージを駆動し、ＸＹス
テージが予め定められた位置（所定位置）の近傍に達し
たとき、ステップ１０３に進み位置制御によるＸＹステ
ージの駆動に切換える。そして、ステップ１０４でＸＹ
ステージの位置と上記の所定位置とのずれ聞をステップ
１０１で設定したトレランスと比較し、このずれ量がト
レランス内に収まるかどうか判別する。トレランス内の
ときはステップ１０６へ分岐する。ステップ１０６では
、１ウエハの全ショットが終了したかどうかを判定し、
全ショット終了であれば当該ウェハの処理終了とする。
また、ステップ１０６で全ショットについて終了してい
なければステップ１０２に戻り、再びステップ１０２〜
１０６の処理を繰返す。
なければステップ１０２に戻り、再びステップ１０２〜
１０６の処理を繰返す。
また、ステップ１０４で上記のずれ酪がトレランス内に
収まっていないときはステップ１０５で継続処理判定フ
ラグをチェックする。このフラグはステップ１０４でＸ
Ｙステージの精度エラーを検出した場合に、次ショット
の処理を継続するか否かを判定するためのフラグである
。なお、本実施例の半導体製造装置は処理を継続する指
令の入力用に本体のＣＰＵと通信回線でつながれたコン
ソール１５を備えており、継続処理判定フラグのオン／
オフはコンソール１５からコマンドを入力して変更する
ことができる。
収まっていないときはステップ１０５で継続処理判定フ
ラグをチェックする。このフラグはステップ１０４でＸ
Ｙステージの精度エラーを検出した場合に、次ショット
の処理を継続するか否かを判定するためのフラグである
。なお、本実施例の半導体製造装置は処理を継続する指
令の入力用に本体のＣＰＵと通信回線でつながれたコン
ソール１５を備えており、継続処理判定フラグのオン／
オフはコンソール１５からコマンドを入力して変更する
ことができる。
ステップ１０５でフラグがオフのときはステップ１０３
へ分岐しＸＹステージと所定位置とのずれ量がトレラン
ス内に入るまで位置制御でのＸＹステージ駆動を繰返す
。すなわち、ステップ１０３〜１０５を繰返す。また、
ステップ１０５でこのフラグがオンのとき次ショット以
降の処理を継続するためステップ１０６へ進む。
へ分岐しＸＹステージと所定位置とのずれ量がトレラン
ス内に入るまで位置制御でのＸＹステージ駆動を繰返す
。すなわち、ステップ１０３〜１０５を繰返す。また、
ステップ１０５でこのフラグがオンのとき次ショット以
降の処理を継続するためステップ１０６へ進む。
本実施例においてステップ１０３→１０４→１０５→１
０３のループで位置制御が繰返される際、ＸＹステージ
に何らかの異常が起きてステップ１０４でトレランス内
に入らないと永久ループに陥る。しかし、制御回路にお
いて継続処理の判定フラグを設け、ｌ＋！ｌ理を継続さ
せたいときにはコンソールからコマンドを入力してこの
判定フラグを変えることができるので、上記のループか
ら抜は出すことができる。これにより￥Ｒ置は異常の原
因が致命的なものでない限り処理を続行することができ
、この場合焼付途中のウェハを無駄にすることがなく装
置のダウンタイムも減少する。
０３のループで位置制御が繰返される際、ＸＹステージ
に何らかの異常が起きてステップ１０４でトレランス内
に入らないと永久ループに陥る。しかし、制御回路にお
いて継続処理の判定フラグを設け、ｌ＋！ｌ理を継続さ
せたいときにはコンソールからコマンドを入力してこの
判定フラグを変えることができるので、上記のループか
ら抜は出すことができる。これにより￥Ｒ置は異常の原
因が致命的なものでない限り処理を続行することができ
、この場合焼付途中のウェハを無駄にすることがなく装
置のダウンタイムも減少する。
なお、本発明は、半導体焼付装置のＸＹステージ制御に
限らず、レチクルステージやアライメントスコープなど
あらゆる制御回路に適用される。
限らず、レチクルステージやアライメントスコープなど
あらゆる制御回路に適用される。
また、ウエハブ口−バやウェハごみ検査装置等、他の半
導体製造装置にも適用される。
導体製造装置にも適用される。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、半導体製造装置のＸ
Ｙステージ等の制御回路において、装置に発生する障害
を検知したときは当該処理を回避し処理を継続するよう
にしているので、装置のダウンタイムを極力減らし処理
効率の低下を防止することができるという効果がある。
Ｙステージ等の制御回路において、装置に発生する障害
を検知したときは当該処理を回避し処理を継続するよう
にしているので、装置のダウンタイムを極力減らし処理
効率の低下を防止することができるという効果がある。
第１図は、本発明の一実施例に係るステップアンドリピ
ート方式の半導体焼付装置の外観を示す斜視図、 第２図は、上記実施例のｔｉ＠におけるＸＹステージの
制御動作を説明するためのフローチャート、第３図は、
従来の半導体焼付装置におけるＸＹステージの制御方式
を示すフローチャートである。 １・・・レチクル、３・・・焼付レンズ、４・・・ウェ
ハ、５・・・アライメントスコープ、６・・・ウェハス
テージ、１４・・・操作パネル、１５・・・コンソール
。
ート方式の半導体焼付装置の外観を示す斜視図、 第２図は、上記実施例のｔｉ＠におけるＸＹステージの
制御動作を説明するためのフローチャート、第３図は、
従来の半導体焼付装置におけるＸＹステージの制御方式
を示すフローチャートである。 １・・・レチクル、３・・・焼付レンズ、４・・・ウェ
ハ、５・・・アライメントスコープ、６・・・ウェハス
テージ、１４・・・操作パネル、１５・・・コンソール
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、装置が正常に動作しない場合に同じ動作を繰返し実
行する制御手段を有する半導体製造装置において、装置
に発生する障害を検知する手段と、該検知手段により障
害を検知した場合に該障害が発生した処理を回避し処理
を継続させる手段とを備えることを特徴とする半導体製
造装置。 ２、前記処理継続手段が、外部からの入力により処理継
続するか否かを選択するものである特許請求の範囲第１
項記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60279327A JPS62139328A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60279327A JPS62139328A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62139328A true JPS62139328A (ja) | 1987-06-23 |
Family
ID=17609630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60279327A Pending JPS62139328A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62139328A (ja) |
-
1985
- 1985-12-13 JP JP60279327A patent/JPS62139328A/ja active Pending
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