JPS62131A - ソ−ス フオロア電流モ−ド論理セル - Google Patents
ソ−ス フオロア電流モ−ド論理セルInfo
- Publication number
- JPS62131A JPS62131A JP61089853A JP8985386A JPS62131A JP S62131 A JPS62131 A JP S62131A JP 61089853 A JP61089853 A JP 61089853A JP 8985386 A JP8985386 A JP 8985386A JP S62131 A JPS62131 A JP S62131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- logic
- input
- transistor
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 11
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 18
- 101100219315 Arabidopsis thaliana CYP83A1 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100269674 Mus musculus Alyref2 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100140580 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) REF2 gene Proteins 0.000 description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 101000806846 Homo sapiens DNA-(apurinic or apyrimidinic site) endonuclease Proteins 0.000 description 1
- 101000835083 Homo sapiens Tissue factor pathway inhibitor 2 Proteins 0.000 description 1
- 102100026134 Tissue factor pathway inhibitor 2 Human genes 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/09432—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors with coupled sources or source coupled logic
- H03K19/09436—Source coupled field-effect logic [SCFL]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/356017—Bistable circuits using additional transistors in the input circuit
- H03K3/356034—Bistable circuits using additional transistors in the input circuit the input circuit having a differential configuration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Steering Control In Accordance With Driving Conditions (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、一般に、高速デジタル論理回路に係D、特に
、接合型トランジスタではなくて電界効果トランジスタ
を組み込んだ電流モード論理回路に係る。又、本発明は
、高速電流モード論理回路を構成するための組み立てブ
ロックも提供する。
、接合型トランジスタではなくて電界効果トランジスタ
を組み込んだ電流モード論理回路に係る。又、本発明は
、高速電流モード論理回路を構成するための組み立てブ
ロックも提供する。
従来の技術
電流モード論理回路として知られている一般的な種類の
回路のうちの一部分を形成するエミッタ接続の論理回路
は、デジタルの分野で非常に速いスイッチ手段時間を得
るために何年も前に最初に開発されたものである。エミ
ッタ接続の論理回路の場合、一対の高利得トランジスタ
が使用され、それらのエミッタが互いに接続されてノー
ドを形成し、このノードには定電流源も接続される。こ
の電流源は、一度に両方のトランジスタに流すことので
きる電流の合計量を制限する。「基準トランジスタ」と
称する一方のトランジスタのベースは基準電圧に接続さ
れ、「入力トランジスタ」と称する他方のトランジスタ
のベースは、入力信号を受は取るように接続される。出
力信号は、これらトランジスタのコレクタ端子から取り
出され、これらコレクタ端子は負荷を介して電源に接続
される。入力信号の電位即ち電圧レベルが基準レベルよ
り著しく低い時には、基準トランジスタが付勢され即ち
オンにされて、電流を導通する。入力トランジスタには
電流が流れないので、そのコレクタ端子からの出力信号
は電源の電圧レベルにある。基準トランジスタに接続さ
れた負荷には電流が流れるので、そのコレクタ端子から
取り出される信号の電圧レベルは、電源の電圧レベルか
ら、負荷の電圧降下に対応する量だけ減少されたものと
なる。入力信号の電圧レベルが基準電圧に近い点まで増
加すると、入力トランジスタも導通を開始する。入力信
号のレベルが上昇するにつれて。
回路のうちの一部分を形成するエミッタ接続の論理回路
は、デジタルの分野で非常に速いスイッチ手段時間を得
るために何年も前に最初に開発されたものである。エミ
ッタ接続の論理回路の場合、一対の高利得トランジスタ
が使用され、それらのエミッタが互いに接続されてノー
ドを形成し、このノードには定電流源も接続される。こ
の電流源は、一度に両方のトランジスタに流すことので
きる電流の合計量を制限する。「基準トランジスタ」と
称する一方のトランジスタのベースは基準電圧に接続さ
れ、「入力トランジスタ」と称する他方のトランジスタ
のベースは、入力信号を受は取るように接続される。出
力信号は、これらトランジスタのコレクタ端子から取り
出され、これらコレクタ端子は負荷を介して電源に接続
される。入力信号の電位即ち電圧レベルが基準レベルよ
り著しく低い時には、基準トランジスタが付勢され即ち
オンにされて、電流を導通する。入力トランジスタには
電流が流れないので、そのコレクタ端子からの出力信号
は電源の電圧レベルにある。基準トランジスタに接続さ
れた負荷には電流が流れるので、そのコレクタ端子から
取り出される信号の電圧レベルは、電源の電圧レベルか
ら、負荷の電圧降下に対応する量だけ減少されたものと
なる。入力信号の電圧レベルが基準電圧に近い点まで増
加すると、入力トランジスタも導通を開始する。入力信
号のレベルが上昇するにつれて。
入力トランジスタは、更に多くの電流を導通し。
電流源によって制御されるノードの電位レベルを増加さ
せる。ノードの電位レベルが増加するために、基準トラ
ンジスタのベースとエミッタとの間の電位差が減少し、
基準トランジスタがオフになり始める。最終的に、入力
信号のレベルは、入力1、ランジスタの電流によりノー
ドの電位レベルが基準トラン・ジスタを完全にオフにす
る点まで上昇するようなところへと増加する。この状態
においては、入力トランジスタのコレクタ端子からの出
力信号が低レベルであD、一方基準トランジスタの出力
トランジスタからの出力信号が高レベルであD、従って
、エミッタ接続の論理回路は、状態を切り換えたと云え
る。
せる。ノードの電位レベルが増加するために、基準トラ
ンジスタのベースとエミッタとの間の電位差が減少し、
基準トランジスタがオフになり始める。最終的に、入力
信号のレベルは、入力1、ランジスタの電流によりノー
ドの電位レベルが基準トラン・ジスタを完全にオフにす
る点まで上昇するようなところへと増加する。この状態
においては、入力トランジスタのコレクタ端子からの出
力信号が低レベルであD、一方基準トランジスタの出力
トランジスタからの出力信号が高レベルであD、従って
、エミッタ接続の論理回路は、状態を切り換えたと云え
る。
入力信号が再び減少する時には、上記とは逆の動作が生
じ、回路は、その元の状態に復帰したと云える。エミッ
タ接続の論理回路は、本質的に2状態のスイッチであD
、2つのトランジスタが交互にオン及びオフになる時に
これがスイッチの状態に反映される。
じ、回路は、その元の状態に復帰したと云える。エミッ
タ接続の論理回路は、本質的に2状態のスイッチであD
、2つのトランジスタが交互にオン及びオフになる時に
これがスイッチの状態に反映される。
発明が解決しようとする問題点
エミッタ接続の論理回路を構成するトランジスタは、一
般に、比較的利得が高く、入力信号の電圧レベルが僅か
に変化するだけで基準トランジスタをオン及びオフに切
り換えるに充分である・従って、遷移レベル付近の入力
信号の僅かなレベル変動は、一般的、回路を構成するト
ランジスタの状態を変化させるに充分なものであD、即
ち、エミッタ接続の論理回路は、通常、入力「ノイズ」
裕度が比較的悪いものである。更に、エミッタ接続の論
理回路は、入力トランジスタに加えて基準トランジスタ
を必要とするので、集積回路チップ上に多くのスペース
を必要とする。又、エミッタ接続の論理回路では、トラ
ンジスタ対からの出力信号の論理電圧レベルが入力信号
の論理電圧レベルからしばしばシフトするので、エミッ
タホロワのようなバッファ回路が出力回路に必要とされ
る。
般に、比較的利得が高く、入力信号の電圧レベルが僅か
に変化するだけで基準トランジスタをオン及びオフに切
り換えるに充分である・従って、遷移レベル付近の入力
信号の僅かなレベル変動は、一般的、回路を構成するト
ランジスタの状態を変化させるに充分なものであD、即
ち、エミッタ接続の論理回路は、通常、入力「ノイズ」
裕度が比較的悪いものである。更に、エミッタ接続の論
理回路は、入力トランジスタに加えて基準トランジスタ
を必要とするので、集積回路チップ上に多くのスペース
を必要とする。又、エミッタ接続の論理回路では、トラ
ンジスタ対からの出力信号の論理電圧レベルが入力信号
の論理電圧レベルからしばしばシフトするので、エミッ
タホロワのようなバッファ回路が出力回路に必要とされ
る。
更に、このバッファ回路は5通常、高い(肯定)論理レ
ベルと低い(否定)論理レベルとの間に比較的値かな電
圧差しか与えない。然し乍ら′、エミッタ接続の論理回
路は、しばしば有効となる相補的な出力信号を発生する
ことができる。更に、回路を形成するトランジスタは、
それらの不飽和作動領域に保持されるので、それらのス
イッチ手段速度は、他の同様の論理回路で得られるもの
よりも著しく速くなる。
ベルと低い(否定)論理レベルとの間に比較的値かな電
圧差しか与えない。然し乍ら′、エミッタ接続の論理回
路は、しばしば有効となる相補的な出力信号を発生する
ことができる。更に、回路を形成するトランジスタは、
それらの不飽和作動領域に保持されるので、それらのス
イッチ手段速度は、他の同様の論理回路で得られるもの
よりも著しく速くなる。
エミッタ接続の論理回路は、本来、接合型の(即ち、N
PNfJ%PNPの)トランジスタを必要とする。然し
乍ら、近年では、デジタル論理回路、特に集積回路チッ
プの製造に電界効果トランジスタ(FET)を使用する
ことが所望されてきている。砒化ガリウムのFETは、
スイッチ手段時間が非常に速いので、高速スイッチ手段
論理に特に普及してきている。電界効果トランジスタを
用いた多くの回路では、バイポーラトランジスタがしば
しば電界効果トランジスタに直接置き換えられて、FE
T回路が形成される。然し乍ら、電流モード論理回路に
おいてFETに置き換えた場合には、入力のノイズ裕度
が低くなることや、特に。
PNfJ%PNPの)トランジスタを必要とする。然し
乍ら、近年では、デジタル論理回路、特に集積回路チッ
プの製造に電界効果トランジスタ(FET)を使用する
ことが所望されてきている。砒化ガリウムのFETは、
スイッチ手段時間が非常に速いので、高速スイッチ手段
論理に特に普及してきている。電界効果トランジスタを
用いた多くの回路では、バイポーラトランジスタがしば
しば電界効果トランジスタに直接置き換えられて、FE
T回路が形成される。然し乍ら、電流モード論理回路に
おいてFETに置き換えた場合には、入力のノイズ裕度
が低くなることや、特に。
砒化ガリウムMESFETを用いた時に出力論理レベル
の電圧差が小さくなること等の不所望な結果を招くこと
がしばしばある。
の電圧差が小さくなること等の不所望な結果を招くこと
がしばしばある。
前記したように、FET トランジスタ又は接合型トラ
ンジスタの電流モード回路に関連した別の問題点は、出
力電圧レベルが入力信号の電圧レベルから典型的にシフ
トすることである。これについては、エミッタホロワ又
はソースホロワを出カバッファトランシスタとして設け
ることによって対処できるが、集積回路チップ上に相当
のスペースがしばしば要求される。
ンジスタの電流モード回路に関連した別の問題点は、出
力電圧レベルが入力信号の電圧レベルから典型的にシフ
トすることである。これについては、エミッタホロワ又
はソースホロワを出カバッファトランシスタとして設け
ることによって対処できるが、集積回路チップ上に相当
のスペースがしばしば要求される。
問題点を解決するための手段
本発明の目的は、砒化ガリウムの電界効果トランジスタ
、特に、MESFET即ち金属半導体電界効果トランジ
スタを組み込んだデジタル電流モード論理回路に対する
新規で且つ改良された回路形態を、提供することである
6本発明の別の目的は、特に砒化ガリウムを用いた集積
回路に電界効果トランジスタを組み込んだもので、入力
ノイズ裕度が高く且つ出力の論理レベル間の電圧揺動が
大きいようなデジタル電流モード論理回路を形成するた
めの組み立てブロックを提供することである。
、特に、MESFET即ち金属半導体電界効果トランジ
スタを組み込んだデジタル電流モード論理回路に対する
新規で且つ改良された回路形態を、提供することである
6本発明の別の目的は、特に砒化ガリウムを用いた集積
回路に電界効果トランジスタを組み込んだもので、入力
ノイズ裕度が高く且つ出力の論理レベル間の電圧揺動が
大きいようなデジタル電流モード論理回路を形成するた
めの組み立てブロックを提供することである。
要約すれば、本発明の新規な回路は入力論理回路網を備
えておD、この回路網は、入力信号を受は取D、これに
応じて、種々の信号の肯定状態に対して別々の電圧レベ
ルを有する同数の信号を発生する。基準電圧発生回路網
は、選択された電圧レベルの基準電圧を発生し、これら
の基準電圧の個数及び値は、入力論理回路網からの信号
の個数と、肯定状態及び否定状態にある時のそれらの電
圧レベルとに対応するものである。基準電圧は、回路の
論理ツリ一部分において電流モード論理スイッチを駆動
できるように選択される。入力論理回路網及び基準電圧
発生回路網は、ダイオードのようなレベルシフト回路を
備え、これらの回路は、肯定状態にある時に信号の電圧
レベルが異なるように各信号の電圧レベルをシフトさせ
る。論理ツリーは、入力論理回路網から信号を受は取る
と共に基準電圧発生回路網から基準電圧を受は取D、こ
れに応じて論理信号を発生する。又、論理ツリーは、入
力論理回路網からの各出力信号に関連した電流モード論
理スイッチ構成体を備えておD、これらのスイッチ構成
体は、入力論理回路からの信号に対して選択された論理
演算を表わす出力信号を発生するように相互接続される
。トップ負荷(topload)は、論理ツリーからの
出力信号の電圧レベルを選択された値にクランプし、出
力信号の状態の電圧レベル間に選択された裕度を与える
。
えておD、この回路網は、入力信号を受は取D、これに
応じて、種々の信号の肯定状態に対して別々の電圧レベ
ルを有する同数の信号を発生する。基準電圧発生回路網
は、選択された電圧レベルの基準電圧を発生し、これら
の基準電圧の個数及び値は、入力論理回路網からの信号
の個数と、肯定状態及び否定状態にある時のそれらの電
圧レベルとに対応するものである。基準電圧は、回路の
論理ツリ一部分において電流モード論理スイッチを駆動
できるように選択される。入力論理回路網及び基準電圧
発生回路網は、ダイオードのようなレベルシフト回路を
備え、これらの回路は、肯定状態にある時に信号の電圧
レベルが異なるように各信号の電圧レベルをシフトさせ
る。論理ツリーは、入力論理回路網から信号を受は取る
と共に基準電圧発生回路網から基準電圧を受は取D、こ
れに応じて論理信号を発生する。又、論理ツリーは、入
力論理回路網からの各出力信号に関連した電流モード論
理スイッチ構成体を備えておD、これらのスイッチ構成
体は、入力論理回路からの信号に対して選択された論理
演算を表わす出力信号を発生するように相互接続される
。トップ負荷(topload)は、論理ツリーからの
出力信号の電圧レベルを選択された値にクランプし、出
力信号の状態の電圧レベル間に選択された裕度を与える
。
特定の実施例において、入力論理回路網は。
グループに分類された複数の入力信号を受は取D、各グ
ループの入力信号に対してアンド演算やオア演算のよう
な幾つかの論理演算を行なう回路を備えていて、論理ツ
リーへ送られる信号発生する。
ループの入力信号に対してアンド演算やオア演算のよう
な幾つかの論理演算を行なう回路を備えていて、論理ツ
リーへ送られる信号発生する。
本発明による組み立てブロックは、入力論理回路網と、
基準電圧発生回路網と、論理ツリーと、トップ負荷とを
備えている。トップ負荷及び基準電圧発生回路網を構成
する回路は、実行する論理演算に拘りなく各回路ごとに
同じである。入力論理回路網及び論理ツリーを構成する
回路は、実行する論理演算によって異なるが、同じ連理
演算を行なう全ての回路が入力論理回路網及び論理ツリ
ーに対して同じ回路を有することができる。入力論理回
路網及び論理ツリーに対する特定の回路で全ての論理構
成を受は入れることができる。
基準電圧発生回路網と、論理ツリーと、トップ負荷とを
備えている。トップ負荷及び基準電圧発生回路網を構成
する回路は、実行する論理演算に拘りなく各回路ごとに
同じである。入力論理回路網及び論理ツリーを構成する
回路は、実行する論理演算によって異なるが、同じ連理
演算を行なう全ての回路が入力論理回路網及び論理ツリ
ーに対して同じ回路を有することができる。入力論理回
路網及び論理ツリーに対する特定の回路で全ての論理構
成を受は入れることができる。
実施例
本発明は、特許請求の範囲に特に指摘する。
本発明の上記及び更に別の効果は、本発明によって構成
された複数の種々の論理機能を果たす回路を概略的に示
した添付図面を参照とする好ましい実施例の詳細な説明
から明らかとなろう。
された複数の種々の論理機能を果たす回路を概略的に示
した添付図面を参照とする好ましい実施例の詳細な説明
から明らかとなろう。
添付図面の第1図は、A1ないしAn及びB1ないしB
Illと示された入力信号のグループに対するオア演算
と、このオア演算から得られた信号に対するアンド演算
とを実行する本発明の回路を示している。入力信号は、
入力論理回路網11によって受は取られ、この回路網は
、信号AIないしAnを各々受は取る1組の電界効果ト
ランジスタ12 (1)ないし12(n)と、信号B1
ないしBmを各々受は取る第2組の電界効果トランジス
タ13(1)ないし13(+o)とを備えている。
Illと示された入力信号のグループに対するオア演算
と、このオア演算から得られた信号に対するアンド演算
とを実行する本発明の回路を示している。入力信号は、
入力論理回路網11によって受は取られ、この回路網は
、信号AIないしAnを各々受は取る1組の電界効果ト
ランジスタ12 (1)ないし12(n)と、信号B1
ないしBmを各々受は取る第2組の電界効果トランジス
タ13(1)ないし13(+o)とを備えている。
トランジスタ12(1)ないし12(n)は、電圧Vd
dを供給するドレイン電源(図示せず)と、参照番号1
4で一般的に示された一連のレベルシフトダイオードの
第1ダイオードのアノード端子との間に並列に接続され
る。一連のレベルシフトダイオード14の最後のダイオ
ードのカソード端子は、電界効果トランジスタ15に接
続され、そのソース端子及びゲート端子は、電圧Vss
を供給するソース電源(図示せず)に接続されている。
dを供給するドレイン電源(図示せず)と、参照番号1
4で一般的に示された一連のレベルシフトダイオードの
第1ダイオードのアノード端子との間に並列に接続され
る。一連のレベルシフトダイオード14の最後のダイオ
ードのカソード端子は、電界効果トランジスタ15に接
続され、そのソース端子及びゲート端子は、電圧Vss
を供給するソース電源(図示せず)に接続されている。
トランジスタ15は、電流ソースとして働き、入力信号
AlないしAnのいずれかが肯定状態(高電圧レベル)
となった場合に、トランジスタトランジスタ12(1)
ないし12 (n)のうちの関連するトランジスタをオ
ンにし、一連のダイオード14を構成する各レベルシフ
トダイオードの電流が選択されたレベルに制限される。
AlないしAnのいずれかが肯定状態(高電圧レベル)
となった場合に、トランジスタトランジスタ12(1)
ないし12 (n)のうちの関連するトランジスタをオ
ンにし、一連のダイオード14を構成する各レベルシフ
トダイオードの電流が選択されたレベルに制限される。
出力信号OUTは、一連のレベルシフトダイオード14
のうちの第4と第5のダイオード間のノード18から取
り出される。従って、入力信号AIないしAnのいずれ
かが肯定状態となった場合には、A OUT信号が、
一連のダイオード14のうちの当該ダイオードによって
生じるレベルシフトに基づいて選択された電圧レベルと
される。
のうちの第4と第5のダイオード間のノード18から取
り出される。従って、入力信号AIないしAnのいずれ
かが肯定状態となった場合には、A OUT信号が、
一連のダイオード14のうちの当該ダイオードによって
生じるレベルシフトに基づいて選択された電圧レベルと
される。
同様に、トランジスタ13(1)ないし13(m)は、
ドレイン電源と、参照番号16で一般的に示された一連
のレベルシフトダイオードのうちの第′1ダイオードの
アノード端子との間に並列に接続される。一連のダイオ
ード16におけるダイオードの個数は、一連のダイオー
ド14の場合と同数である。一連のダイオード16のう
ちの最後のダイオードのカソード端子(ノード19に対
応する)は、電界効果トランジスタ17に接続され、そ
のソース及びゲート端子は、電流ソースとして働くソー
ス電源に接続される。従って、入力信号BlないしBm
のいずれかが肯定状態にされた場合には、ノード19か
ら取り出されるB OUT信号が肯定状態とされ、そ
の電圧レベルは、一連のダイオード16のうちの当該ダ
イオードによって生じたレベルシフトに基づいたものと
なる。信号AOUT及びB OUTは、各一連のダイ
オード14及び16の別々のノードから取り出されるの
で、これらが肯定状態にある時、異なった電圧レベルと
なる。
ドレイン電源と、参照番号16で一般的に示された一連
のレベルシフトダイオードのうちの第′1ダイオードの
アノード端子との間に並列に接続される。一連のダイオ
ード16におけるダイオードの個数は、一連のダイオー
ド14の場合と同数である。一連のダイオード16のう
ちの最後のダイオードのカソード端子(ノード19に対
応する)は、電界効果トランジスタ17に接続され、そ
のソース及びゲート端子は、電流ソースとして働くソー
ス電源に接続される。従って、入力信号BlないしBm
のいずれかが肯定状態にされた場合には、ノード19か
ら取り出されるB OUT信号が肯定状態とされ、そ
の電圧レベルは、一連のダイオード16のうちの当該ダ
イオードによって生じたレベルシフトに基づいたものと
なる。信号AOUT及びB OUTは、各一連のダイ
オード14及び16の別々のノードから取り出されるの
で、これらが肯定状態にある時、異なった電圧レベルと
なる。
又、回路10は、基準信号発生部20を備え。
これに含まれた1−ランジスタ21のゲート及びソース
端子は、電流ソースとして働くソース電源に接続される
。第2の電界効果トランジスタ22は、そのドレイン端
子がドレイン電源に接続されると共にそのゲート端子が
基準電圧電源(図示せず)に接続され、これは、トラン
ジスタ22の電圧降下を制御する予め選択された電圧レ
ベルVoを与える。トランジスタ22の電圧降下は、参
照番号23で一般的に示された別の一連のレベルシフト
ダイオードへ送られる電圧を制御するように働く。
端子は、電流ソースとして働くソース電源に接続される
。第2の電界効果トランジスタ22は、そのドレイン端
子がドレイン電源に接続されると共にそのゲート端子が
基準電圧電源(図示せず)に接続され、これは、トラン
ジスタ22の電圧降下を制御する予め選択された電圧レ
ベルVoを与える。トランジスタ22の電圧降下は、参
照番号23で一般的に示された別の一連のレベルシフト
ダイオードへ送られる電圧を制御するように働く。
一連のダイオード23に含まれたレベルシフトダイオー
ドの個数は、一連のダイオード14及び16の場合と同
じであD、これらダイオードは、同様のレベルシフト機
能を果たす。基準電圧発生部20は、トランジスタ22
の電圧降下と、一連のダイオード23のうちの信号を取
り出すノードとによって決定された電圧レベルを有する
基準信号REFI及びREF2を発生する。これらの基
準信号REFI及びREF2は、A OUT及びBO
UT信号を取り出すところの一連のダイオード14及び
16のノードに対応する一連のダイオード23のノード
から得るのが好ましい。より詳細には、REFI信号は
、一連のダイオード23のうちの第4のレベルシフトダ
イオードのカソード端子と第5のレベルシフトダイオー
ドのアノード端子との間のノードから得られ、このノー
ドは、一連のダイオード14においてAOUT信号を取
り出したノードに対応する。同様に、REF2信号は、
一連のダイオード23のうちの第7のレベルシフトダイ
オードのカソードに接続されたノードから得られ、この
ノードは、一連のダイオード16においてB OUT
信号を取り出したノードに対応する。
ドの個数は、一連のダイオード14及び16の場合と同
じであD、これらダイオードは、同様のレベルシフト機
能を果たす。基準電圧発生部20は、トランジスタ22
の電圧降下と、一連のダイオード23のうちの信号を取
り出すノードとによって決定された電圧レベルを有する
基準信号REFI及びREF2を発生する。これらの基
準信号REFI及びREF2は、A OUT及びBO
UT信号を取り出すところの一連のダイオード14及び
16のノードに対応する一連のダイオード23のノード
から得るのが好ましい。より詳細には、REFI信号は
、一連のダイオード23のうちの第4のレベルシフトダ
イオードのカソード端子と第5のレベルシフトダイオー
ドのアノード端子との間のノードから得られ、このノー
ドは、一連のダイオード14においてAOUT信号を取
り出したノードに対応する。同様に、REF2信号は、
一連のダイオード23のうちの第7のレベルシフトダイ
オードのカソードに接続されたノードから得られ、この
ノードは、一連のダイオード16においてB OUT
信号を取り出したノードに対応する。
又、回路10は、論理ツリー30も備えておD、この論
理ツリーは、電流モード論理スイッチを形成するように
接続された複数の電界効果トランジスタを含み、そして
電流モード論理スイッチは、AOU’I”及びB O
UT信号に対して選択された論理演算を行なうように相
互接続されている。電流モード論理スイッチの相互接続
構成は、論理ツリー30によって実行すべき特定の論理
演算に基づくものである。第1図に示した回路を特に参
照すれば、論理ツリー30は、入力回路網11からのA
OUT及びB OUT信号に対してアンド演算を
行なう。
理ツリーは、電流モード論理スイッチを形成するように
接続された複数の電界効果トランジスタを含み、そして
電流モード論理スイッチは、AOU’I”及びB O
UT信号に対して選択された論理演算を行なうように相
互接続されている。電流モード論理スイッチの相互接続
構成は、論理ツリー30によって実行すべき特定の論理
演算に基づくものである。第1図に示した回路を特に参
照すれば、論理ツリー30は、入力回路網11からのA
OUT及びB OUT信号に対してアンド演算を
行なう。
第1図に示された論理ツリーは、トランジスタ31及び
32を有し、そのソース端子は゛、電流モード論理スイ
ッチを形成するように接続されている。又、これらのソ
ース端子は、トランジスタ33のドレイン端子に接続さ
れ、トランジスタ33のゲート及びソース端子は、ソー
ス電源に接続されている。トランジスタ33は、トラン
ジスタ31及び32より成る電流モード論理スイッチの
ための電流ソースとして働く。又、論理ツリーは、トラ
ンジスタ34及び35を有し、それらのソース端子は、
互いに接続されると共に、トランジスタ31のドレイン
端子にも接続される。トランジスタ34及び35は、ト
ランジスタ31が電流ソースとして働くような第2の電
流モード論理スイッチを形成するように接続される。
32を有し、そのソース端子は゛、電流モード論理スイ
ッチを形成するように接続されている。又、これらのソ
ース端子は、トランジスタ33のドレイン端子に接続さ
れ、トランジスタ33のゲート及びソース端子は、ソー
ス電源に接続されている。トランジスタ33は、トラン
ジスタ31及び32より成る電流モード論理スイッチの
ための電流ソースとして働く。又、論理ツリーは、トラ
ンジスタ34及び35を有し、それらのソース端子は、
互いに接続されると共に、トランジスタ31のドレイン
端子にも接続される。トランジスタ34及び35は、ト
ランジスタ31が電流ソースとして働くような第2の電
流モード論理スイッチを形成するように接続される。
トップ負荷回路40は、ドレイン電源と、論理ツリー3
0に含まれたトランジスタ34及び35のドレイン端子
との間に接続される。このトップ負荷回路は、飽和状態
に維持される負荷トランジスタ41及び42と、Q及び
Q出力信号を取り出すノード44及び45の電圧レベル
をクランプするクランプ回路網43とを備えている。こ
のクランプ回路網43は、ノード44又は45の一方と
、基準電圧Voとの間に逆向きの並列状態で接続された
2対のスイッチ手段ダイオード50−53を含んでいる
。
0に含まれたトランジスタ34及び35のドレイン端子
との間に接続される。このトップ負荷回路は、飽和状態
に維持される負荷トランジスタ41及び42と、Q及び
Q出力信号を取り出すノード44及び45の電圧レベル
をクランプするクランプ回路網43とを備えている。こ
のクランプ回路網43は、ノード44又は45の一方と
、基準電圧Voとの間に逆向きの並列状態で接続された
2対のスイッチ手段ダイオード50−53を含んでいる
。
Q及びQ出力信号の電圧レベルは、電圧V。
±1つのスイッチ手段ダイオードの電圧降下に対応する
。例えば、Q信号を肯定状態としQ信号を否定状態とす
べき場合には、ノード45の電圧レベルが電圧レベルV
o+ダイオード52の電圧降下となD、ノード45の電
圧がこのレベルより高く上昇し始めた場合には、ダイオ
ードがオンになD、電圧がそのレベルに下降する。負荷
トランジスタ42は飽和状態にあるので、ノード45の
電圧レベルを少なくとも所要レベルに維持するに充分な
電流を供給する。同様に、Q信号の電圧レベルは、電圧
レベルvO−ダイオード51がオンになる電圧であD、
ノードの電圧がこのレベルより下がると、ダイオード5
1がオンとなD、電圧がこのレベルに上昇する。Q信号
が否定された時には、ノード44から論理ツリー30を
通る電流路が存在し、ノード44の電圧レベルがこのレ
ベルより上昇しないように確保する。
。例えば、Q信号を肯定状態としQ信号を否定状態とす
べき場合には、ノード45の電圧レベルが電圧レベルV
o+ダイオード52の電圧降下となD、ノード45の電
圧がこのレベルより高く上昇し始めた場合には、ダイオ
ードがオンになD、電圧がそのレベルに下降する。負荷
トランジスタ42は飽和状態にあるので、ノード45の
電圧レベルを少なくとも所要レベルに維持するに充分な
電流を供給する。同様に、Q信号の電圧レベルは、電圧
レベルvO−ダイオード51がオンになる電圧であD、
ノードの電圧がこのレベルより下がると、ダイオード5
1がオンとなD、電圧がこのレベルに上昇する。Q信号
が否定された時には、ノード44から論理ツリー30を
通る電流路が存在し、ノード44の電圧レベルがこのレ
ベルより上昇しないように確保する。
一方、Q信号を否定し、Q信号を肯定する場合には、ダ
イオード50は、ノード44の電圧レベルが、電圧レベ
ルvO+ダイオード50がオンになるところの該ダイオ
ードの電圧差に対応するレベルより高くならないように
する。同様に、ダイオード53は、ノード45の電圧レ
ベルが電圧レベルvO−ダイオード53がオンになる電
圧よりも低くならないようにする。
イオード50は、ノード44の電圧レベルが、電圧レベ
ルvO+ダイオード50がオンになるところの該ダイオ
ードの電圧差に対応するレベルより高くならないように
する。同様に、ダイオード53は、ノード45の電圧レ
ベルが電圧レベルvO−ダイオード53がオンになる電
圧よりも低くならないようにする。
それ故、トップ負荷回路40は、スイッチ手段ダイオー
ド50ないし53のターン・オン電圧が同じであると仮
定すれば、肯定信号と否定信号との間の論理レベルの裕
度をスイッチ手段ダイオードのターン・オン電圧の2倍
にすることが明らかである。
ド50ないし53のターン・オン電圧が同じであると仮
定すれば、肯定信号と否定信号との間の論理レベルの裕
度をスイッチ手段ダイオードのターン・オン電圧の2倍
にすることが明らかである。
論理ツリー30に説明を戻すと、論理ツリーによって実
行される論理演算は、論理ツリーにおけるトランジスタ
の相互接続に基づいたものとなる。第1図に示す特定の
回路においては、以下に述べるようアンド演算が実行さ
れる。別のやり方でトランジスタを相互接続すれば、別
の演算を実行することができる。その例を、第2図及び
第3図について説明する。
行される論理演算は、論理ツリーにおけるトランジスタ
の相互接続に基づいたものとなる。第1図に示す特定の
回路においては、以下に述べるようアンド演算が実行さ
れる。別のやり方でトランジスタを相互接続すれば、別
の演算を実行することができる。その例を、第2図及び
第3図について説明する。
第1図の特に論理ツリー30を参照すれば、トランジス
タ34及び31は、入力論理回路網11からのA O
UT及びB OUT信号によって各々制御され、トラ
ンジスタ35及び32は、基準電圧回路網11により発
生された基準電圧REF1及びREF2によって制御さ
れる。A OUT及びB OUTの両信号が否定さ
れた場合(低電圧レベルにある場合)には、トランジス
タ34及び31の両方がオフである。トランジスタ34
がオフであるから、ノード44からトランジスタ34を
通る電流が阻止される。トランジスタ31もオフである
から、トランジスタ31を通る電流も阻止される。然し
乍ら、トランジスタ31がオフであるから、トランジス
タ32がオンとなり。
タ34及び31は、入力論理回路網11からのA O
UT及びB OUT信号によって各々制御され、トラ
ンジスタ35及び32は、基準電圧回路網11により発
生された基準電圧REF1及びREF2によって制御さ
れる。A OUT及びB OUTの両信号が否定さ
れた場合(低電圧レベルにある場合)には、トランジス
タ34及び31の両方がオフである。トランジスタ34
がオフであるから、ノード44からトランジスタ34を
通る電流が阻止される。トランジスタ31もオフである
から、トランジスタ31を通る電流も阻止される。然し
乍ら、トランジスタ31がオフであるから、トランジス
タ32がオンとなり。
従って、ノード45から論理ツリー30を通る電流路、
特に、トランジスタ32及び電流ソーストランジスタ3
1を通る電流路が存在する。これによD、ノード45の
電圧レベルを低レベルにすることができ、従って、Q出
力信号が低レベルとなる。更に、ノード44から論理ツ
リー30を通る電流が阻止されるので、ノード44は、
高い電圧レベルとなD、従って、Q信号は高レベル(肯
定)となる。
特に、トランジスタ32及び電流ソーストランジスタ3
1を通る電流路が存在する。これによD、ノード45の
電圧レベルを低レベルにすることができ、従って、Q出
力信号が低レベルとなる。更に、ノード44から論理ツ
リー30を通る電流が阻止されるので、ノード44は、
高い電圧レベルとなD、従って、Q信号は高レベル(肯
定)となる。
A OUT信号が肯定(高電圧レベル)状態で、B
OUT信号が否定状態である場合には、トランジスタ
31がオフとなD、トランジスタ32がオンとなる。A
OUT信号は、トランジスタ34をオンにすることがで
きるが、トランジスタ31がオフであるから、ノード4
4又は45から1ヘランジスタ34又は35を通る電流
が阻止される。然し乍ら、トランジスタ32により論理
ツリー30を通る電流路が確保されるために、ノード4
5の電圧レベルを低レベルにすることができる。トラン
ジスタ34による論理ツリー30の電流路は阻止される
から、ノード44の電圧レベルが高レベルとなる。従っ
て、Q信号は低レベルとなD、Q信号は高レベルとなる
。
OUT信号が否定状態である場合には、トランジスタ
31がオフとなD、トランジスタ32がオンとなる。A
OUT信号は、トランジスタ34をオンにすることがで
きるが、トランジスタ31がオフであるから、ノード4
4又は45から1ヘランジスタ34又は35を通る電流
が阻止される。然し乍ら、トランジスタ32により論理
ツリー30を通る電流路が確保されるために、ノード4
5の電圧レベルを低レベルにすることができる。トラン
ジスタ34による論理ツリー30の電流路は阻止される
から、ノード44の電圧レベルが高レベルとなる。従っ
て、Q信号は低レベルとなD、Q信号は高レベルとなる
。
A OUT信号が否定され、B OUT信号が肯定
された場合には、トランジスタ34がオフとなD、トラ
ンジスタ31がオンとなる。トランジスタ31がオンで
あるから、トランジスタ32はオフであD、従って、ノ
ード45からの電流路が阻止される。然し乍ら、トラン
ジスタ34がオフであるから、トランジスタ35がオン
となD、従って、ノード45からトランジスタ35及び
31を通る電流路が存在する。トランジスタ34はオフ
であって、ノード44から論理ツリー30を通る電流路
が確立されないようにする。従って、ノード45の電圧
レベルは低レベルであD、ノード44の電圧レベルは高
レベルであD、これによD、Q信号は否定され、Q信号
は肯定される。
された場合には、トランジスタ34がオフとなD、トラ
ンジスタ31がオンとなる。トランジスタ31がオンで
あるから、トランジスタ32はオフであD、従って、ノ
ード45からの電流路が阻止される。然し乍ら、トラン
ジスタ34がオフであるから、トランジスタ35がオン
となD、従って、ノード45からトランジスタ35及び
31を通る電流路が存在する。トランジスタ34はオフ
であって、ノード44から論理ツリー30を通る電流路
が確立されないようにする。従って、ノード45の電圧
レベルは低レベルであD、ノード44の電圧レベルは高
レベルであD、これによD、Q信号は否定され、Q信号
は肯定される。
最後に、A OUT及びB OUTの両信号が肯定
される場合には1両トランジスタ31及び34がオンと
なD、トランジスタ32及び35がオフとなる。従って
、ノード45からトランジスタ32及び35を通る電流
路は存在しないが、ノード44からトランジスタ31及
び34を通る電流路が確立される。かくて、Q信号は肯
定され、Q信号は否定される。
される場合には1両トランジスタ31及び34がオンと
なD、トランジスタ32及び35がオフとなる。従って
、ノード45からトランジスタ32及び35を通る電流
路は存在しないが、ノード44からトランジスタ31及
び34を通る電流路が確立される。かくて、Q信号は肯
定され、Q信号は否定される。
当業者に明らかなように、トランジスタ22に印加する
電圧レベルvOの選択を利用して、各電流モード論理ス
イッチを切り換えるところのAOUT及びB OUT
信号の電圧を決定することができる。この電圧は、第1
図には、クランプ回路網43に印加されるものと同じ電
圧どして示されているが、必要に応じて、トランジスタ
22及びクランプ回路網43に別の電圧を印加すること
ができる。
電圧レベルvOの選択を利用して、各電流モード論理ス
イッチを切り換えるところのAOUT及びB OUT
信号の電圧を決定することができる。この電圧は、第1
図には、クランプ回路網43に印加されるものと同じ電
圧どして示されているが、必要に応じて、トランジスタ
22及びクランプ回路網43に別の電圧を印加すること
ができる。
第1図に示した回路は、多数の効果を発揮する。特に、
トップ負荷回路40のクランプ回路網43は、論理レベ
ル間に比較的広い電圧余裕を与え、より詳細には、スイ
ッチ手段ダイオードのターン・オン電圧の2倍という電
圧余裕を与える。
トップ負荷回路40のクランプ回路網43は、論理レベ
ル間に比較的広い電圧余裕を与え、より詳細には、スイ
ッチ手段ダイオードのターン・オン電圧の2倍という電
圧余裕を与える。
砒化ガリウムのショットキーダイオードを用いる場合に
は1回路に流れる電流に本質的に拘りなく約1.7ボル
トの電圧差が維持される。ダイオードのキャパシタンス
は、典型的に比較的小さなものであD、一般的に、論理
ツリー30に与えられるキャパシタンスに著しい負荷を
追加するものではない。公知の場合のように抵抗を用い
るのではなくてMESFETを負荷トランジスタ41及
び42として用いた場合には、論理電圧レベル間に適度
な余裕が維持される。
は1回路に流れる電流に本質的に拘りなく約1.7ボル
トの電圧差が維持される。ダイオードのキャパシタンス
は、典型的に比較的小さなものであD、一般的に、論理
ツリー30に与えられるキャパシタンスに著しい負荷を
追加するものではない。公知の場合のように抵抗を用い
るのではなくてMESFETを負荷トランジスタ41及
び42として用いた場合には、論理電圧レベル間に適度
な余裕が維持される。
砒化ガリウムを用いた場合には、トランジスタが通常空
乏モードトランジスタとされ、これは、一連のダイオー
ド14及び16のようなレベルシフ1−ダイオードを入
力論理回路網11に使用することを必要とする。本発明
の回路においては、一連のレベルシフトダイオードが、
各入力トランジスタ12(1)ないし12(n)及び1
3(1)ないし13(m)と共に使用され、入力信号A
(1)ないしA (n)及びB(1)ないしB (m)
に対してオア論理演算が行われる。典型的な公知の回路
の場合は・このようなオア演算は、論理ツリー30の回
路において複数のトランジスタをトランジスタ31及び
34と並列に接続することによって行われている・然し
乍ら、公知の構成では、出力信号に複雑に負荷がか\す
、満足な論理電圧レベルを維持しようとする上で多くの
問題が生じる。
乏モードトランジスタとされ、これは、一連のダイオー
ド14及び16のようなレベルシフ1−ダイオードを入
力論理回路網11に使用することを必要とする。本発明
の回路においては、一連のレベルシフトダイオードが、
各入力トランジスタ12(1)ないし12(n)及び1
3(1)ないし13(m)と共に使用され、入力信号A
(1)ないしA (n)及びB(1)ないしB (m)
に対してオア論理演算が行われる。典型的な公知の回路
の場合は・このようなオア演算は、論理ツリー30の回
路において複数のトランジスタをトランジスタ31及び
34と並列に接続することによって行われている・然し
乍ら、公知の構成では、出力信号に複雑に負荷がか\す
、満足な論理電圧レベルを維持しようとする上で多くの
問題が生じる。
更に、一連の基準電圧レベルシフトダイオード23は、
・一連のダイオード14及び16と同一であるから、入
力信号A(1)ないしA (n)及びB(1)ないしB
(m)のファンインを受は入れるようにトランジスタ
22のサイズを調整することができる。
・一連のダイオード14及び16と同一であるから、入
力信号A(1)ないしA (n)及びB(1)ないしB
(m)のファンインを受は入れるようにトランジスタ
22のサイズを調整することができる。
公知技術の多くの場合には、ウェハ処理における不均一
さから入力信号のファンインと基準とを一致させること
が困難であった。本発明では、このような問題が著しく
軽減される。
さから入力信号のファンインと基準とを一致させること
が困難であった。本発明では、このような問題が著しく
軽減される。
入力信号に対して種々の論理演算を行なうために、特に
、論理入力回路網11、基準電圧発生回路網20、論理
ツリー30及びトップ負荷40といった種々の素子をい
かに適用するかについて第2図及び第3図を参照して説
明する。これらの図面において、各入力論理回路網11
1(第2図)及び211(第3図)は、入力論理回路網
11(第1図)と同様であるが、第3図の場合は、グル
ープA1ないしAn及びB1ないし8m各々の多数の入
力信号と、それに対応する入力トランジスタ12(1)
ないし12(n)及び13(1)ないし13(m)をも
つのではなく、各グループに対し、1つの入力信号り及
びCLK並びに入力トランジスタ212及び213が与
えられる。その他の点では、入力論理回路網、基準電圧
発生回路網120及び220並びにトップ負荷140及
び240を構成する回路は、第1図に各々示された入力
論理回路網11、基準電圧発生回路網20並びにトップ
負荷40を構成する回路と同様であり且つ同様に作動す
る。然し乍ら、論理ツリー130(第2図)及び230
(第3図)は、論理ツリー30(第1図)とは別の仕方
で動作し、種々の論理演算を実行する。
、論理入力回路網11、基準電圧発生回路網20、論理
ツリー30及びトップ負荷40といった種々の素子をい
かに適用するかについて第2図及び第3図を参照して説
明する。これらの図面において、各入力論理回路網11
1(第2図)及び211(第3図)は、入力論理回路網
11(第1図)と同様であるが、第3図の場合は、グル
ープA1ないしAn及びB1ないし8m各々の多数の入
力信号と、それに対応する入力トランジスタ12(1)
ないし12(n)及び13(1)ないし13(m)をも
つのではなく、各グループに対し、1つの入力信号り及
びCLK並びに入力トランジスタ212及び213が与
えられる。その他の点では、入力論理回路網、基準電圧
発生回路網120及び220並びにトップ負荷140及
び240を構成する回路は、第1図に各々示された入力
論理回路網11、基準電圧発生回路網20並びにトップ
負荷40を構成する回路と同様であり且つ同様に作動す
る。然し乍ら、論理ツリー130(第2図)及び230
(第3図)は、論理ツリー30(第1図)とは別の仕方
で動作し、種々の論理演算を実行する。
前記したように、論理ツリー30(第1図)は、入力論
理回路網11からのA OUT及びB○UT信号に対
してアンド論理演算を行なう。論理ツリー130(第2
図)は、A OUT及びBOUT信号の排他的オア演
算に対応する論理状態を有するQ出力信号を発生し、論
理ツリー230(第3図)は、CLK入力信号が否定状
態の時はQ出力信号がD入力信号と同じ論理状態を有す
るようにしそしてCLK入力信号が肯定状態である間は
Q出力信号の状態がCLK入力信号が否定状態から肯定
状態へ切り換わった時のD入力信号の論理状態に一致す
るようにするラッチ動作を果たす。
理回路網11からのA OUT及びB○UT信号に対
してアンド論理演算を行なう。論理ツリー130(第2
図)は、A OUT及びBOUT信号の排他的オア演
算に対応する論理状態を有するQ出力信号を発生し、論
理ツリー230(第3図)は、CLK入力信号が否定状
態の時はQ出力信号がD入力信号と同じ論理状態を有す
るようにしそしてCLK入力信号が肯定状態である間は
Q出力信号の状態がCLK入力信号が否定状態から肯定
状態へ切り換わった時のD入力信号の論理状態に一致す
るようにするラッチ動作を果たす。
第2図を参照すれば、論理ツリー130は。
トランジスタ131及び132を含み、これらのトラン
ジスタは、電流ソーストランジスタ133と組み合わさ
れて、電流モード論理スイッチを形成し、基準電圧発生
回路網120からのREF2信号ガこのスイッチの基準
電圧となる。トランジスタ131及び132の各々は、
電流モード論理スイッチを制御し、トランジスタ131
は、トランジスタ134及び135より成るスイッチの
ための電流ソースであD、トランジスタ132は、トラ
ンジスタ136及び137より成るスイッチのための電
流ソースとなる。トランジスタ134及び137は、Q
出力信号を取り出すトップ負荷140のノード144を
制御する。トランジスタ135及び136は、Q出力信
号を取り出すトップ負荷140のノード145を制御す
る。
ジスタは、電流ソーストランジスタ133と組み合わさ
れて、電流モード論理スイッチを形成し、基準電圧発生
回路網120からのREF2信号ガこのスイッチの基準
電圧となる。トランジスタ131及び132の各々は、
電流モード論理スイッチを制御し、トランジスタ131
は、トランジスタ134及び135より成るスイッチの
ための電流ソースであD、トランジスタ132は、トラ
ンジスタ136及び137より成るスイッチのための電
流ソースとなる。トランジスタ134及び137は、Q
出力信号を取り出すトップ負荷140のノード144を
制御する。トランジスタ135及び136は、Q出力信
号を取り出すトップ負荷140のノード145を制御す
る。
論理ツリー130(第2図)°は1次のように動作する
。B OUT信号が否定された場合(これは、Blな
いしBmの全ての信号が否定された時に生じる)、トラ
ンジスタ131がオフとなD、従って、REF2信号で
制御されるトランジスタ132がオンとなる。これによ
D、トランジスタ134及び135より成る電流モード
論理スイッチが作動不能とされ、トランジスタ136及
び137より成るスイッチが作動可能とされる。AOU
T信号も否定された場合は(これは、AIないしAnの
全ての信号が否定された時に生じる)。
。B OUT信号が否定された場合(これは、Blな
いしBmの全ての信号が否定された時に生じる)、トラ
ンジスタ131がオフとなD、従って、REF2信号で
制御されるトランジスタ132がオンとなる。これによ
D、トランジスタ134及び135より成る電流モード
論理スイッチが作動不能とされ、トランジスタ136及
び137より成るスイッチが作動可能とされる。AOU
T信号も否定された場合は(これは、AIないしAnの
全ての信号が否定された時に生じる)。
トランジスタ136がオフとなD、トランジスタ137
がオンとなる。従って、ノード144から論理ツリー1
30を通る電流路が存在し、これによD、Q出力信号が
低レベルに引っ張られる(否定される)。両トランジス
タ135及び136がオフであるから、ノード145か
ら論理ツリー130を通る電流路は存在せず、従って、
Q出力信号は、高レベルに保持され、即ち、肯定状態と
される。
がオンとなる。従って、ノード144から論理ツリー1
30を通る電流路が存在し、これによD、Q出力信号が
低レベルに引っ張られる(否定される)。両トランジス
タ135及び136がオフであるから、ノード145か
ら論理ツリー130を通る電流路は存在せず、従って、
Q出力信号は、高レベルに保持され、即ち、肯定状態と
される。
B OUT信号が否定されそしてA OUT信号が
肯定された場合には(これは、AIないしAn信号の少
なくとも1つが肯定された時に生じる)、トランジスタ
131及び132が前記した状態となる。然し乍ら、A
OUT信号が肯定されているので、トランジスタ1
36はオンであり。
肯定された場合には(これは、AIないしAn信号の少
なくとも1つが肯定された時に生じる)、トランジスタ
131及び132が前記した状態となる。然し乍ら、A
OUT信号が肯定されているので、トランジスタ1
36はオンであり。
トランジスタ137はオフである。従って、ノード14
5から論理ツリー130を通る電流路が存在し、Q出力
信号が低レベルに引っ張られる(否定される)。トラン
ジスタ137及び134は両方ともオフであるから、ノ
ード144から論理ツリー130を通る電流路は存在せ
ず、Q出力信号は、高(肯定)レベルに維持される。
5から論理ツリー130を通る電流路が存在し、Q出力
信号が低レベルに引っ張られる(否定される)。トラン
ジスタ137及び134は両方ともオフであるから、ノ
ード144から論理ツリー130を通る電流路は存在せ
ず、Q出力信号は、高(肯定)レベルに維持される。
B OUT信号が肯定された場合には(これは、Bl
ないしBm信号の少なくとも1つが肯定された時に生じ
る)、トランジスタ131がオンとなD、トランジスタ
132がオフとなる。従って、トランジスタ134及び
135より成る電流モード論理スイッチは作動可能とさ
れ、トランジスタ136及び137より成るスイッチは
作動可能とされる。AOUT信号が否定された場合には
、トランジスタ135がオンとなD、トランジスタ13
4がオフとなる。従って、ノード145から論理ツリー
130を通る電流路が存在し、Q出力信号が否定される
。トランジスタ134及び137は両方ともオフである
から、ノード144から論理ツリー130を通る電流路
は存在せず、従って、Q出力信号は肯定される。
ないしBm信号の少なくとも1つが肯定された時に生じ
る)、トランジスタ131がオンとなD、トランジスタ
132がオフとなる。従って、トランジスタ134及び
135より成る電流モード論理スイッチは作動可能とさ
れ、トランジスタ136及び137より成るスイッチは
作動可能とされる。AOUT信号が否定された場合には
、トランジスタ135がオンとなD、トランジスタ13
4がオフとなる。従って、ノード145から論理ツリー
130を通る電流路が存在し、Q出力信号が否定される
。トランジスタ134及び137は両方ともオフである
から、ノード144から論理ツリー130を通る電流路
は存在せず、従って、Q出力信号は肯定される。
最後に、B OUT信号が肯定されそしてAOUT信
号が肯定された場合には、トランジスタ131及び13
2が前記したような状態をとる。
号が肯定された場合には、トランジスタ131及び13
2が前記したような状態をとる。
然し乍ら、AOUT信号、は肯定されているので、トラ
ンジスタ134はオンであD、トランジスタ135はオ
フである。従って、ノード144から論理ツリー130
を通る電流路が存在し、Q出力信号が否定される。トラ
ンジスタ135及び136は両方ともオフであるから、
ノード145から論理ツリー130を通る電流路は存在
せず、Q信号は肯定される。
ンジスタ134はオンであD、トランジスタ135はオ
フである。従って、ノード144から論理ツリー130
を通る電流路が存在し、Q出力信号が否定される。トラ
ンジスタ135及び136は両方ともオフであるから、
ノード145から論理ツリー130を通る電流路は存在
せず、Q信号は肯定される。
以上の説明から明らかなように、Q信号は。
A OUT信号又はB OUT信号の両方ではなく
て一方のみが肯定された時に肯定状態となD、さもなく
ば、排他的オア論理回路に必要とされる否定状態となる
。
て一方のみが肯定された時に肯定状態となD、さもなく
ば、排他的オア論理回路に必要とされる否定状態となる
。
第3図に示す回路においては、ラッチ回路の論理ツリー
230は、トランジスタ231及び232を含み、これ
らトランジスタは、電流ソースとして働くトランジスタ
233と共に、電流モード論理スイッチを形成する。入
力論理回路網211からのCLK 01JT信号が否
定(低レベル)状態である時には(これは、CLK入力
信号が否定(低レベル)状態である場合に生じる)、ト
ランジスタ231がオフとなD、基準電圧発生回路網2
20からの基準電圧REF2によって制御されるトラン
ジスタ232がオンとなる。
230は、トランジスタ231及び232を含み、これ
らトランジスタは、電流ソースとして働くトランジスタ
233と共に、電流モード論理スイッチを形成する。入
力論理回路網211からのCLK 01JT信号が否
定(低レベル)状態である時には(これは、CLK入力
信号が否定(低レベル)状態である場合に生じる)、ト
ランジスタ231がオフとなD、基準電圧発生回路網2
20からの基準電圧REF2によって制御されるトラン
ジスタ232がオンとなる。
又、トランジスタ232は、トランジスタ234及び2
35より成る電流モード論理スイッチのための電流ソー
スを形成する。D入力信号の肯定状態に応答して入力論
理回路網211からのDOUT信号が肯定(高レベル)
状態となった時には、トランジスタ234がオンとなD
、基準電圧発生回路網220からの基準電圧REFIに
よって制御されるトランジスタ235を強制的にオフす
る。従って、トランジスタ234及び232によってノ
ード244から論理ツリー230を通る電流路が存在し
、Q信号が低レベルに引っ張られる。トランジスタ23
1及び235はオフであるから、ノード245から論理
ツリー230を通る電流路が阻止され、従って、Q出力
信号の状態が高レベル(肯定)となる。
35より成る電流モード論理スイッチのための電流ソー
スを形成する。D入力信号の肯定状態に応答して入力論
理回路網211からのDOUT信号が肯定(高レベル)
状態となった時には、トランジスタ234がオンとなD
、基準電圧発生回路網220からの基準電圧REFIに
よって制御されるトランジスタ235を強制的にオフす
る。従って、トランジスタ234及び232によってノ
ード244から論理ツリー230を通る電流路が存在し
、Q信号が低レベルに引っ張られる。トランジスタ23
1及び235はオフであるから、ノード245から論理
ツリー230を通る電流路が阻止され、従って、Q出力
信号の状態が高レベル(肯定)となる。
一方、D OUT信号が否定された場合には、トラン
ジスタ234がオフとなD、トランジスタ235がオン
となる。この状態では、トランジスタ231もオフであ
るから、ノード244から論理ツリー230を通る電流
路が阻止され、従って、Q出力信号が背定される。トラ
ンジスタ235及び232は両方ともオンであるから、
ノード245から論理ツリー230を通る電流路が存在
し、従って、Q出力信号が否定される。
ジスタ234がオフとなD、トランジスタ235がオン
となる。この状態では、トランジスタ231もオフであ
るから、ノード244から論理ツリー230を通る電流
路が阻止され、従って、Q出力信号が背定される。トラ
ンジスタ235及び232は両方ともオンであるから、
ノード245から論理ツリー230を通る電流路が存在
し、従って、Q出力信号が否定される。
CLK OUT信号が肯定された時には、トランジス
タ232がオフとなD、トランジスタ234及び235
を作動不能にすると共に、ノード244及び245から
の電流路を阻止する。高レベルのCLK OUT信号
によD、トランジスタ231がオンにされる。トランジ
スタ231は、差動的に接続されたトランジスタ対23
6及び237のための電流ソースを形成し、これらトラ
ンジスタは、Q及びQ出力信号に応答して作動するフィ
ードバック回路網250によって制御される。
タ232がオフとなD、トランジスタ234及び235
を作動不能にすると共に、ノード244及び245から
の電流路を阻止する。高レベルのCLK OUT信号
によD、トランジスタ231がオンにされる。トランジ
スタ231は、差動的に接続されたトランジスタ対23
6及び237のための電流ソースを形成し、これらトラ
ンジスタは、Q及びQ出力信号に応答して作動するフィ
ードバック回路網250によって制御される。
CLK OUT信号の状態が低(否定)状態から高(
肯定)状態へ移行してトランジスタ231を作動可能に
し且つトランジスタ232を作動不能にする時には、差
動トランジスタ対236及び237並びにフィードバッ
ク回路網250がその後Q及びQ信号をそれらの各状態
に維持するように働く。この状態においては、Q及びQ
信号の状態がD入力信号の状態変化によって影響されな
い。
肯定)状態へ移行してトランジスタ231を作動可能に
し且つトランジスタ232を作動不能にする時には、差
動トランジスタ対236及び237並びにフィードバッ
ク回路網250がその後Q及びQ信号をそれらの各状態
に維持するように働く。この状態においては、Q及びQ
信号の状態がD入力信号の状態変化によって影響されな
い。
特に、Q信号が肯定された場合には、フィードバック回
路網250のノード253は、高電圧レベルに維持され
る。Q信号は否定(低レベル)状態であるから、負荷ト
ランジスタ252に電圧降下が生じ、ノード254が低
電圧レベルに引っ張られる。ノード253は、一連のレ
ベルシフトダイオード238のうちの第1ダイオードの
アノードに接続される。この一連のダイオード238は
、電流ソーストランジスタ241へ接続され、このトラ
ンジスタは1次いで、ソース電源に接続される。トラン
ジスタ236を制御する信号はノード255から取り出
され、従って、Q信号が肯定された時には、トランジス
タ236がオンとなる。
路網250のノード253は、高電圧レベルに維持され
る。Q信号は否定(低レベル)状態であるから、負荷ト
ランジスタ252に電圧降下が生じ、ノード254が低
電圧レベルに引っ張られる。ノード253は、一連のレ
ベルシフトダイオード238のうちの第1ダイオードの
アノードに接続される。この一連のダイオード238は
、電流ソーストランジスタ241へ接続され、このトラ
ンジスタは1次いで、ソース電源に接続される。トラン
ジスタ236を制御する信号はノード255から取り出
され、従って、Q信号が肯定された時には、トランジス
タ236がオンとなる。
ノード254は、一連のレベルシフトダイオード239
のうちの第1ダイオードのアノードに接続され、又、こ
れは電流ソーストランジスタ242を経てソース電源に
も接続される。Q信号が低レベルである時には、負荷ト
ランジスタ252に電圧降下が生じ、ノード254を低
レベルへ引っ張る。従って、ノード256も低レベルと
なる。
のうちの第1ダイオードのアノードに接続され、又、こ
れは電流ソーストランジスタ242を経てソース電源に
も接続される。Q信号が低レベルである時には、負荷ト
ランジスタ252に電圧降下が生じ、ノード254を低
レベルへ引っ張る。従って、ノード256も低レベルと
なる。
I・ランジスタ237を制御するための信号がノード2
56から取り出される。
56から取り出される。
トランジスタ236及び237は、Q及びQ信号によっ
て制御されるノード255及び256からの信号で作動
可能とされる。然し乍ら、CLK OUT信号が高レ
ベルになってトランジスタ231をオンにするまでは1
両トランジスタ236及び237がオフである。トラン
ジスタ236は、ノード255からの信号によってこれ
が作動可能にされた時及びCLK OUT信号によっ
てトランジスタ231がオンにされた時に、オンとなD
、ノード244から論理ツリー230特にトランジスタ
236及び231を通る電流路を形成する。従って、Q
信号は、否定(低レベル)状態に保たれる。トランジス
タ237及び232は、オフであって、ノード245か
ら論理ツリー230を通る電流路を阻止し、これに上D
、Q信号が高(肯定)状態となる。かくて、ノード25
4は、低レベルに保持され、ノード253は高レベルに
保持され、トランジスタ236及び237をそれらの各
々の状態に維持する。
て制御されるノード255及び256からの信号で作動
可能とされる。然し乍ら、CLK OUT信号が高レ
ベルになってトランジスタ231をオンにするまでは1
両トランジスタ236及び237がオフである。トラン
ジスタ236は、ノード255からの信号によってこれ
が作動可能にされた時及びCLK OUT信号によっ
てトランジスタ231がオンにされた時に、オンとなD
、ノード244から論理ツリー230特にトランジスタ
236及び231を通る電流路を形成する。従って、Q
信号は、否定(低レベル)状態に保たれる。トランジス
タ237及び232は、オフであって、ノード245か
ら論理ツリー230を通る電流路を阻止し、これに上D
、Q信号が高(肯定)状態となる。かくて、ノード25
4は、低レベルに保持され、ノード253は高レベルに
保持され、トランジスタ236及び237をそれらの各
々の状態に維持する。
Q信号が肯定(高レベル)状態にありそしてQ信号が否
定(低レベル)状態にある場合は、ノード253の電圧
レベルが負荷トランジスタ251を経て低レベルに引っ
張られ、ノード254の電圧レベルが高レベルに保たれ
る。従って、ノード255は低い電圧レベルにあD、ノ
ード256は高い電圧レベルにあD、トランジスタ23
6を作動不能にすると共に、トランジスタ237を作動
可能にする。CLK OUT信号の状態が低(否定)
状態から高(肯定)状態へと移行してトランジスタ23
1をオンにすると共にトランジスタ232をオフにする
と、トランジスタ237がオンにされる。トランジスタ
237及び231によってノード245から論理ツリー
230を通る電流路が確立され、Q信号を低レベルに保
持する。
定(低レベル)状態にある場合は、ノード253の電圧
レベルが負荷トランジスタ251を経て低レベルに引っ
張られ、ノード254の電圧レベルが高レベルに保たれ
る。従って、ノード255は低い電圧レベルにあD、ノ
ード256は高い電圧レベルにあD、トランジスタ23
6を作動不能にすると共に、トランジスタ237を作動
可能にする。CLK OUT信号の状態が低(否定)
状態から高(肯定)状態へと移行してトランジスタ23
1をオンにすると共にトランジスタ232をオフにする
と、トランジスタ237がオンにされる。トランジスタ
237及び231によってノード245から論理ツリー
230を通る電流路が確立され、Q信号を低レベルに保
持する。
トランジスタ236及び232はオフであるから、論理
ツリー230を通る電流路が阻止される。更に、ノード
244の電圧レベルは高レベルであり且つノード245
の電圧レベルは手おレベルであるから、ノード254の
電圧レベルは高レベルに保たれ、ノード253のレベル
は、CLK OUT信号が高レベル状態に移行した後
に低レベルに保たれる。これらの電圧レベルによりトラ
ンジスタ237がオンに維持され、トランジスタ236
がオフに維持され、Q及びQ信号がそれらの各々の状態
に維持される。
ツリー230を通る電流路が阻止される。更に、ノード
244の電圧レベルは高レベルであり且つノード245
の電圧レベルは手おレベルであるから、ノード254の
電圧レベルは高レベルに保たれ、ノード253のレベル
は、CLK OUT信号が高レベル状態に移行した後
に低レベルに保たれる。これらの電圧レベルによりトラ
ンジスタ237がオンに維持され、トランジスタ236
がオフに維持され、Q及びQ信号がそれらの各々の状態
に維持される。
CLK OUT信号が再び高レベル状態から低レベル
状態へ移行すると、トランジスタ231がオフにされて
両トランジスタ236及び237を作動不能にし、トラ
ンジスタ232がオンにされて、トランジスタ234及
び235より成る電流モード論理スイッチを作動可能に
する。この状態では、Q及びQ出力信号の状態がD入力
信号に応じたものとなる。
状態へ移行すると、トランジスタ231がオフにされて
両トランジスタ236及び237を作動不能にし、トラ
ンジスタ232がオンにされて、トランジスタ234及
び235より成る電流モード論理スイッチを作動可能に
する。この状態では、Q及びQ出力信号の状態がD入力
信号に応じたものとなる。
かくて、必要な論理演算を実行する論理ツリーを設ける
だけで、組み立てブロック、特に、図示された入力論理
回路網、論理ツリー、トップ負荷回路及び基準電圧発生
回路網を用いて、多数の論理演算を行なう回路を設計す
ることができる。
だけで、組み立てブロック、特に、図示された入力論理
回路網、論理ツリー、トップ負荷回路及び基準電圧発生
回路網を用いて、多数の論理演算を行なう回路を設計す
ることができる。
入力信号のグループに対してオア演算を行なうことが所
望される場合には、入力論理回路網において実行するこ
とができる。
望される場合には、入力論理回路網において実行するこ
とができる。
以上の説明は、本発明の特定の実施例に限定されるもの
であった。然し乍ら、本発明は1種々の基本構造を有す
るシステムで実施しても、又。
であった。然し乍ら、本発明は1種々の基本構造を有す
るシステムで実施しても、又。
前記したものとは異なる内部回路を使用しても、本発明
の全ての効果又は幾つかの効果を得ることができる。そ
れ故、本発明の真の精神および範囲内に入るあらゆる変
更は特許請求の範囲によって包含されるものとする。
の全ての効果又は幾つかの効果を得ることができる。そ
れ故、本発明の真の精神および範囲内に入るあらゆる変
更は特許請求の範囲によって包含されるものとする。
第1図は、オアーアンド論理演算を行なう回路を示す図
。 第2図は、オアー排他的オア演算を行なう回路を示す図
、そして 第3図は、入力信号に応答してラッチ動作を行なう回路
を示す図である。 10・・・回路 11・・・入力論理回路網 12.13・・・電界効果トランジスタ14.16・・
・一連のレベルシフトダイオード15・・・電界効果ト
ランジスタ 18.19・・・ノード 20・・・基準信号発生部 21.22・・・電界効果トランジスタ23・・・一連
のレベルシフトダイオード30・・・論理ツリー 33.34.35・・・電界効果トランジスタ40・・
・トップ負荷回路 41.42・・・負荷トランジスタ 43・・・クランプ回路網 44.45・・・ノード 50−53・・・スイッチ手段ダイオード手続補正帯(
方式) 61.7.23 昭和 年 月 日 2、発明の名称 ソース フォロア電流モード論理
セル36補正をする者 事件との関係 出願人 4、代理人
。 第2図は、オアー排他的オア演算を行なう回路を示す図
、そして 第3図は、入力信号に応答してラッチ動作を行なう回路
を示す図である。 10・・・回路 11・・・入力論理回路網 12.13・・・電界効果トランジスタ14.16・・
・一連のレベルシフトダイオード15・・・電界効果ト
ランジスタ 18.19・・・ノード 20・・・基準信号発生部 21.22・・・電界効果トランジスタ23・・・一連
のレベルシフトダイオード30・・・論理ツリー 33.34.35・・・電界効果トランジスタ40・・
・トップ負荷回路 41.42・・・負荷トランジスタ 43・・・クランプ回路網 44.45・・・ノード 50−53・・・スイッチ手段ダイオード手続補正帯(
方式) 61.7.23 昭和 年 月 日 2、発明の名称 ソース フォロア電流モード論理
セル36補正をする者 事件との関係 出願人 4、代理人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数の入力信号の論理動作を遂行するソースフォロ
ア電流舵取り論理回路であって: A、第1及び第2の入力枝路(各枝路は、 (i)入力信号を受けてそれに応答して信号を発生する
入力手段、 (ii)前記入力手段に接続されていて該手段から信号
を受けてそれに応答して選択された 電圧レベルを有する出力信号を発生する信 号発生手段を含み;前記第1及び第2の両 入力枝路の信号発生手段が電源手段と前記 入力手段との間に直列に接続されている所 定数のレベルシフト手段を有し、前記第 1及び第2の入力枝路からの出力信号が異 なる電圧レベルを持つように異なる枝路の 信号発生手段からの出力信号は関連してい るレベルシフト手段の異なる手段の出力 から取出されている。); B、電源手段に接続されている所定数の直列接続された
レベルシフト手段を有していて、 出力信号を取出している前記第1及び第2の各入力枝路
内のレベルシフト手段に対応す るレベルシフト手段の出力から参照電圧信 号を発生する参照枝路手段; C、前記信号発生手段と前記参照枝路手段とに接続され
ていて、前記信号発生手段からの前記出力信号の電圧レ
ベルに応答して前記参照枝路手段からの電圧レベルに関
係づけられた論理出力信号を発生する論理枝路手段;及
びD、前記論理枝路手段に接続されていて該論理枝路手
段から論理出力信号を受け、前記論理枝路手段からの論
理出力信号に応答して選択された電圧レベルを有するテ
イジタル信号を発生する出力枝路手段; を具備するソースフォロア電流舵取り論理回路。 2、複数の入力信号の論理動作を遂行するソースフォロ
ア電流舵取り論理回路であって: A、第1及び第2の入力枝路(各枝路は、入力信号を受
けてそれに応答して選択された電圧レベルを有する出力
信号を発生する信号発生手段を含み、前記第1及び第2
の両入力枝路の信号発生手段が直列に接続されている所
定数のレベルシフト手段を有していて前記第 1及び第2の入力枝路からの出力信号が異なる電圧レベ
ルを持つように異なる枝路の信号発生手段からの出力信
号は関連しているレベルシフト手段の異なる手段の出力
から取出 されている。); B、所定数の直列接続されているレベルシフト手段を有
していて、出力信号を取出している前記第1及び第2の
各入力枝路内のレベルシフト手段に対応するレベルシフ
ト手段の 出力から参照電圧を発生する参照枝路手段;及び C、前記信号発生手段と前記参照枝路手段とに接続され
ていて、前記第1及び第2の入力枝路からの出力信号に
応答して前記参照信号に関係づけられた論理出力信号を
発生し、また前記論理出力信号に応答して選択された電
圧レベルを持ったデイジタル信号を発生する論理枝路手
段; を具備するソースフォロア電流舵取り論理回路。 3、複数の入力信号の論理動作を遂行するソースフォロ
ア電流舵取り論理回路であって: A、第1及び第2の入力枝路(各入力枝路は、(i)そ
れぞれが複数の入力信号を受け、選択された状態を有す
る受信信号に応答して信 号を発生する入力論理手段、 (ii)前記入力手段と電流源手段とに接続されていて
それらから信号を受け、それらに応 答して選択された電圧レベルを有する出力 信号を発生する信号発生手段を含み;前記 第1及び第2の両入力枝路の信号発生手段 が前記電流源と前記入力手段との間に直列 に接続されている所定数のレベルシフト 用ダイオード手段を有し、前記第1及び第 2の入力枝路からの出力信号が異なる電圧 レベルを持つように異なる枝路の信号発生 手段からの出力信号は関連しているレベル シフト手段の異なる手段の出力から取出 されている。); B、電流源に接続されている所定数の直列接続されたレ
ベルシフト用ダイオード手段を有 していて、出力信号を取出している前記第1及び第2の
各入力枝路内のレベルシフト用 ダイオード手段に対応するレベルシフト用 ダイオード手段の出力から参照信号を発生させることに
よって前記出力信号が選択された状態にある場合には関
連参照電圧信号が前記信号発生手段の出力信号の電圧レ
ベルに比例する電圧レベルを持つようにした参照枝路手
段; C、前記信号発生手段と前記参照枝路手段とに接続され
ていて、前記信号発生手段からの前記出力信号の電圧レ
ベルに応答して前記参照枝路手段からの前記参照信号の
電圧レベルに関係づけられた論理出力信号を発生するよ
うになっており;それぞれがドレイン端子、ソース端子
及びゲート端子を有する複数のトランジスタ手段を含ん
でいて、各ゲート端子に前記参照電圧信号或は前記信号
発生手段からの前記出力信号の一方を印加し、対応する
参照及び出力信号を受けている前記ソース端子を互に接
続することによって出力信号の電圧レベルが対応する参
照信号の電圧レベルよりも大きい場合だけ出力信号によ
って制御されたトランジスタ手段を導通せしめ;論理出
力信号を前記トランジスタ手段のドレイン端子の信号に
応答して発生する論理枝路手段; D、前記論理枝路手段に接続されていて該論理枝路手段
から論理出力信号を受け、前記論理枝路手段からの論理
出力信号に応答して選択された電圧レベルを有するデイ
ジタル信号を発生するようになっており;出力電圧参照
信号を受ける電圧参照入力手段、及び電圧参照入力手段
と前記論理出力信号を取出している前記トランジスタ手
段のドレイン端子との間に接続されている反並列ダイオ
ード手段を含み;前記反並列ダイオード手段が前記デイ
ジタル信号を前記出力電圧参照信号の電圧レベルによっ
て決定される電圧レベルにクランプするようになってい
る出力枝路手段; を具備するソースフォロア電流舵取り論理回路。 4、複数の入力信号の論理動作を遂行するソースフォロ
ア電流舵取り論理回路であって: A、それぞれが入力信号を受けてそれに応答して選択さ
れた電圧レベルを有する出力信号を発生するように接続
されている第1及び第2の信号発生手段を含み、前記各
信号発生手段が直列に接続されている所定数の電圧レベ
ルシフト手段を有していて前記第1及び第2の信号発生
手段からの出力信号が異なる電圧レベルを持つように異
なる枝路の信号発生手段からの出力信号を関連している
レベルシフ ト手段の異なる手段の出力から取出している入力枝路手
段; B、同数の直列接続されているレベルシフト手段を有し
これらのレベルシフト手段の出 力から参照電圧信号を発生するようになっており、前記
出力信号を取出している前記第1及び第2の各信号発生
手段内のレベルシフ ト手段に対応するレベルシフト手段から前 記参照電圧信号を取出すようにした参照枝路手段; C、前記信号発生手段と前記参照枝路手段とに接続され
ていて前記参照信号に関係づけられた相補的論理出力信
号を伝送する電流モード論理スイッチ手段を含み、前記
電流モード論理スイッチ手段が前記第1及び第2の信号
発生手段からの出力信号に応答して選択された論理動作
を遂行するように接続されている論理手段;及び D、前記電流モード論理手段に接続されていて前記相補
的論理出力信号を選択された電圧レベルにクランプする
クランプ手段; を具備するソースフォロア電流舵取り論理回路。 5、前記論理手段が前記第1及び第2の信号発生手段か
らの各出力信号毎に電流モード論理スイッチ手段を含み
、前記電流モード論理スイッチ手段が選択された論理動
作を遂行するように相互接続されており、各電流モード
論理スイッチ手段が参照トランジスタ及び入力トランジ
スタを含んでいて各入力トランジスタがそれぞれの第1
或は第2の信号発生手段に接続され且つ該手段からの出
力信号によって制御され、また各参照トランジスタが出
力信号を取出しているレベルシフト手段に対応する前記
参照枝路手段内のレベルシフト手段に接続され且つ該手
段からの参照電圧信号によって制御されていることを特
徴とする特許請求の範囲4に記載のソースフォロア電流
舵取り論理回路。 6、前記論理手段が、前記論理出力信号を伝送する前記
電流モード論理スイッチ手段に接続されているノード手
段を含み;前記クランプ手段が、参照電圧を受けるため
の端子と前記ノード手段との間に接続されている反並列
接続されたダイオード手段からなっていることを特徴と
する特許請求の範囲4に記載のソースフォロア電流舵取
り論理回路。 7、前記各信号発生手段が、入力信号を受けるように接
続されている入力トランジスタ手段を含み;前記各レベ
ルシフト手段がレベルシフ ト用ダイオード手段からなり;前記入力トランジスタ手
段が前記レベルシフト手段を構成している一連のダイオ
ードの第1のダイオードに接続されており、前記出力信
号が選択されたダイオードの端子から取出されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲4に記載のソースフォロ
ア電流舵取り論理回路。 8、少なくとも1つの前記信号発生手段が、付加的入力
信号を受けるために前記第1の入力トランジスタ手段と
並列の付加的入力トランジスタ手段を含み、前記入力ト
ランジスタ手段の何れかに少なくとも前記入力信号の1
つが出現すれば出力信号を発生するようにしてあること
を特徴とする特許請求の範囲7に記載のソースフォロア
電流舵取り論理回路。 9、前記電流モード論理スイッチ手段の1つが第2の電
流モードスイッチ手段内のトランジスタの1つに直列に
接続されていて、前記入力枝路手段からの出力信号の論
理的AND動作を遂行するようにしてあることを特徴と
する特許請求の範囲5に記載のソースフォロア電流舵取
り論理回路。 10、3つの電流モード論理スイッチ手段を備え、前記
3つの電流モード論理スイッチ手段は前記電流モード論
理スイッチ手段の1つの中の各トランジスタが他の電流
モード論理スイッチ手段の1つをイネーブルするように
相互接続されており;入力信号の1つが前記1つの電流
モード論理スイッチ手段内の前記入力トランジスタを制
御するように接続され、他の入力信号が前記他の両電流
モード論理スイッチ手段内の入力トランジスタを制御す
るように接続され;前記他の電流モード論理スイッチ手
段の出力端子が、前記回路の論理出力信号に前記入力枝
路手段からの前記出力信号の排他的OR動作を付与する
ように相互接続されていることを特徴とする特許請求の
範囲5に記載のソースフォロア電流舵取り論理回路。 11、前記各他の電流モード論理スイッチ手段の出力端
子が、前記他の電流モード論理スイッチ手段の一方の参
照トランジスタの出力端子が前記他の電流モード論理ス
イッチ手段の他方の入力トランジスタの出力端子に接続
されるように相互接続されており;論理出力信号が前記
他の電流モード論理スイッチ手段の出力端子間の接続か
ら取出されることを特徴とする特許請求の範囲10に記
載のソースフォロア電流舵取り論理回路。 12、前記論理手段が、前記入力枝路手段からの出力信
号によって制御される付勢可能な電流モード論理スイッ
チ手段、前記電流モード論理スイッチ手段の出力端子に
接続されていて該出力端子に信号をラッチする付勢可能
なフィードバック手段、及び入力枝路手段からの別の出
力信号によって制御され前記入力枝路からの他の出力信
号に応答して前記第1の電流モード論理スイッチ手段或
は前記フィードバック手段を選択的に付勢する第2の電
流モード論理スイッチ手段を含んでいることを特徴とす
る特許請求の範囲5に記載のソースフォロア電流舵取り
論理回路。 13、前記フィードバック手段が、前記他の電流モード
論理スイッチ手段によってタンデムにイネーブルされる
ように接続されている差動接続されたトランジスタ手段
、及び複数の直列接続されたレベルシフト手段を備え;
前記各レベルシフト手段が、前記出力論理信号に応答し
て前記差動接続されたトランジスタ手段内の一方のトラ
ンジスタの動作を制御する信号を発生することを特徴と
する特許請求の範囲12に記載のソースフォロア電流舵
取り論理回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US725255 | 1985-04-19 | ||
US06/725,255 US4728821A (en) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | Source follower current mode logic cells |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62131A true JPS62131A (ja) | 1987-01-06 |
Family
ID=24913788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61089853A Pending JPS62131A (ja) | 1985-04-19 | 1986-04-18 | ソ−ス フオロア電流モ−ド論理セル |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4728821A (ja) |
EP (1) | EP0199287B1 (ja) |
JP (1) | JPS62131A (ja) |
AU (1) | AU592335B2 (ja) |
CA (1) | CA1258298A (ja) |
DE (1) | DE3680811D1 (ja) |
DK (1) | DK178686A (ja) |
FI (1) | FI87866C (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4705904A (en) * | 1984-02-14 | 1987-11-10 | Allied Corporation | Vapor phase synthesis of hexafluoroisobutylene |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4728821A (en) * | 1985-04-19 | 1988-03-01 | Digital Equipment Corporation | Source follower current mode logic cells |
EP0254214B1 (de) * | 1986-07-21 | 1990-09-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierbare Schaltung zur Pegelumsetzung |
US4965863A (en) * | 1987-10-02 | 1990-10-23 | Cray Computer Corporation | Gallium arsenide depletion made MESFIT logic cell |
US4812676A (en) * | 1987-12-21 | 1989-03-14 | Digital Equipment Corporation | Current mode logic switching circuit having a Schmitt trigger |
JP2574859B2 (ja) * | 1988-03-16 | 1997-01-22 | 株式会社日立製作所 | Fet論理回路 |
US4831284A (en) * | 1988-03-22 | 1989-05-16 | International Business Machines Corporation | Two level differential current switch MESFET logic |
DE3854155T2 (de) * | 1988-04-29 | 1996-02-29 | Ibm | GaAs-Mesfet-Logik-Schaltungen mit Gegentakt-Ausgangspufferschaltungen. |
JPH0454724A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 論理回路 |
JP2642512B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1997-08-20 | シャープ株式会社 | 半導体集積回路 |
FR2714551B1 (fr) * | 1993-12-24 | 1996-02-02 | Bull Sa | Porte logique OU-Exclusif intégrée. |
JP3307547B2 (ja) * | 1996-10-30 | 2002-07-24 | 富士通株式会社 | レベルシフト回路及びこれを用いた電圧制御型発振回路 |
US8154332B2 (en) * | 2009-10-30 | 2012-04-10 | Stmicroelectronics Design And Application Gmbh | Current-controlled resistor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS536380U (ja) * | 1976-06-30 | 1978-01-20 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH1935268A4 (ja) * | 1968-11-07 | 1970-11-13 | ||
JPS54148465A (en) * | 1978-05-15 | 1979-11-20 | Fujitsu Ltd | Driving circuit |
US4300064A (en) * | 1979-02-12 | 1981-11-10 | Rockwell International Corporation | Schottky diode FET logic integrated circuit |
FR2469052A1 (fr) * | 1979-11-05 | 1981-05-08 | Thomson Csf | Comparateur a memoire, assurant la regeneration de signaux electriques numeriques, et systeme de transmission numerique utilisant un tel comparateur |
US4393315A (en) * | 1981-05-18 | 1983-07-12 | Sperry Corporation | High-gain stabilized converter |
US4728821A (en) * | 1985-04-19 | 1988-03-01 | Digital Equipment Corporation | Source follower current mode logic cells |
-
1985
- 1985-04-19 US US06/725,255 patent/US4728821A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-04-16 DE DE8686105295T patent/DE3680811D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-04-16 EP EP86105295A patent/EP0199287B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-17 AU AU56304/86A patent/AU592335B2/en not_active Ceased
- 1986-04-17 FI FI861629A patent/FI87866C/fi not_active IP Right Cessation
- 1986-04-18 CA CA000506988A patent/CA1258298A/en not_active Expired
- 1986-04-18 JP JP61089853A patent/JPS62131A/ja active Pending
- 1986-04-18 DK DK178686A patent/DK178686A/da not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS536380U (ja) * | 1976-06-30 | 1978-01-20 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4705904A (en) * | 1984-02-14 | 1987-11-10 | Allied Corporation | Vapor phase synthesis of hexafluoroisobutylene |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0199287A3 (en) | 1987-04-01 |
US4728821A (en) | 1988-03-01 |
DK178686D0 (da) | 1986-04-18 |
FI861629A (fi) | 1986-10-20 |
FI861629A0 (fi) | 1986-04-17 |
EP0199287A2 (en) | 1986-10-29 |
CA1258298A (en) | 1989-08-08 |
AU5630486A (en) | 1986-10-23 |
FI87866B (fi) | 1992-11-13 |
EP0199287B1 (en) | 1991-08-14 |
AU592335B2 (en) | 1990-01-11 |
DE3680811D1 (de) | 1991-09-19 |
DK178686A (da) | 1986-10-20 |
FI87866C (fi) | 1993-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950005023B1 (ko) | Ecl게이트의 전력소비를 변화시키는 장치 및 ecl회로를 동작시키는 방법 | |
US4628216A (en) | Merging of logic function circuits to ECL latch or flip-flop circuit | |
US4491747A (en) | Logic circuit using depletion mode field effect switching transistors | |
JPS62131A (ja) | ソ−ス フオロア電流モ−ド論理セル | |
JPS58134530A (ja) | 高速低電力ガリウムひ素基本論理回路 | |
US4697103A (en) | Low power high current sinking TTL circuit | |
US4112314A (en) | Logical current switch | |
US4605871A (en) | Inverter function logic gate | |
US4791322A (en) | TTL compatible input buffer | |
US4486880A (en) | Output multiplexer having one gate delay | |
US3339089A (en) | Electrical circuit | |
US4551638A (en) | ECL Gate with switched load current source | |
US4767950A (en) | MOS inverter circuit having two different supply voltages | |
US3679917A (en) | Integrated circuit system having single power supply | |
US3532909A (en) | Transistor logic scheme with current logic levels adapted for monolithic fabrication | |
US4488063A (en) | EFL Latch merged with decoder-multiplexer | |
US5225717A (en) | BiCMOS input buffer circuit operable at high speed under less power consumption | |
US5068550A (en) | ECL-TTL signal level converter | |
US4727265A (en) | Semiconductor circuit having a current switch circuit which imparts a latch function to an input buffer for generating high amplitude signals | |
EP0090186B1 (en) | Complementary logic circuit | |
US5485106A (en) | ECL to CMOS converter | |
US5852367A (en) | Speed enhanced level shifting circuit utilizing diode capacitance | |
US5287016A (en) | High-speed bipolar-field effect transistor (BI-FET) circuit | |
US4626711A (en) | Exclusive or gate circuit | |
US4704544A (en) | Complementary current mirror logic |