JPS6212899B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6212899B2 JPS6212899B2 JP10955480A JP10955480A JPS6212899B2 JP S6212899 B2 JPS6212899 B2 JP S6212899B2 JP 10955480 A JP10955480 A JP 10955480A JP 10955480 A JP10955480 A JP 10955480A JP S6212899 B2 JPS6212899 B2 JP S6212899B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- substrate
- layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 7
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- -1 cinnamylidene Chemical group 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コレステリツク−ネマテイツク相転
移を利用した液晶表示素子用電極基板の製造方法
に関する。
移を利用した液晶表示素子用電極基板の製造方法
に関する。
液晶表示素子（LCD）は低消費電力、低電圧
駆動、小型、薄型等の利点を生かし、腕時計、電
卓表示等に実用化されている。
駆動、小型、薄型等の利点を生かし、腕時計、電
卓表示等に実用化されている。
LCDの次の応用分野として、各種情報処理端
末、計測用表示等のＸ−Ｙマトリツクス型表示や
カラー表示が有望と考えられ、Ｘ−Ｙマトリツク
ス型LCDについてはこれまで種々の方式が報告
されている。これらの中で、メモリー効果を有す
る液晶（記憶型液晶）は、リフレツシユ不要、走
査線数が多くとも駆動可能という特徴がある。ま
たカラー表示液晶は意匠性の付与あるいは見易さ
の向上ができる特徴がある。
末、計測用表示等のＸ−Ｙマトリツクス型表示や
カラー表示が有望と考えられ、Ｘ−Ｙマトリツク
ス型LCDについてはこれまで種々の方式が報告
されている。これらの中で、メモリー効果を有す
る液晶（記憶型液晶）は、リフレツシユ不要、走
査線数が多くとも駆動可能という特徴がある。ま
たカラー表示液晶は意匠性の付与あるいは見易さ
の向上ができる特徴がある。
コレステリツク−ネマテイツク相転移
（CNT）型液晶は記憶表示、高速書き込み可能の
特徴をもつ方式と、二色性染料を添加したゲスト
ホスト型の方式とに適用されており、本発明の電
極基板は両者に適用できる。
（CNT）型液晶は記憶表示、高速書き込み可能の
特徴をもつ方式と、二色性染料を添加したゲスト
ホスト型の方式とに適用されており、本発明の電
極基板は両者に適用できる。
CNT型液晶セルは、垂直配向処理を施した透
明電極基板間にＰ型ネマテイツク−コレステリツ
ク混合液晶をはさんだ構造になつており、第１図
に示すような光透過強度−印加電圧特性を示す。
第２図は上記の特性を利用した記憶書込の原理説
明図であり、図ａ，ｃは印加電圧−時間関係、図
ｂ，ｄは図ａ，ｃのそれぞれに対応する液晶の光
透過強度−時間の関係を示す図である。
明電極基板間にＰ型ネマテイツク−コレステリツ
ク混合液晶をはさんだ構造になつており、第１図
に示すような光透過強度−印加電圧特性を示す。
第２図は上記の特性を利用した記憶書込の原理説
明図であり、図ａ，ｃは印加電圧−時間関係、図
ｂ，ｄは図ａ，ｃのそれぞれに対応する液晶の光
透過強度−時間の関係を示す図である。
第１図、第２図を用いて説明すれば、記憶表示
は第１図に示される印加電圧を取り除いた後に得
られる２種の安定状態、すなわち、比較的透明な
状態Ｓと不透明な状態F0とを利用して行なわれ
る。
は第１図に示される印加電圧を取り除いた後に得
られる２種の安定状態、すなわち、比較的透明な
状態Ｓと不透明な状態F0とを利用して行なわれ
る。
第３図ａは従来のＸ−Ｙマトリツクス表示を行
なうCNT液晶表示素子の部分断面図の例であ
り、１，１′はガラス基板、２，２′はそれぞれガ
ラス基板１，１′上に設けた透明導電膜からなる
Ｘ電極、Ｙ電極、３，３′は電極を含むガラス基
板上に設けた液晶垂直配向層、４はCNT型液晶
である。このようなＸ−Ｙマトリツクスによるフ
アインパターンをもつた素子を駆動する場合、
Ｘ、Ｙ両電極間にＶHより高い電圧が印加された
Ｘ、Ｙ電極２，２′の交叉部近傍間には、図ａに
矢印５で示すような電気力線分布を生ずる。この
ような電気力線分布をＸ電極２の方向の断面の電
圧分布で示せば第３図ｂに示すようになり、Ｘ、
Ｙ電極２，２′の交叉部近傍の非電極部に光散乱
するに十分な電圧のかかる部分ができ、第３図ｃ
に示すように画素を回り込む形で光散乱を生じる
F′状態の部分６が出現し、さらに、この散乱部
が経時的に拡大し、定着時にはF0状態になり、
散乱が記憶される欠点があつた。
なうCNT液晶表示素子の部分断面図の例であ
り、１，１′はガラス基板、２，２′はそれぞれガ
ラス基板１，１′上に設けた透明導電膜からなる
Ｘ電極、Ｙ電極、３，３′は電極を含むガラス基
板上に設けた液晶垂直配向層、４はCNT型液晶
である。このようなＸ−Ｙマトリツクスによるフ
アインパターンをもつた素子を駆動する場合、
Ｘ、Ｙ両電極間にＶHより高い電圧が印加された
Ｘ、Ｙ電極２，２′の交叉部近傍間には、図ａに
矢印５で示すような電気力線分布を生ずる。この
ような電気力線分布をＸ電極２の方向の断面の電
圧分布で示せば第３図ｂに示すようになり、Ｘ、
Ｙ電極２，２′の交叉部近傍の非電極部に光散乱
するに十分な電圧のかかる部分ができ、第３図ｃ
に示すように画素を回り込む形で光散乱を生じる
F′状態の部分６が出現し、さらに、この散乱部
が経時的に拡大し、定着時にはF0状態になり、
散乱が記憶される欠点があつた。
本発明者らは、液晶セルの厚み方向に液晶のら
せんピツチの少ない方が光散乱強度も記憶効果も
弱い性質を利用して、第４図ａ及びｂ（第４図ａ
及びｂはそれぞれ上側電極基板の非電極部分及び
電極部分で切断した部分端面図である。）に示す
ように、それぞれの表面にＸ、Ｙ電極２，２′を
設けた基板１，１′の電極２，２′側の非電極部に
それぞれ絶縁性の凸部７，７′を設け、さらにそ
の上に着色被膜８，８′を設け、さらに、それぞ
れの電極部２，２′ならびに着色被膜８，８′を含
む基板１，１′の全表面上に液晶の垂直配向層
３，３′を設けてなる２枚の電極基板９，９′を
Ｘ、Ｙ電極２，２′が直交して対向するように配
置して、両者の間にCNT型液晶を挾持させて液
晶セルを構成し、一方の電極基板９または９′の
非電極部、すなわち、凸部７または７′上の着色
被膜８又は８′と他方の電極基板９または９′の電
極部、すなわちＹ電極２′またはＸ電極２との間
の液晶の厚みをＸ、Ｙ電極２，２′の交叉部間の
液晶の厚みよりも薄くすることにより、上述した
従来技術の欠点を除去しうることさらに着色被膜
を設けることによりコントラストを向上させうる
ことを見出し、本発明に到達したものである。こ
の場合、一般的には、上記非電極部、すなわち、
凸部７，７′上の着色被膜８，８′部分における液
晶の厚みは、CNT型液晶のらせんが記憶効果を
もつピツチ数以下になるようにする。通常の場
合、約３ピツチ以下になるようにすることが望ま
しい。また、上記凸部はその原理から、その一部
が電極部に重畳して形成されても上記の効果をも
つていることは明らかである。さらに、上記凸部
の高さは、液晶セルの厚さ、駆動電圧、液晶の種
類、液晶セルの製造方法等を考慮して決定され、
通常は0.1〜５μ程度の高さにする。
せんピツチの少ない方が光散乱強度も記憶効果も
弱い性質を利用して、第４図ａ及びｂ（第４図ａ
及びｂはそれぞれ上側電極基板の非電極部分及び
電極部分で切断した部分端面図である。）に示す
ように、それぞれの表面にＸ、Ｙ電極２，２′を
設けた基板１，１′の電極２，２′側の非電極部に
それぞれ絶縁性の凸部７，７′を設け、さらにそ
の上に着色被膜８，８′を設け、さらに、それぞ
れの電極部２，２′ならびに着色被膜８，８′を含
む基板１，１′の全表面上に液晶の垂直配向層
３，３′を設けてなる２枚の電極基板９，９′を
Ｘ、Ｙ電極２，２′が直交して対向するように配
置して、両者の間にCNT型液晶を挾持させて液
晶セルを構成し、一方の電極基板９または９′の
非電極部、すなわち、凸部７または７′上の着色
被膜８又は８′と他方の電極基板９または９′の電
極部、すなわちＹ電極２′またはＸ電極２との間
の液晶の厚みをＸ、Ｙ電極２，２′の交叉部間の
液晶の厚みよりも薄くすることにより、上述した
従来技術の欠点を除去しうることさらに着色被膜
を設けることによりコントラストを向上させうる
ことを見出し、本発明に到達したものである。こ
の場合、一般的には、上記非電極部、すなわち、
凸部７，７′上の着色被膜８，８′部分における液
晶の厚みは、CNT型液晶のらせんが記憶効果を
もつピツチ数以下になるようにする。通常の場
合、約３ピツチ以下になるようにすることが望ま
しい。また、上記凸部はその原理から、その一部
が電極部に重畳して形成されても上記の効果をも
つていることは明らかである。さらに、上記凸部
の高さは、液晶セルの厚さ、駆動電圧、液晶の種
類、液晶セルの製造方法等を考慮して決定され、
通常は0.1〜５μ程度の高さにする。
また、上述のピツチより大きなコレステリツク
相液晶を用い記憶機能を持たない系に、二色性色
素を0.01〜５％程度添加した場合、セル内部で液
晶と二色性染料は電極面にほぼ平行になるため、
着色してみえ電圧の印加で、垂直に立つために消
色する。本来この系では背景が着色しているため
電極で消色するネガ表示しか行えないが、本発明
の基板を用いれば、非電極部の液晶厚みをらせん
を形成し得ない厚みまで薄くすることによつて背
景の着色を異ならせてカラーコントラストの高い
表示が行える。凸部は通常0.5〜10μ程度となる
が、この高さは単に液晶層厚みばかりでなく、垂
直配向剤の強さ、液晶のらせんピツチ等を勘案し
て決定される。通常はセル厚みの５分の１から２
分の１になる。
相液晶を用い記憶機能を持たない系に、二色性色
素を0.01〜５％程度添加した場合、セル内部で液
晶と二色性染料は電極面にほぼ平行になるため、
着色してみえ電圧の印加で、垂直に立つために消
色する。本来この系では背景が着色しているため
電極で消色するネガ表示しか行えないが、本発明
の基板を用いれば、非電極部の液晶厚みをらせん
を形成し得ない厚みまで薄くすることによつて背
景の着色を異ならせてカラーコントラストの高い
表示が行える。凸部は通常0.5〜10μ程度となる
が、この高さは単に液晶層厚みばかりでなく、垂
直配向剤の強さ、液晶のらせんピツチ等を勘案し
て決定される。通常はセル厚みの５分の１から２
分の１になる。
本発明は上記のような液晶表示素子に用いる電
極基板の製造方法を提供するものである。
極基板の製造方法を提供するものである。
すなわち、本発明は、パターン化された導電層
からなる電極と該電極上に設けた遮光性層とから
なる二重層を有する透明基板の該二重層側の前記
基板の全面上に該二重層より厚い感光性樹脂被膜
を設け、さらに該被膜上に着色被膜を設け、次い
で該感光性樹脂被膜を前記二重層をマスクとして
前記基板の裏面から露光した後現像し、前記基板
の非遮光部（前記二重層のない部分）上に前記感
光性樹脂被膜からなり、表面に着色被膜を有する
凸部を設けるか、または、さらに前記二重層の上
層の前記遮光性層を除去するという簡単な工程で
精度よく液晶表示素子用電極基板を得るようにし
たものである。
からなる電極と該電極上に設けた遮光性層とから
なる二重層を有する透明基板の該二重層側の前記
基板の全面上に該二重層より厚い感光性樹脂被膜
を設け、さらに該被膜上に着色被膜を設け、次い
で該感光性樹脂被膜を前記二重層をマスクとして
前記基板の裏面から露光した後現像し、前記基板
の非遮光部（前記二重層のない部分）上に前記感
光性樹脂被膜からなり、表面に着色被膜を有する
凸部を設けるか、または、さらに前記二重層の上
層の前記遮光性層を除去するという簡単な工程で
精度よく液晶表示素子用電極基板を得るようにし
たものである。
以下に、本発明を第５図を用いて工程順に詳細
に説明する。
に説明する。
(1) 遮光性被膜の形成およびパターン化
同図ａに示すように、通常の方法で作成した
表面に所定の電極パターンをもつた透明導電膜
からなる電極層２２を形成した透明基板２１の
電極層２２を含む全面上に遮光性被膜２３を設
ける。
表面に所定の電極パターンをもつた透明導電膜
からなる電極層２２を形成した透明基板２１の
電極層２２を含む全面上に遮光性被膜２３を設
ける。
遮光性被膜２３の材料としては、無機、有
機、あるいは、それらの複合体が用いられ、ま
た、この被膜の形成には、コーテイング、蒸
着、スパツタ等の通常の被膜形成方法が用いら
れる。なお、この遮光性被膜２３に使用される
物質としては、電極層２２との接着性が良く、
遮光性が良い物質が好ましく、この物質のエツ
チング液は電極層２２と透明基板２１を侵さな
いものを選択できるものでなければならない。
機、あるいは、それらの複合体が用いられ、ま
た、この被膜の形成には、コーテイング、蒸
着、スパツタ等の通常の被膜形成方法が用いら
れる。なお、この遮光性被膜２３に使用される
物質としては、電極層２２との接着性が良く、
遮光性が良い物質が好ましく、この物質のエツ
チング液は電極層２２と透明基板２１を侵さな
いものを選択できるものでなければならない。
つぎに、同図ｂに示すように、通常のホトレ
ジスト法を用いて、遮光性被膜２３をエツチン
グし電極層２２上のみにパターン化された遮光
性被膜２３′を残す。遮光性被膜２３′は必ずし
も電極層２２と同一である必要はなく、必要に
応じたパターンとしてもよい。たとえば、記憶
型液晶セルに用いる場合には、同図b′に示すよ
うに、電極層２２よりも幅を狭くして遮光性被
膜２３′を形成し、後述する凸状部の一部を電
極層２２と重なるようにすることが望ましい。
ジスト法を用いて、遮光性被膜２３をエツチン
グし電極層２２上のみにパターン化された遮光
性被膜２３′を残す。遮光性被膜２３′は必ずし
も電極層２２と同一である必要はなく、必要に
応じたパターンとしてもよい。たとえば、記憶
型液晶セルに用いる場合には、同図b′に示すよ
うに、電極層２２よりも幅を狭くして遮光性被
膜２３′を形成し、後述する凸状部の一部を電
極層２２と重なるようにすることが望ましい。
(2) ネガ型感光性樹脂被膜及び着色被膜の形成
同図ｃ，c′に示すように、パターン化された
電極層２２と遮光性被膜２３′の二重層を含む
透明基板２１の表面上に前記二重層よりも厚い
ネガ型感光性樹脂被膜２４を回転塗布法、ロー
ルコート法、浸法等の通常の塗工方法により設
け、さらにその上に着色被膜２５を設け、つい
で、基板２１の裏面から矢印２で示すように露
光し、遮光されない基板２１の非電極部分上の
感光性樹脂被膜を硬化させる。ここで用いるネ
ガ型感光性樹脂としては、たとえば、アジドゴ
ム系、環化ゴム系、ポリケイ皮酸ビニル系、シ
ンナミリデン系、アクリロイル系、不飽和ポリ
エステル系、感光性シリコーン等が用いられ
る。また、上記着色被膜の材料としては、黒色
顔料、有色顔料、金属、金属酸化物、金属炭化
物等が用いられ、これらはそのままあるいは樹
脂等に分散又は溶解した形で、回転塗布法、浸
漬法、ロールコート法、スパツタ、蒸着、
CVD等により被膜形成される。この被膜は、
使用材料によつても異なるが、一般的には0.01
〜10μｍ程度の厚さであることが好ましい。
電極層２２と遮光性被膜２３′の二重層を含む
透明基板２１の表面上に前記二重層よりも厚い
ネガ型感光性樹脂被膜２４を回転塗布法、ロー
ルコート法、浸法等の通常の塗工方法により設
け、さらにその上に着色被膜２５を設け、つい
で、基板２１の裏面から矢印２で示すように露
光し、遮光されない基板２１の非電極部分上の
感光性樹脂被膜を硬化させる。ここで用いるネ
ガ型感光性樹脂としては、たとえば、アジドゴ
ム系、環化ゴム系、ポリケイ皮酸ビニル系、シ
ンナミリデン系、アクリロイル系、不飽和ポリ
エステル系、感光性シリコーン等が用いられ
る。また、上記着色被膜の材料としては、黒色
顔料、有色顔料、金属、金属酸化物、金属炭化
物等が用いられ、これらはそのままあるいは樹
脂等に分散又は溶解した形で、回転塗布法、浸
漬法、ロールコート法、スパツタ、蒸着、
CVD等により被膜形成される。この被膜は、
使用材料によつても異なるが、一般的には0.01
〜10μｍ程度の厚さであることが好ましい。
(3) 基板の非電極部上に絶縁性凸部の形成
同図ｄ，d′に示すように、露光後の感光性樹
脂被膜２４を現像し、遮光性被膜２３′上の未
露光の感光性樹脂被膜２４及びその上の着色被
膜２５を除去すれば、基板２１の非電極部上に
硬化した感光性樹脂被膜からなり、表面に着色
被膜２５′を有する凸部２４′が形成される。
脂被膜２４を現像し、遮光性被膜２３′上の未
露光の感光性樹脂被膜２４及びその上の着色被
膜２５を除去すれば、基板２１の非電極部上に
硬化した感光性樹脂被膜からなり、表面に着色
被膜２５′を有する凸部２４′が形成される。
(4) 遮光性被膜の除去
同図ｅ，e′に示されるように、非電極部に表
面に着色被膜２５′を有する凸部２４′を設けた
基板２１から電極層２２上の遮光性被膜２３′
を除去する。この除去方法としては、遮光性被
膜２３′のみを侵し、凸部２４′、着色被膜２
５′および電極層２２を侵さない溶剤、酸、ア
ルカリ、プラズマ等による処理方法が用いられ
る。
面に着色被膜２５′を有する凸部２４′を設けた
基板２１から電極層２２上の遮光性被膜２３′
を除去する。この除去方法としては、遮光性被
膜２３′のみを侵し、凸部２４′、着色被膜２
５′および電極層２２を侵さない溶剤、酸、ア
ルカリ、プラズマ等による処理方法が用いられ
る。
このようにして本発明の方法による透過型液晶
表示素子用電極基板が得られる。
表示素子用電極基板が得られる。
なお、以上の工程を図ｄまでに止めれば、本発
明による反射型液晶表示素子用電極基板が得られ
る。
明による反射型液晶表示素子用電極基板が得られ
る。
以上の透過型又は反射型の電極基板において、
電極層２２（図ｅ，e′の場合）又は遮光性被膜２
３′（図ｄ，d′の場合）の保護のため、着色被膜
２５′を含む基板２１の全面上にSiO、SiO2、
MgF2、Al2O3、LiO−Sio2等からなる無機絶縁層
を設けてもよい。
電極層２２（図ｅ，e′の場合）又は遮光性被膜２
３′（図ｄ，d′の場合）の保護のため、着色被膜
２５′を含む基板２１の全面上にSiO、SiO2、
MgF2、Al2O3、LiO−Sio2等からなる無機絶縁層
を設けてもよい。
さらに、実際に、上記の電極基板を用いて液晶
表示素子を作製する場合には、該基板の全面上に
液晶配向剤層を設けるものである。
表示素子を作製する場合には、該基板の全面上に
液晶配向剤層を設けるものである。
以下に本発明の実施例を第５図ａ〜ｅを参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
実施例 １
所定の電極パターンをもつたIn2O3からなる電
極層２２をもつた１対のガラス基板２１の電極層
２２側の全面上に遮光性被膜２３としてAl膜を
蒸着法により2000Åの厚さに設けた（第５図ａ）
後、通常のホトエツチング法を用い、希NaOH水
溶液により、電極層２２上にのみAl層２３′を残
した（第５図ｂ）。つぎに、電極層２２、その上
のAl層２３′の二重層を含む基板２１の全表面上
に、回転塗布法により環化ゴム系のネガ型感光性
樹脂被膜２４を２μの厚さに塗布後、該被膜上に
真空蒸着法によりクロムを1000Å設け、着色被膜
２５を形成する。次いで、基板２１の裏面から
100W／m2の紫外線を60秒照射して樹脂被膜２４
を露光し（第５図ｃ）、キシレンにより現像し
て、基板２１の非電極部に感光性樹脂被膜からな
り、表面に着色被膜２５′を有する凸部２４′を設
け（第５図ｄ）、希アルカリ水溶液により遮光用
Al層２３′を除去する（第５図ｅ）。その後、基
板２１の電極層２２及び凸部２４′を含む面上に
1200Å厚さのSiO膜を蒸着し、このSiO膜上に浸
漬法によりシリコーン系垂直配向剤層を形成した
後、この１対の基板を電極間隔８μを保ち、電極
が直交、対向するように配置して液晶表示素子用
セルを作成し、該セル内にビフエニル系Ｐ型液晶
（チツソ社製GR−４）にカイラルネマテイツク
（BDH社製CE−15）を添加した液晶を封入し、
記憶型Ｘ−Ｙマトリツクス液晶表示素子とした。
この素子は凸部については非電極部、電極部とも
に散乱が残らず着色して見える対比の良い特徴あ
る表示が得られた。また、反射型のものについて
もほぼ同様な結果が得られた。
極層２２をもつた１対のガラス基板２１の電極層
２２側の全面上に遮光性被膜２３としてAl膜を
蒸着法により2000Åの厚さに設けた（第５図ａ）
後、通常のホトエツチング法を用い、希NaOH水
溶液により、電極層２２上にのみAl層２３′を残
した（第５図ｂ）。つぎに、電極層２２、その上
のAl層２３′の二重層を含む基板２１の全表面上
に、回転塗布法により環化ゴム系のネガ型感光性
樹脂被膜２４を２μの厚さに塗布後、該被膜上に
真空蒸着法によりクロムを1000Å設け、着色被膜
２５を形成する。次いで、基板２１の裏面から
100W／m2の紫外線を60秒照射して樹脂被膜２４
を露光し（第５図ｃ）、キシレンにより現像し
て、基板２１の非電極部に感光性樹脂被膜からな
り、表面に着色被膜２５′を有する凸部２４′を設
け（第５図ｄ）、希アルカリ水溶液により遮光用
Al層２３′を除去する（第５図ｅ）。その後、基
板２１の電極層２２及び凸部２４′を含む面上に
1200Å厚さのSiO膜を蒸着し、このSiO膜上に浸
漬法によりシリコーン系垂直配向剤層を形成した
後、この１対の基板を電極間隔８μを保ち、電極
が直交、対向するように配置して液晶表示素子用
セルを作成し、該セル内にビフエニル系Ｐ型液晶
（チツソ社製GR−４）にカイラルネマテイツク
（BDH社製CE−15）を添加した液晶を封入し、
記憶型Ｘ−Ｙマトリツクス液晶表示素子とした。
この素子は凸部については非電極部、電極部とも
に散乱が残らず着色して見える対比の良い特徴あ
る表示が得られた。また、反射型のものについて
もほぼ同様な結果が得られた。
実施例 ２
実施例１の透明電極層上の遮光性被膜のAl層
をエツチングにより除去した基板の電極層間に高
さ４μの凸部及びその上に着色被膜を形成した基
板を用い、10μ厚みのセルを実施例１と同様にし
て製造し、液晶としては、Ｅ−７（BDH社製）
にCB15（BDH社製）を５％添加したものに、さ
らに１％のD3（BDH社製二色性染料）を加えた
ものを前記セル中に封入したところ、表示部背景
の着色の少ないポジ型表示可能なゲストホスト型
液晶表示素子が得られた。
をエツチングにより除去した基板の電極層間に高
さ４μの凸部及びその上に着色被膜を形成した基
板を用い、10μ厚みのセルを実施例１と同様にし
て製造し、液晶としては、Ｅ−７（BDH社製）
にCB15（BDH社製）を５％添加したものに、さ
らに１％のD3（BDH社製二色性染料）を加えた
ものを前記セル中に封入したところ、表示部背景
の着色の少ないポジ型表示可能なゲストホスト型
液晶表示素子が得られた。
以上説明したところから明らかなように、本発
明によれば、従来技術の欠点を除去した液晶表示
素子用の電極基板を精度よく、簡単な工程で製造
することができる。
明によれば、従来技術の欠点を除去した液晶表示
素子用の電極基板を精度よく、簡単な工程で製造
することができる。
第１図はCNT型液晶の光透過強度−印加電圧
特性を示す図、第２図はCNT型液晶セルの記憶
書込の原理説明図、第３図ａはＸ−Ｙマトリツク
ス表示メモリー素子のＸ、Ｙ電極交叉部近傍の電
気力線分布を示す図、第３図ｂは上記Ｘ、Ｙ電極
交叉部周辺における両電極間の電圧分布を示す
図、第３図ｃは同図ｂのようなＸ、Ｙ電極間の電
圧分布によりＸ、Ｙ電極交叉部近傍に出現するフ
オーカルコニツク部を示す図、第４図は本発明に
より得られる電極基板を用いたＸ−Ｙマトリツク
ス表示メモリー液晶表示素子のそれぞれ上側電極
基板の非電極部分及び電極部分で切断したところ
を示す部分端面図、第５図は本発明による液晶表
示素子用電極基板の製造工程説明図である。 １，１′……ガラス基板、２，２′……透明電
極、３，３′……垂直配向剤層、４……CNT型液
晶、５……電気力線、６……フオーカルコニツク
部、７，７′……絶縁性凸部、８，８′……着色被
膜、９，９′……電極基板、２１……ガラス基
板、２２……パターン化した電極層、２３……遮
光性被膜、２３′……パターン化した遮光性層、
２４……ネガ型感光性樹脂被膜、２４′……感光
性樹脂被膜からなる凸部、２５……着色被膜、２
５′……凸部上の着色被膜。
特性を示す図、第２図はCNT型液晶セルの記憶
書込の原理説明図、第３図ａはＸ−Ｙマトリツク
ス表示メモリー素子のＸ、Ｙ電極交叉部近傍の電
気力線分布を示す図、第３図ｂは上記Ｘ、Ｙ電極
交叉部周辺における両電極間の電圧分布を示す
図、第３図ｃは同図ｂのようなＸ、Ｙ電極間の電
圧分布によりＸ、Ｙ電極交叉部近傍に出現するフ
オーカルコニツク部を示す図、第４図は本発明に
より得られる電極基板を用いたＸ−Ｙマトリツク
ス表示メモリー液晶表示素子のそれぞれ上側電極
基板の非電極部分及び電極部分で切断したところ
を示す部分端面図、第５図は本発明による液晶表
示素子用電極基板の製造工程説明図である。 １，１′……ガラス基板、２，２′……透明電
極、３，３′……垂直配向剤層、４……CNT型液
晶、５……電気力線、６……フオーカルコニツク
部、７，７′……絶縁性凸部、８，８′……着色被
膜、９，９′……電極基板、２１……ガラス基
板、２２……パターン化した電極層、２３……遮
光性被膜、２３′……パターン化した遮光性層、
２４……ネガ型感光性樹脂被膜、２４′……感光
性樹脂被膜からなる凸部、２５……着色被膜、２
５′……凸部上の着色被膜。
Claims (1)
- １ 透明基板の表面上に所定の電極パターンをも
つた電極となる透明導電層と該電極層上に設けた
遮光性層とからなる二重層を形成し、前記基板の
前記二重層側の全表面上に前記二重層より厚いネ
ガ型感光性樹脂被膜を設け、さらに該被膜上に着
色被膜を設け、次いで前記基板の裏面から前記感
光性樹脂被膜を露光した後現像し、前記基板の非
遮光部上に前記感光性樹脂被膜からなり表面に着
色被膜を有する凸部を形成し、さらに必要に応じ
て遮光性層を除去することを特徴とする液晶表示
素子用電極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10955480A JPS5734522A (en) | 1980-08-09 | 1980-08-09 | Production of electrode substrate for liquid crystal display element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10955480A JPS5734522A (en) | 1980-08-09 | 1980-08-09 | Production of electrode substrate for liquid crystal display element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5734522A JPS5734522A (en) | 1982-02-24 |
| JPS6212899B2 true JPS6212899B2 (ja) | 1987-03-23 |
Family
ID=14513175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10955480A Granted JPS5734522A (en) | 1980-08-09 | 1980-08-09 | Production of electrode substrate for liquid crystal display element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5734522A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58156982A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-19 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH0616506B2 (ja) * | 1984-12-26 | 1994-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
| JPH0658473B2 (ja) * | 1985-04-12 | 1994-08-03 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示素子とその製造方法 |
| JPS62160421A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | Shinto Paint Co Ltd | 微細な導電性回路の間に機能性塗膜を形成する方法 |
| JPH07117662B2 (ja) * | 1986-04-21 | 1995-12-18 | 神東塗料株式会社 | 微細な透明導電性回路パタ−ン上およびその間隙に機能性薄膜を形成する方法 |
| JPH06100684B2 (ja) * | 1986-04-26 | 1994-12-12 | 共同印刷株式会社 | カラーフィルタの製造方法 |
| JP3067362B2 (ja) * | 1991-12-19 | 2000-07-17 | ソニー株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
| KR0182877B1 (ko) * | 1995-11-25 | 1999-05-01 | 구자홍 | 액정표시장치의 구조 및 그 제조방법 |
-
1980
- 1980-08-09 JP JP10955480A patent/JPS5734522A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5734522A (en) | 1982-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0175225B1 (ko) | 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
| JP2698218B2 (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| EP0557110B1 (en) | A reflective substrate, a method for producing the same, and a liquid crystal display device using the same | |
| US5121237A (en) | Liquid crystal display device and method of manufacture | |
| US5187601A (en) | Method for making a high contrast liquid crystal display including laser scribing opaque and transparent conductive strips simultaneously | |
| TW200528890A (en) | Method for manufacturing conductive element substrate, conductive element substrate, method for manufacturing liquid crystal display, liquid crystal display and electronic information equipment | |
| KR20030004093A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
| EP0518296B1 (en) | Electrode plate and process for production thereof | |
| JP2669609B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| US5323252A (en) | Liquid crystal display device with opaque metal electrodes parallel to transparent electrodes with notch at their intersection | |
| US6068953A (en) | Color filter for liquid crystal display device | |
| JPS6212899B2 (ja) | ||
| KR100253652B1 (ko) | 액정표시소자와 그 제조방법 및 이를 사용한 표시장치 | |
| JP2004077697A (ja) | 液晶表示装置 | |
| EP0772070A1 (en) | Liquid crystal display apparatus and fabrication process thereof | |
| US5702871A (en) | Liquid crystal display with low resistance electrode and method therefor | |
| JPH06313890A (ja) | 液晶表示装置用背面電極板とその製造方法 | |
| JPS6212900B2 (ja) | ||
| JP2900948B2 (ja) | 液晶表示パネル及びその製造方法 | |
| US5595790A (en) | Method for forming a reflective surface for a LCD | |
| JPS6212898B2 (ja) | ||
| JPH112718A (ja) | カラーフィルタおよびカラー液晶表示装置 | |
| JP2007041374A (ja) | 電極基板の製造方法、及び液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3312151B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH117035A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 |