JPS62122372A - Original reader - Google Patents

Original reader

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JPS62122372A
JPS62122372A JP60261093A JP26109385A JPS62122372A JP S62122372 A JPS62122372 A JP S62122372A JP 60261093 A JP60261093 A JP 60261093A JP 26109385 A JP26109385 A JP 26109385A JP S62122372 A JPS62122372 A JP S62122372A
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JP
Japan
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signal
photoelectric conversion
noise
conversion element
turned
Prior art date
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Pending
Application number
JP60261093A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuji Matsuura
達治 松浦
Koichi Seki
浩一 関
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a reading signal removing noise of a fixed pattern by turning the second switching element on to read the signal, turning the first switching element on and off, thereafter reading the signal again, subtracting this to obtain an output signal and successively repeating operations on respective picture elements. CONSTITUTION:When a MOS transistor TR11 is turned on by a digital signal phiS1, a signal charge stored in a parasitic capacity C1 is read from an output terminal 11 as a voltage by a buffer amplifier BA1. At this time, not only a noise component but also a noise component on which an offset voltage due to a residual charge of a BA1 and an A points is overlapped is included. Then, a TR21 is turned on by a digital signal phiR1 to make the potential of the A point zero, and thereafter, the TR21 is turned off, the voltage of the A point is read by the signal phiS1 by making the offset voltage by the residual charge to obtain the noise component. From photoelectric transducers LE2-LEn, the signal component and the noise component including the noise are successively obtained. Thereafter, the signal component out1 including the noise is delayed by a changeover switch 15 to subtract a noise component out2 by a differential amplifier 13 and an output signal 3 is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発案はファクシミリ等に用いられる原稿読取装置に関
し、特に密着型原稿読取装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a document reading device used in facsimiles and the like, and particularly to a contact type document reading device.

〔発明の1T景〕 一般に、密着型原稿読取装置は、特開昭59−1407
66に開示されているように複数個の光電変換素子(光
電変換素子アレイ)と該素子をスイッチング走査する回
路から構成されている。二の光電変換索子アレイはその
長さを原稿と同一サイズとし、オプチカルファイバアレ
イあるいはレンズアレイ等の光学系を用いて1対1結像
により原稿を読取るようにしたものであり、結像光路長
を短かくすることができるとともに原稿読取装置の大幅
な小型化を可能にするものである。
[1T view of the invention] In general, a contact type document reading device is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-1407.
As disclosed in Japanese Patent Application No. 66, it is composed of a plurality of photoelectric conversion elements (photoelectric conversion element array) and a circuit for switching and scanning the elements. The second photoelectric conversion probe array has the same length as the original, and reads the original through one-to-one imaging using an optical system such as an optical fiber array or lens array. This makes it possible to shorten the length and significantly downsize the document reading device.

第1図は従来の密着型原稿読取装置の平面図である。第
1図において、光電変換素子LEA。
FIG. 1 is a plan view of a conventional contact type document reading device. In FIG. 1, a photoelectric conversion element LEA.

■、Ez、・・・E、は絶縁基板1上に電極を形成し、
この電極の一端部に重ねて光導電性薄膜2を形成し、さ
らにこの上に透明導電性膜3を設けた積層構造となって
いる。また前記各光電変換素子は半導体集積回路によっ
て構成されたスイッチング回路4に接読されている。
■, Ez, ...E, form electrodes on the insulating substrate 1,
A photoconductive thin film 2 is formed over one end of this electrode, and a transparent conductive film 3 is further provided on top of this to form a laminated structure. Further, each of the photoelectric conversion elements is directly read by a switching circuit 4 constituted by a semiconductor integrated circuit.

第2図は第1図に示した原稿読取装置の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of the document reading device shown in FIG. 1.

第2図では光電変換素子LEt、LEz、LEg。In FIG. 2, photoelectric conversion elements LEt, LEz, and LEg.

・・・、LEnは等価的にフォトダイオードで表わされ
る。この光電変換素子LEI、LE2.LEst・・・
..., LEn are equivalently represented by photodiodes. These photoelectric conversion elements LEI, LE2. LEst...
.

LEnはそれぞれバッファアンプB A t @ B 
A 1 gRAs・・・、BA、の入力に接読されてお
り、また各バッファアンプの出力はシフトレジスタSR
によりオン/オフが制御されるMOS)−ランジスタT
 R工t、 T Rtz、 T Rtat・・・、TR
1−を介して共通信号v&1.0および読出アンプ13
、出力端子11へ接続されている。また各光電変換素子
LEz。
LEn is each buffer amplifier B A t @B
The inputs of A1 gRAs..., BA are read directly, and the output of each buffer amplifier is connected to the shift register SR.
MOS) - transistor T whose on/off is controlled by
R engineeringt, T Rtz, T Rtat..., TR
1- via common signal v&1.0 and read amplifier 13
, are connected to the output terminal 11. Also, each photoelectric conversion element LEz.

LE2.LEδ、・・・、LEnはシフトレジスタSR
により制御されるMOSトランジスタT Rx t v
TR2i TRaa、−、TRznを介して選択的に接
地される。さらに、各光電変換素子は該光電変換素子と
MOSトランジスタの入力容量、配線容量。
LE2. LEδ, ..., LEn are shift registers SR
MOS transistor T Rx t v controlled by
TR2i TRaa, -, selectively grounded via TRzn. Furthermore, each photoelectric conversion element has an input capacitance and a wiring capacitance of the photoelectric conversion element and a MOS transistor.

およびドレイン容量によって形成される寄生容量CI、
CI Ca、・・・、Cnを有している。また、当該光
電変換素子LEtw LE2.LEA、”’、LEnは
電源12によってバイアスが加えられている。
and the parasitic capacitance CI formed by the drain capacitance,
It has CI Ca,..., Cn. Moreover, the photoelectric conversion element LEtw LE2. LEA, "', LEn are biased by power supply 12.

ここで、上述した原稿読取装置の動作について説明する
。まず、原稿像が光重変換素子LEz上に結像されると
、光強度に対応した光電流がフォトダイオードに流れ、
それに応じて寄生容量C1に信号電荷が蓄積され、バッ
ファアンプBAzは光強度に対応した信号電圧を出力す
る。次に、シフトレジスタSRの制御の下にMOSトラ
ンジスタT Rs tを適宜の時間オン状態とすること
により該光電変換素子の光信号に対応した信号電圧が共
通信号線10および読出アンプ13を介して出力端子1
1から読出される。その後シフトレジスタSRで制御さ
れるMOSトランジスタTRLIを適宜の時間オン状態
とすることにより、該光電変換素子の寄生容量に蓄積さ
れた電荷を放電して初期状態にする。以下同様にして順
次光電変換素子LEz、LEa、・・・、LE、によっ
て原稿像を読出す。
Here, the operation of the above-mentioned document reading device will be explained. First, when an original image is formed on the light weight conversion element LEz, a photocurrent corresponding to the light intensity flows to the photodiode,
Accordingly, a signal charge is accumulated in the parasitic capacitance C1, and the buffer amplifier BAz outputs a signal voltage corresponding to the light intensity. Next, by turning on the MOS transistor T Rs t for an appropriate time under the control of the shift register SR, a signal voltage corresponding to the optical signal of the photoelectric conversion element is transmitted via the common signal line 10 and the read amplifier 13. Output terminal 1
It is read from 1. Thereafter, the MOS transistor TRLI controlled by the shift register SR is turned on for an appropriate period of time to discharge the charge accumulated in the parasitic capacitance of the photoelectric conversion element and bring it into an initial state. Thereafter, the original image is sequentially read out by the photoelectric conversion elements LEz, LEa, . . . , LE in the same manner.

ところで、上述した原稿読取装置は、各バッファアンプ
のオフセット電圧がばらつくため、各光電変換素子に同
じ光強度の入射光があっても出力信号がばらつくという
固定バタン雑音があり、出力信号の信号対雑音比(S/
N比)を劣下させるという問題があった。
By the way, in the above-mentioned document reading device, since the offset voltage of each buffer amplifier varies, there is a fixed bump noise in which the output signal varies even if each photoelectric conversion element has incident light of the same light intensity, and the signal pair of the output signal varies. Noise ratio (S/
There was a problem of deteriorating the N ratio.

また、光電変換素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電
するため、放電用のMOS)−ランジスタT Rztt
 T Rzzt・・・、TRznをオンにした後オフに
すると、MOSトランジスタのチャネル領域の電荷の一
部が、該光電変換素子の寄生容量の残留電荷として残さ
れるためオフセット電圧が生じるという問題があった。
In addition, in order to discharge the charge accumulated in the parasitic capacitance of the photoelectric conversion element, a discharge MOS)-transistor T Rztt
When TRzzt..., TRzn is turned on and then turned off, a part of the charge in the channel region of the MOS transistor remains as a residual charge of the parasitic capacitance of the photoelectric conversion element, causing an offset voltage. Ta.

また該光電変換素子の寄生容量は一様でなく。Further, the parasitic capacitance of the photoelectric conversion element is not uniform.

分布やばらつきを持っている。例えば第3図に示すよう
に、実際の装置においては、配線用導体が半導体9に積
回路によって構成されたスイッチング回路4の側面にま
で延長される場合が多く、このため配線用導体が互いに
長さの異なるものとして基板上に形成される。したがっ
て各配線用導体の寄生容量に差異を生じ、第2図におけ
る寄生容量C工、 Cz、 Ca、・・・、Cnが各光
電変換素子により一様でなく分布やばらつきを持つ。ま
た前記残留電荷自体も各光電変換素子によってばらつき
を持つ、この結果、前記残留電荷により発生するオフセ
ット電圧が各光電変換素子によりばらつきや分布を持つ
ため固定パターン雑音になるという問題があった。
It has distribution and variation. For example, as shown in FIG. 3, in actual devices, wiring conductors often extend to the sides of the switching circuit 4 configured by a semiconductor 9 and an integrated circuit. They are formed on a substrate with different sizes. Therefore, differences occur in the parasitic capacitance of each wiring conductor, and the parasitic capacitances C, Cz, Ca, . Further, the residual charge itself has variations depending on each photoelectric conversion element, and as a result, the offset voltage generated by the residual charge has variations and distribution depending on each photoelectric conversion element, resulting in fixed pattern noise.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、上記のオフセット電圧と、そのばらつ
きである固定パターン雑音を除去した読出し信号を得る
原稿読取装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a document reading device that obtains a read signal from which the above-mentioned offset voltage and fixed pattern noise, which is a variation thereof, are removed.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

そこで本発明は、固定撮像装置で知られているいわゆる
ダブルサンプリングの概念を、バッファアンプを用いた
原稿読取装置に適用する回路構成方法と、ダブルサンプ
リングの効果を充分に引出す駆動方法を提供するもので
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the present invention provides a circuit configuration method that applies the concept of so-called double sampling, which is known for fixed imaging devices, to a document reading device using a buffer amplifier, and a driving method that fully brings out the effects of double sampling. It is.

従来のダブルサンプリングは、光′FL変換素子に蓄積
された電荷を読出し、トランジスタを二度開閉すること
により読出し、一度目に読出した固定パターン雑音を含
んだ信号成分から、二度目−読出した固定パターン雑音
を差引くことにより信号成分を得るというものであった
。なお従来は電荷を読出す方式であったので、一度目の
読出しで同時に光電変換素子に蓄積された電荷が放電さ
れていた。
Conventional double sampling involves reading out the electric charge accumulated in the optical FL conversion element, reading it out by opening and closing the transistor twice, and converting the signal component containing the fixed pattern noise read the first time into the fixed pattern read out the second time. The idea was to obtain signal components by subtracting pattern noise. Note that since the conventional method was to read out charges, the charges accumulated in the photoelectric conversion element were discharged at the same time during the first readout.

本発明では、一度目にオフセット電圧と固定パターン雑
音を含んだ信号電圧を読出し、その後放電用トランジス
タをオンにして光電変換素子に蓄積された電荷を放電し
、さらに放電用トランジスタをオフにして該トランジス
タのチャンネル領域の電荷の一部が残留電荷として残さ
れた時点で二度目の読出しを行いこれを一度目の読出し
信号から差引き信号成分を得ている。放電用トランジス
タをオン/オフしてから二度目の読出しを行うという駆
動方法により、バッファアンプのオフセット電圧だけで
なく、放電用トランジスタの残留電荷によるオフセット
電圧固定パターン雑音を除去することができる。
In the present invention, a signal voltage including an offset voltage and fixed pattern noise is read out at the first time, and then the discharge transistor is turned on to discharge the charge accumulated in the photoelectric conversion element, and then the discharge transistor is turned off to discharge the charge accumulated in the photoelectric conversion element. When a portion of the charge in the channel region of the transistor remains as a residual charge, a second readout is performed and a signal component is obtained by subtracting this readout signal from the first readout signal. By the driving method of performing the second reading after turning on/off the discharge transistor, it is possible to eliminate not only the offset voltage of the buffer amplifier but also the offset voltage fixed pattern noise due to the residual charge of the discharge transistor.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明の第1の実施例を第4図により説明する。 A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

なお第2図と同様の機能を果たす部分については同一の
符号を用いている。
Note that the same reference numerals are used for parts that perform the same functions as in FIG.

各バッファアンプの出力はシフトレジスタSR1の信号
φS皿、φSt、・・・、φSnによりオン/オフが制
御されるMOSトランジスタT R11,T R11・
・・HT R1nを介して共通借り線1oに接続されて
いる。また共通信号線10は切換スイッチ15に接続さ
れており、切換スイッッ15の一方の出力は遅延素子1
4を通して差動アンプ13の一方の入力に接続され、切
換スイッチ15の他方の出力は直接差動アンプ13の他
方の入力へ接続されている。さらに差動アンプ13の出
力は出力端子11へ接続されている。また各光電変換素
子は別のシフトレジスタSRxの制御信号φR19φR
2,。
The output of each buffer amplifier is a MOS transistor T R11, T R11, whose on/off is controlled by the signal φS, φSt, ..., φSn of the shift register SR1.
...Connected to the common borrowed line 1o via the HT R1n. Further, the common signal line 10 is connected to a changeover switch 15, and one output of the changeover switch 15 is connected to the delay element 1.
4 to one input of the differential amplifier 13, and the other output of the changeover switch 15 is directly connected to the other input of the differential amplifier 13. Further, the output of the differential amplifier 13 is connected to the output terminal 11. Each photoelectric conversion element also receives a control signal φR19φR of another shift register SRx.
2,.

・・・、φRnによりオン/オフが制御されるMO3I
−ランジスタTRx!、TRtaxt−、TRznを介
して選択的に接地される。
..., MO3I whose on/off is controlled by φRn
-Ran resistor TRx! , TRtaxt-, and TRzn.

次に、本実施例による原稿読取装置の動作にっいて説明
する。
Next, the operation of the document reading device according to this embodiment will be explained.

まず、MoSトランジスタTRzzを適宜の時間オン状
態として、光電変換素子LEIに電源12によってバイ
アス電圧−vBを印加する。このときA点の電位は零と
なる1次に、MoSトランジスタTR21をオフ状態と
する。このときトランジスタTRztのチャネル領域の
電荷の一部が、光電変換素子LEzの寄生容量C1に残
留電荷として残り、A点の電位は零から少しずれた残留
電荷によるオフセット電圧となる。次に原稿像を光電変
換素子LEz上に結像すると光強度に対応した光電流が
流れ、A点の電位は変化する。この後の続出時の動作を
第5図に示す。MoSトランジスタT Rs 1をデジ
タル信号φ51により適宜の時間オンとすると、寄生容
量C1に蓄積された信号電荷はバッファアンプBARに
よって電圧として出力端子11から読出される。このと
き、読出された信号は、光強度に対応した信号成分Sl
だけでなく、バッファアンプBAzのオフセット電圧と
A点の残留電荷によるオフセット電圧が重なった雑音成
分Nlを含んでいる(S1+N1)。つぎにデジタル信
号φR1によりMoSトランジスタTRzzをオンし、
光電変換素子LEzの寄生容量CIに蓄積された電荷を
放電し、A点の電位を零とする。その後トランジスタT
R21をオフしA点の電位を残留電荷によるオフセット
電圧とする。そこでデジタル信号φS1により、信号を
読出し、バッファアンプBA1のオフセット電圧とA点
の残留電荷によるオフセット電圧が重なった雑音成分N
1を得る。
First, the MoS transistor TRzz is turned on for an appropriate period of time, and a bias voltage -vB is applied to the photoelectric conversion element LEI by the power supply 12. At this time, the potential at point A becomes zero, and the primary MoS transistor TR21 is turned off. At this time, a part of the charge in the channel region of the transistor TRzt remains as a residual charge in the parasitic capacitance C1 of the photoelectric conversion element LEz, and the potential at point A becomes an offset voltage due to the residual charge slightly deviated from zero. Next, when the original image is formed on the photoelectric conversion element LEz, a photocurrent corresponding to the light intensity flows, and the potential at point A changes. FIG. 5 shows the subsequent operation when the sequence continues. When the MoS transistor T Rs 1 is turned on for an appropriate time by the digital signal φ51, the signal charge accumulated in the parasitic capacitance C1 is read out from the output terminal 11 as a voltage by the buffer amplifier BAR. At this time, the read signal is a signal component Sl corresponding to the light intensity.
In addition, it includes a noise component Nl in which the offset voltage of the buffer amplifier BAz and the offset voltage due to the residual charge at the point A overlap (S1+N1). Next, the MoS transistor TRzz is turned on by the digital signal φR1,
The charge accumulated in the parasitic capacitance CI of the photoelectric conversion element LEz is discharged, and the potential at point A is made zero. Then transistor T
Turn off R21 and make the potential at point A an offset voltage due to residual charge. Therefore, the signal is read out using the digital signal φS1, and the noise component N is the overlap of the offset voltage of the buffer amplifier BA1 and the offset voltage due to the residual charge at point A.
Get 1.

以下同様にして、光電変換素子L E 1t L E 
x w・・・、LE、から雑音を含んだ信号成分(S+
N)と雑音成分Nを順次得る。これが第5図中アウト(
out)とされる信号である。
In the same manner, the photoelectric conversion element L E 1t L E
x w..., LE, a signal component containing noise (S+
N) and noise component N are obtained sequentially. This is out in Figure 5 (
This is a signal that is set to "out".

以下、切換スイッチ15により、雑音を含んだ信号成分
S + N (outl)を遅延させ、この遅延信号(
outl’ )から雑音成分N (out2)を差動ア
ンプ13により差引き出力信号(out3)を得る。
Thereafter, the signal component S + N (outl) containing noise is delayed by the changeover switch 15, and this delayed signal (
A differential amplifier 13 subtracts the noise component N (out2) from the output signal (outl') to obtain an output signal (out3).

以上、雑音分を除去した出力信号が得られることを説明
した。
It has been explained above that an output signal from which noise has been removed can be obtained.

なお第4図において共通信号線10に接続されているス
イッチ17について説明を加えておく。
Note that the switch 17 connected to the common signal line 10 in FIG. 4 will be explained below.

本スイッチは動作速度を向上するために効果がある。本
スイッチは共通信号線1oを接地電位へ選択的に接続す
るものである。このスイッチを共通信号線10が信号読
出しに使われていない時間のあいだオンにすることによ
り、共通信号線10の出力電位が零にもどる。したがっ
てバッファアンプの動作速度が遅い場合、特に出力が奴
上がる場合の動作速度は速いが立下がる場合の動作速度
が遅いバッファアンプの場合には、共通信号線10の電
位をバッファアンプによって下げる代りにスイッチ17
によって下げてやることにより、原稿読取装置の動作速
度の向上またはバッファアンプの消費電力の低減をはか
ることができる。
This switch is effective in improving operating speed. This switch selectively connects the common signal line 1o to the ground potential. By turning on this switch while the common signal line 10 is not used for signal reading, the output potential of the common signal line 10 returns to zero. Therefore, when the operating speed of the buffer amplifier is slow, especially in the case of a buffer amplifier whose operating speed is fast when the output rises but slow when the output falls, instead of lowering the potential of the common signal line 10 by the buffer amplifier, switch 17
By lowering the power consumption, it is possible to improve the operating speed of the document reading device or reduce the power consumption of the buffer amplifier.

後述する第2の実施例においても、図面では省略するが
、上記スイッチを設け、雑音の読出しに前もって本スイ
ッチを動作させ、共通信号線10の電位を零にもどして
おくことによって動作速度を向上することはもちろんで
ある。
Although not shown in the drawings, the second embodiment described later also includes the above-mentioned switch, operates this switch in advance of noise reading, and returns the potential of the common signal line 10 to zero, thereby improving the operating speed. Of course you can.

第6図は本発明の第2の実施例を示すもので、本実施例
の回蕗は第1の実施例と比べ、(1)雑音除去回路の構
成を変更し、また(2)駆動方法を変更し、高速読出し
を可能にしている。
FIG. 6 shows a second embodiment of the present invention. Compared to the first embodiment, the rotary converter of this embodiment has (1) a different configuration of the noise removal circuit, and (2) a driving method. has been changed to enable high-speed reading.

本実施例では、共通信号線10は二つに分かれ、二方は
遅延素子14を通して差動アンプの一方の入力端子へ接
続されており、また共通信号線10の分岐の他方は差動
アンプの他方の入力端子へ接続されている。差動アンプ
の出力は出力サンプラ16を通して出力端子11に接続
されている。
In this embodiment, the common signal line 10 is divided into two parts, two of which are connected to one input terminal of the differential amplifier through the delay element 14, and the other branch of the common signal line 10 is connected to one input terminal of the differential amplifier. Connected to the other input terminal. The output of the differential amplifier is connected to the output terminal 11 through the output sampler 16.

第71!21に本実施例のrqAS波形を示す、第1の
実施例では、ある光電変換素子の雑音を含んだ信号成分
(S+N)を読出し、引き続き該光電変換素子を放電し
、さらに放電用MOSトランジスタをオフした後、該光
電変換素子の雑音成分(N)を読出していた。この駆動
法では光電変換素子を放電している間は、共通信号1s
10には信号が無い   。
In the first example, in which the rqAS waveform of this example is shown in No. 71!21, a signal component (S+N) containing noise of a certain photoelectric conversion element is read out, the photoelectric conversion element is subsequently discharged, and further the signal component for discharging is read out. After turning off the MOS transistor, the noise component (N) of the photoelectric conversion element was read out. In this driving method, while discharging the photoelectric conversion element, the common signal 1s
10 has no signal.

無駄時間があった。そこで本実施例では共通信号線の無
駄時間が無いように、各部を並列して動作させることに
より高速化している。
There was time to waste. Therefore, in this embodiment, the speed is increased by operating each part in parallel so that there is no wasted time on the common signal line.

まず光電変換素子LEzに着目して動作を説明する。は
じめに制御信号φs2により共通信号線10へ雑音を含
んだ信号(Sz+Nz)を読出す。
First, the operation will be explained focusing on the photoelectric conversion element LEz. First, a signal containing noise (Sz+Nz) is read out to the common signal line 10 using the control signal φs2.

つぎに制御信号φR2により光電変換素子LEzの寄生
容量Czに蓄積された電荷を放電する。その後、制御信
号φsxの二度目のパルスにより共通信号線10へ、バ
ッファアンプのオフセット電圧と光電変換素子放電後の
残留電荷によるオフセット電圧が重なった雑音成分N2
を読出す。
Next, the charge accumulated in the parasitic capacitance Cz of the photoelectric conversion element LEz is discharged using the control signal φR2. After that, a second pulse of the control signal φsx causes a noise component N2, which is a combination of the offset voltage of the buffer amplifier and the offset voltage due to the residual charge after the photoelectric conversion element discharges, to the common signal line 10.
Read out.

上記動作において、第2の光電変換素子LEaを放電し
ている時間の間に、共通信号線10を用いて、第1の光
電変換素子LEsの雑音成分Nlを読出し、また第3の
光電変換素子LEaの雑音を含んだ信号成分(Ss+N
a)を読出することにより共通信号線10の無駄時間が
無いようにしている。
In the above operation, during the time when the second photoelectric conversion element LEa is being discharged, the common signal line 10 is used to read out the noise component Nl of the first photoelectric conversion element LEs, and the noise component Nl of the third photoelectric conversion element LEs is read out. Signal component containing noise of LEa (Ss+N
By reading out a), there is no wasted time on the common signal line 10.

最終段の雑音除去回路の動作は次のようになる。The operation of the final stage noise removal circuit is as follows.

共通信号線10の出力(out)は遅延されて社延信号
(out’ )となる。遅延時間は、雑音成分N2が読
出される時刻に、雑音を含んだ信号(S x + N 
怠)が一致するように設定する。差動アンプ13により
2つの信号の差を取り中間波形(out2)を得る。
The output (out) of the common signal line 10 is delayed and becomes the company signal (out'). The delay time is defined as a signal containing noise (S x + N
(lack) are set to match. A differential amplifier 13 takes the difference between the two signals to obtain an intermediate waveform (out2).

出力サンプラ16により意味ある信号部分のみ取出し、
固定パターン雑音が除かれた出力信(out3)を得る
Output sampler 16 extracts only meaningful signal parts,
An output signal (out3) from which fixed pattern noise has been removed is obtained.

第8図は本発明の第3の実施例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.

本実施例では、第1の実施例にたいして、第2の共通信
号線17、MOSトランジスタTRAl。
In this embodiment, the second common signal line 17 and the MOS transistor TRAl are different from the first embodiment.

TRaz、・・・、TRanおよびシフトレジスタSR
♂を増設している。各バッファアンプの出力は、シフト
レジスタSRaの信号φNtt φN4.・・・、φN
nによりオン/オフが制御されるMOSトランジスタT
Raz、TRaz、−、TRanを介して第2の共通信
号線17へ接続されている。第2の共通信号線17は差
動アンプ13の一方の入力端子へ接続されている。第1
の共通信号線′10は遅延素子14を通して差動アンプ
13の他方の入力端子へ接続されている。この他の構成
は第1の実施例と同じである。
TRaz, ..., TRan and shift register SR
We are adding more males. The output of each buffer amplifier is the signal φNtt φN4 . ...,φN
MOS transistor T whose on/off is controlled by n
It is connected to the second common signal line 17 via Raz, TRaz, -, and TRan. The second common signal line 17 is connected to one input terminal of the differential amplifier 13. 1st
The common signal line '10 is connected to the other input terminal of the differential amplifier 13 through the delay element 14. The other configurations are the same as in the first embodiment.

第9に本実施例の駆動波形の一例を示す。光電変換素子
LEzに着目して動作を説明する。まず制御信号φs1
により第1の共通信号線10へ雑音を含んだ信号(Sz
+Nt)を読出す。つぎに制御信号φR1により光電変
換素子LEzの寄生容量Ciに蓄積された電荷を放電す
る。その後、制御信号φNlにより第2の共通信号線1
7へ、バッファアンプのオフセット電圧と光電変換素子
放電後の残留電荷によるオフセット電圧が重なった雑音
成分N1を読出す。第1の共通信号線10の出力信号(
S 1+ N s )を遅延させて、第2の共通信号線
17の出力信号N1と時間をそろえ、差動アンプ13に
より差を取り信号成分S1を得る。また次のように各部
を平行して動作させることにより高速動作を可詣にして
いる。すなわち第1ま光電変換素子■、Elの雑音成分
N1を第2の共通信号17を通して読出している間、第
2の光電変換素子■、Ezを初期電圧に放電し、また第
3の光電変換素子LEsの雑音を含んだ信号成分(S 
a + N a )を第1の共通信号1lA10に読出
している。
Ninth, an example of the drive waveform of this embodiment is shown. The operation will be explained focusing on the photoelectric conversion element LEz. First, the control signal φs1
A signal containing noise (Sz
+Nt). Next, the charge accumulated in the parasitic capacitance Ci of the photoelectric conversion element LEz is discharged using the control signal φR1. After that, the control signal φNl causes the second common signal line 1 to
7, a noise component N1 in which the offset voltage of the buffer amplifier and the offset voltage due to the residual charge after the discharge of the photoelectric conversion element overlap is read out. The output signal of the first common signal line 10 (
S1+Ns) is delayed to align the time with the output signal N1 of the second common signal line 17, and the difference is taken by the differential amplifier 13 to obtain the signal component S1. Furthermore, high-speed operation is possible by operating each part in parallel as described below. That is, while the noise component N1 of the first photoelectric conversion element (2) and El is read out through the second common signal 17, the second photoelectric conversion element (2) and Ez are discharged to the initial voltage, and the third photoelectric conversion element (2) and Ez are discharged to the initial voltage. The signal component (S
a + N a ) is read out to the first common signal 11A10.

以上詳しく説明したように、放電用トランジスタをオン
にして光電変換素子の電荷を放電し、その接散主用トラ
ンジスタをオフにして残留電荷によるオフセット電圧を
発生させた後、信号を読出すことにより、バッファアン
プのオフセット電圧と残留電荷によるオフせット電圧が
重なった雑音成分が読出せる。
As explained in detail above, the discharging transistor is turned on to discharge the charge of the photoelectric conversion element, the dissipation main transistor is turned off to generate an offset voltage due to the residual charge, and then the signal is read out. , the noise component in which the offset voltage of the buffer amplifier and the offset voltage due to the residual charge overlap can be read out.

なお、バッファアンプのオフセット電圧のばらつきは大
きく、光電変換素子放電後の残留電荷によるオフセット
電圧のばらつきは小さくて問題にならない場合には、放
電用トランジスタをオンにした状態で信号を読出しても
よい、この場合はオペアンプのオフセット電圧のばらつ
きのみが雑音成分として得られ、一応の固定パターン雑
音抑圧効果が得られる。
Note that if the variations in the offset voltage of the buffer amplifier are large and the variations in the offset voltage due to the residual charge after the photoelectric conversion element is discharged are small and do not pose a problem, the signal may be read out with the discharge transistor turned on. In this case, only the variation in the offset voltage of the operational amplifier is obtained as a noise component, and a certain fixed pattern noise suppression effect can be obtained.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、詳しく説明したように、本発明によれば固定パタ
ーン雑音を除去した読出し信号を得ろことができるので
、読出信号のS/N比を良くする効果がある。
As described in detail above, according to the present invention, it is possible to obtain a readout signal from which fixed pattern noise has been removed, thereby improving the S/N ratio of the readout signal.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の密着型原稿読取装置の平面図、第2図は
従来の密着型原稿読取装置の回路図、第3図は従来の配
線用導体の配列を示す平面図、第4図は第1の実施例を
示す回路図、第5図は第1の実施例の動作波形を示す図
、第6図は第2の実施例を示す回路図、第7図は第2の
実施例の動作波形を示す図、第8図は第3の実施例を示
す回路図、第9図は第3の実施例動作波形を示す図であ
る。 1・・・絶縁性基板、2・・・光導電性薄膜、3・・・
透明導電性薄膜、4・・・スイッチング回路、10.1
7・・・共通信号線、11・・・出力端子、12・・・
バイアス電源、13・・・差動アンプ、14・・・遅延
素子、15・・・¥J!;図 缶 二 9g3 ρut3S・  S2S3 第7図 fss ヂR3 第 8 図 ¥:J q  図 へ3 ψR3
Fig. 1 is a plan view of a conventional contact type original reading device, Fig. 2 is a circuit diagram of a conventional contact type original reading device, Fig. 3 is a plan view showing the arrangement of conventional wiring conductors, and Fig. 4 is a plan view of a conventional contact type original reading device. A circuit diagram showing the first embodiment, FIG. 5 is a diagram showing operating waveforms of the first embodiment, FIG. 6 is a circuit diagram showing the second embodiment, and FIG. 7 is a diagram showing the operation waveforms of the first embodiment. FIG. 8 is a circuit diagram showing the third embodiment, and FIG. 9 is a diagram showing the operating waveforms of the third embodiment. 1... Insulating substrate, 2... Photoconductive thin film, 3...
Transparent conductive thin film, 4... switching circuit, 10.1
7... Common signal line, 11... Output terminal, 12...
Bias power supply, 13... Differential amplifier, 14... Delay element, 15... ¥J! ;Fig. can 29g3 ρut3S・S2S3 Fig. 7 fss ヂR3 Fig. 8 ¥: J q To the figure 3 ψR3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 個別の電極と共通側の電極とそれにはさまれた少なくと
も一種の光導電膜で形成された光電変換素子アレイより
なる原稿読取装置であつて、前記各々の光電変換素子に
蓄積された電荷を放電する各々の素子に接続された第1
のスイッチング素子と、各々の光電変換素子に蓄積され
た電荷に対応する電圧を取出す複数のバッファアンプと
、各々のバッファアンプに対応してそれらの出力を読出
す第2のスイッチング素子を設けた原稿読取装置におい
て、各素子毎に前記第2のスイッチング素子をオンにし
て信号を読出し、前記第1のスイッチング素子をオンオ
フした後再び信号を前出し、前記読出した信号から2度
目に読出した信号を差引いて出力信号とすることを各画
素で順次繰返すようにしたことを特徴とする原稿読取装
置。
A document reading device comprising a photoelectric conversion element array formed of individual electrodes, a common electrode, and at least one type of photoconductive film sandwiched between the electrodes, wherein the electric charge accumulated in each of the photoelectric conversion elements is discharged. the first connected to each element
a switching element, a plurality of buffer amplifiers that take out voltages corresponding to charges accumulated in each photoelectric conversion element, and a second switching element that reads out the outputs of the buffer amplifiers corresponding to each buffer amplifier. In the reading device, the second switching element is turned on for each element to read out the signal, and after the first switching element is turned on and off, the signal is read out again, and the second readout signal is read out from the readout signal. A document reading device characterized in that subtraction and output signals are repeated for each pixel in sequence.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005117281A (en) * 2003-10-06 2005-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Image reading apparatus
JP2012527805A (en) * 2009-05-18 2012-11-08 トムソン ライセンシング Method and system for operating image data collection apparatus

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