JPS62119112A - ランタンおよびマグネシウムからなる混合アルミン酸塩、その製造方法およびこのアルミン酸塩使用のレ−ザ - Google Patents

ランタンおよびマグネシウムからなる混合アルミン酸塩、その製造方法およびこのアルミン酸塩使用のレ−ザ

Info

Publication number
JPS62119112A
JPS62119112A JP61248532A JP24853286A JPS62119112A JP S62119112 A JPS62119112 A JP S62119112A JP 61248532 A JP61248532 A JP 61248532A JP 24853286 A JP24853286 A JP 24853286A JP S62119112 A JPS62119112 A JP S62119112A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminate
lanthanum
mixed
laser
magnesium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61248532A
Other languages
English (en)
Inventor
ジャン−ジャック・オーベール
モーリス・クーショウ
アンネ−マリー・ルジュ
ダニエル・ヴイヴアン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centre National de la Recherche Scientifique CNRS, Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Publication of JPS62119112A publication Critical patent/JPS62119112A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00Compounds of rare earth metals
    • C01F17/30Compounds containing rare earth metals and at least one element other than a rare earth metal, oxygen or hydrogen, e.g. La4S3Br6
    • C01F17/32Compounds containing rare earth metals and at least one element other than a rare earth metal, oxygen or hydrogen, e.g. La4S3Br6 oxide or hydroxide being the only anion, e.g. NaCeO2 or MgxCayEuO
    • C01F17/34Aluminates, e.g. YAlO3 or Y3-xGdxAl5O12
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F7/00Compounds of aluminium
    • C01F7/02Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1688Stoichiometric laser compounds, i.e. in which the active element forms one component of a stoichiometric formula rather than being merely a dopant

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、単結晶の形で得らnるランタンおよびマグネ
シウムからなる混合アルミン酸塩、その製造方法および
このアルミン酸塩使用のレーザに関するものである。
と几らの混合アルミン酸塩は光ファイバによる集積光学
系または遠隔通信用のマイクロレーザの分野において、
ならびに一定の同調度の波長を有する1、054〜1.
080μm1ならびに1.3μm近傍の波長で主として
赤外線中に放射する連続またはパルスパワーレーザの分
野において使用される。
赤外線中に放射するこれらのパワーレーザはとくに物質
上での作業(溶接、穿孔、マーキング、表面処理)、光
化学反応および制御さnた熱核分裂の実施を可能にする
現在、一般式LaニーXNeLXMgAlll 019
で、Xが1に等に等しいかまたは1以下の正数であるラ
ンタンおよびマグネシウムからなる混合アルミン酸塩が
知ら九でいる。アルミン酸塩としてはとくに式Lao、
N(10、Mg A1□、O,、によるものが参照され
る。このような混合アルミン酸塩はとくにヨーロッパ特
許出願第43 、776号に記載さnている。
Xが0.1に等しい混合アルミン酸塩は、これが、赤外
線中で作動するレーザ用エミッタとして広く使用さnる
、1チのイツトリウムイオンがネオジムイオンおよび式
NdP、O□4の超リン酸ネオジムによって置換Inる
YAGとして知らnる式Y3A150工、のイツトリウ
ムおよびアルミニウムガーネットの光学的特性に匹敵し
得る光学的特性を有するため、とくにレーザエミッタと
して適する。
上述した混合アルミン酸塩かつとくに組成Laよ−エN
(1xMg A1□、○0.からなるアルミン酸塩は、
レーザ効果を付与するために、ベルタイ法、チョクラル
スキー法またはアルミン酸塩の溶融浴に基礎を置いた他
の結晶生成法によって単結晶の形で調製されることがで
きる。
不運にも、こnらの混合アルミン酸塩はいわゆる一致溶
融を持たず、すなわち単結晶は溶融浴と同一組成を持た
ない。そ几ゆえ、とくに最も広く使用さnるチョクラル
スキー法によるこれらのアルミン酸塩の単結晶の製造は
パワーレーザ産業によって必要とさnる大きな大きさく
長さ100朋、直径6.31mの棒)を達成するという
問題になると不適切な品質(泡、キズ)の結晶となる。
本発明は大きな単結晶の形で製造されることができかつ
それゆえパワーレーザ産業で使用さnることかできる新
規な混合ランタン−マグネシウムアルミン酸塩に関する
本発明の主たる特徴によ九ば、こnらの混合ランタン−
マグネシウムアルミン酸塩は次式、すなわち La1.XNdxMgyA11工018+yからな凱こ
こでXおよびyが0 < X (0゜2および0<y<
1のような数を有することを特徴とする0 とnらの単相混合アルミン酸は六方メツシュを有する磁
気ブランバイト型の結晶構造を有する○それらはアルミ
ニウムの特性に近い機械的および熱的特性を有する。
本発明によ几ば、こnらのアルミン酸塩は一致溶融を有
しそして最も広く使用されるチョクラルスキー法によっ
て製造される結晶は良好な品質からなる。その場合にパ
ワーレーザ産業によって必要とさnる大きな単結晶を製
造することができる0単結晶の成長の間中、こnらの混
合アルミン酸塩はまた公知の混合アルミン酸塩と比較し
て単結晶引上げ速度の増加を可能にする成分を分離しな
い。これは単結晶製造時間のおよび浴を収容しかつそれ
からの引上げが行なわnるつぼの寿命の顕著な減少とな
る。
好都合には、本発明による混合アルミン酸塩はyが0.
4〜0.7でかつ好ましくは少なくとも0.5に等しく
かつ多くても0.55  に等しい組成を有する。式L
a0.. Nd、□Mgo、a2 A1工、0.8.5
2 の化合物がとくに言及さnるO Xが0.1に近いと、本発明による混合アルミン酸は連
続的に作動するパワーレーザエミッタとして使用される
ことができる。同じ方法においてXが0.2に近いと、
本発明による混合アルミン酸塩はパA、スパワーレーザ
エミツタとして使用さnることかできる。
本発明による混合アルミン酸は、完全な混合が酸化物L
a2O5,Nd2O3,MgOおよびAl2O3の粉末
の適切な割合において行なわれ、次いで得られた混合を
力焼し、溶融しそしてその凝固により単結晶を得るため
に溶融混合物を処理する、第1の製造方法に基いて得ら
nることができる0この方法は実施し易い。
一般に力焼は1500〜1600℃の間で行なわれかつ
水分の痕跡の除去を可能にする0力焼に続いて、粉末混
合物は粉砕さnる0混合物の均質化を容易にするために
、粉末は1〜10μmの間の結晶粒の大きさで使用さn
る。
本発明による混合アルミン酸塩はまた、共沈が適切な割
合において水性または非水性溶媒中に塩の形で溶解され
たイオンLa”l Nd”t Mg2“ およびA13
1  からなる水酸化物について行なわれ、次いで得ら
れた共沈物を力焼し、溶融しセして共沈物の凝固により
単結晶を得るように溶融共沈物を処理する、第2の製造
方法に基いて得られることができる。第1の方法と同じ
ように実施し易いこの第2の方法は非常に均質な混合物
を付与する利点を有する。
水酸化物の共沈を行なうために、例えば、対応する硝酸
塩を得るように、希釈した硝酸中に溶解されたNd2O
,La2O3およびMgOから形成された溶液を調製す
ることができるOこの溶液にAl2O3の懸濁液が添加
さnる。これに続いて、とくにアンモニアとの水酸化物
の共沈が行なわれる。
この第2の方法において、力焼は約1200℃で行なわ
れる0とくにアンモニアの添加中に形成さnた硝酸アン
モニウム(Nl(、No3)の除去を可能にする。この
力焼に続いて、共沈物が粉砕される0所望の単結晶の組
成と同一の組成の溶融浴から単結晶を形成するために、
ペルヌイ、溶融領域、ブリッジマンまたはチョクラルス
キー法のごとき、溶融浴を使用する公知のすべての結晶
生成方法を使用することができる。
本発明の方法によって得られた単結晶は赤外線領域にお
いてレーザ作用を有する。レーザ作用は得られた単結晶
の純度により増大する0考え得る最高の生産効率を得る
ために、使用される出発材料は極めて純粋でなけnばな
らない0 ・とくに、出発粉末は99.98%を超える
レベルの純度を持たねばならない。
以下に本発明を非限定的な実施例および添付図面に基づ
き詳細に説明する。
以下の説明は本発明によりかつ以下の表の左方部に示さ
れた式による混合アルミン酸塩からイリジウムるつぼ内
でのチョクラルスキー法による単結晶の製造についてな
される。こnらのアルミン酸塩は酸化物La2O3+ 
Na2o3. MgOおよびAl2O3の粉末を混合す
ることにより乾燥段階において製造さnる。使用さnる
粉末の量は表の左方部に示される。粉末の相対的量は2
リツトルのポリエチレン製ビンまたはフラスコ内で計量
することによって決定さ九る〇 使用される出発材料は99,999 %  および99
゜9990%のそれぞnの純度レベルを有するLa、0
3およびNd2O3粉末、 99.999% の純度レ
ベルを有し名称Gd1でJMCにより販売されたMgO
粉末およびクリセラム(eR工CERAM)によって製
造さnかつ99.98 %の純度レベルを有し名称「ニ
ゲサルアルファ(θxalα)」 により販売さnたA
l2O,粉末からなるローヌープラン(RHONE−P
OUIJNe)にすることができる。
ランナンおよびネオジム酸化物が非常に吸湿性であると
、まず、こnらの酸化物をアンモニアと混合する前に該
酸化物を方塊する必要がある0この方塊はアルミするつ
ぼ内で16時間、1100℃の温度で行なわnる〇 マグネシアおよびアルミナ粉末がアルミするつぼ内で方
塊さnたLaおよびN(1酸化物に添加される。これに
続いて、24時間攪拌することにより粉末混合物の均質
化が行なわする。次いでこの混合物は2キロバールの圧
力下で直径70朋のラテックス容器内で平衡圧縮により
成形さnる0焼鈍はアルミするつぼ内で20時間155
0℃で行なわれる。
このようにして得られた混合アルミン酸塩は次いで高さ
60朋、直径60朋のイリジウムるつぼ内に置かn1空
気の酸素から保護さnbl&融アルミン酸浴を形成する
ために1810℃に等しい溶融点に止弁させらnる。
結晶学的方向Cかまたはアルミン酸塩の六方メツシュの
方向aに対して平行に切断された溶融浴と同一組成の単
結晶核は次いで液浴と接触させられかつそれ自体回転運
動をしながら、ゆっくり上方に移動さnる。公知のアル
ミン酸の引上げ速度を超える引上げjxx/h でかつ
回転速度は50’rT1nである。かくして、単結晶は
それに付与された方向の関数として核の終りに段々に形
成される。
この引上げ手順を使用して、直径25餌でかつ長さ10
0NjIのアルミン酸塩棒が得ら几た0チョクラルスキ
ー引上げにより得られた単結晶のサンプルを表にして示
す。
粉末量(g)       得られた結晶lA2O3N
d203M靜…203 97.7511,2213,97373,86   T
ho、、Nd0.、Mg。、62Al、□0,8.,2
97.7511.2216,20373.86  IA
O91&i。、MgO,茫110工。697.7511
.2221.60373.86IAo、N661Mg0
8Al□、0.8I197.7511.2212.15
373,86  IAo 9Ndo 1塊。6.泣11
018 &592.3216.8313.43373.
86  ’Lmo8.Ndo、、W@o、Al、O□8
゜92.3216,8318.81373.86  I
a08.NeLo、5滝。ヮA1□、0.8.。
第1図は赤外線中で放射しかつ本発明によるアルミン酸
塩を使用する連続パワーレーザを略示する。放射波長は
1054.1083および1320朋である。
このレーザは該レーザの長手方向軸線3に対して垂直に
位置決めさnた本発明によるアルミン酸塩棒4を収容す
るレーザ凹所2からなる。このアルミン酸塩棒4は、例
えば式 %式% イオン化クリプトンまたはアルゴンレーザのごとき単色
光源6は、アルミン酸塩棒4の光学的ポンピングを保証
するために、収束レンズ7を介して、アルミン酸塩棒4
の照射を可能にする0また。レーザ凹所2はアルミン酸
塩棒4によって放射された光を、次いで出口ミラー10
に通さnる平行光ビームに変換する収束レンズ8からな
る0 ミラー10上の反射に続いて、光ビームは再び収束レン
ズ8および増幅媒体またはアルミン酸棒4を通過する。
次いで増幅さnた光ビームはその近傍に棒4が置かれる
2色性入射ミラー12によって反射される。該ミラー1
2は単色光源乙によって放出される光に対して透過性で
かつアルミン酸塩結晶4によって放出される光に対して
不伝導性である。
凹所2内で適度に増幅されたレーザビームは次いでアル
ミン酸塩単結晶4によって放出された光に部分的に透過
性であるミラー10を介して、レーザの外部に通される
波長同調性はレーザ凹所2の収束レンズ8と出口ミラー
10との間に置かれた波長選択装置14の助けによって
得ることができ、該装置はプリュスター三角プリズムま
たは2枚の複屈折材料プレートにより形成さnる干渉フ
ィルタ型からなる0このパルスレーザは該レーザの長手
方向軸線17に対して平行に配置された本発明によるア
ルミン酸塩の単結晶棒16を収容する凹所4からなる0
このアルミン酸塩は例えば、 式  ”0,8  NdO12Mgy A111 ox
a+y   O,4<7’C0,7からなる0 棒16の両側には、またレーザ軸線17によって方向付
けらnる高強度の細長いキセノンフラッシュランプ18
.20が配置される0こnらのランプはまたアルミン酸
塩棒16の長手方向の光学的ボンピングを保証する。レ
ーザ凹所14はまた棒16から直線的に偏光させらnた
入射光を円形に偏光させらnた光に変換する。プレート
22に続いて平面ミラー24および発散凸面ミラー26
がある。
ミラー26上での反射に続いて、円形に偏光させら九、
適合さn、広げられた光ビームは再び1/4波長プレー
ト22を横切り、かくして棒16から最大光エネルギを
引き出しながら、増幅媒体または棒16を完全に掃引す
る垂直に側光させら九たビームを発生する。
高反射の凹面ミラー28の方向に伝搬する増幅されたレ
ーザビームはレーザ凹所外に垂直に偏向させられたビー
ム32を放出する偏光プリズム30によって遮断さnる
。収束レンズ34は平行光ビームを得ることを可能にす
る。
このパルスレーザは凹面ミラー38と出口偏光器30と
の間に位置決めさnた「Qエ スイッチ」として一般に
知らnている光電スイッチ36を備□えている。このス
イッチが閉止さnると、すなわち電圧がそれに印加され
ると、レーザは作動することができない。したがって、
ランプ18および20を有する増幅媒体を「ボンピング
」中、偏光器30は水平に偏向さnたフォトンに対して
透過性でありかつ光をスイッチ36に通過させる。該ス
イッチ36は90°だけ偏光方向に回転しかつ偏光器3
0が前記光を伝送するのを阻止する0逆に、光電スイッ
チ36の開放時、該スイッチは偏光器からの水平偏向を
もはや損なわず、その結果レーザ凹所14は棒16によ
って放出さnた光を増幅することができる0 ダイアフラム38はレーザ光を導くためスイッチと偏光
器との間に配置さ几ることかできる0波長同調可能なパ
ルスレーザを得るために、前述さnたように、波長選択
装置40はプレート22とミラー24との間に配置さn
ることかできる。
前述さ几たレーザは例示方法においてのみ示されそして
他の型のレーザも本発明によるアルミン酸塩単結晶を備
えることができる。
本発明によるアルミン酸塩単結晶はYAG型のレーザエ
ミッタを現在使用するすべての用途に使用することがで
きる。とくに、とnらの単結晶は材料の切断またはマー
キング、ならびに溶接するのに向けらnるレーザに使用
することができる○材料の切断は、前述されたごとく、
レーザの凹所に単結晶アルミン酸塩を置き、次いで前記
材料を肩部的にその溶融点に持ち来たすためにレーザか
らの光を材料の表面上に向けかつ焦点を合わすことによ
って保証さn、かくして材料がレーザビーム内で動くと
きその切断を保証する0YAG型の用途に加えて、本発
明によるアルミン酸塩は1,054μmの主レーザ放出
波長ととくに結合される特別な用途を有する。この波長
は慣性抑制法による制御さnた熱核分裂の研究用装置の
増幅器段として使用さ几るリン酸およびフルオロリン酸
ガラスのレーザ作用をトリガするのに使用することがで
きる。この特別な用途の分野において、本発明によるア
ルミン酸塩はしたがってネオジムでドーピングさnかつ
現在一般に使用さnている式LiYF、のリチウムおよ
びイツトリウムフッ化物と競合する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるアルミン酸塩単結晶を使用する連
続レーザを示す概略図、 第2図は本発明によるアルミン酸塩単結晶を使用するパ
ルスパワーレーザを示す概略図である。 図中、符号4.16はアルミン酸塩単結晶棒である。 RG、 I F旧、2

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 La_1_−_xNd_xMg_yAl_1_1O_1
    _8_+_yからなり、ここでxおよびyが0<x≦0
    .2および0<y<1のような数を示すことを特徴とす
    るランタンおよびマグネシウムからなる混合アルミン酸
    塩。
  2. (2)yが0.4〜0.7の間であることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項に記載のランタンおよびマグネシ
    ウムからなる混合アルミン酸塩。
  3. (3)yが0.5<y≦0.55であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項に記載のランタンおよびマグネ
    シウムからなる混合アルミン酸塩。
  4. (4)xが0.1に等しいことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項ないし第3項のいずれか1項に記載のランタ
    ンおよびマグネシウムからなる混合アルミン酸塩。
  5. (5)式 La_0_._9Nd_0_._1Mg_0_._5_
    2Al_1_1O_1_8_._5_2によることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載のランタンおよび
    マグネシウムからなる混合アルミン酸塩。
  6. (6)xが0.2に等しいことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項に記載のランタンおよびマグネシウムからな
    る混合アルミン酸塩。
  7. (7)酸化物La_2O_3、Nd_2O_3、MgO
    およびAl_2O_3の粉末が適切な割合において完全
    に混合され、次いで得られた混合物をカ焼しかつ溶融し
    そして前記混合物の凝固により単結晶を得るために溶融
    された混合物を処理することを特徴とするランタンおよ
    びマグネシウムからなる混合単結晶アルミン酸塩の製造
    方法。
  8. (8)適切な割合において水性または非水性溶媒中に溶
    解されたイオンLa^3^+、Nd^3^+、Mg^2
    ^+およびAl^3^+からなる水酸化物が共沈され、
    次いで得られた共沈物をカ焼しかつ溶融しそして前記共
    沈物を凝固することにより単結晶を得るように溶融され
    た共沈物を処理することを特徴とするランタンおよびマ
    グネシウムからなる混合単結晶アルミン酸塩。
  9. (9)一般式 La_1_−_xNd_xMg_yAl_1_1O_1
    _8_+_yからなり、ここでxおよびyが0<x≦0
    .2および0<y<1のような数を示し、xが0.1に
    等しいかまたは式La_0_._9Nd_0_._1M
    g_0_._5_2Al_1_1O_1_8_._5_
    2である単結晶アルミン酸塩からなることを特徴とする
    赤外線中に放射する連続レーザ。
  10. (10)一般式 La_1_−_xNd_xMg_yAl_1_1O_1
    _8_+_yからなり、ここでxおよびyが0<x≦0
    .2および0<y<1のような数を示す、xが0.2に
    等しいアルミン酸塩の単結晶からなることを特徴とする
    赤外線中に放射するパルスレーザ。
JP61248532A 1985-10-21 1986-10-21 ランタンおよびマグネシウムからなる混合アルミン酸塩、その製造方法およびこのアルミン酸塩使用のレ−ザ Pending JPS62119112A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8515579A FR2588848B1 (fr) 1985-10-21 1985-10-21 Aluminates mixtes de lanthane-magnesium, leur procede de fabrication et lasers utilisant ces aluminates
FR8515579 1985-10-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62119112A true JPS62119112A (ja) 1987-05-30

Family

ID=9324034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61248532A Pending JPS62119112A (ja) 1985-10-21 1986-10-21 ランタンおよびマグネシウムからなる混合アルミン酸塩、その製造方法およびこのアルミン酸塩使用のレ−ザ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4915869A (ja)
EP (1) EP0227499B1 (ja)
JP (1) JPS62119112A (ja)
CN (2) CN1004640B (ja)
DE (1) DE3672782D1 (ja)
FR (1) FR2588848B1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL82361A (en) * 1986-04-30 1990-11-05 American Telephone & Telegraph Device comprising congruently melting complex oxides
FR2600055B1 (fr) * 1986-06-16 1988-08-26 Commissariat Energie Atomique Aluminates mixtes de lanthanide-magnesium, lasers utilisant des monocristaux de ces aluminates
FR2659639B1 (fr) * 1990-03-13 1992-06-12 Quartz & Silice Oxydes mixtes de strontium et de lanthanide et laser utilisant des monocristaux de ces oxydes.
US10760148B2 (en) 2016-09-19 2020-09-01 Ut-Battelle, Llc Additive manufacturing methods using aluminum-rare earth alloys and products made using such methods
WO2019055872A1 (en) 2017-09-15 2019-03-21 Orlando Rios ALUMINUM ALLOYS HAVING IMPROVED PROPERTIES OF INTERGRANULAR CORROSION RESISTANCE AND METHODS OF MAKING AND USING SAME
US11986904B2 (en) 2019-10-30 2024-05-21 Ut-Battelle, Llc Aluminum-cerium-nickel alloys for additive manufacturing
US11608546B2 (en) 2020-01-10 2023-03-21 Ut-Battelle Llc Aluminum-cerium-manganese alloy embodiments for metal additive manufacturing

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL187212B (nl) * 1978-11-21 1991-02-01 Philips Nv Luminescerend terrair aluminaat; luminescerend scherm; lagedrukkwikdampontladingslamp.
US4249108A (en) * 1979-11-30 1981-02-03 Gte Products Corporation LaMg Aluminate phosphors activated by europium and lamps incorporating same
FR2486519A1 (fr) * 1980-07-08 1982-01-15 Centre Nat Rech Scient Oxydes mixtes d'aluminium, leur procede de fabrication et leur application
US4631144A (en) * 1985-03-25 1986-12-23 General Electric Company Aluminate phosphor

Also Published As

Publication number Publication date
DE3672782D1 (de) 1990-08-23
CN1015039B (zh) 1991-12-04
FR2588848A1 (fr) 1987-04-24
FR2588848B1 (fr) 1987-11-20
US4915869A (en) 1990-04-10
CN1004640B (zh) 1989-06-28
EP0227499A1 (fr) 1987-07-01
EP0227499B1 (fr) 1990-07-18
CN1037999A (zh) 1989-12-13
CN86106896A (zh) 1987-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5140604A (en) Mixed strontium and lanthanide oxides and a laser using monocrystals of these oxides
US4962504A (en) Mixed lanthanide-magnesium aluminates and lasers using monocrystals of these aluminates
JPS62119112A (ja) ランタンおよびマグネシウムからなる混合アルミン酸塩、その製造方法およびこのアルミン酸塩使用のレ−ザ
JPH033606B2 (ja)
US5173911A (en) Mixed silicates of yttrium and lanthanide and laser using monocrystals of these silicates
US4935934A (en) Mixed lanthanide-magnesium gallates and laser using monocrystals of these gallates
HU219305B (en) Non-linear crystals and using them
JPS63144197A (ja) 混合ランタン−マグネシウムアルミネートおよび該アルミネートの単結晶を使用するレーザ
US20070211774A1 (en) Nonlinear optical crystal optimized for ytterbium laser host wavelenghts
EP0238142A2 (en) Solid state laser hosts
Borkowski et al. Chemical synthesis and crystal growth of laser quality praseodymium pentaphosphate
US4124524A (en) Neodymium ultraphosphates and process for their preparation
US7378042B2 (en) Nonlinear optical crystal optimized for Ytterbium laser host wavelengths
EP1602751B1 (en) Method for preparing borate-based crystal
JP4022602B2 (ja) 酸化亜鉛の製造方法
US5416789A (en) Neodymium-doped gehlenite crystal and laser using said crystal
US5131000A (en) Chrysoberyl solid state lasers
Reino et al. Frequency conversion for blue laser emission in Gd1− xYxCOB
JP3317338B2 (ja) 波長変換結晶及びその製造方法並びにこれを用いたレーザ装置
JPH04305632A (ja) 非線形光学結晶及び非線形レーザー結晶
Sattayaporn Study of Pr3+ or Nd3+ doped single crystals or transparent ceramics for visible laser emissions
JPH09146134A (ja) 非線形光学レーザ材料およびその育成方法とレーザ光発生装置
JPH02192191A (ja) クリソベリル固体レーザ
JPS6310919B2 (ja)
Reino et al. Crystal growth of Ca4Gd1− xYxO (BO3) 3 (0.07< x< 1) compositions for non-critical phase matched frequency conversion of Nd3+ doped laser hosts.