JPH02192191A - クリソベリル固体レーザ - Google Patents
クリソベリル固体レーザInfo
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はクリソベリル固体レーザに関し、詳しくは、3
価のチタンイオンを発光イオンとして含有するクリソベ
リル(BeAJ204 )単結晶からなるレーザホスト
、励起光発生手段およびレザキャビティを備え、そのレ
ーザホストを、クリソベリル単結晶のb軸方向とレーザ
キャビティ内で増幅されている光のレーザホスト内の経
路との位置関係を特定して配置せしめることによって、
偏光方向が特定の方向に集中している発振レーザ光が得
られるクリソベリル固体レーザに関する。
価のチタンイオンを発光イオンとして含有するクリソベ
リル(BeAJ204 )単結晶からなるレーザホスト
、励起光発生手段およびレザキャビティを備え、そのレ
ーザホストを、クリソベリル単結晶のb軸方向とレーザ
キャビティ内で増幅されている光のレーザホスト内の経
路との位置関係を特定して配置せしめることによって、
偏光方向が特定の方向に集中している発振レーザ光が得
られるクリソベリル固体レーザに関する。
[従来技術および発明が解決しようとする課題]固体レ
ーザは小型で大出力であり、また装置の保守が容易であ
り、しかも安定性に優れているため、工業的にも応用分
野が拡がりつつある。
ーザは小型で大出力であり、また装置の保守が容易であ
り、しかも安定性に優れているため、工業的にも応用分
野が拡がりつつある。
このうち、3価のチタンイオンを発光イオンとして使用
する固体レーザは、発振波長の同調範囲が連続的にかつ
極めて広い範囲で実現でき、様々な用途への応用が期待
される。その中でも極めて有望な固体レーザホストとし
て、3価のチタンイオンをドープしたクリソベリル単結
晶が本発明者等によって提案されている(特開昭82−
21[128fi号公報)。この単結晶は500nmを
中心とした広い吸収帯を有し、600nmから 900
nmを超える広い領域で発光し、この幅広い領域で同調
可能な波長可変固体レーザが期待される。
する固体レーザは、発振波長の同調範囲が連続的にかつ
極めて広い範囲で実現でき、様々な用途への応用が期待
される。その中でも極めて有望な固体レーザホストとし
て、3価のチタンイオンをドープしたクリソベリル単結
晶が本発明者等によって提案されている(特開昭82−
21[128fi号公報)。この単結晶は500nmを
中心とした広い吸収帯を有し、600nmから 900
nmを超える広い領域で発光し、この幅広い領域で同調
可能な波長可変固体レーザが期待される。
他方、レーザにおいて第2高調波を発生させる際に非線
型結晶に入射させる基本波長の励起光は特定方向に偏光
していた方が効率が良いこと等から、特定方向に偏光さ
れた発振レーザ光に対するニーズが高まってきた。そこ
で従来は、特定方向に偏光された発振レーザ光を得るた
めに発振レーザ光を偏光プリズム、偏光板等の偏光子を
通して、発振レーザ光から偏光方向が特定のもののみを
選択的に取り出していた。しかし、発振レーザ光を偏光
子に通すことによって著しい効率の低下を招いていた。
型結晶に入射させる基本波長の励起光は特定方向に偏光
していた方が効率が良いこと等から、特定方向に偏光さ
れた発振レーザ光に対するニーズが高まってきた。そこ
で従来は、特定方向に偏光された発振レーザ光を得るた
めに発振レーザ光を偏光プリズム、偏光板等の偏光子を
通して、発振レーザ光から偏光方向が特定のもののみを
選択的に取り出していた。しかし、発振レーザ光を偏光
子に通すことによって著しい効率の低下を招いていた。
また、従来は、ある程度偏光方向が特定の方向に集中し
ている発振レーザ光が得られる手段として、レーザホス
トにブリュースター角を持たせる手段があった。しかし
、レーザホストにブリュースター角を持たせる加工には
高度な技術が要求され、さらには工程数が増加してレー
ザのコスト高を招いていた。
ている発振レーザ光が得られる手段として、レーザホス
トにブリュースター角を持たせる手段があった。しかし
、レーザホストにブリュースター角を持たせる加工には
高度な技術が要求され、さらには工程数が増加してレー
ザのコスト高を招いていた。
本発明はかかる現状に鑑みて行なわれたものであり、上
記の従来の手段を用いずとも偏光方向が特定の方向に集
中している発振レーザ光が簡便に得られ、さらには特定
方向に偏光された発振レーザ光を効率良く得ることが可
能となるクリソベリル固体レーザを提供することを目的
とする。
記の従来の手段を用いずとも偏光方向が特定の方向に集
中している発振レーザ光が簡便に得られ、さらには特定
方向に偏光された発振レーザ光を効率良く得ることが可
能となるクリソベリル固体レーザを提供することを目的
とする。
[課題を解決するための手段]
本発明の上記目的は、3価のチタンイオンを発光イオン
として含有するクリソベリル単結晶からなるレーザホス
ト、励起光発生手段およびレーザキャビティを備えるク
リソベリル固体レーザにおいて、そのレーザホストを、
クリソベリル単結晶のb軸方向とレーザキャビティ内で
増幅されている光のレーザホスト内の経路との位置関係
を特定して配置することによって達成される。
として含有するクリソベリル単結晶からなるレーザホス
ト、励起光発生手段およびレーザキャビティを備えるク
リソベリル固体レーザにおいて、そのレーザホストを、
クリソベリル単結晶のb軸方向とレーザキャビティ内で
増幅されている光のレーザホスト内の経路との位置関係
を特定して配置することによって達成される。
すなわち本発明は、
a)発光イオンとして3価のチタンイオンを0.01〜
1.0重量%含有する少なくとも 1個のクリソベリル
単結晶からなるレーザホストと、 b)該発光イオンを励起して光を発生させるための励起
光発生手段と、 C)前記発光イオンから発せられた光を増幅して発振レ
ーザ光を発生させるためのレーザキャビティ とを備えるレーザであって、該クリソベリル単結晶のb
軸方向が、前記レーザキャビティ内で増幅されている光
の該レーザホスト内の経路から30゜以上離れるように
該レーザホストを配置したことを特徴とするクリソベリ
ル固体レーザにある。
1.0重量%含有する少なくとも 1個のクリソベリル
単結晶からなるレーザホストと、 b)該発光イオンを励起して光を発生させるための励起
光発生手段と、 C)前記発光イオンから発せられた光を増幅して発振レ
ーザ光を発生させるためのレーザキャビティ とを備えるレーザであって、該クリソベリル単結晶のb
軸方向が、前記レーザキャビティ内で増幅されている光
の該レーザホスト内の経路から30゜以上離れるように
該レーザホストを配置したことを特徴とするクリソベリ
ル固体レーザにある。
本発明においてレーザホストとして用いられる8価のチ
タンイオンを含有するクリソベリル単結され、その格子
定数はa=0.5478r+m5b−0.9404nm
。
タンイオンを含有するクリソベリル単結され、その格子
定数はa=0.5478r+m5b−0.9404nm
。
c=0.4425nmである。また、かかるクリソベリ
ル単結晶においてa軸、b軸、a軸のそれぞれの軸方向
は直交している。
ル単結晶においてa軸、b軸、a軸のそれぞれの軸方向
は直交している。
本発明に供せられるクリソベリル単結晶は、チョクラル
スキー法、浮遊帯域融解法等で育成されるが、大型で高
品質のクリソベリル単結晶を得るにはチョクラルスキー
法が好適に採用される。例えば、チョクラルスキー法に
おいては、下記の原料をイリジウム製のるつぼ内に入れ
、高周波誘導加熱型チョクラルスキー類等の中で溶融さ
せる。
スキー法、浮遊帯域融解法等で育成されるが、大型で高
品質のクリソベリル単結晶を得るにはチョクラルスキー
法が好適に採用される。例えば、チョクラルスキー法に
おいては、下記の原料をイリジウム製のるつぼ内に入れ
、高周波誘導加熱型チョクラルスキー類等の中で溶融さ
せる。
そして、原料が完全に溶融した後に種結晶をゆっくりと
回転させながら溶融物の表面と接触させ、続いてゆっく
りと引き上げてクリソベリル単結晶を育成させる方法が
一般的である。また、この際の育成条件の選択によって
、含有物や偏析物を含まない3価のチタンイオンを含有
するクリソベリル単結晶が良好に得られる。育成の際の
雰囲気は、水素ガス、窒素ガス、アルゴンガス、または
これらの混合ガス等の雰囲気が一般的であり、育成系内
の酸素分圧を10−9〜10−17とすることが好まし
い。
回転させながら溶融物の表面と接触させ、続いてゆっく
りと引き上げてクリソベリル単結晶を育成させる方法が
一般的である。また、この際の育成条件の選択によって
、含有物や偏析物を含まない3価のチタンイオンを含有
するクリソベリル単結晶が良好に得られる。育成の際の
雰囲気は、水素ガス、窒素ガス、アルゴンガス、または
これらの混合ガス等の雰囲気が一般的であり、育成系内
の酸素分圧を10−9〜10−17とすることが好まし
い。
ここに用いられる原料としては、酸化ベリリウム(B
e O)と酸化アルミニウム(A)203)であり、こ
れに発光イオンとして酸化チタン(m)(Ti203)
を加える。3価のチタンイオンは単結晶中に0.01〜
1.0重量%含有されることが必要であり、チタンイオ
ンの含有量が0,01重量%より小さいと発光が弱く実
用上使用できない。また、チタンイオンの含有量が1.
0重量%を超えると、クリソベリル単結晶からなる母材
の発振波長領域の残存吸収係数が増加するので好ましく
ない。
e O)と酸化アルミニウム(A)203)であり、こ
れに発光イオンとして酸化チタン(m)(Ti203)
を加える。3価のチタンイオンは単結晶中に0.01〜
1.0重量%含有されることが必要であり、チタンイオ
ンの含有量が0,01重量%より小さいと発光が弱く実
用上使用できない。また、チタンイオンの含有量が1.
0重量%を超えると、クリソベリル単結晶からなる母材
の発振波長領域の残存吸収係数が増加するので好ましく
ない。
本発明にあっては、上記の3価のチタンイオンを含有す
るクリソベリル単結晶からレーザホストを得る。その際
、レーザを構成する時に、クリソベリル単結晶のb軸方
向とレーザキャビティ内で増幅されている光のレーザホ
スト内の経路との位置関係を後述する特定条件で良好に
配置せしめることができるようにレーザホストを調製す
る。その具体的な方法に関しては任意であるが、例えば
、クリソベリル単結晶をそのb軸方向を考慮してロッド
状、板状、角柱状等の型にカットし、レーザを構成した
時に励起光またはレーザキャビティ内で増幅されている
光が通過する面を光学研磨した後、必要に応じて誘電体
薄膜の蒸着等の処理を施す方法が好適である。上記のレ
ーザを構成した時に励起光等の光が通過する面のカット
に関しては特に制限されず、通常の垂直なカットまたは
ブリュースター角を持たせたカットであっても良い。
るクリソベリル単結晶からレーザホストを得る。その際
、レーザを構成する時に、クリソベリル単結晶のb軸方
向とレーザキャビティ内で増幅されている光のレーザホ
スト内の経路との位置関係を後述する特定条件で良好に
配置せしめることができるようにレーザホストを調製す
る。その具体的な方法に関しては任意であるが、例えば
、クリソベリル単結晶をそのb軸方向を考慮してロッド
状、板状、角柱状等の型にカットし、レーザを構成した
時に励起光またはレーザキャビティ内で増幅されている
光が通過する面を光学研磨した後、必要に応じて誘電体
薄膜の蒸着等の処理を施す方法が好適である。上記のレ
ーザを構成した時に励起光等の光が通過する面のカット
に関しては特に制限されず、通常の垂直なカットまたは
ブリュースター角を持たせたカットであっても良い。
ブリュースター角を持たせる場合はb軸方向に偏光した
光の反射率が小さくなるようにすることが好ましい。ま
た、得られるレーザホストは、 1個のクリソベリル単
結晶からなるものであっても、複数のものを組み合わせ
てなるものであっても構わない。
光の反射率が小さくなるようにすることが好ましい。ま
た、得られるレーザホストは、 1個のクリソベリル単
結晶からなるものであっても、複数のものを組み合わせ
てなるものであっても構わない。
本発明では、このレーザホストを、クリソベリル単結晶
のb軸方向か、レーザキャビティ内で増幅されている光
のレーザホスト内の経路から30゜以上離れるように、
好ましくは60°以上離れるように、特に好ましくは9
0°すなわち垂直となるように配置することが必要であ
る。換言すれば、本発明においてレーザホストは、クリ
ソベリル単結晶のb軸方向と、クリソベリル単結晶内の
発光イオンから発せられてレーザキャビティ内で増幅さ
れている光のレーザホスト内の経路とのなす角度(上記
のb軸方向と光の経路とのなす角度のうち小さい方の角
度)が30〜90°、好ましくは60〜90°、特に好
ましくは90°となるように配置されることが必要であ
る。クリソベリル単結晶のb軸方向が前記の光の経路か
ら30°より少ししか離れていないと、すなわちクリソ
ベリル単結晶のb軸方向と前記の光の経路とのなす角度
が0°以上80°未満の場合は、得られる発振レーザ光
の偏光方向が特定の方向に良好に集中しない。
のb軸方向か、レーザキャビティ内で増幅されている光
のレーザホスト内の経路から30゜以上離れるように、
好ましくは60°以上離れるように、特に好ましくは9
0°すなわち垂直となるように配置することが必要であ
る。換言すれば、本発明においてレーザホストは、クリ
ソベリル単結晶のb軸方向と、クリソベリル単結晶内の
発光イオンから発せられてレーザキャビティ内で増幅さ
れている光のレーザホスト内の経路とのなす角度(上記
のb軸方向と光の経路とのなす角度のうち小さい方の角
度)が30〜90°、好ましくは60〜90°、特に好
ましくは90°となるように配置されることが必要であ
る。クリソベリル単結晶のb軸方向が前記の光の経路か
ら30°より少ししか離れていないと、すなわちクリソ
ベリル単結晶のb軸方向と前記の光の経路とのなす角度
が0°以上80°未満の場合は、得られる発振レーザ光
の偏光方向が特定の方向に良好に集中しない。
また、本発明にあっては、レーザホストを上記の条件を
満たして配置できるようにレーザキャビティを構成する
必要があるが、その具体的な構成は任意であり、通常使
用されるレーザキャビティと同様の構成であっても構わ
ない。
満たして配置できるようにレーザキャビティを構成する
必要があるが、その具体的な構成は任意であり、通常使
用されるレーザキャビティと同様の構成であっても構わ
ない。
さらに、本発明の固体レーザにおいては、クリソベリル
単結晶内の発光イオンを励起するための励起光の発生手
段が必要である。この励起光としては、単結晶の吸収帯
である500nm付近の波長を含む励起ランプ光または
500nm付近の励起レーザ光が使用される。励起ラン
プ光の発生手段としてはキセノンフラッシュランプ等、
励起レーザ光の発生手段としてはQスイッチYAGレー
ザ(第2高調波)、アルゴンレーザ、銅蒸気レーザ等が
好適に使用される。上述の励起光とレーザホストとの位
置関係は任意であり、励起光によってレーザホスト内の
発光イオンが励起されて光が良好に発せられれば良い。
単結晶内の発光イオンを励起するための励起光の発生手
段が必要である。この励起光としては、単結晶の吸収帯
である500nm付近の波長を含む励起ランプ光または
500nm付近の励起レーザ光が使用される。励起ラン
プ光の発生手段としてはキセノンフラッシュランプ等、
励起レーザ光の発生手段としてはQスイッチYAGレー
ザ(第2高調波)、アルゴンレーザ、銅蒸気レーザ等が
好適に使用される。上述の励起光とレーザホストとの位
置関係は任意であり、励起光によってレーザホスト内の
発光イオンが励起されて光が良好に発せられれば良い。
本発明のクリソベリル固体レーザは、上記のレーザホス
ト、励起光発生手段およびレーザキャビティを備え、そ
の際、前述のごとく、クリソベリル単結晶のb軸方向が
、レーザキャビティ内で増幅されている光のレーザホス
ト内の経路から30゜以上離れるようにレーザホストを
配置することが必要である。その他の具体的な構成に関
しては特に制限はなく、通常の固体レーザの構成と同様
であっても構わない。
ト、励起光発生手段およびレーザキャビティを備え、そ
の際、前述のごとく、クリソベリル単結晶のb軸方向が
、レーザキャビティ内で増幅されている光のレーザホス
ト内の経路から30゜以上離れるようにレーザホストを
配置することが必要である。その他の具体的な構成に関
しては特に制限はなく、通常の固体レーザの構成と同様
であっても構わない。
[実施例]
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する
。
。
実施例1
原料として、純度99.99%の酸化ベリリウム、純度
99.999%の酸化アルミニウム、純度99.9%の
酸化チタン(m)をそれぞれ19.5重量%、79.4
重量%、1.1重量%となるようにイリジウム製のるつ
ぼ内に入れ、育成系内の酸素分圧が10−11となるよ
うに調製された窒素および水素からなるガスを導入した
高周波誘導加熱型チョクラルスキー炉内で溶融した。原
料が完全に溶融した後、種結晶をゆっくりと回転させな
がら溶融物の表面と接触させ、続いて0.5mm/hr
の速度で引き上げることによって8価のチタンイオンを
含有するクリソベリル単結晶を得た。なお、本単結晶の
融点は1870℃近傍なので、単結晶の育成はこの温度
近傍で行なわれた。
99.999%の酸化アルミニウム、純度99.9%の
酸化チタン(m)をそれぞれ19.5重量%、79.4
重量%、1.1重量%となるようにイリジウム製のるつ
ぼ内に入れ、育成系内の酸素分圧が10−11となるよ
うに調製された窒素および水素からなるガスを導入した
高周波誘導加熱型チョクラルスキー炉内で溶融した。原
料が完全に溶融した後、種結晶をゆっくりと回転させな
がら溶融物の表面と接触させ、続いて0.5mm/hr
の速度で引き上げることによって8価のチタンイオンを
含有するクリソベリル単結晶を得た。なお、本単結晶の
融点は1870℃近傍なので、単結晶の育成はこの温度
近傍で行なわれた。
このようにして得られたクリソベリル単結晶をカットし
て4mφX40m、f’のロッドを製作した。
て4mφX40m、f’のロッドを製作した。
その際、クリソベリル単結晶のa軸方向とb軸方向がロ
ッドの長手方向と垂直となるように調製し、両端面は垂
直にカットした。さらに、得られたロッドの両端面を光
学研磨した後、830±50nmと500nm付近にお
いて高透過率となるように誘電体薄膜を蒸着してレーザ
ホストを得た。このレーザホストを、レーザホストの両
端面の中心を結んだ線を軸として360°回転させるこ
とが可能なホルダーにとりつけ、励起光源等と共に固体
レーザを構成し、得られる発振レーザ光を評価するため
の実験装置を構成した。第1図にその実験装置の構成図
を示す。
ッドの長手方向と垂直となるように調製し、両端面は垂
直にカットした。さらに、得られたロッドの両端面を光
学研磨した後、830±50nmと500nm付近にお
いて高透過率となるように誘電体薄膜を蒸着してレーザ
ホストを得た。このレーザホストを、レーザホストの両
端面の中心を結んだ線を軸として360°回転させるこ
とが可能なホルダーにとりつけ、励起光源等と共に固体
レーザを構成し、得られる発振レーザ光を評価するため
の実験装置を構成した。第1図にその実験装置の構成図
を示す。
第1図において、1は固体レーザ、2は励起光源、3は
グラントムソンプリズム、4は集光レンズ、5はレーザ
キャビティ、6はレーザホスト、7は励起光の経路、8
はレーザキャビティ5内で増幅されている光の経路、9
は発振レーザ光の経路、10〜12はキャビティミラー
、13は偏光板、14はパワーメーターをそれぞれ示す
。
グラントムソンプリズム、4は集光レンズ、5はレーザ
キャビティ、6はレーザホスト、7は励起光の経路、8
はレーザキャビティ5内で増幅されている光の経路、9
は発振レーザ光の経路、10〜12はキャビティミラー
、13は偏光板、14はパワーメーターをそれぞれ示す
。
固体レーザ1は、励起光源2、グラントムソンプリズム
3、集光レンズ4、レーザキャビティ5、レーザホスト
6から構成されている。その詳細を下記に示す。
3、集光レンズ4、レーザキャビティ5、レーザホスト
6から構成されている。その詳細を下記に示す。
すなわち、励起レーザ光7としてはQスイッチYAGレ
ーザの第2高調波(532nm )を用いた。励起光源
2から発せられた励起レーザ光7は、グラントムソンプ
リズム3を通過することによって一定の偏光方向E(水
平方向)に揃えられた後、焦点距離80cmの集光レン
ズ4で、レーザキャビティ5内に配置されたレーザホス
ト6に集光される。
ーザの第2高調波(532nm )を用いた。励起光源
2から発せられた励起レーザ光7は、グラントムソンプ
リズム3を通過することによって一定の偏光方向E(水
平方向)に揃えられた後、焦点距離80cmの集光レン
ズ4で、レーザキャビティ5内に配置されたレーザホス
ト6に集光される。
そして、励起レーザ光7によってレーザホスト6内の3
価のチタンイオンが励起されて光が発せられ、その光は
レーザキャビティ5内を往復して増幅された後に(レー
ザキャビティ5内で増幅されている光の経路を8で示す
)、レーザキャビティ5から発振レーザ光9 (800
〜885nm )として出力される。
価のチタンイオンが励起されて光が発せられ、その光は
レーザキャビティ5内を往復して増幅された後に(レー
ザキャビティ5内で増幅されている光の経路を8で示す
)、レーザキャビティ5から発振レーザ光9 (800
〜885nm )として出力される。
ここで、レーザホスト6は、第1図に示すように、レー
ザキャビティ5内で増幅されている光の経路8上に長手
方向に真っすぐに配置して、クリソベリル単結晶のa軸
方向とb軸方向が、レーザキャビティ5内で増幅されて
いる光のレーザホスト6内の経路8に対して垂直となる
ようにした。
ザキャビティ5内で増幅されている光の経路8上に長手
方向に真っすぐに配置して、クリソベリル単結晶のa軸
方向とb軸方向が、レーザキャビティ5内で増幅されて
いる光のレーザホスト6内の経路8に対して垂直となる
ようにした。
また、レーザキャビティ5は、830±50nmの波長
の光を100%00%反射−ト付の曲率半径200 c
mのキャビティミラー10、HO±50nmの波長の光
を100%00%反射−ト付の曲率半径100 amの
キャビティミラー11、および880±50nmの波長
の光を99%反射するコート付の曲率半径無限大(平面
)のキャビティミラー12(出力ミラー)の3枚のミラ
ーから構成されている。
の光を100%00%反射−ト付の曲率半径200 c
mのキャビティミラー10、HO±50nmの波長の光
を100%00%反射−ト付の曲率半径100 amの
キャビティミラー11、および880±50nmの波長
の光を99%反射するコート付の曲率半径無限大(平面
)のキャビティミラー12(出力ミラー)の3枚のミラ
ーから構成されている。
さらに、固体レーザ1から得られる発振レーザ光9を評
価するために、固体レーザ1は偏光板13、パワーメー
ター14と共に第1図に示す実験装置を構成する。すな
わち、固体レーザ1から得られた発振レーザ光9は偏光
板13を通過した後、パワーメーター14によってその
強度を測定される。ここで、偏光板13はその中心を通
る発振レーザ光9を軸として360°回転可能なように
ホルダーにマウントされており、発振レーザ光9のうち
任意の偏光方向のもののみの強度を測定できるように構
成されている。
価するために、固体レーザ1は偏光板13、パワーメー
ター14と共に第1図に示す実験装置を構成する。すな
わち、固体レーザ1から得られた発振レーザ光9は偏光
板13を通過した後、パワーメーター14によってその
強度を測定される。ここで、偏光板13はその中心を通
る発振レーザ光9を軸として360°回転可能なように
ホルダーにマウントされており、発振レーザ光9のうち
任意の偏光方向のもののみの強度を測定できるように構
成されている。
この実験装置を用いて、レーザホスト6を回転させるこ
とによって励起レーザ光7の偏光方向Eとクリソベリル
単結晶のb軸方向とを一致させ(b軸方向:水平方向)
、得られる発振レーザ光9の偏光方向ごとの強度(任意
単位)を測定した。
とによって励起レーザ光7の偏光方向Eとクリソベリル
単結晶のb軸方向とを一致させ(b軸方向:水平方向)
、得られる発振レーザ光9の偏光方向ごとの強度(任意
単位)を測定した。
得られた結果を第2図に示す。第2図においては、励起
レーザ光7の偏光方向Eと同一の偏光方向(水平方向)
を09として、発振レーザ光9の進行方向を向いて反時
計回りに0〜360°とし、横軸に励起レーザ光7の偏
光方向E(水平方向)と測定している発振レーザ光9の
偏光方向とのなす角度[0]、縦軸に強度(任意単位)
をそれぞれ示した。
レーザ光7の偏光方向Eと同一の偏光方向(水平方向)
を09として、発振レーザ光9の進行方向を向いて反時
計回りに0〜360°とし、横軸に励起レーザ光7の偏
光方向E(水平方向)と測定している発振レーザ光9の
偏光方向とのなす角度[0]、縦軸に強度(任意単位)
をそれぞれ示した。
実施例2
励起レーザ光7の偏光方向Eとクリソベリル単結晶のb
軸方向とを直交させた(b軸方向:鉛直方向)以外は実
施例1と同様にして、得られる発振レーザ光9の偏光方
向ごとの強度を測定し、得られた結果を第3図に示す。
軸方向とを直交させた(b軸方向:鉛直方向)以外は実
施例1と同様にして、得られる発振レーザ光9の偏光方
向ごとの強度を測定し、得られた結果を第3図に示す。
実施例3
励起レーザ光7の偏光方向Eとクリソベリル単結晶のb
軸方向とのなす角度を45°とした以外は実施例1と同
様にして、得られる発振レーザ光9の偏光方向ごとの強
度を測定し、得られた結果を第4図に示す。
軸方向とのなす角度を45°とした以外は実施例1と同
様にして、得られる発振レーザ光9の偏光方向ごとの強
度を測定し、得られた結果を第4図に示す。
実施例1〜3の結果から明らかなように、励起レーザ光
の偏光方向Eとクリソベリル単結晶のb軸方向とのなす
角度に関係なく、得られる発振レーザ光は常にクリソベ
リル単結晶のb軸方向に集中して偏光していることがわ
かる。
の偏光方向Eとクリソベリル単結晶のb軸方向とのなす
角度に関係なく、得られる発振レーザ光は常にクリソベ
リル単結晶のb軸方向に集中して偏光していることがわ
かる。
[発明の効果]
以上説明したように、3価のチタンイオンを発光イオン
として含有するクリソベリル単結晶からなるレーザホス
ト、励起光発生手段およびレーザキャビティを備え、そ
のレーザホストを、クリソベリル単結晶のb軸方向とレ
ーザキャビティ内で増幅されている光のレーザホスト内
の経路との位置関係を特定して配置した本発明のクリソ
ベリル固体レーザによって、偏光方向が特定の方向(ク
リソベリル単結晶のb軸方向)に集中している発振レー
ザ光を簡便に得ることが可能である。
として含有するクリソベリル単結晶からなるレーザホス
ト、励起光発生手段およびレーザキャビティを備え、そ
のレーザホストを、クリソベリル単結晶のb軸方向とレ
ーザキャビティ内で増幅されている光のレーザホスト内
の経路との位置関係を特定して配置した本発明のクリソ
ベリル固体レーザによって、偏光方向が特定の方向(ク
リソベリル単結晶のb軸方向)に集中している発振レー
ザ光を簡便に得ることが可能である。
また、本発明のクリソベリル固体レーザで得られる発振
レーザ光は、偏光方向が特定の方向に集中しているので
偏光子を通しても効率の低下が小さく、従って、本発明
のクリソベリル固体レーザを使用すると特定方向に偏光
された発振レーザ光を極めて効率良く得ることが可能と
なる。
レーザ光は、偏光方向が特定の方向に集中しているので
偏光子を通しても効率の低下が小さく、従って、本発明
のクリソベリル固体レーザを使用すると特定方向に偏光
された発振レーザ光を極めて効率良く得ることが可能と
なる。
第1図は、本発明の一実施例において使用された実験装
置の構成図であり、 第2〜4図は、それぞれ実施例1〜3において、励起レ
ーザ光の偏光方向と測定している発振レーザ光の偏光方
向とのなす角度に対する発振レーザ光の強度の関係を示
すグラフである。 1:固体レーザ、2:励起光源、 3ニゲラントムソンプリズム、4:集光レンズ、5:レ
ーザキャビティ、6:レーザホスト、7:励起光(励起
レーザ光)の経路、 8:レーザキャビティ5内で増幅されている光の経路、 9:発振レーザ光の経路、 10〜12:キャビティミラー 13:偏光板、14:パワーメーター
置の構成図であり、 第2〜4図は、それぞれ実施例1〜3において、励起レ
ーザ光の偏光方向と測定している発振レーザ光の偏光方
向とのなす角度に対する発振レーザ光の強度の関係を示
すグラフである。 1:固体レーザ、2:励起光源、 3ニゲラントムソンプリズム、4:集光レンズ、5:レ
ーザキャビティ、6:レーザホスト、7:励起光(励起
レーザ光)の経路、 8:レーザキャビティ5内で増幅されている光の経路、 9:発振レーザ光の経路、 10〜12:キャビティミラー 13:偏光板、14:パワーメーター
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、a)発光イオンとして3価のチタンイオンを0.0
1〜1.0重量%含有する少なくとも1個のクリソベリ
ル単結晶からなるレーザホストと、 b)該発光イオンを励起して光を発生させるための励起
光発生手段と、 c)前記発光イオンから発せられた光を増幅して発振レ
ーザ光を発生させるためのレーザキャビティ とを備えるレーザであって、該クリソベリル単結晶のb
軸方向が、前記レーザキャビティ内で増幅されている光
の該レーザホスト内の経路から30°以上離れるように
該レーザホストを配置したことを特徴とするクリソベリ
ル固体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP968089A JPH02192191A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | クリソベリル固体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP968089A JPH02192191A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | クリソベリル固体レーザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02192191A true JPH02192191A (ja) | 1990-07-27 |
Family
ID=11726923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP968089A Pending JPH02192191A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | クリソベリル固体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02192191A (ja) |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP968089A patent/JPH02192191A/ja active Pending
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